功函数总结解读
功函数和费米能级的公式
功函数和费米能级的公式1 功函数的定义首先，我们先看一下功函数(又称功函、逸出功)是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出，所必须提供的最小能量(通常以电子伏特为单位)。
这里“立即”一词表示最终电子位置从原子尺度上远离表面但从宏观尺度上依然靠近固体。
功函数不是材料体相的本征性质，更准确的说法应为材料表面的性质(比如表面暴露晶面情况和受污染程度)功函数是金属的重要属性。
功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。
The work function W for a given surface is defined by the difference W = - eϕ - EFwhere −e is the charge of an electron, ϕ is the electrostatic potential in the vacuum nearby the surface, and EF is the Fermi level (electrochemical potential of electrons) inside the material. The term −eϕ is the energy of an electron at rest in the vacuum nearby the surface. In words, the work function is thus defined as the thermodynamic work required to remove an electron from the material to a state at rest in the vacuum nearby the surface.我们再看下IUPAC 官网的解释：The minimum work needed to extract electrons from the Fermi level of a metal M across a surface carrying no net charge. It is equal to the sum of the potential energy and the kinetic Fermi energy taken with the reverse sign:ϕM=−(Ve+εFe)ϕM=−(Ve+εeF)where $V_{e}$ is the potential energy for electrons in metals and $\varepsilon_e^ F$ is the kinetic energy of electrons at the Fermi level.2 VASP 计算功函数的过程从前面的定义中可以看出，计算功函数我们只需要得到体系的费米能级和电子所处的静电势能，然后求差即可。
pt的功函数
PT的功函数中的特定函数在概率论和统计学中，概率密度函数（Probability Density Function，简称PDF）是一种描述随机变量在各个取值上的概率分布的函数。
而累积分布函数（Cumulative Distribution Function，简称CDF）则是描述随机变量小于或等于某个值的概率。
在PT（Parallel Tempering，简称PT）算法中，为了解决高维复杂的概率分布函数的采样问题，引入了一种辅助函数，即功函数（Potential Function）。
功函数是PT算法的核心，用于度量系统的能量和热力学性质。
功函数的定义功函数是PT算法中的一个关键概念，用于描述系统的能量和热力学性质。
功函数通常由一组参数化的函数表示，其中每个参数对应系统中的一个变量。
假设我们有一个高维的概率分布函数P(x)，其中x是一个向量，表示系统的状态。
功函数是一个与P(x)相关的函数U(x)，它用于度量系统在不同状态下的能量。
功函数可以表示为U(x) = -log(P(x))，其中log为自然对数。
通过这个定义，我们可以将概率分布函数转化为功函数，从而更方便地处理。
功函数的用途功函数在PT算法中有着重要的作用，主要用于以下几个方面：1.采样：PT算法的目标是从复杂的概率分布函数中高效地采样。
