在便携应用中采用TVS二极管进行ESD保护
不同电源域之间的esd保护结构
不同电源域之间的esd保护结构不同电源域之间的ESD（静电放电）保护结构引言：随着电子设备的快速发展，静电放电（ESD）对电路的破坏成为一个严重的问题。
在不同电源域之间添加ESD保护结构可以有效地防止ESD对电路的损害。
本文将讨论不同电源域之间常见的ESD保护结构。
一、电源域之间的ESD保护需求在现代电子设备中，不同电源域之间的数据交换十分普遍。
然而，由于不同电源域之间可能存在电位差，ESD可能会通过这些电位差对电路产生损害。
因此，需要在不同电源域之间添加合适的ESD保护结构，以保护电路免受ESD的侵害。
二、常见的ESD保护结构1. 双向TVS二极管双向TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管是一种常见的ESD保护结构。
它可以将过电压引导到接地或电源上，从而保护电路。
在不同电源域之间，可以使用双向TVS二极管来提供双向的ESD保护。
2. TVS二极管与电容在一些设计中，为了提高ESD保护效果，可以将TVS二极管与电容并联使用。
电容可以提供额外的滤波功能，使电路对ESD的抵抗能力更强。
3. ESD保护芯片ESD保护芯片是一种专门用于ESD保护的集成电路。
它通常包含多个ESD保护单元，可以提供较高的ESD保护能力。
在不同电源域之间，可以使用ESD保护芯片来提供全面的ESD保护。
4. 共模ESD保护在不同电源域之间，可能存在共模ESD（Common Mode ESD）问题。
共模ESD保护结构通常由电位补偿电路和双向TVS二极管组成，可以有效地抑制共模干扰。
三、ESD保护结构的设计考虑因素在设计不同电源域之间的ESD保护结构时，需要考虑以下因素：1. ESD保护能力ESD保护结构的主要目标是提供有效的ESD保护。
因此，在选择ESD 保护结构时，需要考虑其ESD保护能力是否能够满足设计要求。
2. 响应时间ESD保护结构的响应时间也是一个重要的设计考虑因素。
较短的响应时间可以更好地抵御ESD，减少电路的损害。
TVS ESD 二极管介绍与应用说明
TVS ESD 二极管介绍与应用说明便携式设备的ESD保护十分重要，而TVS二极管是一种十分有效的保护器件，与其它器件相比有其独特的优势，但在应用时应当针对不同的保护对象来选用器件，因为不同的端口可能受到的静电冲击有所不同，不同器件要求的保护程度也有不同。
要注意相应的参数鉴别以及各个生产商的不同设计，同时还要进行合理的PCB布局。
本文介绍在便携式设备的ESD保护中如何应用TVS二极管器件。
便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等，由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击，如果没有选择合适的保护器件，可能会造成机器性能不稳定，或者损坏。
更坏的情况是查不出确切的原因，使用户误认为是产品质量问题而损坏企业信誉。
一般情况下，对此类设备暴露在外面可能与人体接触的端口都要求进行防静电保护，如键盘、电源接口、数据口、I/O口等等。
现在比较通用的ESD标准是IEC61000-4-2，应用人体静电模式，测试电压的范围为2kV～15kV(空气放电)，峰值电流最高为20A/ns，整个脉冲持续时间不超过60ns。
在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔，但却足以损坏敏感元器件。
便携式设备所采用的IC器件大多是高集成度、小体积产品，精密的加工工艺使硅晶氧化层非常薄，因而更易击穿，有的在20V左右就会受到损伤。
传统的保护方法已不再普遍适用，有的甚至还会造成对设备性能的干扰。
TVS二极管的特点可用于便携式设备的ESD保护器件有很多，例如设计人员可用分立器件搭建保护回路，但由于便携设备对于空间的限定以及避免回路自感，这种方法已逐渐被更加集成化的器件所替代。
多层金属氧化物器件、陶瓷电容还有二极管都可以有效地进行防护，它们的特性及表现各有不同，TVS二极管在此类应用中的独特表现为其赢得了越来越大的市场。
TVS二极管最显着的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于电池供电的低电压回路环境。
tvs二极管原理
tvs二极管原理Tvs二极管原理Tvs二极管，全称为Transient Voltage Suppression diode，是一种常见的电子元件，用于保护电路免受过电压的损害。
它的工作原理基于二极管的电导性和电阻性，能够在电路中迅速响应过电压，并将其导向地。
本文将介绍Tvs二极管的原理及其在电路保护中的应用。
Tvs二极管的原理是基于PN结的特性。
PN结是由P型半导体和N 型半导体组成的结构，其中P型半导体富含正电荷载体（空穴），而N型半导体富含负电荷载体（电子）。
