二极管、晶闸管等型号命名
三极管命名规则
三极管的命名规则中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2二极管、3三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时: A-N型错材料、B-P型错材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时: A-PNP型错材料、B-NPN型错材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V微波管、w-稳压管、C参量管、Z 整流管L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K开关管、x-低频小功率管(F3MHz,Pc1W),A-高频大功率管(P3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B-雪崩管、J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、--依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
晶体三极管型号命名方法
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
晶体管型号命名方法
A26
-600B
③登记号 ④分档标记
A
三位数字:通用
Bபைடு நூலகம்
半导体器件
C
D
一字母二数字:
专用半导体器 件
. .
按某一参数进
行分档的标志
3
①电极数目
D
②材料、极性
D
③类型
A：N型锗管
P：普通管
V：混频/检波管
2（二极管）
B：P型锗管 C：N型硅管
W：稳压管 Z：整流管
L：整流堆 S：隧道管
D：P型硅管
N：阻尼管
U：光敏管
A：PNP锗管
A：高频大功率（f≥3MHz，Pc≥1W）
B：NPN锗管
3（三极管） C：PNP硅管
D：低频大功率（f＜3MHz，Pc≥1W） G：高频中小功率(f≥3MHz，Pc＜1W）
D：NPN硅管
X：低频中小功率(f＜3MHz，Pc＜1W）
E：化合物材料 T：晶闸管 Y：体效应管
备注：大功率--Pc≥1W，中功率--0.5W ≤Pc＜1W，小功率--Pc＜0.5W
F：P极控晶闸管
M：双向晶闸管
G：N极控晶闸管 H：N基极单结晶体
管
C
日本电子工业 协会（JEIA）
D
注册登记号
.
.
原型号的改进 产品
① JAN
J
（表示军用品）
无
（非军用）
1
②电极数目
1
（一个PN结）
2
（二个PN结）
3
（三个PN结）
N
n个PN结
N
③ 注册标志
N
美国电子工业协会注册标志
4148
④登记号码
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分的意义分别如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V—微波管、W-稳压管、C-参量管、Z—整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U—光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（f<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管(f〉3MHz，Pc〈1W)、D-低频大功率管(f<3MHz，Pc〉1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc〉1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0—光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料与极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其她器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其她器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。
三极管命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半 导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件 的型号命名只有第三、四、五部分）组成。 五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极 数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件 的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、 B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗 材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整 流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电 器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率 管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管 （f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流 器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、 CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分Fra bibliotek器件型号命名方法
美国半导体分立器件型号命名方法
贴片电容的型号 命名方法及规则简介
贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来 表示，一种是以毫米为单位的公制来表示。贴片电容系列的 型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、 2010、2225、2512等。04表示长度是0.04英寸，02表示宽 度0.02英寸，其他类同。 英制英寸 公制mm 长度及公差 宽度及公差 厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 不同国家、厂商的命名方法不相同。
半导体命名规则
K-N沟道场效应管
M-双向可控硅
4.第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
5.第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
E-隧道二极管
F-高频小功率三极管
G-复合器件及其他器件
H-磁敏二极管
K-开放磁路中的霍尔元件
L-高频大功率三极管
M-封闭磁路中的霍尔元件
P-光敏器件
Q-发光器件
R-小功率晶闸管
S-小功率开关管
T-大功率晶闸管
U-大功率开关管
X-倍增二极管
Y-整流二极管
Z-稳压二极管
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅
C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓
D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管
B-变容二极管
C-低频小功率三极管
D-低频大功率三极管
1.第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级
