高纯硅的制备与硅烷法(doc 10页)
制备高纯硅的新方法和机理
制备高纯硅的新方法和机理高纯硅是一种非常重要的材料，在电子、半导体、光电和化学工业等领域有着广泛的应用。
目前，制备高纯硅的主要方法是化学气相沉积和单晶生长技术。
然而，这些方法的制备成本较高、制程复杂、设备要求较高、生产效率低、产量小等问题，限制了高纯硅的生产和应用。
为了突破传统制备高纯硅的方法，研究人员们不断探索新的方法和机理。
最近，一项研究成果吸引了人们的眼球：利用CO2气体还原SiO2制备高纯硅。
这项研究由中国科学院物理研究所（IOP）的研究团队和斯坦福大学的研究团队合作完成。
他们利用压电式压实石英粉末，形成带有微孔的固体石英砖，然后在高温高压条件下，将CO2气体引入石英砖内部进行还原反应。
研究人员发现，通过该新方法制备的高纯度硅的纯度可以达到99.9999%以上，比传统方法更高。
那么，这种新方法如何实现CO2气体还原SiO2呢？在传统制备高纯硅的方法中，坩埚中的化学物质在高温条件下会发生还原反应。
而在这种新方法中，研究人员发现，石英砖内微孔处积累的CO2气体可以使固体石英发生还原反应，从而制备高纯硅。
具体来说，CO2气体还原SiO2的反应式为：SiO2 + CO2 = Si + 2CO。
然而，要使这种反应发生，需要在高温、高压条件下进行。
研究人员将石英砖加热至高温高压状态并引入CO2气体，使CO2气体在石英砖内部进行还原反应。
实验表明，该反应产生的CO可重新还原SiO2，实现循环使用。
相较于传统的制备高纯硅方法，这种新方法有着明显的优点。
首先，CO2气体天然存在，成本较低。
其次，该方法的制备成本较低，因为该方法不需要太多的设备和材料。
另外，该方法生产成本低，效率高，产量大。
在实际应用中，这种新方法有着很大的潜力。
例如，可以在石油储罐和CO2储罐附近建造制备高纯硅的厂房，使得CO2得到高效利用。
除此之外，该研究还揭示了CO2气体与金属离子相互作用的机理，这对认识CO2在地球化学和环境方面的行为具有一定的价值。
高纯硅的制备三个方程式
高纯硅的制备三个方程式高纯硅（High Purity Silicon）是指硅的纯度高于99.9999%的一种特殊硅材料。
它具有优异的电学性能和热学性能，广泛应用于半导体、光电子、太阳能等领域。
高纯硅的制备主要有三个方程式，分别是氯化硅法、硅烷分解法和溶胶-凝胶法。
下面将对这三个方程式进行详细解释，并符合标题中心扩展下的描述。
一、氯化硅法氯化硅法是制备高纯硅的一种常用方法。
其反应方程式为：Si + 2HCl → SiCl2 + H2↑SiCl2 + H2 → Si + 2HCl该方法的基本步骤是：首先将普通硅与盐酸反应生成氯化硅，然后通过还原反应将氯化硅转化为高纯硅。
这种方法的优点是制备工艺简单，反应条件温和，但是制备出的高纯硅纯度相对较低。
二、硅烷分解法硅烷分解法是制备高纯硅的一种常见方法，其反应方程式为：SiH4 → Si + 2H2↑该方法的基本步骤是：首先制备硅烷气体，然后通过热分解将硅烷分解为高纯硅和氢气。
这种方法制备的高纯硅纯度较高，但是制备工艺较为复杂，需要高温条件下进行。
三、溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是制备高纯硅的一种新型方法，其反应方程式为：Si(OC2H5)4 + 2H2O → SiO2 + 4C2H5OH↑SiO2 → Si + O2↑该方法的基本步骤是：首先将硅醇与水反应生成硅酸酯溶胶，然后通过热分解将硅酸酯凝胶转化为高纯硅。
这种方法制备的高纯硅具有纯度高、晶粒细小等优点，但是制备工艺相对复杂，需要控制好反应条件和凝胶的形成过程。
高纯硅的制备主要有氯化硅法、硅烷分解法和溶胶-凝胶法三种方法。
氯化硅法制备工艺简单，但纯度相对较低；硅烷分解法制备的高纯硅纯度较高，但工艺复杂；溶胶-凝胶法制备的高纯硅纯度高且晶粒细小，但制备工艺较为复杂。
根据不同的应用需求，可以选择适合的制备方法来获得高纯度的硅材料。
