PECVD操作指导书
PECVD作业指导书
CENTROTHERM管式PECVD操作说明书按压START真空泵启动按钮，启动真空泵。
（图
图6.1.2
打开并检查气源。
打开压缩空气阀，N2阀，NH3阀，
6kg /cm2—7kg /cm2。
其他气体4 kg /cm2—10kg /cm2范围
开启SIH4阀（图4）
图（4）阀（图6）
图（6）开总电源。
用手扳住电柜外部的红色按钮，机器上指示灯
图（8）
VAT控制器灯亮，可确定总电源已开启（图8）。
启动CMI程序。
开总电源后计算机自动启动。
输入密码后自动进入Windows桌面。
用鼠标左键双击“CMI”图标，启动CMI。
进入CMI 画面，检查设备状态：
SLS=UP ，DOOR=CLOSED ，PLC=OK ，LIFT=READY ，TUBE=READY ，TGA FREE=YES
SET/ACT POSITION=0 ，PROCFLAG=OK（整体界面图9）
选择工艺程序，生产。
插片。
用小车承载石墨舟，在插片房中插满硅片。
向机器进车。
向机器推入装完片的石墨舟小车。
计算机
在“LOTS”里输入自己名字的拼音缩写，在舟号里输入舟的号码。
选择对应的工艺文件。
设备自动进行工艺生产。
(整体界面图10)
图（10）。
PECVD作业指导书
保密级别C文件种类作业指导书文件编号LW－PT3－015－A0编制部门工艺技术部编制/日期修订/日期审核/日期批准/日期PECVD作业指导书1..目的指导生产2 适用范围电池制造部PECVD工序OTB设备。
3 定义无4 职任、权限适用于PECVD工序OTB设备的车间作业人员5 工作流程图无6 正文6.1 操作目的在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜。
6.2 设备及工具OTB设备、载片盒、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪6.3 材料与工艺气体HF清洗后合格的多晶硅片、硅烷、氨气、氩气、氮气、压缩空气。
6.4 车间洁净管理进入车间必须穿戴工作服，操作时戴洁净的手套、口罩。
并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。
6.5准备工作6.5.1 设备准备确认设备正常运行,工艺真空度要求、工艺温度、冷却水压力、特气压力及流量正常. 6.5.2 原材料准备检查RANA湿法刻蚀后的硅片,将合格硅片传送至DEPX加载位置，准备生产；不合格片不能投入.6.5.3 工装工具准备备齐用于工艺生产的载片盒、隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、椭片仪等。
6.6 机械装片机械手自动传送至DEPX24006.6.1 自动装舟自动上片，机械手依次装满3×4的石英舟，然后，进入载入室进行抽真空等步骤。
6.6.2 LMS传送系统磁悬浮轨道的自动传送，使石英舟在整个真空环境下与底部导轨无接触的传输完成整个工艺过程。
手动取片盒：首先将一排的3个载片盒依次取出，然后放到指定位置或传送至下道工序印刷。
注意事项：取片盒时一定要轻，防止硅片掉出片盒，增加不必要的碎片，保持载片盒的竖直取放和移动。
将合格硅片随流程单一起转下工序，严禁不合格硅片转入下道工序。
将合格硅片与随工单一起转下工序。
常见不合格硅片有崩边、缺角、裂纹、碎片、变色、斑点、穿孔、颜色不均匀等。
6.7 操作控制6.7.1 绒面硅片经PECVD镀膜后减反射膜厚度目标平均值为88±2nm，表面折射率平均目标值应为 2.08±0.03。
PECVD岗位说明书
