模拟电子技术基础_杨拴科_第8章
西安交大“模拟电子技术基础”课程教学大纲
“模拟电子技术”课程教学大纲英文名称：Analog electronics 课程编号：EELC2012 学 时：60学 分：3.5适合对象：电气、电子信息类等相近专业本科生 先修课程：电路 使用教材及参考书：1、杨拴科.模拟电子技术基础.北京:高等教育版社，2003，INSB 7-04-011426-72、童诗百.模拟电子技术基础（第三版）.北京:高等教育版社，2001,INSB 7-04-009147-X3、康华光，电子技术基础模拟部分（第四版）.北京:高等教育版社，1999，INSB 7-04-007241-64、杨拴科，赵进全.模拟电子技术基础学习指导与解题指南.北京:高等教育出版社，2004，INSB 7-04-014551-0一、 课程性质、目的和任务：本课程是电气、电子信息类等专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，它具有自身的体系，是实践性很强的课程。
本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的内容，以及为电子技术在专业中的应用打好基础。
为此要加强各种形式的实践环节。
二、 教学基本要求：1．常用半导体器件1）了解本征半导体、掺杂半导体的特点、PN 结的形成及其电容效应。
掌握PN 结的外特性。
2）了解普通二极管、硅稳压管、晶体管、场效应晶体管结构，正确理解它们的工作原理，掌握其外特性、模型及主要参数。
2．基本放大电路1）理解晶体管和场效应管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。
2）掌握放大电路静态工作点和动态参数（oppo i u U R R A 、、、 ）的分析方法。
3．多级放大电路1）了解直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合的基本原理及特点。
2）掌握多级放大电路动态参数的分析方法。
4．放大电路的频率响应1）掌握放大电路频率响应的有关概念。
2）理解单管放大电路频率响应的分析方法，会计算上、下限截止频率。
模拟电子技术基础【杨素行】第三版-复习资料ppt课件
图 2.3.2(b)
图 2.4.1(a)
.
图 2.4.1(b)
2.4.2 静态工作点的近似计算
UBEQ = (0.6 ~ 0.8) V硅管 UBEQ = (0.1 ~ 0.2) V锗管
IB
Q
VCC
U Rb
B EQ
ICQ IBQ
UCEQ = VCC – ICQ RC
c b
IBQ e
ICQ UCEQ
பைடு நூலகம்
I / mA
60
40
正向特性
20
–50 –25
反 向
0 0.5 1.0 U / V 击穿电–压0.002
特 性
U(BR–) 0.004 死区电压
15
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
–0.02
硅管的伏安特性
锗管的伏安特性
图 1.2.4 二极. 管的伏安特性
I/mA
+ 正向
线比较平坦，近似为水平线，
区
20 µA
且等间隔。
1
IB =0
集电极电流和基极电流
O5
10
15 UCE /V 体现放大作用，即
图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性. 曲线
ΔIC ΔIB
c
3. 饱和区：
b
IC / mA
条件：两个结均正偏 e
4
饱3 和 区2
1
O5
100 µA
对 NPN 型管，UBE > 0
IB = 0
约为几十 ~ 几百微安。
15 UCE /V 条件：两个结都处于反向 偏置。
图 1.3.9 NPN 三极管的输出特性. 曲线
模拟电子技术基础完整版
rD 正向约为几-几十
第一章
半导体器件
半导体物理基础知识
电子—空穴对 当T 或光线照射下,少数价电子因热激发而获得 足够的能量挣脱共价键的束缚 ,成为自由电子. 同时在原来的共价键中留下一个空位称 空穴 在本征半导体中电子和空穴是成对出现的 本征半导体在热或光照射作用下, 产生电子空穴对-----本征激发 T↑光照↑→电子-空穴对↑→导电能力↑ 所以 半导体的导电能力 与 T，光照 有关
