基于肖特基阻性二极管的140GHz二倍频器

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simetrix里的肖特基二极管

Simetrix是一款集成电路模拟软件，提供了丰富的元件库和功能强大的仿真工具，是电子工程师进行电路设计和仿真的重要工具。

其中，肖特基二极管是Simetrix元件库中的一个重要元件，本文将围绕Simetrix里的肖特基二极管展开讨论。

一、肖特基二极管的基本概念肖特基二极管又称肖特基势垒二极管，是一种具有肖特基结构的二极管。

其结构与普通的PN结二极管相似，但是在P型半导体和N型半导体之间存在一个金属与半导体的界面，形成肖特基势垒。

肖特基二极管具有正向导通特性好、反向漏电流小的特点，适合用于高频和高速开关电路中。

二、Simetrix中肖特基二极管的建模和参数设置1. 在Simetrix中，可以通过选择元件库中的Diode元件，并在弹出的元件属性对话框中选择“Model”为“Schottky”来建立肖特基二极管模型。

2. 在设置肖特基二极管的参数时，需要考虑肖特基势垒高度和串联电阻等特性参数。

在Simetrix中，可以通过修改元件属性对话框中的“Is”（饱和漏电流）、“N”（理想因子）和“Rs”（串联电阻）等参数来定制肖特基二极管的模型。

三、肖特基二极管在电路设计和仿真中的应用1. 肖特基二极管在射频前端模块中的应用肖特基二极管由于其快速开关特性和低反向漏电流，特别适合在射频前端模块中用作检波二极管、混频器等关键元件。

在Simetrix中，可以通过建立对应的射频前端电路模型并对肖特基二极管进行参数仿真，来验证其在射频电路中的性能。

2. 肖特基二极管在功率电子领域的应用肖特基二极管还被广泛应用于功率电子领域，用作开关电源、逆变器等电路中的整流和开关元件。

在Simetrix中，可以通过构建相应的功率电子电路模型，并对肖特基二极管进行频率响应和电压-电流特性的仿真分析，来评估其在功率电子应用中的可靠性和性能。

四、结语通过本文对Simetrix中肖特基二极管的建模和应用进行了讨论，可以看出Simetrix作为一款专业的集成电路仿真软件，为电子工程师提供了丰富的元件库和强大的仿真工具，极大地方便了电路设计和分析工作。

二极管 mos管肖特基二极管

肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种特殊的二极管，其结构和特性与普通的二极管有所不同。

它利用了肖特基效应（Schottky effect）的原理，具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点，因此在各种电子电路中得到广泛应用。

一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其结构如下：1. 金属-半导体接触面：用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面，形成势垒；2. P型半导体材料：通常采用P型硅（p-Si）材料制成。

二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点：1. 低漏电流：由于金属-半导体接触面的势垒形成，使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多；2. 快速开关速度：肖特基二极管的导通和截止速度较快，因此在高频电路中得到广泛应用；3. 低压降：肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小，对电路的功耗影响较小。

三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用，主要体现在以下几个方面：1. 短波无线电接收机：肖特基二极管可以作为高频检波二极管，实现无线电信号的检波和解调；2. 低功耗电路：由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性，适合用于设计低功耗的电路；3. 微波频率倍频器：肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能，常被用作频率倍增器；4. 太阳能电池：肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分，可以将光能转化为电能。

四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构和特性上有所不同。

1. 结构：肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成，而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。

2. 功能：肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中，而MOS管主要用于放大和开关电路中。

3. 特性：肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度，但其直流特性和温度特性较差；MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度，但功耗较大。

