化学沉铜介绍
化学沉铜原理及异常 共42页
调整
• 成份：清洁-调整剂 DI水 • 功能：除去板面轻微氧化物及轻微污渍,
对树脂界面活性调整有极好的效果; 直接影响沉铜的背光效果. • 原理：酸性溶液,与氧化物反应而使之溶 去;有机清洁剂，对有机油污具有 溶解作用.整孔性高分子吸附于孔壁表面 使孔壁表面显正电性.
通孔横截面模型
PTH的方式
• 黑孔(Black Hole)+电镀 • 化学沉铜+电镀
化学沉铜原理介绍
流程简介
膨松→除胶渣→中和 Desmear
调整→清洁→调整剂→微蚀→ 预浸→活化→加速→化铜 PTH
膨松
成分及操作条件:
NaOH 已二醇乙醚 已二醇 水 温度 时间
20g/l 30/l 2g/l 其余 60-80℃ 5min
调整
注意点：
应根据生产板面积累加来及时补充药品，达到一定产量 后，槽液需要更换，重新开缸；
过滤系统：一般建议除油槽加装过滤系统，不仅可以有 效过滤槽液中的粉尘杂质，同时也可有效搅拌槽液，增 强槽液对孔壁的清洗调整效果；滤芯一般使用5~10um 的PP滤芯，每小时过滤4-6次；
板面经除油水洗后，应该没有油污，氧化斑存在，即为 除油效果良好；
微蚀前后的铜面状况
微蚀前
微蚀后
预浸
成分及操作条件:
主要成分： HCL 、SnCL2 aq 比重： 1.120--1.150 温度： 常温 时间： 1--2 min
硫化法沉铜
硫化法沉铜
硫化法沉铜是一种从含铜硫化物矿石中提取铜的方法，通常用于处理含铜硫化矿石，如黄铜矿（黄铜矿的主要成分为黄铜矿、辉铜矿、硫化铜矿等），其基本原理是利用化学反应将铜硫化物转化为含铜的氧化物，然后通过进一步的冶炼或浮选过程提取出铜。
硫化法沉铜的主要步骤如下：
1.矿石破碎：首先将含铜硫化矿石进行破碎，使其达到适合进行后续处理的颗粒度。
2.浮选分离：将破碎后的矿石与适当的药剂混合，通过浮选的方式分离出含铜的硫化物矿石。
浮选通常利用水和气泡将含铜的矿石浮到上层，而废石则沉到底部，从而实现物理分离。
3.硫化反应：将浮选分离得到的含铜硫化物矿石进行硫化反应。
通常采用焙烧或加入适当的硫化剂，使铜硫化物转化为氧化铜。
4.沉淀提取：将经过硫化反应的矿石浸入酸性溶液中，使氧化铜溶解成铜离子。
然后通过加入适当的还原剂，将铜离子还原成金属铜，从而形成沉淀。
5.沉淀处理：将沉淀的金属铜进行过滤和洗涤，去除杂质，得到较纯的铜粉或铜块。
6.进一步提纯：可以将得到的铜粉或铜块进行进一步的冶炼或电解，以提高铜的纯度。
总的来说，硫化法沉铜是一种常用的从含铜硫化物矿石中提取铜的方法，其步骤相对简单，并且能够较有效地提取铜。
1/1。
化学沉铜工艺知识讲解-PPT
三、工艺流程简介- Plasma
2、1、2 去钻污(针对特殊板材)
去钻污主要针对得是Desmear难以去除得板材类型,包括含碳氢化合物板材、HTg板材等。
2、1、3 电镀夹膜得处理
从图可以清晰得看 出,等离子处理后得 板材可以做出三面 包夹得效果,更好得 增强了可靠性。
2、1、4 去除激光钻孔后得碳膜
三、工艺流程简介-Desmear
3、3、2 MLB 除钻污剂 214(主要成分高锰酸钾+液碱)
作用:
高锰酸钾具有强氧化性,在高温及强碱得条件下,与树脂发生化学反应 使其分解溶去。
反应原理:
4MnO4- + 有机树脂 + 4OH-
4 MnO42- + CO2 + 2H2O
附产物得生成:
KMnO4 + OH - K2MnO4 + H2O + O2
After Plating
二、工艺流程
plamsa
等离子处理
磨板
Desmear 除胶渣
Deburr 去毛刺