功函数可以帮助我们定义系统的能量，从而使得采样过程更加有效。
2.模拟：PT算法通过模拟系统在不同温度下的状态，来提高采样效率。
功函数可以帮助我们计算系统的能量差，从而得到系统在不同温度下的状态。
3.温度调节：PT算法中的温度是一个关键参数，它决定了系统在不同状态之间的转移概率。
功函数可以帮助我们计算系统在不同温度下的能量，从而调节温度参数。
4.热力学性质：功函数可以帮助我们计算系统的热力学性质，如自由能、熵等。
这些性质对于理解系统的行为和性质非常重要。
功函数的工作方式功函数的工作方式可以分为以下几个步骤：1.定义系统的状态：首先，我们需要定义系统的状态。
功函数
什么是功函数？把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。
同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数单位:电子伏特,eV功函数的分类：一般情况下功函数指的是金属的功函数，非金属固体很少会用到功函数的定义。
首先功函数与金属的费米能级是密切关联的，但也并不完全相等。
这是由于固体自身所具有的表面效应，原包中靠近表面的电荷分布与理想的无限延伸重复排列的布拉菲格子固体想必严重扭曲。
我们在定义中将功函数理解为从固体中将电子移到表面所需要的最小能量。
在电子工程里面功函数对设“计肖特基二极”管或“发光二极管”中“金属-半导体”结以及“真空管”也就显得非常重要。
一般将功函数按照电子能量的来源，或者说是电子受激发的方式将功函数分为“热功函数”和“光电功函数”。
当电子从热能中吸收能量，激发到达表面我们称之为热功函数。
当电子从光子中吸收能量，激发到达表面时我们称之为光电功函数。
功函数的作用：1）当金属与半导体接触，金属与半导体之间功函数差相对很小时（同时半导体有高浓度的杂质），也就是说接触面势垒很窄的情况下，形成欧姆接触。
2）当半导体与金属功函数相差较多，形成势垒，在金半接触面形成势垒结，形成肖特基二极管（也叫做整流二极管）的结构基础。
3）金半接触金属电子激发到达半导体晶体，激发半导体可发出各种可见光，根据此原理可以制成各种发光二极管，而这里面的激发原理也是与功函数分不开的。
4）在mos晶体管中调节阈值电压，也就是说若要改变mos晶体管的阈值电压，可以通过改变栅极金半功函数实现。
功函数的设计：在功函数的定义中涉及到两个重要的物理量：平带电压，表面势。
而功函数实际上可以认为是两者加和。
在设计功函数时要考虑影响功函数的几个因素：1）晶体取向，一般情况下晶体密排面具有较大的功函数。
2）表面缺陷、吸附院子造成电子表面势垒的不同，引起功函数的变化。
功函数名词解释
功函数名词解释
功函数是数学中的一个概念，它使用一个函数来衡量作为输入参数的投入，以获得有关输出的信息。
它允许研究者深入了解事物之间的关系，并用数学语言表达出来。
在大多数情况下，功函数不仅可以用来研究物理系统，还可以应用于社会科学和统计学等领域。
首先，我们来解释功函数本身，它可以衡量和评估系统中投入和输出之间的关系，其中投入可以包括物理能量、费用、时间等，而输出可以是系统所产生的产品、服务或结果。
此外，它还可以应用于解决许多现实问题，并可以给出系统的效率或最优解等结论。
功函数的应用极其广泛，它可以用来研究物理系统，比如热力学中的功函数是一种衡量系统的能量变化的函数，用于描述热力学系统的状态。
它甚至可以应用于社会科学和统计学等领域，用于探索人与人之间的关系，比如社会学家和统计学家可以使用功函数来分析人口统计数据，用于福利分析、个体分布分析等研究领域。
此外，功函数还可以应用于工程领域，比如通过使用功函数，可以确定最佳材料和最佳设计方案，以达到最佳效率。
此外，它还用于控制系统，比如可以用来设计出可以实现有效控制的反馈系统。
最后，功函数还可以用于研究复杂系统，用于分析和计算系统的状态和变化。
它既可以用于研究自然界中的系统，也可以用于研究社会、政治、经济等复杂系统。
总而言之，功函数是一个具有重要意义的概念，它可以让我们更好的理解系统的工作机制，以便更好的优化和完善系统。
它在物理系
统、社会科学和统计学、工程学、控制理论，以及复杂系统研究等领域都有着深远的影响，为这些领域的发展做出了积极的贡献。
cuo功函数 -回复
cuo功函数-回复【探究功函数】中括号内的主题是“功函数”。