高纯硅在半导体工业、光电子领域等有着广泛的应用，其制备方法的研究和改进对于推动相关领域的发展具有重要意义。
高纯硅的制备
高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。
工业上是用硅石（SiO2）和焦炭以一定比例混合，在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反应如下：SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可采用酸浸洗法，使杂质大部分溶解（有少数的碳化硅不溶）。
其生产工艺过程是：将粗硅粉碎后，依次用盐酸、王水、（HF+H2SO4）混合酸处理，最后用蒸馏水洗至中性，烘干后可得含量为%的工业粗硅。
高纯多晶硅的制备方法很多，据布完全统计有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称硅铁，因为含铁较多）开始，首先制取既易提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的多晶硅目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。
一般说来，由于三氯氢硅还原法具有一定优点，目前比较广泛的被应用。
此外，由于SiH4具有易提纯的特点，因此硅烷热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。
下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原理。
1. 三氯氢硅还原法（1）三氯氢硅的合成第一步：由硅石制取粗硅硅石（SiO2）和适量的焦炭混合，并在电炉内加热至1600~1800℃ 可制得纯度为95%~99%的粗硅。
其反应式如下：SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑总反应式： SiO2+2C=Si+2CO（g）↑生成的硅由电炉底部放出，浇铸成锭。
用此法生产的粗硅经酸处理后，其纯度可达到%。
第二步：三氯氢硅的合成三氯氢硅是由干燥的氯化氢气体和粗硅粉在合成炉中（250℃）进行合成的。
其主要反应式如下：Si+3HCl=SiHCl3+H2（g）（2）三氯氢硅的提纯由合成炉中得到的三氯氢硅往往混有硼、磷、砷、铝等杂质，并且它们是有害杂质，对单晶硅质量影响极大，必须设法除去。
高纯硅的制备
高纯硅的制备一般首先由（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的，最后拉制成硅单晶。
工业上是用（SiO2）和以一定比例混合，在中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反应如下：S i O2+2C=S i+2C O粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可采用酸浸洗法，使杂质大部分溶解（有少数的不溶）。
其生产工艺过程是：将粗碎后，依次用盐酸、、（HF+H2SO4）混合酸处理，最后用洗至中性，烘干后可得含量为%的工业粗硅。
高纯的制备方法很多，据布完全统计有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称，因为含铁较多）开始，首先制取既易提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用氢还原法、热解法和四氢还原法。
一般说来，由于还原法具有一定优点，目前比较广泛的被应用。
此外，由于SiH4具有易提纯的特点，因此热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。
下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原理。
