半导体二极管参数符号
二极管类型及符号正负
二极管类型及符号正负
二极管是一种半导体器件,可以用于电流控制和稳压电路中。
以
下是常见的二极管类型及其符号:
1. 正向二极管:符号为D,通常由两个p字形的半导体接触面组成。
正向电压下,D导通,电流通过它;负向电压下,D截止。
2. 反向二极管:符号为N,通常由一个p字形和一个n字形半导
体接触面组成。
反向电压下,N极导通,电流从N极流向P极。
3. 稳压二极管:符号为VR,主要用于电路中的稳压作用。
稳压二极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层。
正向电压下,VR导通,稳压电流增加;负向电压下,VR截止。
4. 整流二极管:符号为A,用于将交流电源转换为直流电。
整流
二极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层。
正向电压下,A导通,电流开始流动;负向电压下,A截止。
5. 发光二极管:符号为LED,用于产生不同颜色的光线。
发光二
极管通常由两个p字形半导体接触面组成,之间的区域为电场屏蔽层,正向电压下可以发光;负向电压下,LED截止。
以上是常见的二极管类型及其符号,不同的应用场景可能需要不
同种类的二极管。
各种二极管分类符号
各种二极管分类符号
二极管有多种分类方式，以下是几种常见的分类及对应的符号：
1. 按所用的半导体材料：
* 锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。
* 硅二极管（Si管），用符号Si表示。
2. 按管芯结构：
* 点接触型二极管，用符号D表示。
* 面接触型二极管，用符号S表示。
* 平面型二极管，用符号F表示。
3. 根据不同用途：
* 检波二极管，用符号D表示。
* 整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。
* 稳压二极管，用符号DZ或D表示。
* 开关二极管，用符号D表示。
* 隔离二极管，用符号D表示。
* 肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。
* 发光二极管（LED），用符号LED或D表示。
* 硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。
* 旋转二极管，用符号D表示。
以上是各种二极管的分类及对应的符号，希望对解决您的问题有所帮助。
二极管的符号、判别、参数和分类
二极管符号 二极管（国标） 二极管的判别及参数 1.简述 半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。
半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。
我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。
很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。
我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。
常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。
像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。
大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。
大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。
2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别 一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP17等。
如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。
塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。
无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。
根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。
不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。
半导体器件芯片通用型号参数
半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
半导体技术参数-符号含义(精)
半导体技术参数 -符号含义来源:生利达成时间:2008-10-30一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流 (正向测试电流。
锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极间的电流; 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF (AV ---正向平均电流IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。
在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR (AV ---反向平均电流IR (In ---反向直流电流(反向漏电流。