当P型和N型半导体相接触时，形成了一个电势差，称为内建电势。
在正向偏置（P型半导体为正极，N型半导体为负极）时，电流可以流过PN结，而在反向偏置（P型半导体为负极，N型半导体为正极）时，电流无法通过。
Tvs二极管利用了反向偏置时PN结的特性。
当电路中出现过电压时，Tvs二极管会迅速响应并导通。
在导通状态下，它会将过电压导向地，从而保护电路中的其他元件免受损坏。
Tvs二极管的导通特性使其能够吸收电路中的过电压，并将其分散到地。
一旦过电压消失，Tvs二极管会恢复到正常的阻断状态。
Tvs二极管的导通特性与其结构有关。
在Tvs二极管的结构中，会添加一种特殊的材料，称为压敏材料。
这种材料具有非线性电阻特性，可以使Tvs二极管在电压超过某个阈值时快速导通。
压敏材料的特性使得Tvs二极管能够有效地吸收过电压，并将其分散到地。
Tvs二极管在电路保护中起着重要的作用。
它可以用于各种电子设备，如电源电路、通信设备和计算机等。
在这些设备中，电压波动或突发的过电压可能会对电路中的元件造成损坏。
通过将Tvs二极管连接在这些元件的输入端或输出端，可以在电路发生过电压时迅速保护其免受损坏。
除了保护电路免受过电压的损害外，Tvs二极管还具有其他一些特点。
首先，它具有响应速度快的优点，可以在纳秒级别内响应过电压。
其次，Tvs二极管具有较低的电阻值，可以快速将过电压导向地。
esd结构防护设计
ESD结构防护设计的主要目标是确保电子系统的功能可靠性，避免ESD（静电放电）对系统产生干扰或损坏。
以下是一些常见的ESD防护设计方法：
1. 隔离和接地：将ESD敏感器件隔离并接地可以有效地防止ESD 对系统的影响。
这可以通过在电路板上的敏感区域设置ESD防护器件，如TVS二极管、齐纳二极管等来实现。
2. 滤波器：在电源和信号线路上设置滤波器可以有效地减少ESD 产生的噪声干扰。
这可以通过使用LC滤波器、RC滤波器或者铁氧体磁珠等来实现。
3. 屏蔽：使用金属屏蔽材料将ESD敏感器件或电路板包裹起来，可以有效地防止ESD电磁场对系统的影响。
这可以通过在PCB上设置金属罩或者使用金属盒等方式来实现。
4. 限流：在ESD防护器件上设置限流电阻可以有效地限制ESD 电流的幅度，从而保护敏感器件或电路。
这可以通过在TVS二极管或齐纳二极管上串联限流电阻来实现。
5. 保护电路：在电路中添加保护电路可以防止ESD对电路的影响。
这可以通过在电路中添加电压钳位器件、过压保护器件等来实现。
6. 人体放电：在人体放电模型（HBM）下，通过设置放电电阻、电容等元件，可以有效地将人体静电放电引入到地线中，从而避免对系统的影响。
以上是一些常见的ESD防护设计方法，但具体的防护方案需要根据具体的系统和应用场景来确定。
TVS管ESD保护压敏电阻自恢复保险丝之间的区别
TVS管，ESD保护，压敏电阻，自恢复保险丝之间的区别（一）一、TVS管TVS(Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器)是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。
当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压钳制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。
正因为如此，TVS可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压TVS管是瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor）的简称。
它的特点是：响应速度特别快（为ps级）；耐浪涌冲击能力较放电管和压敏电阻差，其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。
TVS管有单向与双向之分（单向的型号后面的字母为“A”，双向的为“CA”），单向TVS 管的特性与稳压二极管TVS管使用时，一般并联在被保护电路上。
为了限制流过TVS 管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路上串联限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。
相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联。
二、压敏电阻压敏电阻是一种限压型保护器件。
利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。
压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。
压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。