1.还原法（1）三氯氢硅的合成第一步：由制取粗硅硅石（SiO2）和适量的混合，并在内加热至1600~1800℃可制得纯度为95%~99%的粗硅。
其反应式如下：S i O2+3C=S i C+2C O（g）↑2S i C+S i O2=3S i+2C O（g）↑总反应式：S i O2+2C=S i+2C O（g）↑生成的硅由底部放出，浇铸成锭。
用此法生产的粗硅经酸处理后，其纯度可达到%。
第二步：三氯氢硅的合成三氯氢硅是由干燥的气体和粗在合成炉中（250℃）进行合成的。
其主要反应式如下：S i+3H C l=S i H C l3+H2（g）（2）三氯氢硅的提纯由合成炉中得到的三氯氢硅往往混有硼、磷、砷、铝等杂质，并且它们是有害杂质，对质量影响极大，必须设法除去。
高纯硅的制备与硅烷法
高纯硅的制备与硅烷法概述高纯硅是一种纯度较高的硅材料，具有优异的物理、化学和电学性能。
它广泛应用于集成电路、太阳能电池、光纤和半导体领域。
硅烷法是一种常用的高纯硅制备方法，通过控制化学反应条件，可以制备出高纯度的硅材料。
硅烷法的原理硅烷法是利用硅烷化合物在高温条件下分解生成高纯硅的一种方法。
一般使用的硅烷化合物主要有氯硅烷和烷基硅烷两类。
在反应过程中，硅烷化合物被分解生成氯化氢或烷烃，并放出纯净的硅元素。
硅烷法的步骤1.材料准备：需要准备高纯度的硅烷化合物和适量的载气。
硅烷化合物的纯度越高，制备的高纯硅也会越高。
2.反应装置：一般采用石英管或石英舟作为反应装置，因为石英具有较好的耐高温性能。
3.反应条件控制：反应过程中需要控制温度、气氛和反应时间等参数。
通常的反应温度为800-1200摄氏度，反应气氛一般为惰性气体，如氢气。
4.反应过程：将硅烷化合物和载气输入反应装置，加热到反应温度，控制一定时间后，硅烷化合物会发生分解反应生成高纯硅。
反应产物可以通过后续的处理步骤进一步提高纯度。
硅烷法的优点1.制备高纯度：硅烷法可以制备出高纯度的硅材料，可以满足各种应用的需求。
2.可控性好：通过调节反应条件和反应时间，可以控制硅烷法制备的硅材料的纯度和晶粒大小。
3.简便易用：硅烷法操作简单，设备相对简单，易于实施。
4.适应性广：硅烷法不仅适用于小批量制备，也适用于大规模生产，可以满足不同规模的生产需求。
硅烷法的应用1.半导体领域：高纯硅是集成电路和微电子器件的重要材料，硅烷法制备的高纯硅可以满足半导体设备的高纯度要求。
2.太阳能电池领域：高纯硅作为太阳能电池的基本材料之一，硅烷法可以制备高纯度的硅材料，提高太阳能电池的效率。
3.光纤领域：高纯硅可以用于制备光纤的芯材，硅烷法的高纯度硅材料可以提高光纤的传输性能。
4.其他领域：高纯硅还可以用于制备薄膜材料、氢氧化硅、硅胶等材料，广泛应用于化工、材料科学和医药领域。
高纯硅的制备
高纯硅的制备文件编码（GHTU-UITID-GGBKT-POIU-WUUI-8968）高纯硅的制备一般首先由（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的，最后拉制成硅单晶。
工业上是用（SiO2）和以一定比例混合，在中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反应如下：SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可采用酸浸洗法，使杂质大部分溶解（有少数的不溶）。
其生产工艺过程是：将粗碎后，依次用盐酸、、（HF+H2SO4）混合酸处理，最后用洗至中性，烘干后可得含量为99.9%的工业粗硅。
高纯的制备方法很多，据布完全统计有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称，因为含铁较多）开始，首先制取既易提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用氢还原法、热解法和四氢还原法。
一般说来，由于还原法具有一定优点，目前比较广泛的被应用。