在测反向特性时, 给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中, 加反向电压规定值时, 所通过的电流; 硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下, 产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
万用表上的二极管符号
万用表上的二极管符号万用表上的二极管符号：探索电子工程中的关键元素在电子工程领域，万用表和二极管都是非常重要的工具。
万用表，一种多功能的测量设备，可以检测电压、电流、电阻等电子参数；二极管，一种半导体器件，具有单向导电性，是电子电路中的基本元件之一。
本文将重点介绍万用表上的二极管符号及其在电子工程领域的应用。
一、万用表上的二极管符号概述在万用表上，二极管的符号通常由一个三角形和两条平行的直线组成，其中三角形的一端与一条直线相连，另一端与另一条直线相连。
这个符号代表了二极管的PN结结构。
其中，三角形的一端表示P型半导体，另一端表示N型半导体。
两条平行线表示连接两个半导体的导线。
二、类型与特点二极管有多种类型，包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管等。
不同类型的二极管在性能、结构等方面具有不同的特点。
1. 硅二极管和锗二极管是常见的PN结型二极管，它们的主要区别在于材料和性能。
硅二极管的反向饱和电流小，工作电压较高，适用于高电压、大电流的应用场景；而锗二极管的导通电压较低，正向压降小，适用于低电压、大电流的应用场景。
2. 肖特基二极管是一种金属半导体器件，具有高速开关特性和低功耗的特点，适用于高频、高效率的电路中。
三、测量方法与注意事项使用万用表检测二极管时，需要注意以下几点：1. 选择合适的量程和档位。
根据被测二极管的型号和参数，选择合适的量程和档位，以确保测量结果的准确性和可靠性。
2. 正确连接测试导线。
将万用表的测试导线正确连接到二极管的两端，红表笔接正极，黑表笔接负极。
3. 注意测试过程中的安全性。
在测试过程中，要注意避免测试导线短路或接触不良等问题，以免造成设备损坏或人身伤害。
4. 观察测量结果并进行分析。
根据万用表的测量结果，可以判断二极管的好坏以及其类型。
例如，对于硅二极管，正向压降一般为0.7V 左右，反向电阻无穷大；对于锗二极管，正向压降一般为0.3V左右，反向电阻也无穷大。
如果测量结果不符合这些特征，那么可能存在故障或损坏。
半导体二极管
(1-4)
1. 4 二极管的主要参数
1. 最大整流电流 IFM
在规定的环境温度和散热条件下，二极管长 期使用时，所允许流过二极管的最大正向平 均电流。
2. 最高反向工作电压URM
通常称耐压值或额定工作电压，是指保证二 极管截止的条件下，允许加在二极管两端的 最大反向电压。手册上给出的最高反向工作 电压URM一般是击穿电压UBR的一半。
(1-5)
3. 反向电流 IR
指二极管未击穿时的反向电流。反向电流 越小越好。通常反向电流数值很小，但受 温度影响很大，温度越高反向电流越大， 一般温度每升高10o,反向电流约增大一倍。 硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要 比硅管大几十到几百倍。
4. 最最高工作频率fM
指保证二极管导向导电作用的最高工作频 率。当工作频率超过fM时，二极管将失去导 向导电性。
模拟电子技术
半导体二极管
1. 1 半导体二极管的结构和符号
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
点接触型
触丝线
PN结
引线 外壳线
基片
面接触型
二极管的ห้องสมุดไป่ตู้路符号： 阳极
阴极
(1-2)
二极管的主要特性---单向导电
1、二极管的偏置：二极管单向导电的特性，只有外加一定极 性的电压（称为偏置）才能表现出来。阳极电位高于阴极 电位称为二极管的正向偏置，反之称为反向偏置。
2、二极管的主要特性：单向导电，即正向导通，反向截止。 或曰：只能一个方向导电，另一个方向不导电，即由阳极 向阴极可以顺利的流电流，反方向不流电流。
只能一个方向 电，
(1-3)
1. 3 二极管的伏安特性
I
反向击穿 电压UBR
二极管的种类和符号
二极管的种类和符号
二极管是一种电子器件，只允许电流在一个方向上流动。
它们通常由半导体材料制成，最常见的类型是硅二极管和锗二极管。
二极管在电路中有着广泛的应用，如整流、检波、开关等。
种类：
1.硅二极管：硅二极管是最常见的一种二极管，它的特点
是工作电压较高，但电流较小。
硅二极管的导通电压通常在0.7V左右。
2.锗二极管：锗二极管的导通电压较低，通常在0.3V左
右，因此它通常用于低电压的电路中。
3.肖特基二极管：肖特基二极管是一种高效能的二极管，
它的导通电压较低，而且恢复时间较短，因此常用于高频电路中。
4.快恢复二极管：快恢复二极管的恢复时间较短，因此它
也常用于高频电路中。
5.稳压二极管：稳压二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是稳压性能好，可以将电压稳定在一个特定的值。
6.变容二极管：变容二极管是一种特殊的二极管，它的特
点是电容值可以随着外加电压的变化而变化，因此常用于调频和调相电路中。
符号：
二极管的符号如下图所示：
其中，A表示阳极，K表示阴极；在图形中加一个横杠表示反向阻断，不加横杠表示正向导通。
以上是对二极管的种类和符号的基本介绍。
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半导体二极管参数符号
CT-势垒电容
Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv-偏压结电容