压敏电阻主要可用于直流电源、交流电源、低频信号线路、带馈电的天馈线路。
二极管esd保护电路原理
二极管esd保护电路原理二极管ESD（静电保护）电路是一种用于保护电子设备免受静电损害的技术。
ESD是指当电子设备与带有静电的人体或其他物体接触时，可能导致设备损坏或失效的现象。
ESD保护电路的作用是通过引导和消耗静电放电，保护电子设备免受损害。
在讨论二极管ESD保护电路原理之前，先简单介绍一下静电放电的原因。
静电放电是由于物体在接触过程中产生静电，静电在接触之后会迅速放电，导致大量电流通过电子设备。
这些电流可能会导致设备内部的电路元件短路或击穿，从而导致设备损坏。
因此，需要采取措施防止静电放电对设备造成危害。
二极管ESD保护电路的工作原理是通过将静电放电转移到地线或电源线上，从而阻止静电放电影响设备内部电路。
常见的ESD保护电路包括并联二极管、串联二极管和多种组合应用的二极管电路。
1. 并联二极管ESD保护电路并联二极管ESD保护电路是指将二极管连接在设备的输入端和地线之间。
当静电放电时，二极管将电流导向地线，从而将静电放电转移到地线上，阻止静电放电通过设备内部电路。
并联二极管ESD保护电路的工作原理是当设备输入端发生高静电放电时，二极管将充当导体，将电流导向地线。
由于二极管具有单向导电性，所以只有在静电放电时，二极管才会起作用。
在正常工作时，二极管处于高阻态，不影响信号的传输。
2. 串联二极管ESD保护电路串联二极管ESD保护电路是指将二极管连接在设备的输入端与正常工作电路之间。
当静电放电时，二极管将静电电流引导到地线，从而保护正常工作电路。
串联二极管ESD保护电路的工作原理是当设备输入端发生高静电放电时，二极管将起到击穿电压保护的作用。
当二极管检测到静电放电时，二极管会变为导通状态，将静电电流引导到地线。
在正常工作时，二极管处于正常工作状态，不影响电路的传输。
3. 组合应用的二极管ESD保护电路组合应用的二极管ESD保护电路是指将多个二极管连接在设备的输入端和地线之间，以实现更高的保护效果。
芯片设计常用io口和esd器件
芯片设计常用io口和esd器件随着科技的飞速发展，芯片设计在各类电子产品中的应用越来越广泛。
在芯片设计中，IO口和ESD（静电放电）器件是至关重要的组成部分。
本文将简要介绍芯片设计中IO口和ESD器件的相关知识，并探讨如何选择与应用这些器件以防止静电放电造成的损坏。
一、芯片设计中的IO口概述IO口（Input/Output Port）是芯片与外部设备进行数据交互的通道。
在芯片设计中，IO口可以分为输入端和输出端。
输入端负责接收外部信号，输出端则负责将芯片内部处理后的信号传输至外部设备。
IO口在芯片设计中有着广泛的应用，如存储器接口、串行通信接口、并行通信接口等。
二、ESD器件的作用和分类ESD（Electrostatic Discharge）器件是用于保护芯片免受静电放电损害的防护器件。
静电放电会导致芯片内部电路损坏，影响产品的正常使用。
ESD 器件的作用就是在静电放电发生时，通过限制电压和电流的流动，保护芯片免受损害。
根据工作原理，ESD器件可分为以下几类：s二极管：瞬态电压抑制二极管，能迅速吸收和抑制静电放电产生的高电压。
2.压敏电阻：当电压超过一定范围时，电阻值迅速降低，将静电能量导入地线。
3.陶瓷气体放电管：利用气体放电原理，将静电能量转化为热能释放。
4.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：利用MOSFET的寄生电容，实现对静电放电的抑制。
三、IO口和ESD器件的选择与应用1.根据工作电压和电流选择合适的ESD器件：不同类型的ESD器件适用于不同电压和电流范围，需根据实际应用场景进行选择。
2.考虑防护等级：根据芯片所承受的静电放电电压和防护等级要求，选择相应防护等级的ESD器件。
3.匹配传输速率：高速信号传输时，需选用具有较高传输速率的ESD器件。
4.考虑空间和成本因素：在满足防护性能的前提下，选择体积小、成本低的ESD器件。
四、防止ESD损坏的注意事项1.设计合理的电路布局：合理规划芯片布局，降低静电放电路径。
TVS防护电路的应用详解
TVS防护电路的应用详解TVS瞬态电压抑制（二极管）原理应用特性瞬态抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。
它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。
TVS允许的正向浪涌（电流）在TA=250C，T=10ms条件下，可达50～200A。
双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压钳制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。
耐受能力用瓦特(W)表示。
TVS(Transient Voltage Suppression)是一种限压保护器件，作用与压敏电阻很类似。