将硅片与舟很好的接触； 5.5.5 工艺运行，发生报警现象，立即通知设备人员，不要私自处理； 5.5.6 各线小车不可以通用，以免造成撞舟； 5.5.7 注意工艺圆点大小，工艺圆点尺寸大于 1.6mm 则停止使用该舟，记录并通知设备
5.2.8 插满一面后，将吸笔挂好，双手按住小推车把手，缓慢用力将舟放平,右手扶住小车底部，
缓慢转动小推车台面，将舟旋转 180 度，然后双手按住小车把手将舟倾斜 40 度，将另一面 插满，其间手不得接触硅片；
文件名称
PECVD 岗位作业指导书
文号： 版别： 页次： 4 / 11
5.2.9 片子插完后，双手按住小车把手将舟放平； 5.2.10 对石墨舟内片子进行确认，检查硅片是否与舟璧贴合，有无漏等现象； 5.2.11 确认电极孔的完好，无异物，同时确认电极孔的一端朝向炉内放置
b.冷却水压力、压差、流量、温度确认，真空泵工作状态确认；
c.自动上料机械臂状态确认，能否正常上下舟；
d.确认机器是否有其它报警现象；
e.作业环境洁净度要求：10 万级 温度：21~25 度 湿度 45--55%； f.发现报警等异常及时反馈给设备； 5.1.4 5S 及岗位工艺卫生: a.正确配戴好、口罩、手套， 每班上班后立即清理岗位现场及设备卫生，以保证车间的洁净度； b.禁止直接用手接触硅片或石英吸笔头，取出四盒后放于插片台，其他硅片应全部放在洁净柜
5.2.5 将放置有石墨舟的小推车缓慢推入净化工作台，注意小推车和石墨舟勿与工作台撞击;
文件名称
PECVD 岗位作业指导书
文号： 版别： 页次： 3 / 11
5.2.6 双手按住小推车把手，向下缓慢用力将舟倾斜 40 度，并检查舟的放置是否平稳；
管式PECVD插片、卸片作业标准指导书SOP-标准版
适用产品 Product ：125S 、M 、156S 、M 版次： Version作业名称 Station ：管式PE 岗位插卸片No.Qty No.No.11112122Step1：插卸片的准备Step1：吸笔垫先要压平Step2：把吸笔头清洗干净，用酒精布插试注意：真空力大，容易使吸住的硅片直接爆裂。
Step4：吸笔垫贴完后，再把吸笔头压Step3：撕开吸笔膜，从吸笔头的上方开始贴，贴好后在桌上，使吸笔头完全压平再把吸笔膜完全撕掉，顺着吸笔头的方向压平。
石墨舟手套（乳胶手套、棉布手套)PE岗位插卸片第一步（插卸片的精髓：动作要轻、慢、稳、做到无声操作）Ⅰ、工具使用需求 Tooling工具名称 Tooling 石英吸笔标准作业书 Standard.Operation.ProcedureⅢ、注意事项Ⅱ、劳保用品名称口罩内容调节吸笔真空的大小，石墨舟价格昂贵。
石英吸笔，易碎，保持吸笔头的干净，整洁。
确认吸笔上的贴膜，是否干净整洁，24小时更换一次。
调节节流阀，控制真空的吸力。
Step1：用右手食指按住吸笔孔，与硅片的上方，平行的吸住硅片Step2：确认吸住硅片后从承载盒内，水平的拉出。
Step3：吸住硅片顺着舟叶往下滑。
保持平行，不能折硅片，容易破碎注意：无声操作Step6：硅片卡住工艺点后，食指松开，拉出吸笔。
Step5：碰到2号3号工艺点时，要轻轻的接触。
Step4：避免碰到1号工艺点，无声操作，往下滑。
1号2号3号注意：等硅片卡住之后，再松开，拉出吸笔。
注意：接触工艺点时，轻轻的接触，避免卡碎。
注意：避开工艺点，小心碰碎Step1：吸笔贴着硅片的面，平行的下去，吸住硅片。
Step2：吸住硅片后，轻轻往上提，如提不动，在左右晃晃Step3：拉出硅片后，轻轻的放入卸片盒内，，确认硅片脱落工艺点后，再拉出。
卸片盒与舟面成60°夹角。
注意：确认吸笔完全吸住片子，避免片子吸不住，注意：把片子放入卸片盒中，动作要轻，避免硅片从卸片盒导致由于吸笔吸不住，硅片直接掉落。
PECVD作业指导书