MLB 211膨松 Promoter 214除胶渣 Neutralizer 216 中和 Conditioner1175除油
Conditioner233调整
Electroless Copper 化学沉铜
作用:除去板子铜面上得氧化物及其它杂质。粗化铜表面,增强铜面与电解铜得齿结 能力
微蚀前
微蚀后
反应式: Cu+ S2O82- Cu2+ + 2SO42-
微蚀后铜面状况
三、工艺流程简介-沉铜工艺
微蚀中可能出现得问题: 微蚀不足:微蚀不足将导致基铜与铜镀层附着力不良、 微蚀过度:微蚀过度将导致在通孔出现反常形状(见图点A和点B)、这种情况将导致化 学铜得额外沉积并出现角裂(负凹蚀)。 槽液污染 :氯化物和有机物残渣得带入会降低蚀铜量、清洁--调整剂后需保证良好得
化学沉铜原理
化学沉铜原理化学沉铜是一种常用的分离和提纯铜的方法，它基于铜与某些化学试剂在特定条件下发生的化学反应。
化学沉铜的原理是利用铜离子与沉淀剂反应生成难溶的沉淀物，从而使铜离子从溶液中沉淀下来，实现铜的分离和提纯。
化学沉铜的原理可以归纳为两个步骤：反应和沉淀。
反应步骤是指铜离子与沉淀剂之间的化学反应。
在化学沉铜中，常用的沉淀剂有氢氧化钠、氢氧化铵等。
以氢氧化钠为例，当氢氧化钠与铜离子反应时，会生成氢氧化铜沉淀。
这是因为氢氧化钠是一种碱性物质，它能够与铜离子发生中和反应，生成难溶的氢氧化铜。
这个反应可以用化学方程式表示为：Cu2+ + 2OH- → Cu(OH)2↓。
其中，Cu2+代表铜离子，OH-代表氢氧根离子，Cu(OH)2↓代表氢氧化铜沉淀。
沉淀步骤是指产生的沉淀物从溶液中沉淀下来的过程。
在化学沉铜中，沉淀物的生成需要满足一定的条件，如适当的温度、pH值和反应时间等。
一般来说，较低的温度和较高的pH值有利于沉淀物的生成。
此外，反应时间也是影响沉淀效果的重要因素。
通常情况下，反应时间越长，沉淀物生成的机会就越大。
化学沉铜的原理可以通过实验来验证。
实验中，可以取一定量的含铜溶液，加入适量的沉淀剂，如氢氧化钠溶液，搅拌反应一段时间后，观察是否生成了沉淀物。
如果生成了沉淀物，可以通过过滤、洗涤和干燥等步骤，得到纯净的氢氧化铜沉淀。
化学沉铜在实际应用中具有广泛的用途。
首先，化学沉铜可以用于废水处理，特别是含铜废水的处理。
通过将含铜废水与适量的沉淀剂反应，可以将溶液中的铜离子沉淀下来，从而达到去除废水中铜离子的目的。
其次，化学沉铜也可以用于分离和提纯铜的过程中。
在铜的冶炼和提取过程中，化学沉铜可以作为一种重要的分离和提纯方法，可以将含有杂质的铜溶液中的铜离子沉淀下来，得到纯净的铜。
化学沉铜是一种重要的分离和提纯铜的方法，其原理是基于铜离子与沉淀剂之间的化学反应。
化学沉铜通过生成难溶的沉淀物，使铜离子从溶液中沉淀下来，实现铜的分离和提纯。
化学沉铜
一．沉铜的目的与作用：在已钻孔的不导电的孔壁基材上，用化学的方法沉积上一层薄薄的化学铜，以作为后面电镀铜的基底；二．工艺流程：碱性除油→二或三级逆流漂洗→粗化（微蚀）→二级逆流漂洗→预浸→活化→二级逆流漂洗→解胶→二级逆流漂洗→沉铜→二级逆流漂洗→浸酸三．流程说明：（一）碱性除油①作用与目的：除去板面油污，指印，氧化物，孔内粉尘；对孔壁基材进行极性调整（使孔壁由负电荷调整为正电荷）便于后工序中胶体钯的吸附；②多为碱性除油体系，也有酸性体系，但酸性除油体系较碱性除油体系无论除油效果，还是电荷调整效果都差，表现在生产上即沉铜背光效果差，孔壁结合力差，板面除油不净，容易产生脱皮起泡现象。