Co-零偏压电容
Cjo-零偏压结电容
Cjo/Cjn-结电容变化
Cs-管壳电容或封装电容
Ct-总电容
CTV-电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC-电容温度系数
Cvn-标称电容
IF-正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）-正向平均电流
IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH-恒定电流、维持电流。
Ii-发光二极管起辉电流
IFRM-正向重复峰值电流
IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io-整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)-正向过载电流
IL-光电流或稳流二极管极限电流
ID-暗电流
IB2-单结晶体管中的基极调制电流
IEM-发射极峰值电流
IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM-最大输出平均电流
IFMP-正向脉冲电流
IP-峰点电流
IV-谷点电流
IGT-晶闸管控制极触发电流
IGD-晶闸管控制极不触发电流
IGFM-控制极正向峰值电流
IR（AV）-反向平均电流
IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电
流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM-反向峰值电流
IRR-晶闸管反向重复平均电流
IDR-晶闸管断态平均重复电流
IRRM-反向重复峰值电流
IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp-反向恢复电流
Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。
测试反向电参数时，给定的反向电流
Izk-稳压管膝点电流
IOM-最大正向（整流）电流。
在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM-稳压二极管浪涌电流
IZM-最大稳压电流。
在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF-正向总瞬时电流
iR-反向总瞬时电流
ir-反向恢复电流
Iop-工作电流
Is-稳流二极管稳定电流
f-频率
n-电容变化指数；电容比
Q-优值（品质因素）
δvz-稳压管电压漂移
di/dt-通态电流临界上升率
dv/dt-通态电压临界上升率
PB-承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）-正向导通平均耗散功率
PFTM-正向峰值耗散功率
PFT-正向导通总瞬时耗散功率
Pd-耗散功率
PG-门极平均功率
PGM-门极峰值功率
PC-控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi-输入功率
PK-最大开关功率
PM-额定功率。
硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP-最大漏过脉冲功率
PMS-最大承受脉冲功率
Po-输出功率
PR-反向浪涌功率
Ptot-总耗散功率
Pomax-最大输出功率
Psc-连续输出功率
PSM-不重复浪涌功率
PZM-最大耗散功率。
在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）-正向微分电阻。
在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB-双基极晶体管的基极间电阻
RE-射频电阻
RL-负载电阻
Rs(rs)-串联电阻
Rth-热阻
R(th)ja-结到环境的热阻
Rz(ru)-动态电阻
R(th)jc-结到壳的热阻
rδ-衰减电阻
r(th)-瞬态电阻
Ta-环境温度
Tc-壳温
td-延迟时间
tf-下降时间
tfr-正向恢复时间
tg-电路换向关断时间
tgt-门极控制极开通时间
Tj-结温
Tjm-最高结温
ton-开通时间
toff-关断时间
tr-上升时间
trr-反向恢复时间
ts-存储时间
tstg-温度补偿二极管的贮成温度
a-温度系数
λp-发光峰值波长
△λ-光谱半宽度
η-单结晶体管分压比或效率
VB-反向峰值击穿电压
Vc-整流输入电压
VB2B1-基极间电压
VBE10-发射极与第一基极反向电压
VEB-饱和压降
VFM-最大正向压降（正向峰值电压）
VF-正向压降（正向直流电压）
△VF-正向压降差
VDRM-断态重复峰值电压
VGT-门极触发电压
VGD-门极不触发电压
VGFM-门极正向峰值电压
VGRM-门极反向峰值电压
VF（AV）-正向平均电压
Vo-交流输入电压
VOM-最大输出平均电压
Vop-工作电压
Vn-中心电压
Vp-峰点电压
VR-反向工作电压（反向直流电压）
VRM-反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）-击穿电压
Vth-阀电压（门限电压）
VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM-反向工作峰值电压
V v-谷点电压
Vz-稳定电压
△Vz-稳压范围电压增量
Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数
Vk-膝点电压（稳流二极管）
VL-极限电压。