PECVD作业指导书PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）被广泛应用于半导体、微电子和涂层行业，用于制备高品质的薄膜材料。
本文将介绍PECVD的基本原理，工作过程以及在不同领域的应用。
一、基本原理PECVD是一种基于化学气相沉积的薄膜制备技术，其核心原理是利用等离子体激活气体分子，在较低的温度下生成和沉积薄膜。
其主要步骤包括气体进样、气体激活、离子束加速和沉积薄膜。
通常，PECVD系统由真空室、进气系统、高频发生器和沉积室等部分组成。
二、工作过程1. 气体进样：待沉积的薄膜材料会以气体形式通过进气系统输入到PECVD系统中。
常用的气体包括硅烷、氨气、二甲基酮等。
2. 气体激活：高频发生器产生的高频电场作用下，原质子分解为阳极、阴极和自由电子，形成等离子体。
等离子体释放出的电子和原子之间发生碰撞，激活气体分子。
3. 离子束加速：在等离子体激活气体的作用下，离子在电场的作用下被加速，形成离子束。
离子束的能量和速度决定了薄膜生长的速度和质量。
4. 沉积薄膜：离子束撞击基片表面，使原子重新排列并沉积在基片上，形成薄膜。
具体沉积过程中，离子以电子作为中间体，通过吸附、解离和重组等反应形成化学键。
三、应用领域1. 半导体工业：PECVD被广泛应用于半导体器件的制造中。
例如，可以使用PECVD在晶圆上沉积硅氮氧化物作为绝缘层，或者沉积多晶硅用于构建晶体管等。
2. 微电子工业：PECVD可以在平板显示器、光伏电池和传感器等微电子器件的制造过程中发挥重要作用。
例如，PECVD可用于制备SiNx和SiOx薄膜用于光学薄膜和阻隔层。
3. 涂层工业：PECVD还被应用于不同类型的涂层，例如防反射涂层、耐磨涂层和阻隔膜等。
通过控制沉积参数，可以调节薄膜的光学、电学和机械性能，以满足不同的应用需求。
总之，PECVD作为一种重要的化学气相沉积技术，在半导体、微电子和涂层领域发挥着重要作用。
管式PECVD作业指导书
一、目的：建立正确操作管式PECVD设备的规范，以保证PECVD的质量及保护机器和人身安全。
二、范围：本指导书适用于管式PECVD设备的操作规程。
三、职责3.1工艺技术人员3.1.1负责管式PECVD工序生产工艺运行的正常性、稳定性。
3.1.2负责部门内工艺运行原始资料的累积、保管，随时检查工艺运行状态，并记录异常，积极处理工艺异常。
3.1.3负责应对管式PECVD设备常见、突出、重大的工艺异常，制定落实整改措施、预防措施、应急方案。
3.2设备技术人员3.2.1负责管式PECVD设备开关机、故障分析、设备维护及检修。
3.2.2如有工艺需求，积极配合工艺人员调整设备硬件设置。
3.3生产人员3.3.1负责依照作业指导书要求，按标准进行生产作业，掌握正确的操作方法，确保操作安全、人身安全。
3.3.2细心总结操作经验，发现新问题或改善建议，及时向工艺技术员汇报。
3.3.3配合、协助设备的日常维护工作。
四、PECVD工艺标准操作流程4.1准备工作生产人员穿戴好防尘服，戴好口罩及防尘手套，做好准备工作。
检查插片房及冷却房可用，同时保证吸笔干净。
4.2领取硅片4.2.1生产人员到去PSG车间与PECVD车间中间的传递窗口领取硅片，并检查流程单，注意，传递窗不能两边同时打开。
4.2.2每次取两盒，放置于工作台上规定区域，按批次流程单号分类放好。
4.2.2生产班长将工作台上的硅片分配好，并安排生产人员将硅片盒放置于插片房载物台上，打开硅片盒。
4.3 插片4.3.1生产人员将载有石墨舟的小车缓慢推入石墨舟装片房。
4.3.2将石墨舟缓慢倾斜至限位点稳定。
4.3.2取下真空吸笔，检查吸笔，准备插片。
食指堵住真空吸笔上的小孔，将吸笔置于硅片靠近边缘处，在确定没有吸取多个硅片后，将硅片吸出，顺着石墨舟垂直插入插槽中（注意三个卡点是否已将硅片卡住）。