基于肖特基二极管的450GHz二次谐波混频器_赵鑫

1 设计
1． 1 总体设计如图 1 所示，二次谐波混频器由二极管和无源
电路组成，它的设计过程就是设计射频ＲF、本振 LO、中频 IF 端口到非线性器件二极管的匹配网络，从而实现信号的高效转换［10］．二极管采用一对反向并联的肖特基二极管，对管在电路中通过合理接地，无需外加直流偏置，因此整个电路的形式简单、结构紧凑．对管的输出只含射频 fＲF 和本振 fLO 合成后的奇次分量［11］，通过合理设置滤波器和探针，让中频端口输出所需的频率分量 | 2fLO － fＲF | ．
Design of the 450 GHz sub-harmonic mixer based on Schottky diode
ZHAO Xin1* ， JIANG Chang-Hong1 ， ZHANG De-Hai1 ， Meng Jin1，2 ， YAO Chang-Fei3
（ 1． CAS Key Laboratory of Microwave Ｒemote Sensing，Center for Space Science and Applied Ｒesearch， Chinese Academy of Sciences，Beijing 100190，China；
引言
在大气遥感中，毫米波亚毫米波波段包含有丰富的气象信息．随着气象卫星的深入应用，探测频率在不断攀升，已经高达 300 GHz 以上．毫米波亚毫米波技术由此快速发展，该波段的辐射源和检测器等器件成为制约系统应用的瓶颈．
混频器是接收机前端中的关键部件，它将接收
到的射频信号转移到中频信号，它的性能直接影响着接收机的检测性能．由于技术水平的限制，国内对固态混频器的研究大部分都集中在 300 GHz 以下的波段［1-6］．国外的工艺水平较高，除了采用基片转移技术还可以采用全 GaAs 集成的薄膜电路，因此混频器的频率能做到 300 GHz 以上［7-9］．我们为解决 450 GHz 辐射计的应用问题，立足国内的工艺水平，采用分立二极管和石英基片，研制了 450 GHz 的二

肖特基二极管结构原理及参数知乎

一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。

普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。

具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。

二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。

其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。

它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。

另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。

三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。

它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。

肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。

四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。

在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。

在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。

在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。

五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。

肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。

希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。

140 GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路

140 GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健【期刊名称】《太赫兹科学与电子信息学报》【年(卷),期】2018(16()03)【摘要】通过在300μm厚度的Ga As衬底条件下,利用共面波导传输线实现了基波混频集成电路设计。

利用半导体分析仪测试I-U和C-U曲线,并成功提取了相应的肖特基二极管模型。

结合建立的肖特基二极管模型,代入Lange耦合器、中频结构和匹配网络等实现了140 GHz零中频基波混频片上电路,并加入了地-信号-地（GSG）测试封装。

最终仿真结果表明：在固定中频1 GHz的条件下,变频损耗最优为-7 dB,3 dB带宽大于40 GHz。

【总页数】5页(P369-373)【作者】蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健【作者单位】[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200【正文语种】中文【中图分类】TN773.2【相关文献】1.4～8 GHz GaAs HBT单片双平衡混频器 [J], 张健;张海英;陈立强;李志强;陈普峰2.140GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路 [J], 蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健3.120GHz GaAs MMIC双平衡式基尔伯特混频器 [J], 张亮;陈凤军;罗显虎;韩江安;程序;成彬彬;邓贤进4.120GHz GaAs MMIC双平衡式基尔伯特混频器 [J], 张亮;陈凤军;罗显虎;韩江安;程序;成彬彬;邓贤进;;;;;;;;5.基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器[J], 牛斌;钱骏;范道雨;王元庆;梅亮;戴俊杰;林罡;周明;陈堂胜因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

基于SiC肖特基二极管温度特性的研究

基于SiC肖特基二极管温度特性的研究
李金钊
【期刊名称】《电子设计工程》
【年(卷),期】2024(32)8
【摘要】碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料,其因优异的物理特性而被广泛研究。

针对SiC器件在高温环境下可能会因为不理想的散热导致器件失效从而引发可靠性问题,文中采用仿真的方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试,并研究了该型器件在高温下的伏安特性。

