SI-53004中文资料
H3C-华为对比分析
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配套资料
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目录
华为数通整体分析 数通产品分析 数通服务分析
华为应用材料汇总 关键产品竞争策略 解决方案竞争策略
华为产品线介绍
华为强，但数通弱
华为数通产品推出时 间短，特性弱，稳定性 差
华为运营商服务强， 行业服务弱
1252.17
1490.59
比例
2.84%
2.36%
2.18%
注：数通销售比例逐年下降（公司数据来自华为年报，数通数据来自CCID）
4
华为交换机产品线介绍
百兆 L2
千兆 L3
百兆L3
机架式L3
➢华为交换机产品线从2008年下半年正式发布，全部采用BCM的芯片解决方案。 提供从接入到核心汇聚全系列的自研交换机产品。
由物流商统一负责 全国各地备件库房 的日常运作和备件 交付
本地备件交付的粗放管理。 1、华为4小时服务只能通过办事处资 源交付，质量不稳定。 2、最终交付环节的分散管理制约了 交付水平的提升。
IT平台仅限于备件部门 备件系统可以提供 内部使用，客户、华为 备件申请、查询等 工程师都只能电话沟通。 功能
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目录
华为数通整体分析 华为应用材料汇总 关键产品竞争策略 解决方案竞争策略
交换机系列产品对应关系
H3C产品
HW产品
高端
S12500 S9500E S7500E
差异点
S9300
千兆三层
S5800/S5810/ S5820X
S5500EI
S5500SI
认证体系还没有针对行业市场专门进行设计开发。
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华为办事处实际情况介绍
罗斯蒙特5300雷达选型中文样本
产品数据表00813-0106-4530，版本 AA 2007 年 6 月罗斯蒙特 5300 系列罗斯蒙特 5300 系列是一款高性能的二线制导波雷达，用于液体、浆料、固体中的液位和界面测量。
这款一流的过程雷达具有一切您所期望的优点 - 出色的可靠性、顶尖的安全性、简捷的可操作性和无限的连通性，定会让您如愿以偿。
•由于引入直接切换技术(Direct Switch Technology )和导波杆末端探测功能(Probe End Projection)，所以此款导波雷达即使在低反射介质中也能确保测量长度和测量可靠性满足您的需要。
•采用先进的时限测定方法，精度高达 ± 3 mm 。
•提供全系列导波杆，使应用更具灵活性。
•采用一个多变量(Multivariable TM )变送器，减少了仪表和过程贯穿孔的数量。
•组态工具功能强劲且易于使用。
•采用坚固耐用的模块化设计，使用成本进一步降低，安全性进一步提高。
•引入先进的 PlantWeb ®功能，使工厂的可用性进一步提高。
•采用一个智能电流接口，使 EMC 性能得到进一步改善。
•从真正意义上实现不受应用条件的影响。
目录将导波雷达的优势提高到一个新的层次 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2性能更优，适用于更多应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3系统一体化. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4选择导波雷达变送器. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6量程 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11界面 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12在原有的浮筒液位计旁通管内替换浮筒液位计. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13固体 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14机械安装需要考虑的事项 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15技术规格. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17产品认证. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21尺寸图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23订购信息. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32组态数据表. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40高性能导波雷达版权所有 艾默生产品数据表00813-0106-4530，版本 AA2007 年 6 月罗斯蒙特 5300 系列2将导波雷达的优势提高到一个新的层次测量原理罗斯蒙特 5300 系列的测量以时域反射测量(TDR)技术为基础。
基于光栅传感器的高精密直线位移测量及误差分析
电子测量0 引言近年来基于光栅传感器的精密测量技术在测试仪器、坐标测量机、高精度精密加工等领域都得到了广泛的应用。
实际应用中，作为光栅传感器的主要部件，光栅读数头易受到机械振动的影响，导致其输出脉冲方波质量差。
从微观的角度来说，即使单片机控制步进电机的方波脉冲是恒定的，但步进电机的运行速度也存在微小的变化。
另外，受温度、湿度等外界条件的影响，机械零部件也会发生微小的形变，这些因素叠加起来反映在光栅读数头上，其发出的脉冲方波的周期不恒定，占空比不均，严重的会丢失脉冲，极大地影响位移测量精度。