§1.1 PN结及二极管
二 PN结的特征——单向导电性 1.正向特征—又称PN结正向偏置 外电场作用下多子 推向耗尽层，使耗尽 层变窄，内电场削弱 扩散 > 漂移 从而在外电路中出现 了一个较大的电流 称 正向电流
Vb
V
§1.1 PN结及二极管
在正常工作范围内，PN结上外加电压 只要有变化，就能引起电流的显著变化。 ∴ I 随 V 急剧上升，PN结为一个很 小的电阻（正向电阻小） 在外电场的作用下，PN结的平衡状态 被打破，使P区中的空穴和N区中的电子 都向PN结移动，使耗尽层变窄
单向导电 性
§1.1 PN结及二极管
3.PN结伏安特性表示式
Is —— 反向饱和电流
决定于PN结的材料，制造工艺、温度 UT =kT/q ---- 温度的电压当量或热电压 当 T=300K时, UT = 26mV K—波耳兹曼常数 T—绝对温度 q—电子电荷 u—外加电压 U 为反向时，且
模拟电子技术基础 胡宴如 耿苏燕 高等教育出版社 第八章 课后答案
.c
图 P8.3 99
1 1 = Hz = 971Hz 3 2πRC 2π × 8.2 × 10 × 0.02 × 10 −6 1 （2） Rt 应具有正温度系数， Rt 冷态电阻 < R F = 5kΩ 2
故正反馈过强，uo 为方波。
w
1+
.k
（2） Auf = 1 +
（3）RF 冷态阻值大于 20kΩ，则 1 +
因此可画出传输特性和 uO 波形分别如图解 P8.11(a)、(b)所示。
8.12 迟滞比较器如图 P8.12 所示，试计算门限电压 UTH、UTL 和回差电压，画出传输 特性；当 u I = 6 sin ωt (V ) 时，试画出输出电压 uO 的波形。
w
解：由图可得
.k
图 P8.12
w w
U TH = U TL
.c
图 P8.5
om
振荡频率。
图 P8.6
解：(a)同名端标于二次侧线圈的下端
(b)同名端标于二次侧线圈的下端
fo =
2π 140 × 10 −6 ×
(c)同名端标于二次侧线圈的下端
.k
−6
fo =
2π 560 × 10 × 200 × 10
w w
图 P8.7
w
8.7 根据自激振荡的相位条件，判断图 P8.7 所示电路能否产生振荡，在能振荡的电路
10 × 6V = −3V ；当 UREF=2V 时，得 20 20 + 10 U TL = × 2V − 3V = 0 20 uP = R1u I RU + 2 OL R1 + R2 R1 + R2
令 uP=UREF，则可求得下门限电压为
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行--第一章PPT课件
-
17
P
空间电荷区
N
IS
内电场方向
外电场方向
V
R
图 1.2.3 反相偏置的 PN 结
反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随
着温度升高， IS 将急剧增大- 。
18
综上所述： 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正 向电流， PN 结处于 导通状态；当 PN 结反向偏置时， 回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止 状态。 可见， PN 结具有单向导电性。
在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，
I = f (U )之间的关系曲线。
I / mA
I / mA
60
40
正向特性
20
–50 –25
0 0.5 1.0 U / V
反 向 特
击穿电–压0.002 U(BR–) 0.004
死区电压
性
15
10
5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 U / V
外电场方向
V
R
-
图 1.2.2
16
在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的 正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。