也是利用器件的非线性特性将过电压钳位到一个较低的电压值实现对后级电路的保护。
TVS管的主要参数有：反向击穿电压、最大钳位电压、瞬间功率、结（电容）、响应时间等。
TVS的响应时间可以达到ps级，是限压型浪涌保护器件中最快的。
用于（电子）电路的过电压保护时其响应速度都可满足要求。
TVS管的结电容根据制造工艺的不同，大体可分为两种类型，高结电容型TVS一般在几百～几千pF的数量级，低结电容型TVS的结电容一般在几pF～几十pF的数量级。
一般分立式TVS的结电容都较高，表贴式TVS管中两种类型都有。
在高频（信号）线路的保护中，应主要选用低结电容的TVS管。
TVS管的非线性特性比压敏电阻好，当通过TVS管的过电流增大时，TVS管的钳位电压上升速度比压敏电阻慢，因此可以获得比压敏电阻更理想的残压输出。
在很多需要精细保护的电子电路中，应用TVS管是比较好的选择。
TVS管的通流容量在限压型浪涌保护器中是最小的，一般用于最末级的精细保护，因其通流量小，一般不用于交流（电源）线路的保护，直流电源的防雷电路使用TVS管时，一般还需要与压敏电阻等通流容量大的器件配合使用。
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在便携应用中采用TVS二极管进行ESD保护
静电放电(ESD)是指两个具有不同静电电位的物体，由于直接接触或静电感应而引起的两物体间静电电荷的转移。
当静电能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象。
因此，ESD保护无处不在，而ESD过压保护则成为各种电子设备设计的基本要求。
最新的无线手持产品大多数都配备了高速数据接口、高分辨率LCD屏幕和相机模块，甚至有些手机还具备接收电视节目的功能。
虽然增加了很多新的功能，但手机尺寸仍在持续变薄变小。
众多功能汇聚在一个狭小空间内，同时主要集成电路很多采用较先进工艺制造，导致手机设计中的ESD问题变得更加严重。
它可能会造成手机工作异常、死机，甚至会损伤手机。
而这些问题必须在手机设计的最初阶段解决。
手机中的ESD保护部分
这里以手机为例。
手机中需要进行ESD防护的部位有：1)SIM卡接口电路；2)键盘电路；3)耳机和话筒电路；4)数据及USB端口；5)电源口；6)彩色LCD驱动端口及LCD背光电路。
ESD在设计中的选择
ESD保护在设计中应该兼顾性能和成本。
要注意以下几个原则：
1) 保护电路响应速度要快—IEC61000-4-2波形的上升沿只有1ns。
2) 能应付大的瞬态电流。
3) 考虑瞬态电压在正负极性两个方向发生。
4) 对信号增加的电容负载效应和电阻损耗效应控制在允许范围内。
5) 考虑体积因素以适应轻巧的便携式设备。
6) 产品成本因素。
图1：手机中需要进行ESD防护的部位。
ESD保护在实现上基本有两种方式：IC内部的保护和IC外部的保护。
前者虽然可以增加靠性，而且因不需要外部
的保护而比较简单；但同样，也会增大硅片面积，同时，因为硅片中寄生电容和寄生电阻的存在，会引起信号之间的相互串扰。
所以，现在外部的ESD保护方案应用得越来越广泛。
外部ESD保护电路包括压敏电阻、聚合物电阻、TVS雪崩二极管、肖特基二极管、磁珠/LC滤波器等。
其中TVS雪崩管以其卓越的钳位功能、极低的击穿电压，极小的封装，电气特性在生命周期内比较稳定而得到越来越广泛的应用。
它最显著的特点一是反应迅速，使瞬时脉冲在没有对线路或器件造成损伤之前就被有效地遏制，二是截止电压比较低，更适用于电池供电的低电压回路环境。
另外对TVS二极管设计的改进使其具有更低的漏电流和结电容，因而在处理高速率传导回路的静电冲击时有更理想的性能表现。
图二是英联电子科技有限公司的UESD54B对IEC614000-4-2ESD波形的抑制特性。
从图2中可以看出，当一个浪涌电流的冲击时，具有良好钳位功能的TVS管在1ns时间内就可以将瞬态电压抑制到10.9V以下，从而使芯片的I/O口免受冲击而损伤。
而且它的电特性在ESD/浪涌冲击之后没有变化，所以寿命会比较长。
图2：英联电子的UESD54B对IEC614000-4-2ESD波形的抑制特性。
TVS二极管的优势
TVS与齐纳二极管：与传统的齐纳二极管相比，TVS二极管P/N结面积更大，这一结构上的改进使TVS具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。
图3：TVS二极管具有更好的电压截止因子。
TVS与陶瓷电容：很多设计人员愿意采用表面贴装的陶瓷电容作ESD保护，不但便宜而且设计简便，但这类器件对高压的承受力却比较弱。
5kV的冲击会造成约10%陶瓷电容失效，到10kV时，损坏率达到60%，而TVS可以承受15kV电压。
在手持设备的使用过程中，由于与人体频繁接触，各个端口必须至少能够承受8kV接触冲击
(IEC61000-4-2标准)，可见使用TVS可以有效保证最终产品的合格率。