下面将一步一步回答并详细探究功函数的概念、定义、性质及其在物理学中的应用。
一、功函数的概念功函数是物理学的重要概念之一，在力学、电磁学、热力学等领域中都有广泛应用。
它描述了在某个作用下，从一种状态变到另一种状态时，与作用相关的力所做的功。
二、功函数的定义在力学中，功函数的定义是：力沿路径C做功等于力函数f(x, y, z)沿路径C的曲线积分，即∫f⋅ds，其中f为力函数，ds为路径C的微元位矢。
三、功函数的性质1. 功函数的定义具有适应性。
不同的物理问题中，力的方向和大小都会影响做功，而功函数的定义能够适应不同情况下的力对物体所做的功。
2. 功函数是路径依赖的。
根据微分形式，功函数为对力函数的积分，积分路径的选择会对结果产生影响。
3. 功函数的大小由力及路径决定。
力函数的大小以及路径的选择都会对功函数的结果产生影响。
4. 功函数的符号与力及位移的夹角有关。
当力与位移方向相同时，功函数为正；当力与位移方向相反时，功函数为负。
四、功函数在物理学中的应用1. 力学中的功函数应用广泛。
例如，对于匀强电场中电荷的位移，通过计算电场力在位移方向上的积分，可以得到电场对电荷做的功函数，进而求得从起始位置到结束位置电场所做的功。
2. 功函数在热力学中也有应用。
例如，在恒温恒压条件下，外界对系统做的功与系统的能量改变之间存在一一对应的关系。
根据功函数的定义，可以计算出外界对系统做的功，从而分析系统能量的变化。
3. 功函数在电磁学中也起到重要作用。
例如，磁场力对运动带电粒子的影响可以通过计算磁场力在沿路径的曲线积分得到功函数。
五、结语功函数是一个十分重要而广泛应用的概念，涉及到物体在不同状态间的能量转换和力学性质的描述。
通过认识功函数的概念、定义、性质和应用，我们可以更好地理解和应用力学、电磁学、热力学等学科中相关的理论和现象。
同时，深入理解功函数的概念也对于进一步探究物质世界的本质和规律具有重要意义。
功函数总结
金■中£了的勢轉和膛出功功函数：是体现电子传输能力的一个重要物理量，电子在深度为X的势阱内，要使费米面上的电子逃离金属，至少使之获得W=X —E F的能量，W称为脱出功又称为功函数；脱出功越小，电子脱离金属越容易。
另外，半导体的费米能级随掺杂和温度而改变，因此，半导体的功函数不是常数。
功函测量方法：光电子发射阈值法、开尔文探针法和热阴极发射阻挡电势法、热电子发射法、场发射法、光电子发射法以及电子束(或离子束)减速电势(retarding Potential)法、扫描低能电子探针法等。
紫外光电谱(UPS)测量功函数1. 测量所需仪器和条件仪器：ESCALAB250多功能表面分析系统。
技术参数：基本真空为3×0-8Pa, UPS谱测量用Hel(21.22eV),样品加-3.5 V偏压；另外，测量前样品经Ar+离子溅射清洗，Ar+离子能量为2keV,束流密度为0.5 μA/mm 2。
运用此方法一般除ITo靶材外，其它样品都是纯金属标样。
2. 原理Kl Λ2⅛ 5 HI Λ2⅛IiS功函数：φ=V+ E CUtOff-E Fermi3. 测量误差标定E Fermi 标定：费米边微分E CUtOf f标定：一是取截止边的中点，另一种是由截止边拟合的直线与基线的交点。
4. 注意事项测试样品与样品托(接地)要接触良好，特别是所测试样的表面与样品托之间不能存在电阻。
用FOWIer-NOrdheim(F-N)公式测定ITo功函数1. 器件制备双边注入型单载流子器件ITO /TPD(NPB) / CU原料：较高迁移率的空穴传输材料TPD和NPB作有机层，功函数较高且比较稳定的CU作电极, 形成了双边空穴注入的器件。
制备过程：ITo 玻璃衬底经有机溶剂和去离子水超声清洗并烘干后，立即置于钟罩内抽真空,在1 ×10-3 Pa的真空下依次蒸镀有机层(TPD或NPB)和金属电极CU O2. 功函测量方法运用Fowle~Nordheim(F-N)公式变换，消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响，提高了测量的精度，可以简单准确地测定了ITO的功函数。
功函数名词解释
功函数名词解释功函数是目前科学技术领域中一个重要的概念，它可以用来衡量一个系统或者过程在给定的条件下的性能及其用途。
它因此也被称之为“能效函数”或“性能度量”。
下面就来介绍功函数的定义，它的作用，以及它在工程技术领域中的应用。