③碱性体系除油与酸性除油相比：操作温度较高，清洗较困难；因此在使用碱性除油体系时，对除油后清洗要求较严④除油调整的好坏直接影响到沉铜背光效果；（二）微蚀：①作用与目的：除去板面的氧化物，粗化板面，保证后续沉铜层与基材底铜之间良好的结合力；新生成的铜面具有很强的活性，可以很好吸附胶体钯；②粗化剂：目前市场上用的粗化剂主要用两大类：硫酸双氧水体系和过硫酸体系，硫酸双氧水体系优点：溶铜量大，（可达50g/L），水洗性好，污水处理较容易，成本较低，可回收，缺点：板面粗化不均匀，槽液稳定性差，双氧水易分解，空气污染较重过硫酸盐包括过硫酸钠和过硫酸铵，过硫酸铵较过硫酸钠贵，水洗性稍差，污水处理较难，与硫酸双氧水体系相比，过硫酸盐有如下优点：槽液稳定性较好，板面粗化均匀，缺点：溶铜量较小（25g/L）过硫酸盐体系中硫酸铜易结晶析出，水洗性稍差，成本较高；③另外有杜邦新型微蚀剂单过硫酸氢钾，使用时，槽液稳定性好，板面粗化均匀，粗化速率稳定，不受铜含量的影响，操作简单，适宜于细线条，小间距，高频板等（三）预浸/活化：⑤预浸目的与作用：主要是保护钯槽免受前处理槽液的污染，延长钯槽的使用寿命，主要成分除氯化钯外与钯槽成份一致，可有效润湿孔壁，便于后续活化液及时进入孔内活化使之进行足够有效的活化；⑥预浸液比重一般维持在18波美度左右，这样钯槽就可维持在正常的比重20波美度以上；⑦活化的目的与作用：经前处理碱性除油极性调整后，带正电的孔壁可有效吸附足够带有负电荷的胶体钯颗粒，以保证后续沉铜的均匀性，连续性和致密性；因此除油与活化对后续沉铜的质量起着十分重要的作用，⑧生产中应特别注意活化的效果，主要是保证足够的时间，浓度（或强度）⑨活化液中的氯化钯以胶体形式存在，这种带负电的胶体颗粒决定了钯槽维护的一些要点：保证足够数量的亚锡离子和氯离子以防止胶体钯解胶，（以及维持足够的比重，一般在18 波美度以上）足量的酸度（适量的盐酸）防止亚锡生成沉淀，温度不宜太高，否则胶体钯会发生沉淀，室温或35度以下；（四）解胶：⑩作用与目的：可有效除去胶体钯颗粒外面包围的亚锡离子，使胶体颗粒中的钯核暴露出来，以直接有效催化启动化学沉铜反应，? 原理：因为锡是两性元素，它的盐既溶于酸又溶于碱，因此酸碱都可做解胶剂，但是碱对水质较为敏感，易产生沉淀或悬浮物，极易造成沉铜孔破；盐酸和硫酸是强酸，不仅不利与作多层板，因为强酸会攻击内层黑氧化层，而且容易造成解胶过度，将胶体钯颗粒从孔壁板面上解离下来；一般多使用氟硼酸做主要的解胶剂，因其酸性较弱，一般不造成解胶过度，且实验证明使用氟硼酸做解胶剂时，沉铜层的结合力和背光效果，致密性都有明显提高；（五）沉铜? 作用与目的：通过钯核的活化诱发化学沉铜自催化反应，新生成的化学铜和反应副产物氢气都可以作为反应催化剂催化反应，使沉铜反应持续不断进行。
沉铜
化学镀铜（PTH）Chapter 1 沉铜原理(Shipley)一概述化学镀铜：俗称沉铜，是一种自身催化氧化还原反应，可以在非导电的基体上进行沉积，化学镀铜的作用是实现孔金属化，从而使双面板，多层板实现层与层之间的互连，随着电子工业的飞速发展对线路板制造业的要求越来越高，线路板的层次越来越多，同一块板的孔数越来越多，孔径越来越小，这些孔的金属化质量将直接影响到电气的性能和和可靠性。
二去钻污原理：1 去钻污的必要性：由于钻孔过程钻嘴的转速很高，可达16~~18万rpm，而环氧玻璃基材为不良导体，钻孔时会在短时间内产生高温，高温会在孔壁上留下许多树脂残渣，从而形成一层薄的环氧树脂钻污，由于此树脂钻污与孔壁的结合力不牢，当直接沉铜时，就会影响化学铜与孔壁的结合力，特别是多层板，会影响化学铜层与内层铜的导通，去钻污就是清除这些残渣，改善孔壁结构。