结果表明,Pt/SiC肖特基二极管器件在正偏的情况下,随着温度的升高,器件的电流水平会逐渐降低;器件反偏时,反向电流水平则随着温度的升高而急剧增大。

同时在高温下器件的反向电流基本趋于饱和,热电子发射电流占据主导地位,且200℃时电子的迁移率仅为500 cm2/(V·s)。

【总页数】5页(P32-35)
【作者】李金钊
【作者单位】新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN311
【相关文献】
1.基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究
2.4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究
3.6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究
4.Au／4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性
5.1200V 4H-SiC结势垒肖特基二极管温度特性研究
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肖特基二极管主要参数

肖特基二极管主要参数
肖特基二极管是一种半导体二极管，它具有相比传统矽二极管更高的开关速度和低噪声特性。

以下是肖特基二极管的主要参数：
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：肖特基二极管在正向导通状态下的电压降。

通常为0.2-0.5V，较低矽二极管的典型值更小。

2. 反向电压（Reverse Voltage）：肖特基二极管可以承受的最大反向电压。

通常为30-200V。

3. 正向电流（Forward Current）：肖特基二极管在正向导通状态下可以通过的最大电流。

通常为几十毫安到几安。

4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：肖特基二极管在反向偏置状态下的漏电流。

通常非常小，一般为几微安到几毫安。

5. 开关速度（Switching Speed）：肖特基二极管的响应速度。

由于肖特基二极管中没有存储电荷，所以其开关速度较矽二极管更快。

6. 热稳定性（Thermal Stability）：肖特基二极管的温度特性。

肖特基二极管具有较低的温度导致电流变化的特点。

7. 噪声系数（Noise figure）：肖特基二极管的噪声性能。

由于肖特基二极管的结构特点，其在高频应用中具有较低的噪声系数。

这些参数可以帮助工程师选择合适的肖特基二极管用于特定应用，例如高频放大器、开关电路和功率电源等。

Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

出完毕为止。另外。在Ｏｕｔｌ信号为高电平时，输出正通道，在Ｏｕｔ１信号为低电平时，输出负通道。
加速度通道输出的脉冲为正脉冲。在计时信号开始后，以固定频率输出脉冲。即检测到一个Ｉｎ３信号。输出一个脉冲，直至所需脉冲个数输出完毕为止。加速度通道符号标志为１时，负通道输出脉冲，正通道输出低电平；符号标志为０
予正通道。负通道赋值０。
３．４信号输出模块
【１】马芮，孔星炜．ＭＩＭＵ在机栽制导武器中的应用叨．飞航导
弹．２００８（６）：４５ — ５０．
ＭＡＲｕｉ．Ｋ０ＮＧＸｉｎｇ．ｗｅｎ．ＴｈｅｕｓｅｏｆＭＩＭＵｉｎｌ￣ｏａｍｅ
参考文献：
数据转换部分则是对上面接收的加速度、角速度值按前面介绍的增量当量和刷新时间转换成各个通道的脉冲数。在这里考虑到角速度和加速度的量程以及精度等因数，把
ＭＩＭＵ输出的每个通道数据的高八位以及低十二位舍去。取
中国惯性技术学报，２００８，１６（３）：３３０ — ３３３．
ＦＵＬｉ，ＳＨＩＧｕａｎｇ－ｙｕ．Ｄｅｓｉｇｎｏｆｓｐｅｃｉａｌｉｎｔｅｒｆａｃｅｂｏａｒｄｆｏ

