《半导体物理实验》课程教学大纲
《半导体物理学》课程教学大纲
《半导体物理学》课程教学⼤纲《半导体物理学》课程教学⼤纲（Semiconductor Physics）课程编号：163151870学分：4学时：64（其中：讲课学时：64 实验学时：0 上机学时：0 ）先修课程：《量⼦⼒学》、《固体物理》、《统计⼒学》和《数学物理⽅程》等后续课程：《半导体器件物理》、《微电⼦技术》、《集成电路设计》等适⽤专业：应⽤物理（微电⼦技术）、光信息科学与技术、电⼦信息类专业开课部门：理学院⼀、课程教学⽬的和课程性质《半导体物理学》是讲述半导体物理性质(电学性质、光学性质、热学性质、磁学性质等)的学科。
通过本课程的学习应使学⽣对半导体中的基本物理概念、基本实验技术和基本器件物理有⽐较全⾯、系统的认识，培养学⽣分析和解决半导体技术基础问题的能⼒，为进⼀步学习相关专业课打下基础。
作为应⽤物理专业（电⼦技术）的专业基础课，它主要介绍半导体的重要物理现象、物理性质、相关理论和实验⽅法。
为学⽣学习其它专业课(材料、器件、集成电路等)以及毕业后从事半导体专业⼯作打下必备的理论基础，为将来将基础理论与半导体技术最新需求相结合，提⾼⼯作能⼒做好理论储备。
⼆、课程的主要内容及基本要求第1单元半导体中的电⼦状态（6学时）[知识点]这⼀单元主要介绍能带论的⼀些基本概念。
常见半导体的能带结构的特点。
要求学⽣懂得半导体中有哪些可能的电⼦能量状态；在这些状态中电⼦运动有什么特点。
1. 半导体中的电⼦状态和能带；2. 半导体中电⼦的运动、有效质量；3. 两种载流⼦；4. 半导体的能带结构。
[重点]半导体结构，能带结构，有效质量，载流⼦。
[难点]能带结构，有效质量。
[基本要求]1、识记：晶体结构、有效质量、能带结构、载流⼦；2、领会：有效质量以及计算⽅法；3、简单应⽤：能带结构判断材料的电学性能；4、综合应⽤：载流⼦产⽣原理，能带结构与有效质量计算问题。
[实践与练习]能判断⼏种常见晶体结构，⾦刚⽯结构，判断能带结构对称性。
《半导体物理学》课程教学大纲
《半导体物理学》课程教案大纲一、课程说明（一）课程名称：《半导体物理学》所属专业：物理学（电子材料和器件工程方向）课程性质：专业课学分：学分（二）课程简介、目标与任务：《半导体物理学》是物理学专业（电子材料和器件工程方向）本科生的一门必修课程。
通过学习本课程，使学生掌握半导体物理学中的基本概念、基本理论和基本规律，培养学生分析和应用半导体各种物理效应解决实际问题的能力，同时为后继课程的学习奠定基础。
本课程的任务是从微观上解释发生在半导体中的宏观物理现象，研究并揭示微观机理；重点学习半导体中的电子状态及载流子的统计分布规律，学习半导体中载流子的输运理论及相关规律；学习载流子在输运过程中所发生的宏观物理现象；学习半导体的基本结构及其表面、界面问题。
（三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接：本课程的先修课程包括热力学与统计物理学、量子力学和固体物理学，学生应掌握这些先修课程中必要的知识。
通过本课程的学习为后继《半导体器件》、《晶体管原理》等课程的学习奠定基础。
（四）教材与主要参考书：［］刘恩科，朱秉升，罗晋生. 半导体物理学（第版）［］. 北京：电子工业出版社. .［］黄昆,谢希德. 半导体物理学［］. 北京：科学出版社. .［］叶良修.半导体物理学（第版）［］. 上册. 北京：高等教育出版社. .［］. . , ( .), , , .二、课程内容与安排第一章半导体中的电子状态第一节半导体的晶格结构和结合性质第二节半导体中的电子状态和能带第三节半导体中电子的运动有效质量第四节本征半导体的导电机构空穴第五节回旋共振第六节硅和锗的能带结构第七节族化合物半导体的能带结构第八节族化合物半导体的能带结构第九节合金的能带第十节宽禁带半导体材料（一）教案方法与学时分配课堂讲授，大约学时。
限于学时，第节可不讲授，学生可自学。
（二）内容及基本要求本章将先修课程《固体物理学》中所学的晶体结构、单电子近似和能带的知识应用到半导体中，要求深入理解并重点掌握半导体中的电子状态（导带、价带、禁带及其宽度）；掌握有效质量、空穴的概念以及硅和砷化镓的能带结构；了解回旋共振实验的目的、意义和原理。