2. PN 结外加反向电压(反偏) 反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内 电场的作用；
外电场使空间电荷区变宽；
不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩 散电流，电路中产生反向电流 I ；
当电压加大，np (或 pn)会升高，如 曲线 2 所示(反之浓度会降低)。
正向电压时，变化载流子积累电荷
nP
2 Q
模拟电子技术基础完整版电子教案最全ppt整本书课件全套教学教程(最新)
第1章 电子元器件基本知识
1.1 半导体基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管
1.1 半导体基本知识
1.1.1 半导体的特点
1.本征半导体 所谓本征半导体就是结构完整的、纯净的不掺杂任何杂质
的半导体。 2.自由电子和空穴
共价键中的电子不是自由的，不能自由运动。即本征半导 体是不导电的。
上一页 下一页
1.3 半导体三极管
1.3.5 复合三极管
在放大电路中，有时单只三极管难以满足某些方面的特殊 要求，通常把两个或两个以上三极管按一定方式连接成一个电 路来达到所要求的参数，这个电路可以等效的看成一只参数特 别的管子，称为复合管。复合管又称达林顿管。 1.两只同类型（NPN或PNP）三极管组成的复合管
由于外加电源产生的电场与PN结内电场方向相同，加强了 内 电场，使PN结变宽，阻碍了P区和N区多数载流子向对方的扩散。 在外电场作用下，只有少数载流子形成了极为微弱的电流，称 为 反向电流。此时PN结处于反向截止状态。应当指出，反向电流 是 少数载流子由于热激发产生，因而反向电流受温度影响很大。
上一页 返回
上一页 下一页
1.4 场效应管
漏源击穿电压U(BR)DS 栅源击穿电压U(BR)GS 在实际使用中加在场效应管各电极之间的电压不允许超过 上述两个击穿电压，否则会损坏场效应管。 5.漏极最大允许耗散功率PDM 场效应管工作时要消耗电功率，继而转变成热能，使场效 应管的温度升高。所以场效应管在工作时实际消耗的功率不允 许超过PDM，否则会因温度过高而烧毁场效应管。
图1-6
返回
1.2 半导体二极管
2.类型 依据不同的分类方法，可对二极管的类型做以下归类：
（1）按制造材料分：有硅二极管、锗二极管等。 （2）按用途分：有整流、稳压、检波、开关等二极管。 （3）按结构分：有点接触型、面结型和平面型二极管。 （4）按功率分：有大功率、中功率、小功率二极管。 （5）按封装形式分：有金属封装和塑料封装二极管。
山西农业大学模拟电子技术复习资料第8章-PPT精选文档77页
当交变电压频率 = 固有频率时，振幅最大
压电谐振
固有频率只决定于其几何尺寸，故非常稳定。
30.11.2019
四 石英晶体正弦波振荡电路
3. 石英晶体的等效电路与频率特性
等效电路：
频率特性：
A. 串联谐振
1
fs 2 LC
容性
晶体等效阻抗为纯阻性
B. 并联谐振
fp
2
1 LC
1 C C0
fs
|AF|>1，且A+ B =2n，即可起振。
稳幅： 起振后，输出信号将逐渐增大，当输出信号幅值增加到一定程度时，就要限 制它继续增加，若不采取稳幅，这时若|AF|仍大于1，则输出将会饱和失真。 达到需要的幅值后，将参数调整为AF=1，即可稳幅。 稳幅的作用就是，当输出信号幅值增加到一定程度时，使振幅平衡条件
4.分析方法
1) 是否存在主要组成部分； 2) 放大电路能否正常工作，即是否有合适的Q点，信号是否可能正常传递， 没有被短路或断路； 3) 是否满足相位条件，即是否存在 f0，是否可能振荡 ； 4) 是否满足幅值条件，即是否一定振荡。
30.11.2019
相位条件的判断方法：瞬时极性法
U i
反馈信号代替了放大电路的输入信号。
30.11.2019
1. 正弦波振荡的条件
在电扰动下，对于某一特定频率f0的信号形成正反馈：
Xo Xi' Xo
由于半导体器件的非线性特性及供电电源的限制， 最终达到动态平衡，稳定在一定的幅值。。
一旦产生稳定的振荡，则电路的输出量自维持，即： Xo AFXo