定义功函数可以定义为一个衡量某种系统或者过程在特定条件下的性能及用途的函数。
它可以表示出该系统或者过程在特定条件下的能力，因此也可以称之为“能效函数”。
另外，功函数也可以用来衡量某种行为或活动的性能，因此也可以称之为“性能度量”。
作用功函数的最主要作用是用来衡量特定系统或者过程的性能，从而可以帮助科学家们设计出更加节能高效的工程方案。
此外，它还可以帮助企业和科学家测量系统的性能，以便更好地改进系统的运行。
工程技术领域中的研究者和专家们也会使用功函数来测量各种设备和系统的性能，以便可以更好地使用这些设备和系统。
应用功函数在工程技术领域中有着广泛的应用。
它可以用来测量各种电机、发动机、压缩机和其他动力系统的性能，以便可以更好地使用这些设备。
此外，它还可以用来测量给定情况下各种软件系统的性能，从而使得用户可以更好的使用这些软件系统。
另外，功函数也可以用来衡量系统和过程的能源消耗情况，以便可以采取更有效的节能措施。
综上所述，功函数是目前科学技术领域中一个重要的概念，它可以用来衡量一个系统或者过程在给定的条件下的性能及其用途。
它可以帮助科学家们设计出更加节能高效的工程方案，还可以用来测量各种电机、发动机、压缩机等动力系统的性能，以及测量给定情况下各种软件系统的性能，还可以衡量系统和过程的能源消耗情况，而且还可以用来衡量某种行为或活动的性能等等。
总之，它是一个重要的概念，在工程技术领域中具有重要的应用价值。
功函数名词解释
功函数名词解释功函数是热力学和统计物理学中的重要概念，它是描述一个热力学系统的物理性质的函数。
功函数可以用来理解热力学系统的最低能量态（稳定态）以及热力学系统发生变化时所使用的能量。
功函数有两个常用的形式：一种是Gibbs函数，另一种是Helmholtz函数。
Gibbs函数是用来表示一个热力学系统的最低熵状态，也就是最低能量状态，因此它是用来确定系统在最稳定状态时所需要的最小能量，或者热力学系统开始发生变化时所需要的最小能量。
Helmholtz函数是用来表示系统发生变化时所释放的能量，因此它是用来表示系统在发生变化时所释放能量量。
在实际应用中，功函数可以用来研究热力学系统的稳定态以及系统发生变化时所释放的能量，这就是热力学的基本原理热力学的第二定律，它声称热力学系统在状态改变的过程中会出现能量不平衡，也就是说，在热力学系统发生变化的过程中，能量的释放和转移是不平衡的。
此外，功函数还可以用来研究热力学系统中温度、压力、熵和其他重要因素之间的相互关系，比如，功函数可以用来确定一个热力学系统中的温度、压力和熵之间的关系。
另外，功函数还可以用来研究物质在发生变化时的性质，例如，可以通过功函数推导出物质的比热容、温度系数以及物质在发生变化时的内能等。
此外，功函数也可以用来研究热力学系统中能量、熵以及其他重要参数之间的相互关系，帮助科学家们更好地理解物质的性质，从而帮助科学家们设计出更加有效和经济的热力学系统。
总之，功函数是热力学和统计物理学中一个重要的概念，它可以用来表示热力学系统的最低能量态，以及系统发生变化时所释放的能量。
功函数的应用非常广泛，它可以用来研究热力学系统的稳定态以及系统发生变化时所释放的能量，也可以用来研究物质在发生变化时的性质，以及热力学系统中能量、熵以及其他重要参数之间的相互关系。
功函数是一个非常重要的热力学工具，可以帮助科学家更好地理解物质的性质，从而设计出更加经济有效的热力学系统。
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功函数:是体现电子传输能力的一个重要物理量,电子在深度为χ的势阱内,要使费米面上的电子逃离金属,至少使之获得W=X-E F的能量,W称为脱出功又称为功函数;脱出功越小,电子脱离金属越容易。
另外,半导体的费米能级随掺杂和温度而改变,因此,半导体的功函数不是常数。
功函测量方法:光电子发射阈值法、开尔文探针法和热阴极发射阻挡电势法、热电子发射法、场发射法、光电子发射法以及电子束(或离子束减速电势(retarding potential法、扫描低能电子探针法等。
紫外光电谱(UPS测量功函数1.测量所需仪器和条件仪器:ESCALAB250多功能表面分析系统。
技术参数:基本真空为3×10-8Pa, UPS谱测量用Hel(21.22eV,样品加-3.5 V偏压;另外,测量前样品经Ar+离子溅射清洗, Ar+离子能量为2keV,束流密度为0.5μA/mm2。