半导体物理课程教学大纲
半导体物理课程教学大纲（Semiconductor Physics）一、课程概况课程代码：2303106学分：3学时：48（其中：讲授学时48，实验学时4）先修课程：高等数学、大学物理，固体物理学适用专业：新能源科学与工程教材：《半导体物理学》，刘恩科，电子工业出版社，2017.06课程归口：光电工程学院课程的性质与任务：本课程是新能源科学与工程专业的专业基础必修课，也可作为材料类、微电子信息类专业和其它有关专业的必修课或选修课。
通过本课程的学习，培养学生掌握半导体相关知识理论概念，熟练分析方法，增强解决实际问题的能力，并根据所学知识，能够对半导体相关器件产品进行合理设计改造，为后续专业课程及实际知识运用奠定坚实的知识基础。
二、课程目标目标1. 了解固体物理相关知识，熟练半导体的概念与定义，了解半导体材料与社会生活的联系。
目标2. 掌握与理解半导体材料的电子状态和能带相关知识，了解一些不同半导体材料的能带结构。
目标3. 掌握半导体材料中载流子的概念，了解载流子的统计分布，掌握半导体的导电性机理内涵。
目标4. 熟练非平衡载流子的相关知识，掌握PN结相关知识概念，掌握金属与半导体接触的相关理论知识。
目标5. 了解半导体表面与MIS结构相关知识，掌握半导体异质结结构能带图。
目标6. 了解半导体的光学性质，热电性质，及霍尔效应，熟悉生活中的一些半导体器件所运用的原理。
本课程支撑专业培养计划中毕业要求1-4（占该指标点达成度的20%）、毕业要求3-1（占该指标点达成度的40%）、毕业要求4-4（占该指标点达成度的30%；）和毕业要求6-1（占该指标点达成度的40%），对应关系如表所示。
三、课程内容及要求（一）半导体中的电子状态1.教学内容（1）半导体概念及半导体晶格结构与结合性质。
（2）半导体的电子状态和能带及运动有效质量。
（3）不同半导体材料的能带结构2.基本要求（1）了解并掌握半导体基本概念，包括半导体的定义、结构及分类等。
半导体物理教学大纲
半导体物理教学大纲
一、引言
1.1 课程背景
1.2 课程目标和重要性
1.3 教学方法和评估方式
二、半导体物理基础
2.1 半导体的基本概念
2.1.1 电子、空穴
2.1.2 禁带宽度和导电性质
2.2 半导体材料的结构和晶体缺陷
2.2.1 晶体结构
2.2.2 点缺陷、线缺陷和面缺陷
2.3 能带理论
2.3.1 布洛赫理论
2.3.2 能带结构和电子能级分布
2.4 杂质和掺杂
2.4.1 N型和P型半导体
2.4.2 杂质的作用和控制
三、半导体材料的基本器件
3.1 PN结
3.1.1 PN结的形成和特性
3.1.2 PN结的电流特性
3.2 二极管
3.2.1 化学势和漏斗效应
3.2.2 正向和反向偏置
3.2.3 二极管的电流-电压关系
3.3 晶体管
3.3.1 理想二极管模型和非理想模型。
半导体物理课程教学大纲
《半导体物理实验》课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称、所属专业、课程性质、学分；课程名称：半导体物理实验所属专业：电子材料与器件工程专业本科生课程性质：专业必修课学分: 4（二）课程简介、目标与任务；本课程是为物理科学与技术学院电子材料与器件工程专业大四本科生所开设的实验课，是一门专业性和实践性都很强的实践教学课程。
开设本课程的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法，为半导体材料与器件的开发设计与研制坚定基础。
（三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接；由于是实验课，所以需要学生首先掌握《半导体物理》和《半导体器件》的基本知识，再通过本课程培养学生对半导体材料和器件的制备及测试方法的实践能力。
其具体要求包括：1、了解半导体材料与器件的基本研究方法；2、理解半导体材料与器件相关制备与基本测试设备的原理、功能及使用方法，并能够独立操作；3、通过亲自动手操作提高理论与实践相结合的能力，提高理论学习的主动性。
开设本课程的目的是培养学生实事求是、严谨的科学作风，培养学生的实际动手能力，提高实验技能。