一般，为提高分辨率及测量精度，往往采用四倍频电路，使光栅读数头的脉冲输出更准确，缓解其丢失脉冲的现象[3]。
企业中常采用软件四倍频，软件四倍频的硬件电路简单且编程思路清晰，易于实现，但缺点是效率低，响应速度低，可靠性差。
而硬件四倍频的硬件电路虽然复杂，但是效率高，稳定性好且不占用单片机的时间。
本文基于光栅传感器设计了一个高精密位移测量的实验装置。
实验装置采用性价比较高的51单片机作为控制核心，实现了非接触式高精密直线位移测量的需求，可作为测试仪器及相关设备的进给装置使用，实用性较强。
为实现高精密的直线位移测量，设计了优化的四倍频辨向电路，在保证基本功能的前提下，运用了全新的芯片，简化了电路，减少了芯片的数量，提高了电路的可靠程度, 可以实现纳米级直线位移测量。
1 四倍频辨向电路设计光栅传感器选用美国进口GSI Mercury 5500光栅传感器，对于光栅输出信号的采集和处理采用51单片机开发板和四倍频硬件电路来完成，CPU选用STC89C52RC作为控制芯片。
四倍频辨向电路的应用可以在不改变光栅传感器硬件的前提下，有效缓解了光栅传感器丢失脉冲的现象，并且在不增加成本的情况下，提升4倍的分辨率，有利于实现高精密测量。
经过单稳处理后的信号保持了方波的完整性，采用双4选1数据选择器U3，使电路更加简单，可靠性增加，抛弃了传统单稳四细分辨向电路的与或非门，减少了芯片的数量，提高了信号输出的稳定性，四倍频电路图如图1所示。
5300使用教程
2、打开你的5300，进入菜单---管理器---备忘，选择增加，然后你就把要说的话写在备忘录里面，选择保存。
3、看到保存的备忘文件了吗，按左键，选择操作----发送备忘，手机会通过蓝牙去寻找周围的手机，确定你要传送的手机（看清楚，表发给boss了），发送……
此人就能收到一条蓝牙文本了。
诺基亚手机连接笔记本无线上网
1.需要准备数据线，蓝牙识别器，红外之一，开通了上网套餐的手机卡，如果不限流量的最好，我的是100元2G的套餐
2.新建一个记事本文件，将以下信息复制粘贴到里面
Windows Registry Editor Version 5.00
[HKEY_LOCAL_MACHINESOFTWAREMicrosoftWindowsCurrentVersionInternet
5300上网设置
基本上网设置
网络
设置方法：
一、去诺基亚官方网站定制 ：/cn/support/setup/index.shtml
二、拨打诺基亚客服电话：4008800123,可接到三个短信，分别是彩信、邮箱、上网，保存就可以
6.此时打开你的IE浏览器，如果前面几步没有出错，而且手机有信号的情况下应该可以打开网页了
若要使用qq，在登陆界面的“设置”里面，设置为“使用浏览器设置”即可
手机当猫无线上网的
优点：中国移动的网络覆盖面广，可以满足一些偏僻的地方的上网问题（我家这破地方没有电信，没有网通，没有无线网络，只有中国移动的信号），比直接拿手机上网要舒服多了
Settings5.0User Agent]
@="OpenWave"
[HKEY_LOCAL_MACHINESOFTWAREMicrosoftWindowsCurrentVersionInternet
SI5504BDC-T1-E3;中文规格书,Datasheet资料
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYV DS (V)R DS(on) (Ω)I D (A)Q g (Typ)N-Channel 300.065 at V GS = 10 V 4a 2 nC 0.100 at V GS = 4.5 V 4a P-Channel- 300.140 at V GS = - 10 V - 3.7 2.2 nC0.235 at V GS = - 4.5 V- 2.8Notes:a.Package limited.b.Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.c.t = 5 s.d.See Reliability Manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequade bottom side solder interconnection.e.Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.f.Maximum under steady state conditions is 120 °C/W.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25°C, unless otherwise notedParameter Symbol N-Channel P-Channel UnitDrain-Source VoltageV DS 30- 30VGate-Source VoltageV GS ± 20Continuous Drain Current (T J = 150 °C)T C = 25 °C I D 4a - 3.7A T C = 85 °C 3.8- 2.7T A = 25 °C 3.7b, c - 2.5b, c T A = 85 °C 2.6b, c- 1.8b, c Pulsed Drain Current I DM 10- 10Source Drain Current Diode CurrentT C = 25 °C I S 2.5- 2.5T A = 25 °C 1.3b, c - 1.3b, c Maximum Power Dissipation T C = 25 °C P D 3.12 3.1W T C = 85 °C 22T A = 25 °C 1.5b, c 1.5b, c T A = 85 °C 0.8b, c0.8b, c Operating Junction and Storage Temperature Range T