此外，由于SiH4具有易提纯的特点，因此热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。
下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原理。
1.还原法（1）三氯氢硅的合成第一步：由制取粗硅硅石（SiO2）和适量的混合，并在内加热至1600~1800℃可制得纯度为95%~99%的粗硅。
其反应式如下：SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑总反应式：SiO2+2C=Si+2CO（g）↑生成的硅由底部放出，浇铸成锭。
用此法生产的粗硅经酸处理后，其纯度可达到99.9%。
第二步：三氯氢硅的合成三氯氢硅是由干燥的气体和粗在合成炉中（250℃）进行合成的。
其主要反应式如下：Si+3HCl=SiHCl3+H2（g）（2）三氯氢硅的提纯由合成炉中得到的三氯氢硅往往混有硼、磷、砷、铝等杂质，并且它们是有害杂质，对质量影响极大，必须设法除去。
制高纯硅的化学方程式-解释说明
制高纯硅的化学方程式-概述说明以及解释1.引言1.1 概述制备高纯硅是一项重要的化学工艺，高纯硅在电子、光伏、半导体和其他领域具有广泛应用。
本文将介绍制备高纯硅的方法和相关化学方程式，并探讨其在不同领域的应用。
通过深入了解高纯硅的制备和应用，可以为相关行业提供参考和指导，促进产业技术的进步和发展。
内容1.2 文章结构本文将首先介绍制备高纯硅的方法，包括传统的化学还原法、气相法和物理方法等。
然后详细讨论制备高纯硅时所涉及的化学方程式，包括反应物、生成物以及反应条件等。
最后，将探讨高纯硅在应用领域的广泛用途，如半导体制造、光伏产业和化工领域。
通过对这些内容的分析，我们可以更好地了解高纯硅的制备方法和应用价值。
1.3 目的：本文旨在探讨制备高纯硅的化学方程式，介绍制备高纯硅的方法以及其在应用领域的重要性。
通过对化学方程式的详细讲解和分析，让读者对高纯硅的制备过程有更深入的了解，同时展望高纯硅在未来的发展前景。
希望通过本文的阐述，能够让读者对高纯硅有更全面的认识，对相关领域的研究和实践有所帮助。
2.正文2.1 制备高纯硅的方法制备高纯硅主要有两种常用的方法，一种是通过硅矿石还原法，另一种是通过硅烷化合物加热分解法。
硅矿石还原法是将硅矿石与焦炭或木炭在高温下进行还原反应，得到冶炼的金属硅，然后再通过化学纯化的方法得到高纯度硅。
这种方法主要用于工业生产中，能够获得较高纯度的硅，但成本较高且工艺较为复杂。
硅烷化合物加热分解法是指利用硅烷类化合物（如三氯硅烷、氢氯硅烷）作为原料，经过氢化后得到高纯度的硅。
这种方法相对来说工艺简单，成本较低，适合实验室小规模制备高纯硅。
除了以上两种常用方法外，还有一些其他制备方法，如溅射法、气相淀积法等，这些方法在特定领域有着独特的应用优势。
总的来说，制备高纯硅的方法有多种多样，选择合适的方法取决于具体的需求和应用场景。
随着技术的不断发展，相信会有更多更高效的制备方法被研发出来。
高纯硅的制备
高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。
工业上是用硅石（SiO2）和焦炭以一定比例混合，在电炉中加热至1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反应如下：SiO2+2C=Si+2CO粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可采用酸浸洗法，使杂质大部分溶解（有少数的碳化硅不溶）。
其生产工艺过程是：将粗硅粉碎后，依次用盐酸、王水、（HF+H2SO4）混合酸处理，最后用蒸馏水洗至中性，烘干后可得含量为99.9%的工业粗硅。