（四）教材与主要参考书。
教材：《半导体物理实验讲义》,自编教材参考书：1. 半导体器件物理与工艺(第三版)，施敏，苏州大学出版社，2. [美]A.S.格罗夫编,齐健译.《半导体器件物理与工艺》.科学出版社，1976二、课程内容与安排实验一绪论1、介绍半导体物理实验的主要内容2、学生上课要求，分组情况等实验二四探针法测量电阻率一、实验目的或实验原理1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理；2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法；3、能对给定的薄膜和块体材料进行电阻率测量，并对实验结果进行分析、处理。
二、实验内容1、测量单晶硅样品的电阻率；2、测量FTO导电层的方块电阻；3、对测量结果进行必要的修正。
三、实验仪器与材料四探针测试仪、P型或N型硅片、FTO导电玻璃。
半导体物理-兰州大学物理学院
《半导体物理实验》课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称、所属专业、课程性质、学分；课程名称：半导体物理实验所属专业：电子材料与器件工程专业本科生课程性质：专业必修课学分: 4（二）课程简介、目标与任务；本课程是为物理科学与技术学院电子材料与器件工程专业大四本科生所开设的实验课，是一门专业性和实践性都很强的实践教学课程。
开设本课程的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法，为半导体材料与器件的开发设计与研制坚定基础。
（三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接；由于是实验课，所以需要学生首先掌握《半导体物理》和《半导体器件》的基本知识，再通过本课程培养学生对半导体材料和器件的制备及测试方法的实践能力。
其具体要求包括：1、了解半导体材料与器件的基本研究方法；2、理解半导体材料与器件相关制备与基本测试设备的原理、功能及使用方法，并能够独立操作；3、通过亲自动手操作提高理论与实践相结合的能力，提高理论学习的主动性。
开设本课程的目的是培养学生实事求是、严谨的科学作风，培养学生的实际动手能力，提高实验技能。
（四）教材与主要参考书。
教材：《半导体物理实验讲义》,自编教材参考书：1. 半导体器件物理与工艺(第三版)，施敏，苏州大学出版社，2. [美]A.S.格罗夫编,齐健译.《半导体器件物理与工艺》.科学出版社，1976二、课程内容与安排实验一绪论1、介绍半导体物理实验的主要内容2、学生上课要求，分组情况等实验二四探针法测量电阻率一、实验目的或实验原理1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理；2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法；3、能对给定的薄膜和块体材料进行电阻率测量，并对实验结果进行分析、处理。
二、实验内容1、测量单晶硅样品的电阻率；2、测量FTO导电层的方块电阻；3、对测量结果进行必要的修正。
三、实验仪器与材料四探针测试仪、P型或N型硅片、FTO导电玻璃。
半导体物理教学大纲
半导体物理教学大纲半导体物理教学大纲随着科技的不断进步，半导体技术已经成为现代社会中不可或缺的一部分。
而半导体物理作为半导体技术的基础，对于学生的学习和研究具有重要的意义。
因此，制定一份合理的半导体物理教学大纲是非常必要的。
一、引言在引言部分，我们可以简单介绍半导体物理的背景和重要性。
可以提到半导体在电子、通信、光电等领域的广泛应用，以及对于新一代技术的推动作用。
二、基础知识在这一部分，可以介绍半导体物理的基础知识，包括晶体结构、能带理论、载流子的运动等。
可以通过图表和实例来说明这些概念，让学生更好地理解和掌握。
三、半导体材料与器件这一部分可以详细介绍半导体材料的种类、特性以及制备方法。
可以涉及到硅、锗等常见的半导体材料，以及它们在电子器件中的应用。
同时，也可以介绍一些新型半导体材料的发展和应用前景。
四、半导体器件的工作原理在这一部分，可以详细介绍半导体器件的工作原理，包括二极管、晶体管、场效应管等。