f
当 f， U f ， F， F
φF
90°
30.11.2019
模拟电子技术基础目录
模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录模拟电子技术基础目录前言教学建议第1章半导体二极管及其应用1.1 半导体物理基础知识1.1.1 本征半导体1.1.2 杂质半导体1.2 pn结1.2.1 pn结的形成1.2.2 pn结的单向导电性1.2.3 pn结的反向击穿特性1.2.4 pn结的电容特性1.3 半导体二极管及其基本电路1.3.1 半导体二极管的伏安特性曲线1.3.2 半导体二极管的主要参数1.3.3 半导体二极管的电路模型1.3.4 二极管基本应用电路1.4 特殊二极管1.4.1 稳压二极管.1.4.2 变容二极管1.4.3 光电二极管1.4.4 发光二极管思考题习题第2章双极型晶体管及其放大电路2.1 双极型晶体管的工作原理2.1.1 双极型晶体管的结构2.1.2 双极型晶体管的工作原理2.2 晶体管的特性曲线2.2.1 共射极输出特性曲线2.2.2 共射极输入特性曲线2.2.3 温度对晶体管特性的影响2.2.4 晶体管的主要参数2.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.1 放大电路的组成2.3.2 静态工作点的作用2.3.3 晶体管放大电路的放大原理2.3.4 基本放大电路的组成原则2.3.5 直流通路和交流通路2.4 放大电路的静态分析和设计2.4.1 晶体管的直流模型及静态工作点的估算2.4.2 静态工作点的图解分析法2.4.3 晶体管工作状态的判断方法2.4.4 放大状态下的直流偏置电路2.5 共射放大电路的动态分析和设计2.5.1 交流图解分析法2.5.2 放大电路的动态范围和非线性失真2.5.3 晶体管的交流小信号模型2.5.4 等效电路法分析共射放大电路2.5.5 共射放大电路的设计实例2.6 共集放大电路（射极输出器）2.7 共基放大电路2.8 多级放大电路2.8.1 级间耦合方式2.8.2 多级放大电路的性能指标计算2.8.3 常见的组合放大电路思考题习题第3章场效应晶体管及其放大电路3.1 场效应晶体管3.1.1 结型场效应管3.1.2 绝缘栅场效应管3.1.3 场效应管的参数3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路3.2.1 场效应管工作状态分析3.2.2 场效应管的偏置电路3.3 场效应管放大电路3.3.1 场效应管的低频小信号模型3.3.2 共源放大电路3.3.3 共漏放大电路思考题习题第4章放大电路的频率响应和噪声4.1 放大电路的频率响应和频率失真4.1.1 放大电路的幅频响应和幅频失真4.1.2 放大电路的相频响应和相频失真4.1.3 波特图4.2 晶体管的高频小信号模型和高频参数4.2.1 晶体管的高频小信号模型4.2.2 晶体管的高频参数4.3 晶体管放大电路的频率响应4.3.1 共射放大电路的频率响应4.3.2 共基、共集放大器的频率响应4.4 场效应管放大电路的频率响应4.4.1 场效应管的高频小信号等效电路4.4.2 共源放大电路的频率响应4.5 多级放大器的频率响应4.5.1 多级放大电路的上限频率4.5.2 多级放大电路的下限频率4.6 放大电路的噪声4.6.1 电子元件的噪声4.6.2 噪声的度量思考题习题第5章集成运算放大电路5.1 集成运算放大电路的特点5.2 电流源电路5.3 以电流源为有源负载的放大电路5.4 差动放大电路5.4.1 零点漂移现象5.4.2 差动放大电路的工作原理及性能分析5.4.3 具有电流源的差动放大电路5.4.4 差动放大电路的大信号分析5.4.5 差动放大电路的失调和温漂5.5 复合管及其放大电路5.6 集成运算放大电路的输出级电路5.7 集成运算放大电路举例5.7.1 双极型集成运算放大电路f0075.7.2 cmos集成运算放大电路mc145735.8 集成运算放大电路的外部特性及其理想化5.8.1 集成运放的模型5.8.2 集成运放的主要性能指标5.8.3 理想集成运算放大电路思考题习题第6章反馈6.1 反馈的基本概念及类型6.1.1 反馈的概念6.1.2 