高纯多晶硅的制备方法很多，据布完全统计有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称硅铁，因为含铁较多）开始，首先制取既易提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的多晶硅目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。
一般说来，由于三氯氢硅还原法具有一定优点，目前比较广泛的被应用。
此外，由于SiH4具有易提纯的特点，因此硅烷热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。
下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原理。
1. 三氯氢硅还原法（1）三氯氢硅的合成第一步：由硅石制取粗硅硅石（SiO2）和适量的焦炭混合，并在电炉内加热至1600~1800℃可制得纯度为95%~99%的粗硅。
其反应式如下：SiO2+3C=SiC+2CO（g）↑2SiC+SiO2=3Si+2CO（g）↑总反应式：SiO2+2C=Si+2CO（g）↑生成的硅由电炉底部放出，浇铸成锭。
用此法生产的粗硅经酸处理后，其纯度可达到99.9%。
第二步：三氯氢硅的合成三氯氢硅是由干燥的氯化氢气体和粗硅粉在合成炉中（250℃）进行合成的。
其主要反应式如下：Si+3HCl=SiHCl3+H2（g）（2）三氯氢硅的提纯由合成炉中得到的三氯氢硅往往混有硼、磷、砷、铝等杂质，并且它们是有害杂质，对单晶硅质量影响极大，必须设法除去。
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高纯硅的制备硅在地壳中的含量为27%，主要来源是石英砂(SiO2)和硅酸盐(Na2SiO3) 。
1.2.1粗硅的制备方法：石英砂与焦炭在碳电极的电弧炉中还原，可制得纯度为97%的硅，称为“粗硅”或“工业硅”。
粗硅的制备反应式：SiO2 + 3C ====== SiC + 2 CO (1)2SiC + SiO2 ====== 3Si + 2 CO (2)总反应SiO2 + 2C =====Si + 2 CO(1)高纯硅的化学制备方法1、三氯氢硅还原法:产率大，质量高，成本低，是目前国内外制备高纯硅的主要方法。
2、硅烷法优点：可有效地除去杂质硼和其它金属杂质，无腐蚀性，不需要还原剂，分解温度低，收率高，是个有前途的方法。
缺点：安全性问题3、四氯化硅还原法：硅的收率低。
三氯氢硅还原法制备纯硅的工艺过程：（三氯氢硅：室温下为无色透明、油状液体，易挥发和水解。
在空气中剧烈发烟，有强烈刺激味。
比SiCl4活泼，易分解。
沸点低，容易制备，提纯和还原。
）一、三氯氢硅的制备：原料：粗硅 + 氯化氢流程：粗硅→ 酸洗 (去杂质) → 粉碎→ 入干燥炉→ 通入热氮气→ 干燥→ 入沸腾炉→ 通干HCl → 三氯氢硅主反应：Si + 3HCl = SiHCl3 + H2(副反应生成的杂质1、SiCl4 2、SiH2Cl2 ）为增加SiHCl3的产率，必须控制好工艺条件，使副产物尽可能的减少。
较佳的工艺条件：1、反应温度280-300℃2、向反应炉中通一定量的H2，与HCl气的比值应保持在1：3~5之间。
3、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥，并且硅粉粒度要控制在0.18-0.12mm 之间。
4、合成时加入少量铜、银、镁合金作催化剂，可降低合成温度和提高SiHCl3的产率。
二、氯氢硅的提纯目的：除去SiHCl3中含有的SiCl4和多种杂质的氯化物。
提纯方法：精馏精馏提纯：是利用混合液中各组分的沸点不同来达到分离各组分的目的。
三、三氯氢硅还原主反应： SiHCl3 + 3H2 → Si + 3HCl副反应：4SiHCl3 + 3H2 = Si + 3SiCl4 + 2H2SiCl4 + H2 = Si + 4HCl升高温度，有利于SiHCl3的还原反应，还会使生成的硅粒粗大而光亮。
但温度过高不利于Si在载体上沉积，并会使BCl3，PCl3被大量的还原，增大B、P的污染。