J , T stg - 55 to 150°C Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e260THERMAL RESISTANCE RATINGSParameter Symbol N-ChannelP-ChannelUnitTyp.Max.Typ.Max.Maximum Junction-to-Ambient b, f t ≤ 5 s R thJA 70857085°C/WMaximum Junction-to-Foot (Drain)Steady State R thJF 33403340FEATURES•Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition•TrenchFET ® Power MOSFETs•Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS•DC/DC for Portable ApplicationsNotes:a. Guaranteed by design, not subject to production testing.b. Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.SPECIFICATIONS T J = 25°C, unless otherwise notedParameter Symbol Test Conditions Min.Typ.Max.UnitStaticDrain-Source Breakdown Voltage V DS V GS = 0 V , I D = 250 µA N-Ch 30V V GS = 0 V, I D = - 250 µAP-Ch - 30V DS Temperature Coefficient ΔV DS /T J I D = 250 µA N-Ch 27mV/°CI D = - 250 µA P-Ch - 30V GS(th) Temperature Coefficient ΔV GS(th)/T J I D = 250 µA N-Ch - 5I D = - 250 µA P-Ch 3.5Gate Threshold Voltage V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 µA N-Ch 1.53VV DS = V GS , I D = - 250 µA P-Ch - 1.5- 3Gate-Body LeakageI GSSV DS = 0 V , V GS = ± 20 V N-Ch 100nAP-Ch - 100Zero Gate Voltage Drain CurrentI DSSV DS = 30 V, V GS = 0 VN-Ch 1µAV DS = - 30 V , V GS = 0 V P-Ch - 1V DS = 30 V , V GS = 0 V, T J = 85 °C N-Ch 5V DS = - 30 V, V GS = 0 V , T J = 85 °CP-Ch - 5On-State Drain CurrentbI D(on)V DS ≥ 5 V , V GS = 10 V N-Ch 10A V DS ≤ - 5 V , V GS = - 10 V P-Ch - 10Drain-Source On-State Resistance b R DS(on)V GS = 10 V , I D = 3.1 A N-Ch 0.0530.065ΩV GS = - 10 V , I D = - 2.1 A P-Ch 0.1120.140V GS = 4.5 V, I D = 1 A N-Ch 0.0810.100V GS = - 4.5 V , I D = - 0.43 A P-Ch 0.1880.235Forward T ransconductance b g fsV DS = 15 V , I D = 3.1 A N-Ch 5S V DS = - 15 V , I D = - 2.1 AP-Ch 3.5Dynamic aInput Capacitance C iss N-ChannelV DS = 15 V, V GS = 0 V , f = 1 MHz P-ChannelV DS = - 15 V , V GS = 0 V , f = 1 MHz N-Ch220pFP-Ch 170Output CapacitanceC oss N-Ch 50P-Ch 50Reverse Transfer CapacitanceC rssN-Ch 25P-Ch 31Total Gate Charge Q gV DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 3.6 AN-Ch 4.57nC V DS = - 15 V , V GS = - 10 V , I D = - 2.5 A P-Ch 4.57N-ChannelV DS = 15 V , V GS = 4.5 V , I D = 3.6 AP-ChannelV DS = - 15 V , V GS = - 4.5 V , I D = - 2.5 AN-Ch 23P-Ch 2.2 3.5Gate-Source Charge Q gs N-Ch 0.7P-Ch 0.7Gate-Drain Charge Q gd N-Ch 0.7P-Ch 1Gate ResistanceR gf = 1 MHzN-Ch 3ΩP-Ch13Notes:a. Guaranteed by design, not subject to production testing.b. Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2 %.Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.SPECIFICATIONS T J = 25°C, unless otherwise notedParameter Symbol Test Conditions Min.Typ.Max.UnitDynamic aT urn-On Delay Time t d(on) N-ChannelV DD = 15 V, R L = 5.8 Ω I D ≅ 2.6 A, V GEN = 4.5 V , R g = 1 ΩP-ChannelV DD = - 15 V , R L = 7.5 Ω I D ≅ - 2 A, V GEN = - 4.5 V , R g = 1 ΩN-Ch1525nsP-Ch 3045Rise Timet r N-Ch 80120P-Ch 6090T urn-Off Delay Time t d(off) N-Ch 1220P-Ch 1015Fall Timet f N-Ch 2540P-Ch 1015T urn-On Delay Time t d(on) N-ChannelV DD = 15 V, R L = 5.8 Ω I D ≅ 2.6 A, V GEN = 10 V , R g = 1 ΩP-ChannelV DD = - 15 V , R L = 7.5 Ω I D ≅ - 2 A, V GEN = - 10 V , R g = 1 ΩN-Ch48P-Ch 48Rise Timet r N-Ch 1220P-Ch 1015T urn-Off Delay Time t d(off) N-Ch 1015P-Ch 1015Fall Timet fN-Ch 510P-Ch510Drain-Source Body Diode Characteristics Continuous Source-Drain Diode Current I S T C = 25 °CN-Ch 2.5AP-Ch - 2.5Pulse Diode Forward Current a I SM N-Ch 10P-Ch - 10Body Diode VoltageV SD I S = 2.6 A, V GS = 0 V N-Ch 0.8 1.2V I S = - 2 A, V GS = 0 VP-Ch - 0.8- 1.2Body Diode Reverse Recovery Time t rr N-ChannelI F = 2.6 A, dI/dt = 100 A/µs, T J = 25 °C P-ChannelI F = - 2 A, dI/dt = - 100 A/µs, T J = 25 °CN-Ch 3050ns P-Ch 2040Body Diode Reverse Recovery Charge Q rr N-Ch 2040nC P-Ch 1020Reverse Recovery Fall Time t a N-Ch 23nsP-Ch 13Reverse Recovery Rise Timet bN-Ch 7P-Ch7N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedOutput CharacteristicsOn-Resistance vs. Drain CurrentTransfer CharacteristicsCapacitanceN-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedSource-Drain Diode Forward VoltageThreshold VoltageSingle Pulse PowerSafe Operating Area, Junction-to-AmbientN-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise noted* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.Current Derating*Power DeratingN-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedTransfer CharacteristicsCapacitanceOn-Resistance vs. Junction TemperatureP-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise notedSource-Drain Diode Forward VoltageSingle Pulse PowerP-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25°C, unless otherwise noted* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit.Current Derating*分销商库存信息: VISHAYSI5504BDC-T1-E3。
Kinetix 5300 单轴 EtherNet IP 伺服驱动器安装指南说明书
Kinetix 5300 单轴 EtherNet/IP 伺服驱动器产品目录号 2198-C1004-ERS 、2198-C1007-ERS 、2198-C1015-ERS 、2198-C1020-ERS 、2198-C2030-ERS 、2198-C2055-ERS 、2198-C2075-ERS 、2198-C4004-ERS 、2198-C4007-ERS 、2198-C4015-ERS 、2198-C4020-ERS 、2198-C4030-ERS 、2198-C4055-ERS 、2198-C4075-ERS关于Kinetix 5300驱动器Kinetix 5300 伺服驱动器针对连续三相输出功率和电流需求分别为 0.72…14.7 kW 和 2.3…67.5A 0-pk-峰值的应用项目提供了基于EtherNet/IP 网络的集成运动控制解决方案。