反馈放大电路的基本框图6.1.3 负反馈放大电路的基本方程6.1.4 负反馈放大电路的组态和四种基本类型6.2 负反馈对放大电路性能的影响6.2.1 稳定放大倍数6.2.2 展宽通频带6.2.3 减小非线性失真6.2.4 减少反馈环内的干扰和噪声6.2.5 改变输入电阻和输出电阻6.3 深度负反馈放大电路的近似计算6.3.1 深负反馈放大电路近似计算的一般方法6.3.2 深负反馈放大电路的近似计算6.4 负反馈放大电路的稳定性6.4.1 负反馈放大电路的自激振荡6.4.2 负反馈放大电路稳定性的判断6.4.3 负反馈放大电路自激振荡的消除方法思考题习题第7章集成运算放大器的应用7.1 基本运算电路7.1.1 比例运算电路7.1.2 求和运算电路7.1.3 积分和微分运算电路7.1.4 对数和反对数运算电路7.2 电压比较器7.2.1 电压比较器概述7.2.2 单门限比较器7.2.3 迟滞比较器7.2.4 窗口比较器7.3 弛张振荡器7.4 精密二极管电路7.4.1 精密整流电路7.4.2 峰值检波电路7.5 有源滤波器7.5.1 滤波电路的作用与分类7.5.2 一阶有源滤波器7.5.3 二阶有源滤波器7.5.4 开关电容滤波器思考题习题第8章功率放大电路8.1 功率放大电路的特点与分类8.2 甲类功率放大电路8.3 互补推挽乙类功率放大电路8.3.1 双电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.2 单电源互补推挽乙类功率放大电路8.3.3 采用复合管的准互补推挽功率放大电路8.4 集成功率放大器8.5 功率器件8.5.1 双极型大功率晶体管8.5.2 功率mos器件8.5.3 绝缘栅双极型功率管及功率模块8.5.4 功率管的保护思考题习题第9章直流稳压电源9.1 直流电源的组成9.2 整流电路9.2.1 单相半波整流电路9.2.2 单相全波整流电路9.2.3 单相桥式整流电路9.2.4 倍压整流电路9.3 滤波电路9.3.1 电容滤波电路9.3.2 电感滤波电路9.3.3 复合型滤波电路9.4 稳压电路9.4.1 稳压电路的主要指标9.4.2 线性串联型直流稳压电路9.4.3 开关型直流稳压电路思考题习题第10章可编程模拟器件与电子电路仿真软件10.1 在系统可编程模拟电路原理与应用10.1.1 isppac10的结构和原理10.1.2 其他isppac器件的结构和原理10.1.3 isppac的典型应用10.2 multisim软件及其应用10.2.1 multisim 8的基本界面10.2.2 元件库10.2.3 仿真仪器10.2.4 仿真分析方法10.2.5 在模拟电路设计中的应用思考题习题第11章集成逻辑门电路11.1 双极型晶体管的开关特性11.2 mos管的开关特性11.3 ttl门电路11.3.1 ttl标准系列与非门11.3.2 其他类型的ttl标准系列门电路11.3.3 ttl其他系列门电路11.4 ecl门电路简介11.5 cmos门11.5.1 cmos反相器11.5.2 其他类型的cmos电路11.5.3 使用cmos集成电路的注意事项11.5.4 cmos其他系列门电路11.6 cmos电路与ttl电路的连接思考题习题参考文献延伸阅读：模拟电子技术基础50问1、空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？答：不是，但是在它的运动中可以将其等效为载流子。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
·
·
⊕T
Uo
·
L
ILC + · Uf _
·
f. 电压 f滞后 电压U · ILC90° ° Uo
·
·
相量图 ILC
·
Uf Ui
·
·
Uf与Ui同相，满足相位平衡条件 同相，
上页 下页 返回
·
·
模拟电子技术基础
(2) 幅度条件
T L Uf
·
反馈电压取自C ， 反馈电压取自 2， 改变 C1/ C2，调整反馈强弱 和电路的放大倍数，容 和电路的放大倍数， 易满足幅度条件。 满足幅度条件。
· ·
·
+
·
⊕
+ T
C
ICL
L1
·
Uo _
·
Ui Uf
·
·
_
+ · L2 Uf _