4.3.3待舟的一面插满，检查确定没有漏插以及不合格后，按住载舟车调换按钮，将石墨舟旋转180°，以同样的方式继续插片舟的另一面。
PECVD作业指导书08
目的:制定设备保养的具体要求、执行步骤和标准设备\工具:吸尘器，tools，眼罩环境\安全要求: 见文末1.控制方案:2.控制标准: 3处理方案: 操作规程:一.Plasma SourceQuartz tube: 石英管，inner conductor: 内置铜导管，high density plasma area: 高密度等离子体区域，coaxial outerconductor: 同轴外导体，magnet system: 外加磁场系统，thin film deposition plasma: 薄膜敷层等离子体，depositionshield: 敷层防护槽，gas supply: 气体供应，substrates: 载片Deposition Shield 沉积敷层护槽Front Deposition Shield 前部沉积敷层护板●Cooling Water Supply (Inlet)冷却水入口❍Cooling Water Supply (Outlet) 冷却水出口⏹Gas Supply (NH3) 氨气供应口☐Gas Supply (SiH4) 硅烷供应口☐Gas Supply (SiH4) 硅烷供应口❑SiH4 Gas Shower 硅烷输出口❒Cooling Water System 冷却水系统♦Magnet System 磁性系统线性等离子体源的基本构造Removing the Quartz Tubes 拆卸石英管当设备运行工艺一段时间后，由于工艺腔内部会产生1到2簿膜层，然而这些簿膜层将会直接影响到敷层的效率，因此我们在用石英管30-40小时后更换，装卸步骤如下：(1)首先停止工艺，关闭泵，vent三个腔体，打开所有的盖子；(2)拆除微波产生器外部的盖子；(3)拔出每一侧与微波产生器相连的铜制天线；(4)向上轻提将侧部的敷层护板拆除；检修频次：40小时或工艺需要工艺要求更换(5)用设备提供的半月形工具先嵌人卡口互锁插头的孔中然后在向顺时针旋转；(6)将卡口互锁插头拔出；(7)最后将石英管及其配件沿竖直方向托出；(8)用吸尘器将它的源头和法栏处的微粒杂质吸出；2．Removing the Deposition Shields 拆卸敷层防护槽有时候当等离子体源经过长时间的工作后，也由于沉积过多并附着在敷层防护槽上，在这种情况下对防护槽的清洁也是非常重要的，因此我们需要将防护槽卸下来通常通过喷沙处理和超声波清洗并与酒精结合处理；特殊的T型工具（左）和维护操作过程开关比较（右）拆卸敷层防护槽的步骤：(1)先用真空吸尘器将槽内的敷层颗粒及杂质除去；(2)再用设备的T型工具固定住防护槽的一字栓后顺时针旋转90度；(3)沿竖直方向拔出防护槽；(4)清洁防护槽及其备件；(5)再次之后可用酒精将剩余的杂质祛除；检修频次：季度是否变形，完好度的判断更换，清洁，如果要更换敷层防护槽子可根据的拆除敷层防护槽的操作顺序相反进行操3 Cleaning the Plasma Source 清洁等离子体源作设备中的等离子体源也要定期的进行维护和清洁。
PECVD SOP
PECVD SOP1．目 的为规范PECVD 操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。
2．适用范围上海超日太阳能科技发展有限公司辖区内的PECVD 淀积车间。
3. 职 责3.1操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。
3.2熟练掌握每道操作步骤。
4．定 义4.1PECVD 间只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。