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（中国工程物理研究院ａ．电子工程研究所；ｂ．太赫兹研究中心，四川绵阳６２１９９９）
摘要：介绍了一种基于肖特基阻性二极管的１４０ＧＨｚ二倍频器，该倍频器采用矩形波导内
中图分类号：ＴＮ７７１文献标识码：Ａｄｏｉ：１０．１１８０５／ＴＫＹＤＡ２０１３０６．０８４２
１４０ＧＨｚｄｏｕｂｌｅｒｂａｓｅｄｏｎＳｃｈｏｔｔｋｙｖａｒｉｓｔｏｒ
ＷＡＮＧＣｈｅｎｇ一，ＪＩＡＮＧＪｕｎ一，ＭＩＡＯＬｉ一，ＤＥＮＧＸｉａｎ．ｊｉｎ ’ “
（ａ．ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ；ｈ．ＴｅｒａｈｅｒｔｚＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，
ＣｈｉｎａＡｃａｄｅｍｙｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＰｈｙｓｉｃｓ，ＭｉａｎｙａｎｇＳｉｃｈｕａｎ６２１９９９，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａ１４０ＧＨｚｄｏｕｂｌｅｒｂａｓｅｄｏｎＳｃｈｏｔｔｋｙｖａｒｉｓｔｏｒｉｓｄｅｓｃｒｉｂｅｄ．Ｉｔａｐｐｌｉｅｓｑｕａｒｔｚｓｕｂｓｔｒａｔｅ
倍频器输出频率为１３０ＧＨｚ～１５０ＧＨｚ，输出功率为３．３ｄＢｍ～８．０ｄＢｍ，倍频损耗为ｌ１．７ｄＢ～１６．３ｄＢ。
在２３ｄＢｍ～２４ｄＢｍ的最大驱动功率激励下，倍频器最大输出功率达ｌ１．２ｄＢｍ／１３６ＧＨｚ，基本达到了成像雷达的应用性能指标。关键词：太赫兹；二倍频器；肖特基二极管；阻性ｒｉｐｃｉｒｃｕｉｔｓｅｍｂｅｄｄｅｄｉｎｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒｗａｖｅｇｕｉｄｅ．ＦｏｕｒＳｃｈｏｔｔｋｙｊｕｎｃｔｉｏｎｓａｒｅｐａｒａｌｌｅｌｅｄｔｏｇｅｔｈｅｒｔｏ
嵌石英基片微带电路，通过四肖特基结正向并联结构提高驱动功率承受能力。倍频设计中应用了自建精确二极管三维电磁模型、宽带电磁耦合结构和宽带阻抗匹配结构，以提高仿真结果和实际
器件的吻合度。测试结果表明：在频率为６５ＧＨｚ一７５ＧＨｚ，功率为２０ｄＢｍ的驱动信号激励下，二
ｉｍｐｅｄａｎｃｅｍａｔｃｈｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｒｅｕｓｅｄｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｐｒｅｃｉｓｉｏｎｏｆｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ．Ｍｅａｓｕｒｅｄｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔｕｎｄｅｒｔｈｅｉｎｐｕｔｓｉｇｎａｌｏｆ６５ＧＨｚ一７５ＧＨｚ，２０ｄＢｍ，ｔｈｅｄｏｕｂｌｅｒｏｕｔｐｕｔｆｒｅｑｕｅｎｃｙｃａｎｒｅａｃｈ１３０ＧＨｚ一１５０ＧＨｚ．ｏｕｔｐｕｔｐｏｗｅｒｉｓ３．３ｄＢｍ－８．０ｄＢｍ．ａｎｄｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｌｏｓｓｉｓ１１．７ｄＢ－１６．３ｄＢ．Ｔｈｅ
ｒｅｃｅｉｖｅｈｉｇｈｅｒｄｒｉｖｉｎｇｓｉｇｎａｌｐｏｗｅｒ．Ｅｘａｃｔ３－Ｄｄｉｏｄｅｍｏｄｅｌ，ｗｉｄｅｂａｎｄｐｏｗｅｒｃｏｕｐｌｉｎｇａｎｄｗｉｄｅｂａｎｄ
第１１卷第６期
２０１３年１２月
太赫兹科学与电子信息学报
ＪｏｕｒｎａｌｏｆＴｅｒａｈｅｒｔｚＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ＶＯ１．１ｌ。ＮＯ．６
Ｄｅｃ．．２０１３
文章编号：２０９５．４９８０（２０１３）０６ — ０８４２．０６
基于肖特基阻性二极管的１４０ＧＨｚ二倍频器
王成ａ，ｂ，蒋均ａ，ｂ，缪丽ａ，ｂ，邓贤进ａ，ｂ