ICL Uf与Ui同相，满足相位平衡条件 同相，
上页 · ·
f. 电压 f超 电压U · 前ICL90° °
下页 返回
·
模拟电子技术基础
(2) 幅度条件 由于反馈信号U 由于反馈信号 f取自电感 L2， 改变电感中间抽头位 ， T
L
N1 N3
L' +
N2
T
+
(4) 电路的特点 a.调节 2方便，起振容易。 调节N 方便，起振容易。 调节
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
b. 振荡频率高。 振荡频率高。 c. 电路的品质因数高。 电路的品质因数高 d. 输出波形好。 输出波形好。 e. 频率稳定性高。 频率稳定性高。 f. 体积、重量大。 体积、重量大。 g.受 变压器分布参数的 受 限制， 限制 ， 振荡频率不能很 高。
模拟电子技术基础
改进的电容三点式振荡电路
谐振频率
+
T
+
L
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
8.1.4
晶体振荡器
1. 石英晶体的基本特性与等效电路 (1) 压电效应 a. 石英晶体的基本特性 (a) 各向异性 (b) 具有压电效应 具有压电效应
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
压电效应 在晶片的两面之间加电场，就会产生机械变形。 在晶片的两面之间加电场，就会产生机械变形。 在晶片的两侧施加压力，又会产生电场。 在晶片的两侧施加压力，又会产生电场。 压电谐振 当在晶片的两电极之间加交变电压时， 当在晶片的两电极之间加交变电压时，晶片就会 产生机械变形振动。 产生机械变形振动。 当交变电压的频率等于晶片的固有机械振动频率 振幅急剧增加，这种现象称为压电谐振。 时，振幅急剧增加，这种现象称为压电谐振。
·
+⊕ · N2 U f
_
+
· T Uo
+
构成正反馈 满足相位平衡条件
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
(2) 起振条件 因为
N1 N2 N3
合理地选择电路参数 及变压器的变比， ， 及变压器的变比 ， 可 使 AF>1, 满 足 起 振 条件。 条件。
+
T
+
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
(3) 振荡频率
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
(3) 谐振频率
T L
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
(4) 电路特点
T L
a. 容易起振。 容易起振。 b. 振荡频率高。 振荡频率高。 c. 输出波形中高次谐波少，波形好。 输出波形中高次谐波少，波形好。 c. 改变电容时，容易停振。 改变电容时，容易停振。
上页 下页 返回
F 1/ 3
幅频特性分析 当ω→0时，F→0 → →∞时 → 当ω→∞时,F→0 当ω=ω0时,F=Fmax=1/3 =
上页 下页 返回 0 f0 f
模拟电子技术基础→ 90° ° →∞时 当ω→∞时, ϕF → –90° ° 当ω=ω0时, ϕF → 0° ° 可见， 可见，当ω=ω0时
幅 频 特 性 曲 线 相 频 特 性 曲 线
F 1/ 3
0
f0
f
ϕ
0
f0
f
ϕF =0°，且反馈最强 °
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
3．工作原理 ． (1) 当f= 时
R C R C R1
· · Uf 与 Uo 同相位 · Uf 的幅值最大 · · Uf = Uo /3 R2
+A –
· Uo
A ≥3 时，满足振荡条件。 满足振荡条件。
·
+
·
·
L C R
(3) 电路的品质因数
–
Z
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
2．选频放大电路 ． 工作原理
LC并联谐振电路 并联谐振电路
并联谐振频率） 当f = f0（ LC并联谐振频率）时 并联谐振频率 (1) 输出电压幅值最大