5. 程 序5.1 开启设备抽风系统电源。
5.2 向设备部确认SiH 4 和NH 3的供气系统及SiH 4燃烧塔已开启。
5.3 打开分气箱中的SiH 4气体的阀门（图1-1）和NH 3气体的阀门，开始向设备供气，调节压力控制阀来控制所需压力（图1-2）。
（图15.3 开启电控柜中PECVD 总电源，开始向设备供电。
5.4打开冰水机电源（图2-1），检查温度控制器的显示温度是否正常（图2-2），打开制冷开关（图2-3），打开冷液泵（图2-4），开始向系统提供冷却水。
（图2）5.5 打开真空泵电源开关（图3）。
（图3）5.6 在各项检查确认无误后整机开始通电，按下“上电开”按钮（图4-1），按下“加热开”按钮（图4-3），炉体开始加热，通过温度控制器的设定温度控制所需要的温度（图4-2），。
在运行过程中报警器鸣叫（图4-4），可能是停水、超温或断偶其中之一，故障解除后即停止鸣叫。
（图4）5.7 待显示温度达到设定温度时即可进行生产，将插满硅片的石墨舟放置在悬臂桨上，双击桌面上的“PECVD 计算机工艺自动控制系统”快捷键，在登陆界面密码框中输入“SA”，即进入控制系统（图5）。
（图5）5.8点击屏幕左上角的“编辑”按钮（图6）来选取工艺执行文件。
（图6）5.9点击“启动”（图7-1）→点击“确定”→点击“自循环”（图7-2）→点击“加锁”（图7-3），系统按程序自动运行。
（图7）5.10 在运行过程中，要时刻观察操作界面各运行参数是否正常，出舟后，稍作冷却，然后将石墨舟取下，放上第二只石墨舟点击“确定”，即可进行第二次循环操作。
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版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate1.目的：规范操作，为生产车间操作规范化提供依据2.范围：适用于PECVD设备使用工序.3. 职责：3.1.1负责PECVD设备的开机和关机程序。
3.1.2负责PECVD设备的日常维护。
3.1.3负责发现作业过程中其设备出现问题怎样解决。
4. 名词定义：无5. 设备使用程序：5.1 使用环境及工作条件5.1.1 环境温度＜25℃5.1.2 相对湿度＜75%5.1.3 净化等级1000级~10000级5.1.4 电源三相五线，380V/50HZ，≤50KW/管5.1.5 供水水压0.2MPa~0.4MPa5.1.6 供气SiH4NH3N2O2CF4五路气体，气压0.2MPa~0.45MPa5.1.7 配排风排毒装置5.2对环境及能源的影响PECVD设备本身对环境及能源没有任何影响，若用户采用不同的工艺，使用不同的气体可能对环境稍有影响，但由于用气量非常小，不会造成任何危害。
5.3安全版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate本设备在设计过程中已充分地考虑了安全因素，只要用户不违反操作规程绝不会出现安全事故。
唯一可能在工艺过程中使用易燃气体SiH4，气体源应远离操作台，工作场地禁止使用明火，工作人员禁止吸烟。
所有气路管道不允许有任何泄漏点。
5.4使用前的准备5.4.1 接通整机电源；5.4.2 接通本机水路；5.4.3 接通各路气路。
若设备停止工作时，应该将反应管内部抽成真空，停止加热，其目的是为了防止真空管路过热，会使压力传感器严重零漂，影响压力测量。
待温度低于250℃再停水，并关断NH3、SiH4等气体的手动阀。