2 去钻污方法的选择：利用碱性KMnO4溶液作强氧化剂，在高温下将孔壁树脂氧化，这种处理不仅可以除掉这些钻污，而且还可以改善孔壁树脂表面结构，经过碱性KMnO4处理后的树脂表面被微蚀形成许多孔隙，呈蜂窝状，这样大大促进了化学铜与孔壁树脂的结合力，此法是目前去钻污流程使用最广泛的方法，具有高稳定性，既经济又高效，管理操作简便。
3 去钻污原理：①溶胀：Swelling利用有机溶剂渗入到孔壁的树脂中，使其溶胀，形成结构疏松的环氧树脂，从而有利于碱性KMnO4的氧化除去，一般的溶胀剂都是有机物，反应条件要求高温及碱性环境。
需采用不锈钢工作液槽。
MLB211膨胀剂是淡黄色，不混浊，不易燃的水溶液，含有有机物（10%左右的已烯基丁二醇—丁乙酸），对树脂有一定的溶解作用，但主要作用是使环氧树脂溶胀，溶胀剂不与树脂起直接反应，但随着长时间的高温处理，溶胀剂易老化而需更换，换缸视生产量而定，一般为6000m2/次。
②去钻污Desmearing：反应原理：在碱性及高温条件下，KMnO4对溶胀的树脂起氧化作用。
沉铜讲义
沉铜讲义一、 沉铜目的沉铜的目的是使孔壁上通过化学反应而沉积一层0.3um-0.5um 的铜，使孔壁具有导电性，通常也称作化学镀铜、孔化。
二、 沉铜原理络合铜离子（Cu 2+-L ）得到电子而被还原为金属铜；通常是利用甲醛在强碱性环境中所具有的还原性并在PdCu2+Cu 2+＋2HCHO ＋40H Cu ＋O - 三、 工艺流程去毛刺→膨胀→去钻污→三级水洗→中和→二级水洗→除油调整→三级水洗→微蚀→二级水洗→预浸→活化→二级水洗→加速→二级水洗→沉铜→二级水洗→板面电镀→幼磨→铜检四、 工艺简介1． 去毛刺由于钻孔时的板面会因钻头上升和下降时产生的毛刺（披锋），若不将其除去会影响金属化孔的质量和成品的外观，所用的方法为：用含碳化硅磨料的尼龙棍刷洗，再用高压水冲洗孔壁，冲洗附在孔壁上大部分的微粒和刷下的铜屑。
2． 膨胀因履铜板基材树脂为高分子化合物，分子间结合力很强，为了使钻污树脂被有效地除去，通过膨胀处理使其分解为小分子单体。
3． 除胶（去钻污）使孔壁环氧树脂表面产生微观上的粗糙，以提高孔壁与化学铜之间的接合力，并可提高孔壁对活化液的吸附量，其原理是利用KMnO 4在碱性环境听强氧化性将孔壁表面树脂氧化：C（树脂）＋2KMnO4→2MnO2＋CO2↑＋2KOH （副）1. 4KMnO4＋4KOH→4K2MnO4＋2H2O＋O2↑(再生)2. 3K2MnO4＋2 H22KMnO4＋MnO2+4KOH若K2MnO4含量过高，会影响KMnO4去钻污效果，固此在槽中用电极使生成的K2MnO4再生为KMnO4。
4．中和经碱性KMnO4处理后的板经三级水洗后能洗去附在板面和孔内大部分的KMnO4，但对于后工序的影响也很大（KMnO4有很强的氧化性，和处理液本身为强碱性），必须用具酸性和还原的中和剂处理，在生产中通常用草酸作中和还原处理（H2C2O4）反应：2MnO4-＋H2C2O4＋16H+→Mn2++10CO2↑＋8H2OMnO2+＋C2O4-＋4H+→Mn2++CO2↑＋2H2O有时为了对孔壁上的玻璃纤维进行蚀刻和粗化作用，在中和槽中加入NH4HF+H2SO4作为玻璃蚀刻剂。
化学沉铜工艺知识讲解
三、工艺流程简介-Desmear
再生电极：
结构截面示意图
电解再生器外观图
再生原理
第 13 页
三、工艺流程简介-Desmear
3.3.3 MLB 中和剂216（酸性强还原剂）
作用： 能将残存在板面或孔壁死角处的二氧化锰或高锰酸盐中和除去；
第 14 页
三、工艺流程简介-沉铜工艺
4. 沉铜工艺 4.2 设备要求 4.1 流程
Before PTH
After PTH
After Plating