图4：UM5024 TVS二极管非常适合USB等高速信号应用。
TVS与MLV：多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系，截止电压可达最初中止电压的2～3倍，这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护，如电源回路。
而TVS二极管具有更好的电压截止因子(图三)，同时还具有较低的电容，这一点对于手持设备的高频端口非常重要，因为过高的电容会影响数据传输，造成失真或是降级。
TVS二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求，而且芯片结构便于集成其它的功能，如EMI和RFI过滤保护等，可有效降低器件成本，优化整体设计。
另一个不能忽略的特点是二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上，现有很多将EMI过滤和RFI防护等功能与TVS集成在一起的器件，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。
TVS工作原理
处理瞬时脉冲对器件损害的最好办法是将瞬时电流从敏感器件引开。
TVS二极管在线路板上与被保护线路并联，当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS二极管便发生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流通过二极管被引开，避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。
当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压。
TVS基本参数选择
在进行TVS二极管选择时，最基本的应该使它的工作电压VRWN?最大的总线电压；钳位电压Vc?最大的IC工作电压。
单路封装的TVS二极管使用简单灵活，PCB焊盘尺寸与0402、0603的分立器件兼容而受到广泛应用，缺点是
封装成本比较高。
多路封装的ESD阵列节省PCB面积，它的最大优点就是：在外部尺寸极小的封装内提供两个、四个、五个或六个TVS二极管。
因此，比较适合在紧凑型手机上应用。
图5：好的PCB布局与不好的PCB布局。
英联电子科技有限公司提供的四路TVS二极管UESD54B(SC-88A/SC-70封装)和UESD55B(SC-89 封装)、五路的UESD56B(SC-89封装)以及六路的UESD57B(FBP1616P6 6L封装)都非常适合此类应用。
同时，ESD保护二极管被焊接在I/O连接器附近，用于防止61000-4-2标准规定的8KV接触放电和15KV空气放电时产生的任何损坏。
这意味着当通过一个330Ω电阻给一个150pF电容放电时，ESD保护二极管能够抵抗15kV的电压冲击。
TVS二极管在超高速数据线路保护中的应用
按照目标应用的信号传输速度选择TVS二极管是设计高效ESD保护功能的关键之一。
基本上，信号的数据传输速率越高，ESD保护二极管的电容负载效应就要求越低，只有这样能才能使保护组件在电流信号上产生的损耗降至最低。
实验室的测量结果显示，寄生结电容高于3.5pF的ESD保护二极管可能会在高速数据传输时产生很大的信号衰减。
结果可能导致USB2.0收发器无法正常读取数据。
而对于USB1.1接口，寄生电容大约50pF的二极管并不会构成任何数据完整性问题。
这就是USB2.0的ESD保护组件的额定寄生电容在0V时通常要求低于3pF的主要原因。
例如，在USB2.0的情况中，因为数据传输速率达到480Mbps，所以需要ESD保护组件的电容极低
英联电子科技有限公司新推出的UM5024，它的极间电容很小(Cj=0.9PF)，非常适合USB等高速信号线的应用。
UM5204的功能框图如图四所示。
PCB设计时的考虑
不管选择怎样的TVS器件，它们在电路板上的布局非常重要。
TVS布局前的导线长度应该减到最小，因为快速(0.7ns)ESD放电电流在电感性布线上感应出很高的电压尖峰，影响ESD保护的性能。
图6：PCB布线时的优化建议。
另外，快速ESD脉冲可能在电路板上相邻(平行)导线间产生感应电压。
如果上述情况发生，由于将不会得到保护，因为感应电压路径将成为另一条让浪涌到达IC的路径。
因此，被保护的输入线不应该被放置在其它单独、未受保护的走线旁边。
推荐的ESD抑制器件PCB布局方案应该是：应尽可能的滤除所有的I/O口的干扰信号，靠近连接器/触点PCB侧。
图五是PCB布局的建议.
走线时，尽可能缩短高频元器件之间的连线，设法减少它们的分布参数和相互间的电磁干扰；输入输出端用的导线应尽量避免相邻平行。
最好加线间地线，以免发生反馈藕合。
图六是布线时的优化建议。
作者：苏小娟
应用工程师
英联电子科技有限公司。