有关接线、上电、故障处理以及与 ControlLogix®5570、ControlLogix 5580、CompactLogix™ 5370 或 CompactLogix 5380 控制器和 Studio 5000Logix Designer® 应用程序集成的详细信息，请参见 Kinetix 5300 Servo Drives User Manual ，出版号 2198-UM005。
产品目录号说明本安装指南适用于以下 Kinetix 5300 伺服驱动器。
主题页码关于Kinetix 5300驱动器1准备事宜2安装Kinetix 5300驱动器2连接器数据4接线要求6安装电机电缆屏蔽夹8断路器/熔断器选择9电机过载保护11其他资源11Kinetix 5300 驱动器产品目录号目录 号框架尺寸输入电压(1)(1)需要使用标称输入电压额定值（110、230 或 480V rms ）来提供充足的电源。
连续输出功率kW连续输出电流A (rms)连续输出电流A （0-峰值）2198-C1004-ERS185…132V rms 单相 170…253V rms 单相170…253V rms 三相0.220.460.722.84.02198-C1007-ERS 10.360.761.18 4.6 6.52198-C1015-ERS 20.671.412.188.512.02198-C1020-ERS 20.972.023.1312.217.32198-C2030-ERS 2170…253V rms 三相5.0219.627.72198-C2055-ERS 310.3040.256.92198-C2075-ERS 312.2247.767.52198-C4004-ERS 1342…528V rms 三相0.86 1.6 2.32198-C4007-ERS 1 1.55 2.9 4.12198-C4015-ERS 2 2.785.27.42198-C4020-ERS 2 3.907.310.32198-C4030-ERS 26.2511.716.52198-C4055-ERS 312.0822.632.02198-C4075-ERS314.7027.538.9拆除组件内部和周围的所有包装材料、楔形物和支撑架。
4光4电工业级以太网交换机
4光4电工业级以太网交换机ISW7110 SERIES产品简介CCOM ISW7110系列交换机是多功能导轨式千兆工业级前端光端机，该系列产品专为工业现场接入设计的紧凑灵活产品，能够组建千兆的冗余环网，并且仍可以通过千兆级联上行，具备24/48 VDC或110/220 VDC/V AC冗余电源输入的功能，使现场供电更加灵活，符合电力和交通等系统的应用要求。
ISW7110 SERIESISW7110系列产品的设计为用户提供更加轻松的组网方式，2～4个千兆端口和4/6/8/12/16个百兆以太网电口的灵活组合使组建网络时更加灵活便捷。
支持各种高级网络管理功能，包括QoS 、VLAN 、IGMP、Snooping/GMRP、 Port Trunking、SNMPV1/V2/V3、RSTP/STP以及LLDP等。
全面满足了网络管理人员的的操作管理需求。
支持BD-EAPS环网冗余协议，网络链路切换及恢复时间小于50ms，提高了网络的可靠性。
主要特性✶2～4个千兆光纤端口，用于组建环网和级联端口✶支持冗余环网保护BD-EAPS（切换时间<50ms）,RSTP/STP✶多种光电口灵活配置，高度集成，弹性设计✶支持QoS、VLAN、IGMP Snooping/GMRP等管理功能✶多种通用冗余电源输入24/48 VDC或110/220 VDC/VAC✶可支持设备掉电远程软硬件告警✶工作温度范围-40℃～85 ℃✶支持LLDP(Link Layer Discovery Protocol)链路层发现协议，检索网络设备拓扑发现特点和优势✶支持BD-EAPS和RSTP/STP/MSTP（IEEE 802.1w/d/s）✶支持IGMP Snooping和GMRP过滤多播封包✶支持基于端口的VLAN、IEEE 802.1Q VLAN和GVRP协议，轻松实现网络管理✶通过QoS--IEEE 802.1p/1Q和TOS/DiffServ提升决策机制✶采用802.3ad，LACP优化网络带宽✶支持IEEE 802.1X、https和SSL，增强网络安全性✶支持SNMP V1/V2c/V3用于不同级别的网络管理✶采用RMON提升网络监控能力✶带宽管理优化处理，精确广播风暴控制✶端口环路保护功能，有效避免环网风暴。
5300说明书
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５．２控制目标值ＳＶ的设定 在测量状态下，按住 键不放，４秒钟后，即进入控制目标值ＳＶ的设定状态
参数 符号 S V ＳＶ
名称 控制目标值
设定范围 全量程
说 明 显示控制目标值的设定值
出厂预设值 ５００或５０．０
５．３ 二级参数设置 在工作状态下，按压 键ＰＶ显示ＬＯＣ，ＳＶ显示参数数值：按 或 键来进行设置，长按 键２秒可返回上一 级参数，当Ｌｏｃ＝１３２时，按压 键４秒，可进入二级参数
AH2
０～９９９９
第二报警回差
第二报警的回差值
AH3
０～９９９９
第三报警回差
第三报警的回差值AH4源自０～９９９９第四报警回差
第四报警的回差值
P 比例带
全量程
比例带
I 积分时间
D 微分时间
T0 运算周期
１～９９９９（×０．５Ｓ） ０～１９９９（×０．５Ｓ）
积分时间 解除比例控制所产生的残留偏差 设定为９９９９时，积分不起作用 微分时间 预测输出的变化，防止扰动，提高控制的稳定性 设定为０时，微分不起作用
出厂设置
Ｐｎ ２７
参数 PN 输入分度号
ｄｐ
DP
０
小数点
ＡＬＭ１
ALM1
２
第一报警方式
ＡＬＭ２
ALM2
１
第二报警方式
ＡＬＭ３
ALM3
０
第三报警方式
ＡＬＭ４
ALM4
０
第四报警方式
ＡＬＧ
ALG
０
闪烁报警
设定范围（字） 说 明
０～３５
设定输入分度号类型（见选型表）
０～３
ｄＰ＝０：无小数点 ｄＰ＝１：小数点在十位（显示ＸＸＸ．Ｘ）