6设备开启及关闭条件和方法6.1开启条件炉门开启前提条件：A、“常压”灯亮；B、“推舟退到位”亮；炉门关闭前提条件：A、“推舟退到位”亮；手动推舟运动的前提条件：A、炉门“旋转开到位”亮；B、炉门汽缸“退到位”亮；C、“常压”灯亮；送片运动的前提条件：A、炉门“退到位”亮；B、炉门汽缸“退到位”亮；版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDateC、“常压”灯亮；D、升降处于“上位”；E推舟处于“退到位”；取片运动的前提条件：A、炉门“退到位”亮；B、炉门汽缸“退到位”亮；C、“常压”灯亮；D、升降处于“下位”；E推舟处于“退到位”；慢抽开启前提条件：A、炉门“旋转关到位”亮；B、炉门汽缸“进到位”亮；主抽开启前提条件：A、“真空”灯亮；特气阀开启前提条件：A、真空压力低于600Pa；射频电源稳定工作条件：A、压力稳定；B、无片子短路；C、电极接触良好；以上信号注意“常压”信号的正确性，由于此信号为电接点压力表提供，触点的力较小，有时需要人为轻轻啪一下电接点压力表，让“常压”灯亮；“真空”信号为电接点压力表与真空测量压力表共同提供的，信号较为可靠。
推舟系统的到位信号除了升降“上位”和升降“下位”是旋转编码器提供外，其它一律为光电行程开关定位；由于旋转编码器无断电保持功能，注意在设备重新上电后，一定要对升降进行一次归原动作，方法是将升降机构往下运动，一直到“下位”，然后根据需要为送片还是取片，将其运动到“上位”或保持在“下位”；如果设备重新上电后没有对升降进行归原动作，有可能升降碰版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate到极限开关，显示屏“极限开关”会亮，解决方法是停止升降动作，将固定升降极限开关的固定板送开，将升降运动至“下位”，再固定好极限开关的固定板；6.2设备关闭方法a、关闭加热；b、将反应室抽成真空；c、关闭慢抽和主抽；d、关闭真空泵；e、退出系统；f、关闭设备控制电源；g、断开墙上总电源6.3设备启动方法a、合上墙上总电源；b、开启设备控制电源；c、进入计算机系统；d、开启真空泵；e、开启加热；f、选定工艺文件；（注意检查水、电、气）对于泵的启动方法有两种：A在计算机上启动；B在泵的编程器上启动；停止方法也一样7 常见故障分析与排除由于本设备是台特殊、专业性很强的设备。
它集机械、电子、高频、计算机、真空、气体、传动及温度控制为一体，如使用得当，经常维护，就不容易出故障。
如不按使用说明书严格操作，可能会出错，严重时可能会损坏设备，甚至出现人身事故。
常见故障分析与排除序号故障现象故障原因分析排除方法版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate1 温控仪显示H.H.----⑴断偶⑵接触不良⑶补偿导线被损坏⑴更换热偶⑵检查接线端是否松动⑶更换补偿导线2 蜂鸣器叫⑴超温或断偶报警⑵停水报警⑴如温控表没有信号输出，温度继续升高，一般是可控硅被击穿，更换可控硅芯子即可。
⑵打开水源，如无水应停机，否则会烧坏密封圈。
3 温度超温而蜂鸣器不叫消音按钮被误按下将消音开关复位4 水平层流无风或风量小⑴风机损坏⑵高效过滤器老化⑴更换风机⑵更换高效过滤器5炉体某段不升温⑴功率部件保险芯断⑵可控硅开路⑴更换保险芯⑵更换可控硅版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate6 真空抽不上去⑴工艺管前端密封不好⑵工艺两端密封圈老化⑶真空泵油污染严重⑴调整推舟机构⑵更换密封圈⑶更换泵油（在太阳能电池行业泵油应常更换）7 压控仪在抽真空过程中总处于报警状态，没有显示压力变送器电源未打开打开电源，若仍无输出，更换电源8 所有开关都不灵而无法启动或中途突然停电急停开关被误操作旋起急停开关9照明灯不亮灯管老化更换灯管版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate10机组声音异常(1)气压不够(2)缺相立刻停机检查11 在生产过程中发现压力突然过大，与上次压力不重复在修改参数时，参数不对检查参数是否正确12 在自动程序中执行步慢抽时，慢抽阀未打开进舟时未完全到位，光电开关信号未给计算机。