+
C
L
+
T +
+
(2) 输出与输入电压反相 放大电路只对谐振频率 f0的信号有放大作用
R · R C
选频网络
R
R C C
R1
+A –
R2
· Uo
+
· C U
f
Z2 –
图中
–
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
反馈系数
· · ·
+ Z1 Uo
R ·
R C
+
· C U
f
Z2 –
–
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
即
·
· ·
令
·
由此可得 F 的幅频特性与相频特性
上页 下页 返回
·
模拟电子技术基础
幅频特性 幅频特性曲线
反馈特性
O U id0
上页
U id = U fm
下页
返回
模拟电子技术基础
非线性反馈
U om
幅度特性
B
幅度特性
非线性反馈
O
上页
U id = U fm
下页
返回
模拟电子技术基础
自激振荡电路的起振过程
AF >1
起振
AF=1
维持振荡
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
3．正弦波信号发生器组成 ． 放大环节 组成 选频网络 正反馈网络 稳幅环节 4. 正弦波信号发生器的分类 根据选频网络所用元件分为 RC型振荡器 型振荡器 LC型振荡器 型振荡器 晶体振荡器
模拟电子技术基础
8 8.1
信号发生器 正弦波信号发生器
发生器按产生的波形特点可分为 正弦波信号发生器
非正弦波信号发生器
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
正弦波信号发生器是按照自激振荡原理构成的 信号发生器常称为振荡器 8.1.1 正弦波自激振荡的基本原理
. . 自激振荡原 理方框图
1．产生正弦波自激振荡的平衡条件 ． Xid Xf
8.1.3
LC型正弦波信号发生器 型正弦波信号发生器
主要特点 a. 用LC并联谐振回路作为选频网络 并联谐振回路作为选频网络 b. 主要用来产生 MHz以上的高频信号 主要用来产生1 以上的高频信号 c. 频率稳定性较好
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
LC型正弦波信号发生器类型 型正弦波信号发生器类型 变压器反馈式
T
C L1 L2
b. 断开反馈回路
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
c. 加入瞬时极性 · 输入电压U 为⊕输入电压 i 相量图 Uo
·
+
· ·
⊕
+ T
C
Uo _
·
L1 L2
Ui
_
d. 输出电压 · Uo极性为
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
e. 电流 CL超 电流I · 前Uo90° ° 相量图 Uo
· ·
AF > 1
输出幅值越来越大，最后出现非线性失真。 A F > 1 输出幅值越来越大，最后出现非线性失真。 放大电路中还应包含稳幅环节
上页 下页 返回 · ·
· ·
AF > 1
模拟电子技术基础
自激振荡电路的建立过程（线性反馈） 自激振荡电路的建立过程（线性反馈）
U om
F太小 太小 幅度特性 A
简化的交流通路
T
RB1//RB2
T
C L1 L2
线圈的三个端子分别与T的三个电极 、 、 相 线圈的三个端子分别与 的三个电极B、C、E相 的三个电极 连接，故称之为电感三点式振荡电路。 连接，故称之为电感三点式振荡电路。
上页 下页 返回
模拟电子技术基础
(1) 相位平衡条件的判断 a. 假设谐振回 路发生谐振
+
·
–
·
–
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
3．变压器反馈式 振荡电路 ．变压器反馈式LC振荡电路
N3 N1 N2
+
T
+
上页
下页
返回
模拟电子技术基础
(1) 相位条件 正反馈的判断
N3
判断的方法——瞬时极性法 瞬时极性法 判断的方法 判断的步骤 a. 假设谐振回 路发生谐振
+
N1 N2
T
+
b. 断开反馈回路
(2) 相位平衡条件