反应中还要控制氢气量，通常H2:SiHCl3 =(10-20):1 (摩尔比)较合适。
硅烷法主要优点：1、除硼效果好2、无腐蚀性3、分解温度低，不使用还原剂，效率高有利于提高纯度4、产物中金属杂质含量低，(在硅烷的沸点-111.8℃下，金属的蒸气压低)5、外廷生长时，自掺杂低，便于生长薄外廷层。
缺点：安全性一、硅烷的制备原料：硅化镁、氯化铵Mg2Si + 4 NH4Cl ==== SiH4 + 4NH3 + 2MgCl2 +Q条件：液氨中。
液氨作溶剂、催化剂（1）Mg2Si：NH4Cl = 1：3（2） Mg2Si ：液氨 =1：10（3）反应温度： -30℃~-33℃二、硅烷的提纯可用方法：1、低温精馏(深冷设备，绝热装置)、2、吸附法(装置简单) 主要用吸附法，使用分子筛吸附杂质。
（分子筛的作用：1、工业用于做吸附剂。
2、催化剂分类：分为微孔≤2nm，介孔2-50nm，超大孔≥50nm吸附流程1、4A分子筛吸附NH3，H2O，部分PH3、AsH3、C2H2、H2S等2、5A分子筛吸附余下的NH3，H2O，PH3、AsH3、C2H2、H2S及B2H6，Si2H63、13X分子筛吸附烷烃，醇等有机大分子4、常温和低温活性炭吸附B2H6 、AsH3 、PH3）吸附后，在热分解炉中加热至360℃，除去杂质的氢化物三、硅烷热分解SiH4 = Si + 2 H2工艺条件： 1、热分解的温度不能太低，载体的温度控制在800℃2、热分解的产物之一氢气必须随时排队，保证反应用右进行。
高纯锗的制备流程：锗精矿→ GeCl4 → 精馏(萃取提纯) → 水解→ 二氧化锗→ 区熔提纯→ 高纯锗1、 GeCl4的制备反应式：GeO2 + 4HCl → GeCl4 + 2H2O 1) 反应时盐酸浓度要大于6 mol/L，否则GeCl4水解，一般使用10 mol/L的盐酸，可适当加硫酸增加酸度。
2) 加入氧化剂(氯气)以除去砷。
2、GeCl4的提纯（萃取法、精馏法）采用萃取法，利用AsCl3与GeCl4在盐酸中溶解度的差异，萃取分离。
GeCl4在浓盐酸中几乎不溶，AsCl3的溶解度可达200-300 g/L3、GeCl4水解反应式：GeCl4+(2+n)H2O——GeO2·H2O + 4HCl +Q1、可逆反应，酸度大于6 mol/L，反应向左进行。
因为在盐酸浓度为 5 mol/L时，GeO2的溶解度最小，所以控制GeCl4：H2O=1:6.5。
2、使用超纯水，用冰盐冷却以防止受热挥发。
3、过滤后的GeO2经洗涤后在石英器皿中以150-200℃下脱水，制得的GeO2纯度可达5个“9”以上。
4、GeO2氢还原GeO2+ 2H2 = Ge + 2H2O1、为防止中间产物GeO在700℃以上完全挥发，还原温度控制在650℃左右。
2、尾气无水雾标志着完全还原。
3、还原完后升温将锗粉熔化成锗锭。
冰盐是指冰和盐类的混合物。
用冰盐制作制冷剂可以获得更低的温度。
工业上应用最广的冰盐是冰块与工业食盐NaCl的混合物。
冰盐冷却是利用冰盐融化过程的吸热。
冰盐融化过程的吸热包括冰融化吸热和盐溶解吸热这两种作用。
分凝现象：将含有杂质的晶态物质熔化后再结晶时，杂质在结晶的固体和未结晶的液体中的浓度是不同的，这种现象称分凝现象或偏析现象。
区熔提纯：就是利用分凝现象将物料局部深化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质尽量集中在尾部或头部，进而达到使中部材料提纯的目的。
平衡分凝系数：在一定温度下，平衡状态时，杂质在固液两相中浓度的比值，以此来描述该体系中杂质的分配关系。
（ K0=C S/C L）能使材料熔点下降的杂质，K0<1，熔融再凝固结晶时固相中的浓度小于液相中的浓度，所以提纯时杂质向尾部集中能使材料熔点上升的杂质，K0>1，提纯时杂质向头部集中对于K<1的杂质，当结晶速度大于杂质由界面扩散到熔体内的速度，杂质就会在界面附近的熔体薄层中堆积起来，形成浓度梯度加快杂质向熔体内部的扩散。
最后达到一个动态平衡，形成稳定的界面薄层，这个杂质较高的薄层称杂质富集层（或扩散层）。