第 3 页
二、工艺流程
plamsa 磨板
等离子处理 Deburr 去毛刺
特殊板材的除胶渣、表面活化. 去除孔口披风、清洗孔内粉尘 使孔壁上的胶渣软化、膨松. 溶解孔壁少量树脂及粘附孔壁内的胶渣。 将除胶渣后残留的高锰酸钾盐除去. 除掉铜表面轻微的手印、油渍、氧化等 使孔壁呈正电荷后，提高孔壁对钯的吸附 粗化铜箔表面,增强铜面与孔化之间的结合 防止板子带杂质、水分进入昂贵的活化槽 使胶体钯微粒均匀吸附到板面和孔壁上 剥去胶体钯微粒外层的Sn+4外壳,露出 钯核, 形成孔化时的反应中心 。
3.3.1 MLB 膨松剂 211
使孔壁上的胶渣得以软化，膨松并渗入树脂聚合后之交联处，从而降低其键结 的能量，使易于进行树脂的溶解。
第 11 页
三、工艺流程简介-Desmear
3.3.2 MLB 除钻污剂 214（主要成分高锰酸钾+液碱）
作用：
高锰酸钾具有强氧化性，在高温及强碱的条件下，与树脂发生化学反 应使其分解溶去。
放大镜
光 源
第 28 页
第 24 页
（我司采用）
三、工艺流程简介-沉铜工艺
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• 反应特点：１.自身催化反应２.一定时间
•
内沉积一定厚度的铜层
• 工艺控制：温度３０-3５°C
•
时间１４-１６ min
化学沉铜介绍
化学沉铜（Ｅlectroless Copper)
• 主要副反应：
• Cu2++HCHO+OH-Cu２O+ HCOO-+H20 • Cu２O+ H20 Cu+ Cu2++ OH• HCHO+ OH- HCOO-+CH3OH • 解决方法：１.维持鼓气２.加强过滤３.周
化学沉铜介绍
直接电镀
• 特点：１.不含ＥＤＴＡ、ＨＣＨＯ等
•
２.反应为物理吸附过程，易控制。
•
３.工艺流程简化
•
４.适用于水平或垂直
• 分类：１.Ｐd导电金属薄层
•
２.导电高分子材料
•
３.炭或石墨导电层
化学沉铜介绍
钯系列
• 常见工艺流程： • （去钻污处理） 整孔 预浸 催化
加速 硫化 后处理 微蚀 • 供应商：Shipley、Atotech、Blasberg等 • 适用设备：水平线及垂直线
•
MnO2还原
• 工艺控制：温度40-50°C
•
时间4-8 min
化学沉铜介绍
化学沉铜
• 工艺流程： • 调整 微蚀 预浸 催化 加速
沉铜
化学沉铜介绍
调整（Conditioner)
• 目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的
•
吸附
• 工艺控制：温度45-55°C
•
时间4-8 min
化学沉铜介绍
• 目的：将钯Ｐd周围的Ｓn沉积物除去
• 工艺控制：温度2０-3０°C
•
时间３-５ min
• 反应原理：
• Sn(OH)2+ Sn(OH)4+Ｈ- Sn2++ Sn4++H2O
化学沉铜介绍
化学沉铜（Ｅlectroless Copper)
• 反应原理：Cu2++2HCHO+4OH- Pd Cu+
•
2HCOO-+2H20+H2
碳黑系列
• 常见工艺流程： • （去钻污处理） 清洁 整孔 黑孔
化 干燥 微蚀准备 微蚀 水洗 • 供应商：MacDermid、Electro-chemical等 • 适用设备：水平线及垂直线
化学沉铜介绍
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•
时间1-2 min
化学沉铜介绍
催化（Ｃatalyst）
• 目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂
