二极管的电路符号及图片识别
二极管及三极管电路符号大全
二极管及三极管符号大全图二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFTAV---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率;硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率;在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RFr---正向微分电阻;在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性;在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降正向峰值电压VF---正向压降正向直流电压△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VFAV---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压反向直流电压VRM---反向峰值电压最高测试电压VBR---击穿电压Vth---阀电压门限电压VRRM---反向重复峰值电压反向浪涌电压VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压信号电压或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压稳流二极管VL---极限电压CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率。
二极管及三极管电路符号大全
二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
二极管及三极管电路符号大全
二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
各种二极管符号及作用
名称符号图示二极管D变容二极管双向触发二极管稳压二极管齐纳二极管肖特基二极管桥式整流二极管瞬变抑制二极管TVS 双向瞬态抑制二极管恒流二极管作用加载在变容二极管上的电压变化，会引起它的电容量的变化，常用来做频率的电子调谐，比如电调和数调收音机的电子调谐等常用来出发双向晶闸管，还可以构成过压保护等电路，还常用于过压保护，定时，移相等电路。
当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿，此时有一个反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。
稳压管的作用在于，电流的增量很大时，只引起很小的电压变化，也就是说电压基本上是不变的。
在电路中稳压管通常是起到稳定直流电压的作用，使电路工作在合适的状态，并限定电路中的工作电流。
在低于稳压管击穿电压时和普通二极管一样具有单向导电性，当反向电压达到稳压二极管的击穿电压时导通。
稳压二极管主要作用时稳压，常用在稳压电源中，在电路中总是反向连接，稳压管正极接电源负极。
其最显著的特点时反向恢复时间极短，用于开关电源，变频器，驱动器等电路，作高频，低压，大电流整流二极管，续流二极管，保护二极管使用，或在微波通信等电路中做整流二极管，小信号检波二极管使用。
提供一个电流的额外通路，电路中有感性元件时，电流突变会感应出很大的电压，可能会击穿开关或者烧坏电路。
这时通过这个二极管提供电流通路，就不会发生击穿现象。
平时二极管工作在反偏状态下，几乎相当于开路，和稳压管的作用有点像。
两个负极连在一起的二极管，提供一个电流的额外通路。
电路中有感性元件（例如电感线圈，继电器）的时候，电流突变会感应出很大的电压，可能会击穿开关或者烧坏电路。
这时候通过这个二极管提供电流通路，就不会发生击穿现象。
平时二极管工作在反偏状态下，几乎相当于开路，作用有点像稳压管。
用来稳定电流的二极管，它可以在较宽的电压变化范围内提供恒定不变的电流。
恒流二极管主要应用在各种放大电路（如音频功放电路，振荡电路及稳压电源电路），在电路中作为恒流源或者恒流偏置元件。
二极管PPT课件(完整版)
二极管反向击穿，两引脚之间内阻很小， 二极管无单向导电性，二极管损坏.
二极管主要参数
参数名称 符号
解说
是指二极管长时间正常工作下， 最大整流电流 Im 允许通过二极管的最大正向电流
值。
反向电流
是指二极管加上规定的反向偏置
Ico 电压情况下，同过二极管的反向 电流值。
最大反向工作 电压
Urm
二极管工作时承受最大的反向电
压，处于
R1
正向偏置
状态
I+
VD1
E1
-
R1
二极 管导
通通
路
I
VD1
二极管导通的条件：
正向偏置电压; 正向偏置电压大到一定程度，对于硅管 而言0.7V，对于锗管而言为0.2V。
二极管截止状态工作原理
如果给二极管正极加的电压低于负极加的电压，称为二极
管的反向偏置电压。给二极管加反向偏置电压后，二极管截止， 二极管两引脚间电阻很大，相当于开路。如图所示，只要是反 向电压二极管就没有电流流动，如果反向电压过大，二极管会 击穿，电流从负极流向正极，说明二极管已经损坏。
极管的正极，红表笔接二极管的负极，此
时表针应向右偏转一个很大的角度，所指
示阻值较小。此时阻值越小越好。
测量正向电阻
解说
几十到几KΩ
说明二极管正向电阻正常。
正向电阻为零或远小于几 欧姆
说明二极管已经击穿。
几百KΩ
正向电阻很大，说明二极管已经开路。
几十KΩ
二极管正向电阻较大，正向特性不好。
测量时表针不稳定二极管Fra bibliotek极为R1
负电压，反向
偏置状态
E1
VD1
E1
各种元器件电路符号
带阻尼二极管及电阻 NPN 型 三极管
表示符号：Q,VT
IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT
双向型 TVS 瞬态电压抑制二
带阻尼二极管 IGBT 场效应
极管
管
表示符号：Q,VT
电子原件符号表 元件实物图片请参见 /jicu/Picture 本文不得转载
四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N
电子元器件符号图形
六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N
半导体放电管（固体放电管）
单向可控硅(晶闸管)
双向可控硅(晶闸管)
双向可控硅(晶闸管)
晶振 石英晶体振荡器 表示符号：X
二
端 石英晶体谐振器（晶振）
陶瓷滤波器 表示符号：X
三端 石英晶体谐振器 （晶振）
陶瓷波器 表示符号：X
电子元器件符号图形
接面型场效应管 P-JFET 接面型场效应管 N-JFET 场效应管增强型 P-MOS 场效应管增强型 N-MOS
场效应管耗尽型 P-MOS
电阻 电阻器或固定电阻 表 电阻 电阻器或固定电阻 表
场效应管耗尽型 N-MOS
示符号：R
示符号：R
电位器 表示符号:VR，RP,W
可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W
双色发光二极管 表示符号：LED
单结晶体管（双基极二极管） 光敏三极管或光电接收三极管
表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
复合三极管 表示符号：Q,VT
NPN 型三极管 表示符号：Q,VT
PNP 型三极管 表示符号：Q,VT
PNP 型三极管 表示符号：Q,VT
NPN 型三极管 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管 NPN 型三极 管
二极管符号
二极管符号二极管（国标）二极管的判别及参数1.简述半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。
半导体最重要的两种元素是硅(读“guī”)和锗(读“zhě”)。
我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。
很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。
我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良(万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极)。
常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。
像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。
大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。
大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。
2．半导体二极管的极性判别及选用(1) 半导体二极管的极性判别一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP1 7等。
如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。
塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。
无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。
根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R×100或R×1k挡。
不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。
二极管及三极管电路标记大全
二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。
硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。
维持电流。
Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
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一：二极管的分类
令狐采学
1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
1）整流二极管
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。
2）检波二极管
检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
4) 稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。
5）变容二极管变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。
6））瞬态电压抑制器TVS
一种固态二极管，专门用于ESD 保护。
TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。
7）发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。
工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
8）肖特基二极管
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
二：二极管的特性
通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能
导通，流过二极管的正向电流十分微弱。
只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。
导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
2. 反向特性。
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。
二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。
当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
三：二极管的电路符号
四：各种二极管图片。