运用此方法一般除ITO靶材外, 其它样品都是纯金属标样。
2.原理功函数:φ=hv+ E Cutoff-E Fermi3.测量误差标定E Fermi标定:费米边微分E Cutoff标定:一是取截止边的中点, 另一种是由截止边拟合的直线与基线的交点。
4.注意事项测试样品与样品托(接地要接触良好,特别是所测试样的表面与样品托之间不能存在电阻。
用Fowler-Nordheim(F-N公式测定ITO功函数1.器件制备双边注入型单载流子器件ITO/TPD(NPB/Cu原料:较高迁移率的空穴传输材料TPD和NPB作有机层,功函数较高且比较稳定的Cu作电极,形成了双边空穴注入的器件。
制备过程:IT0玻璃衬底经有机溶剂和去离子水超声清洗并烘干后,立即置于钟罩内抽真空,在1×10-3 Pa的真空下依次蒸镀有机层(TPD或NPB和金属电极Cu。
2.功函测量方法运用Fowle~Nordheim(F-N公式变换,消除了载流子有效质量和器件厚度因素的影响,提高了测量的精度,可以简单准确地测定了ITO的功函数。
其中TPD和NPB的电离势IP值分别为5.37eV、5.46 eV。
α:ln(J/V2-1/V的关系图,然后用直线模拟出了高场下的线性关系,α代表直线的斜率。
3.ITO功函测量值测得值分别为4.85 eV、4.88 eV;ITO薄膜表面功函数一般是4.5eV左右,如果功函数提高到5.0eV或者更大,那么可进一步提高空穴的注入率。
新型功函数测量系统1.1测量方法采用接触势差法1.2系统组成及原理系统组成:信号发生单元、振动单元和检测单元组成。
工作原理:信号发生单元输出低频正弦信号使参比电极振动, 调节振动单元偏压使检测单元输出信号为零, 通过计算加载偏压和标准参比电极的偏差可得样品功函数值。
1.3功函计算样品与参比电极通过导线连接相接触,两者的费米能级不同, 因此样品与参比电极间将会存在势差CPD。
CPD=(φc-φs/e样品与参比电极之间距离为d0,音频震荡线圈使参比电极发生微小振动,两者之间距离为:D(t = d0+d1sin(wt构成的电容发生变化:振荡信号I(t:其中U=V-CPD,而且U不是时间的函数,调节加载偏压V使振荡信号为零时,即i(t=0时,得到如下:可得样品的功函φs。
超高真空下电子束阻挡势技术2.1主要目的主要用作测量固体表面的功函的联系变化,一般用作功函数的相对测量;但是当用一个功函数稳定且已知的标准品作为参考,也可以测量样品的绝对功函。
2.2原理在样品与电子枪的直热式阴极之间加一电压U R,组成一个热电子发射二机管。
当U R为负值(样品相对于阴极为负, 使样品和直热式阴极之间的空间中存在一减速场(又称阻挡势,并如果我们假定阴极发射出的电子初速度均为零, 则阻挡势垒的作用使电子不能到达样品,此时二极管的电流为零。
只有当U R达到如下条件:eU R ≥φs-φc⑴其中φs、φc分别为样品和阴极的功函数。
样品上可以收集到阴极的热电子发射电流, 得到相应的的二极管伏一安特性图。
考虑阴极发射热电子的初速度分布, 伏一安特性图中电流从零到饱和之间有一个电流逐渐上升的过渡区域, 通常是以该段曲线的拐点所对应的U作为满足⑴功函数的实验量度。
2.3接触电势差如果样品的功函数变化了Δφs,阴极则由于处在高温, 气体分子在其表面的吸附几乎可以忽略, 故其功函数在测量过程中可以认为是不变的, 于是二极管I- U R曲线的拐点位置将从原来的(φs-φc/e已移到(φs+Δφs-φc/e, 如上图所示, 即拐点移动的电位变化相应于样品的功函数变化。
I- U R曲线的拐点容易引入误差,特别是电流上升较慢时,一般采用伏安特性曲线的一次微商的峰点和二次微商的零点确定接触电势差,此时结果比较准确。
2.4绝对功函测量用一个功函数稳定且已知的标准品作为参考,即可测量样品的绝对功函。
半导体材料功函数3.1功函数影响机理功函数的大小表示电子逸出半导体需要能量的最小值,也反映对电子束缚能力的强弱;其通过影响光电子器件载流子注入,从而影响器件的性能;对于N型半导体器件,选择功函数小的金属,对于P型半导体,选择功函数大的金属,这样能够降低金属和半导体界面的肖特基势垒高度,有利于载流子的注入。