•
钯胶体（Ｐd[SnCL3]n -)
• 工艺控制：温度 40-45°C
•
时间 4-6 min
• 钯胶体的水解：Ｐd（SnCL３）－＋Ｈ２ ＯＰd+Sn(OH)2+ Sn(OH)4+CL-
化学沉铜介绍
加速（Ａccelerator)
•
期性维护沉铜槽
化学沉铜介绍
品质控制
• １.背光检查：要求８级 • ２.沉铜厚度：０.３－０.５um • ３.去钻污厚度：０.２－０.２５mg/cm2 • ４.层间结合：热冲击实验、金相切片
化学沉铜介绍
问题及设备加工能力
• 问题：１.孔内无金属
•
２.孔壁粗糙
•
３.层间分离
• 加工能力：１.加工尺寸：２４“*４０”、 板厚０.８－３.２mm、板厚孔径比１０：１２. 最大加工产能３５０００m2/月
• MnO4+C+OH MnO42-+CO2+2H2O
• 副反应: MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2O
•
MnO42-+H20 MnO2+O2+2OH-
工艺控制: 温度75-85°C
•
时间10-20 min
化学沉铜介绍
中和（Reducing)
• 目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、
化学沉铜介绍
化学沉铜工艺分类
• 催化剂分类：１.胶体钯Ｐd（SnCL３）－
•
２.离子钯Ｐd2+
• 沉铜厚度分类：１.沉薄铜（０.３－０.５um）
•
２.沉厚铜（１.２－２.５um）
化学沉铜介绍
化学沉铜存在的缺点
• １.溶液中含有ＥＤＴＡ，废水处理难． • ２.使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物 • 质不利于健康． • ３.氧化还原反应，过程控制难．
•
合良好.
•
2. 改善孔壁结构,加强结合力.
• 工艺流程: 溶胀 去钻污 中和
化学沉铜介绍
溶胀(Swelling)
• 目的: 使树脂表面膨胀,降低分子键能,利
•
于去钻污反应的进行.
• 工艺控制: 温度60-80°C
•
时间5-10 min
化学沉铜介绍
去钻污(Desmearing)
• 目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去 • 反应原理:
化学沉铜介绍
导电性高分子系列
• 常见工艺流程： • （去钻污处理） 整孔 KMnO4氧化
处理 有机单体催化处理 浸酸 • 原理：C+KMnO4 CO2+MnO2 • MnO2+ 吡咯 导电性聚吡咯 + Mn2+ • 供应商：Atotech、Blasberg等 • 适用设备：水平线及垂直线
化学沉铜介绍
微蚀（Micro Etch)
• 目的：1. 清洁板面
•
2. 板面形成粗糙结构,保证沉铜层
•
与基材铜的结合力.
• 反应原理:Cu+Na2S2O8 CuSO4+Na2SO4 • 工艺控制：温度25-35°C
•
时间1-3 min
化学沉铜介绍
预浸(Predip)
• 目的: 防止前工位处理对催化槽的污染
• 工艺控制：温度 常温
• 目的：在基材表面沉积导电层，实现层 间电气连接
• 化学沉铜（Electroless Copper) • ＰＴＨ：Ｐlating Through Holes
化学沉铜介绍
生产流程
• 刷板 去钻污处理 化学沉铜
化学沉铜介绍
刷板
••Leabharlann 目的：1. 去孔口毛刺•
2. 板面清洁
化学沉铜介绍
去钻污处理
• 目的: 1. 去除内层铜箔残留的钻污,保证结