对于K>1的杂质，结晶时固相界面会多吸收界面附近熔体中的杂质，就会使界面附近的熔体薄层中杂质呈缺少状态，这一薄层称杂质贫乏层。
有效分凝系数：通常把固相杂质浓度C S与熔体内部的杂质浓度C L0的比值定义为有效分凝系数K eff。
(K eff=C S/C L0)当界面不移动或移动速度 f 趋于零时，CL0→ CL，则Keff → K0结晶过程有一定速度时，Keff ≠ K0，此时，Cs = KeffCL0BPS公式：讨论了平衡分凝系数与有效分凝系数的关系:K eff=K0/[(1-K0)e-fδ/D+K0] 有效分凝系数Keff,是平衡分凝系数K0，固液界面移动速度f，扩散层厚度δ，和扩散系数D 的函数如果固液界面移动速度很快，则f值很大，杂质在熔体中的扩散速度较慢，f>>D/δ,有效分凝系数接近1，则达不到利用分凝效应使杂质向一边集中，从而提纯的效果。
为使分凝效应显著，应使凝固速度f<D/δ，通常(f<10-3 cm/s)。
采用电磁搅拌熔体，会使扩散层中积累的杂质加速输运到整个熔体中。
扩散层厚度δ变小，有助于Keff趋向于K0 区熔原理正常凝固：将一锭条全部熔化后，使其从一端向另一端逐渐凝固的方式称正常凝固。
由于存在分凝现象，正常凝固后锭条中的杂质分布不再均匀，会出现三种情况：1、K<1的杂质，越接近尾部浓度越大，杂质向尾部集中2、K>1的杂质，越接近头部浓度越大，杂质向头部集中3、K≈1的杂质，基本保持原有的均匀分布的方式。
固相中杂质浓度CS沿锭长的分布公式：CS=Ks/(1-g) = ks0(1-g)k/(1-g)=kC0(1-g)k-1 杂志的分布规律：K≈1的杂质，分布曲线接近水平，即浓度沿锭长变化不大K<0.1，K>3的杂质，随锭长变化较快，越是K偏离1的杂质，向锭的一端集中的趋势越明显，提纯效果越好。
注意：在尾部(K<1)因杂质浓度太大，K不再是常数，所以上式不再适用。
如杂质浓度过大，会形成合金状态，更不符合分凝规律。
一次区熔与正常凝固的比较：就一次提纯而言，正常凝固比一次区熔提纯的效果好。
熔区越宽，提纯效果越好最后一个熔区属于正常凝固，不服从区熔规律。
极限分布：经过多次区熔后，杂质分布状态将达到一个相对稳对且不再改变的状态，这种极限状态叫做极限分布或最终状态。
原因：在凝固界面，由于分凝作用，部分杂质将被排斥到熔区，并向后携带。
在熔化界面，由于锭料熔化又带入新的杂质，它们将从熔化界面向凝固界面运动，运动方向与分凝出来的杂质运动方向相反，称杂质倒流。
使整个熔区的杂质浓度增加。
在最初几次区熔时，由于尾部杂质浓度还不太大，熔化界面熔入的杂质量也比较少，杂质倒流的作用不明显，此时分凝占主导地位。
杂质总的流向是从头部流到尾部，对材料起提纯作用。
多次区熔后，尾部的杂质越来越多，杂质倒流越来越严重，最终杂质分布达到平衡，出现极限分布状态。
规律：影响杂质浓度极限分布的主要因素是杂质的分凝系数和熔区长度。
对不同K值的杂质，K<1时，K值越小，杂质分布卓越头部杂质浓度越小，熔区长度越小，极限分布时CS越小。
影响区熔提纯的主要因素：1、熔区长度一次区熔时，由CS=C0[1-(1-K)e-kx/L]L→大，CS →小，提纯的效果越好，由此考虑，熔区长度L越大越好。
极限分布的时,熔区长度越大，CS越大，提纯的效果越差，所以从极限分布的角度来看，L →小较好。
实际区熔时，应取最初几次用大熔区，后几次则用小熔区的工艺条件。
2、熔区移动速度根据BPS公式，熔区的移动速度越小，Keff→K0，有利于杂质的分凝与提纯。
但区熔速度过慢会降低生产效率。
反之，区熔速度越大，所次区熔用时少，但提纯效果由于Keff的增大而降低。
要想在最短时间内，最有效的提纯材料，必须同时考虑区熔次数n 与区熔速度f ，使 n/f 的比值最小。
即用尽可能少的区熔次数和尽量快的区熔速度来区熔，达到预期的效果。
经验公式：一般区熔时，可按fδ/D≈1的条件近似计算f3. 区熔次数的选择多次区熔后，锭中的杂质会达到极限分布，所以无限增加区熔次数是无效的。