3.2外加电场对功函的影响在受外电场作用时,由于能带在表面发生弯曲,电子势能发生变化,从而影响半导体的功函数;当外加电场是背向半导体表面时,表面势Vs<0,表面能带向上弯曲,形成电子势垒,电子从体内逸出体外,需要提高势能,而使功函数增加;如果外加电场是指向半导体表面,表面势Vs>0,则半导体的功函数减少,ΔW =-qVs,当Vs<0时,ΔW>0,表现为增加;当Vs>0时,ΔW<0,表现为减少。
3.3功函数的测定方法功函数测量主要有光电子发射阈值法、开尔文探针法和热阴极发射阻挡电势法等。
功函数测量主要是采用紫外光电子能谱(UPS法和开尔文(Kelvin探针方法。
另外,两种方法都是在真空中测量功函数,对环境的要求较严格。
UPS法可以测量局部的功函数,即功函数的区域分布情况,用UPS在超高真空条件下测量功函数,没有外界环境干扰,表面状态非常稳定,得到的测量值比较可靠,特别是离子溅射清洗后,没有表面吸附,测得的是样品的真实功函数。
开尔文探针法已经有定型的测量仪器,可在超高真空中不同温度下测量,其优点是准确度较高,缺点是相对测量,准确度取决于参考电极。
Kelvin探针原理上与UPS不同,所以通常情况下测出的结果比UPS测量的结果稍高。
一种新的功函数的测量法4.1方法利用二次电子低能峰上升沿和功函数有关原理来测量功函数;测量所用设备为俄歇能谱仪,特别是具有电子束扫描功能时,还能具有一定的空间分辨率。
4.2原理当样品表面受到入射电子轰击时,样品上将产生二次电子,图中表示出了二次电子分别在样品空间(左边部分和分析器空间(右边部分的动能分布曲线;Va为样品和分析器之间加的直流电位,又称为样品偏压。
实验中测到的二次电子能量分布曲线为电子在分析器空间的动能分布,图中右边曲线所示,该曲线和能量轴的交点为具有E0动能的电子是那种电子, 它们具有的能量正好能克服数值为φs的样品表面势垒,在样品空间,它们的动能为零。
4.3功函数测定方法当由于某种原因导致样品的功函数发生变化时,如φs变小则二次电子的功能分布曲线如虚线所示,其移动量刚好和功函数的改变量相等。
此时可从分析器测得的上升沿位移得到知样品功函数的变化,对比已知功函数的样品和待测功函数样品的上升沿的差别,即可获得待测样品的功函。
光电子能谱方法测量固体的功函数5.1光电子能谱(ESCA法的优点对于待测状态的样品,样品表面的组成情况可以通过ESCA方法进行检测,一般情况下,即使表面有0.01单层的沾污物,也可通过ESCA检测出来;在对功函数的测量中,样品表面的组成可以通过ESCA方法来精确监控,这样可以得到样品在具体表面状况下的功函数的精确值。
5.2功函数的测量原理测量样品功函数时,样品和谱仪同时接地,此时它们的费米能级在同一水平上,如果样品的功函数大于电子能量分析器材料的功函数,则二次电子分布曲线的起始点所对应的能量值,就等于样品真空能级与分析器材料的真空能级之间的能量差,也等于它们之间的功函差;另外,分析器件材料的功函数可以通过标准谱线精确测量,通过相应的计算即可得到样品的功函数。
5.3功函数的测定在实际功函数的测定中,为了抑制样品室中其它杂散电子的干扰,提高样品表面发射的二次电子的探测效率,通常在样品表面加载负偏置电压,下图为加负偏置电压后样品和谱仪分析器的能级位置。
根据以下公式：上式中V为所加的偏置电压，φs和φsp分别为样品和谱仪分析材料的功函数， E k 为光电子在样品室的动能，E k 为光电子进入分析器以后的动能，而谱仪测量的二次电子的起始点 E k 为零，可得到如下结论： ' ' 其中V数值电压表读数，φsp由标准谱线定出，测出 E k 即可得到样品的功函数。
功函数测量仪器 1.开尔文探针扫描系统开尔文探针系统 (Kelvin Probe 原产国：英国开尔文探针(Kelvin Probe是一种非接触无损震荡电容装置，用于测量导体材料的功函数(Work Function或半导体、绝缘表面的表面势(Surface Potential。
材料表面的功函数通常由最上层的 1-3 层原子或分子决定，所以开尔文探针是一种最灵敏的表面分析技术。
开尔文探针系统包括：单点开尔文探针(大气环境及气氛控制环境；扫描开尔文探针(大气环境及气氛控制环境；超高真空(UHV开尔文探针；湿度控制的腐蚀开尔文探针。
ASKP 系统是一款高端扫描开尔文探针系统，它是在 SKP 基础之上包括了彩色相机/TFT 显示器、2 毫米和 50 微米探针、外部数字示波镜等配置。
2.表面功函数测试仪公司：彩融上海特种光源表面功函数测试仪主要用于测量 ITO 玻璃等半导体材料的表面功函数；主要有样品测试台、功函数测试仪主机、示波器三部分组成。