所以真空机组噪声大（1）采取跳上一步，再跳下一步即可。
（2）如多次出现可调一下光电开关板的位置。
13 在自动程序中执行到恒压时，发现可能某气源压力不够或没有气源（1）上跳步到恒温步再检查原因（2）退出版 本 Re v. 编写人 Prepared by 编写日期 Prepared Date 审核人Checked by 审核日期 Checked Date 批准人 Approved by 批准日期Approved Date 压力不正常14在放电过程中高频打不开或中途保护硅片短路，或电极接触不良引起高频电源保护按照正常程序对反应管反复抽真空后方可充气推舟，其理由是防止反应管内硅烷和氨气与空气反应，污染反应管及气路部分。
8 保养与维修8.1 工艺完成后，不继续做工艺时，保持工艺管内为真空状态，每天做工艺时可察看各真空压力表读数，以便工艺管密封是否良好。
8.2 对气路的保护。
在做完工艺后，必须按说明书要求去操作，千万不要让工艺气体留在管路中。
由于环境温度较高时，产生的反应物堵塞质量流量计。
警告当反应管内有硅烷及氨气时，严禁直接充氮推舟！版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate8.3 为了保护罗茨泵机组的寿命，要经常更换机械泵油，只要油泵观察窗发现油黑了就必须更换。
设备用在生产线上一般5天必须更换一次油。
（干泵机组例外）8.4 为了良好的工艺，优良的沉积膜，工艺管要定期进行酸洗，在生产线上至少一个月洗一次。
8.5 一个季度对设备进行一次性能的全面检查，检查各种功能是否正常可靠。
8.6 本设备必须有良好的工作环境，环境温度必须在20℃以下，由于SiH4的燃点非常低，在常温下会自燃，在28℃以上会发生反应。
8.7 罗茨泵的排风管道必须畅通，而且管路不能太长，否则由于排气不畅而发生爆鸣，严重时油泵观察窗会爆破。
轴承加油嘴必须保持始终有油8.8尾气排风管一周之内必须检查、清洗一次管路；8.9经常检查泵的水流量、和N2供应；8.10检查特气的供气压力，SiH4不得低于1公斤压力，不得高于4公斤压力；NH3不得低于4公斤压力，不得高于6公斤压力；8.11每天检查设备炉体前后的水冷法兰的温度，不得高于70度；版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate8.12经常检查石墨舟上的电极叉的变形程度，如变形严重应当更换。
8.13经常检查炉门上的两个螺钉是否松动，如松动，稍微拧紧即可。
8.14反应室（石英管）内的维护8.14.1定期将碎片拿出；8.14.2如果里面有大量的金黄色粉尘，将设备温度降至室温，用无尘布擦掉即可；8.14.3清洗石英管的工作由于牵涉真空系统，为了保证安全，可以联系设备厂家；8.15推舟、炉门机构运动部件的保养8.15.1定期在导轨和丝杆上加润滑油；8.15.2如果发现推舟机构异常，先与设备厂家联系；版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate8 安全防护及处理8.1安全防护8.1.1 为了保护设备安全运行而不受外界干扰，或高频电源不构成对其它电气的干扰，本机供电及接地线都要求分开走，不可相互交叉。
8.2.2 本机正在做工艺时，人体不得接近废气室，非本机操作人员不得接近本机。
8.3.3 如机械泵爆油时必须紧急停机。
为防止机油燃烧必须有消防器材，操作人员应紧急处理而不得逃离现场。