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详细参数请查询我公司网站： 品牌：TH型号：ZP5A/400V•材料：硅引用常用整流二极管型号大全极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15普通整流二极管参数(二)型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型RL201 50 2 70 5 1 DO--15RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15 RL205 600 2 70 5 1 DO--15 RL206 800 2 70 5 1 DO--15 RL207 1000 2 70 5 1 DO--15 2a01 50 2 70 5 1.1 DO--15 2a02 100 2 70 5 1.1 DO--15 2a03 200 2 70 5 1.1 DO--15 2a04 400 2 70 5 1.1 DO--15 2a05 600 2 70 5 1.1 DO--15 2a06 800 2 70 5 1.1 DO--15 2a07 1000 2 70 5 1.1 DO--15 RY251 200 3 150 5 3 DO--27 RY252 400 3 150 5 3 DO--27 RY253 600 3 150 5 3 DO--27 RY254 800 3 150 5 3 DO--27 RY255 1300 3 150 5 3 DO--27 普通整流二极管参数(三)IN5401 50 3 200 5 1 DO--27 IN5402 100 3 200 5 1 DO--27 IN5403 150 3 200 5 1 DO--27 IN5404 200 3 200 5 1 DO--27 IN5405 400 3 200 5 1 DO--27 IN5406 600 3 200 5 1 DO--27 IN5407 800 3 200 5 1 DO--27 IN5408 1000 3 200 5 1 DO--27 6a05 50 6 400 10 0.95 R--6 6a1 100 6 400 10 0.95 R--6 6a2 200 6 400 10 0.95 R--66a4 400 6 400 10 0.95 R--6 6a6 600 6 400 10 0.95 R--6 6a8 800 6 400 10 0.95 R--6 6a10 1000 6 400 10 0.95 R--6 P600a 50 6 400 10 0.95 R--6 P600B 100 6 400 10 0.95 R--6 P600D 200 6 400 10 0.95 R--6 P600G 400 6 400 10 0.95 R--6 P600J 600 6 400 10 0.95 R--6 P600K 800 6 400 10 0.95 R--6 P600M 1000 6 400 10 0.95 R--6ZP型普通整流管（平板型）适用范围：适用于机车电传，电解，充电，电机励磁，电机调速领域的变流装置。
也可用于斩波，逆变等装置型号IF(AV)(A) VRRM Tjm VFM IFM 外形(TC=100℃)(V) (℃)(v) (A) 代号ZP300 300 600---2600 160 2.05 600 Z1.E1(查看) ZP400 400 600-3600 160 2.60 1200 Z2.E2(查看)ZP500 500600-3000 160 1.80 1200 Z2.E2(查看) 3000-4600 150 2.74 1600 Z3.E3(查看)ZP600 600 600-2000 175 1.70 1200 Z2.E2(查看)2000-3600 160 2.50 1600 Z3.E3(查看)ZP800 800600-3000 160 1.65 1600 Z3.E3(查看) 3000-4000 150 1.79 1600 Z4.E4(查看)ZP1000 1000600-2000 175 1.45 1600 Z4.E4(查看) 2000-4000 160 1.55 1600 Z4.E4(查看) 4000-5000 150 2.24 2000 Z5.E5(查看)ZP1200 1200 600-2000 175 1.47 1600 Z4.E4(查看)2000-3600 150 1.75 2000 Z5.E5(查看)ZP1600 1600600-3000 160 1.42 2000 Z6(查看) 3000-4000 150 1.53 2000 Z6(查看) 4000-5000 150 1.78 2000 Z7(查看)ZP2000 2000600-1000 175 1.29 2000 Z6(查看) 1000-2000 175 1.54 2000 Z7(查看) 2000-3600 160 1.60 2000 Z8(查看)ZP2500 2500600-1200 175 1.25 2000 Z7(查看) 1200-3000 175 1.42 2000 Z8(查看) 3000-5000 150 1.43 2000 Z9(查看)ZP3000 3000600-2500 175 1.20 2000 Z8(查看) 2600-3600 160 1.35 2000 Z9(查看) 3600-5000 150 1.40 2000 Z10(查看)ZP4000 4000600-2000 175 1.15 2000 Z9(查看) 2000-3600 150 1.34 3000 Z10(查看)3600-5000 150 1.43 3000 Z11(查看)ZP4500 4500600-1200 175 1.05 2000 Z10(查看) 1400-3000 150 1.29 3000 Z11(查看) 3000-4600 150 1.34 3000 Z12(查看)ZP5000 5000600-2500 150 1.22 3000 Z11(查看) 2600-3200 160 1.30 3000 Z12(查看)ZP6000 6000 600-2000 175 1.22 3000 Z12(查看) ZP7500 7500 600-1200 175 1.02 3000 Z12(查看)参数：IF(AV)－正向平均电流VRRM--反向重复峰值电压Tjm--最高等效结温VFM --正向峰值电压 IFM--正向峰值电流ZP型普通整流管（螺栓型）发布时间：2011-2-20 0:00:00 浏览量：148适用范围：适用于机车电传动，电解，充电，电机磁，电机调速领域变流装置。
也可用于型号Type I f(av)(A)V RRM(A)I RRMT jm(150℃)(mA)I FSM(A)V FM(V)R jc(℃/w)外型代码ZP5 5 200-1600 2 90 1.6 4 A1(查看) ZP10 10 200-1600 5 190 1.6 2 A2(查看) ZP20 20 200-1600 10 380 1.6 1.4 A2(查看) ZP50 50 200-2000 20 940 1.6 1 C1(查看) ZP100 100 200-2000 20 1400 1.8 0.3 C2(查看) ZP200 200 200-2000 30 2800 1.8 0.2 C3(查看) ZP300 300 200-2000 30 4200 1.8 0.11 C3(查看) ZP400 400 200-2000 40 5600 2 0.095 C4(查看) ZP500 500 200-2000 60 7000 2 0.095 C4(查看)参数说明：If(av)－正向平均电流(整流管) VRRM--反向重复峰值压I RRM --反向重复峰值电流 I fsm --最大浪涌峰值峰值正向电流V fm --正向峰值电压(整流管) R jc --结壳热阻 F --紧固力焊接专用整流管发布时间：2011-2-19 0:00:00 浏览量：91此产品广泛应用于中等频率的超大电流焊接设备中，具有极低的通态压降和热阻，又有极高的可靠性，可代替西门康、ABB 、优派克等同国外同类产品。