可以通过图示和实验来说明这些器件的工作原理，让学生能够更加直观地理解。
五、半导体物理实验半导体物理实验是非常重要的一部分，可以帮助学生巩固所学的理论知识，并培养学生的实验操作和数据处理能力。
可以设计一些简单的实验，如测量半导体材料的电阻率、探究PN结的特性等。
六、半导体材料的应用在这一部分，可以介绍半导体材料在电子、通信、光电等领域的应用。
可以涉及到集成电路、光电器件、太阳能电池等。
通过介绍这些应用，可以让学生了解到半导体物理的实际应用价值。
七、未来发展在这一部分，可以展望半导体物理的未来发展方向。
可以介绍一些前沿的研究领域，如量子点、纳米材料等。
同时，也可以提到半导体技术对于新一代技术的推动作用，如人工智能、物联网等。
八、总结在总结部分，可以对整个教学大纲进行总结，强调半导体物理的重要性和应用前景。
同时，也可以鼓励学生对半导体物理进行深入研究，并为未来的科技发展做出贡献。
通过制定一份合理的半导体物理教学大纲，可以帮助学生系统地学习和掌握半导体物理的基础知识和实验技能，为他们未来的学习和研究打下坚实的基础。
半导体物理教学大纲
半导体物理教学大纲
一、 半导体材料的基本概念与性质
1. 半导体的定义、特点及分类
2. 半导体材料的晶体结构和晶体生长方法
3. 掺杂及其对半导体性质的影响
二、 pn结及其应用
1. pn结的成因和特性
2. pn结的电学特性和优点
3. pn结的应用：二极管、光电二极管、太阳能电池等
三、 半导体器件及其原理
1. 晶体管的结构和工作原理
2. 晶体管的DC特性和AC特性
3. 晶体管的应用：放大器、开关等
4. 其他半导体器件：场效应晶体管、可控硅、二极管阵列等
四、 光电子学与半导体激光器
1. 光电子学基础知识：光的本质、光与电磁波理论、波粒二象性等
2. 半导体激光器的结构和工作原理
3. 半导体激光器的分类和应用
五、 纳米半导体物理
1. 纳米半导体的概念和特性
2. 纳米半导体的制备方法和表征技术
3. 纳米半导体的应用：量子点太阳能电池、量子点发光等
六、 实验教学
1. pn结的特性实验
2. 晶体管的放大和开关实验
3. 光电二极管和半导体激光器实验
4. 半导体物理模拟实验
以上为半导体物理教学大纲，旨在培养学生对半导体材料、器件及其应用的基本认识与理解，掌握半导体物理的基本原理，熟练掌握半导体器件的设计与实现。
通过实验教学，培养学生的实验操作能力和分析解决问题的能力，增强学生的探究精神和创新意识，助力学生在未来的学习和研究中取得更好的成绩与实践经验。
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《半导体物理实验》课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称、所属专业、课程性质、学分；课程名称：半导体物理实验所属专业：电子材料与器件工程专业本科生课程性质：专业必修课学分: 4（二）课程简介、目标与任务；本课程是为物理科学与技术学院电子材料与器件工程专业大四本科生所开设的实验课，是一门专业性和实践性都很强的实践教学课程。
开设本课程的目标和任务是使学生熟练掌握半导体材料和器件的制备、基本物理参数以及物理性质的测试原理和表征方法，为半导体材料与器件的开发设计与研制坚定基础。
（三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接；由于是实验课，所以需要学生首先掌握《半导体物理》和《半导体器件》的基本知识，再通过本课程培养学生对半导体材料和器件的制备及测试方法的实践能力。
其具体要求包括：1、了解半导体材料与器件的基本研究方法；2、理解半导体材料与器件相关制备与基本测试设备的原理、功能及使用方法，并能够独立操作；3、通过亲自动手操作提高理论与实践相结合的能力，提高理论学习的主动性。
开设本课程的目的是培养学生实事求是、严谨的科学作风，培养学生的实际动手能力，提高实验技能。
（四）教材与主要参考书。
教材：《半导体物理实验讲义》,自编教材参考书：1. 半导体器件物理与工艺(第三版)，施敏，苏州大学出版社，2. [美]A.S.格罗夫编,齐健译.《半导体器件物理与工艺》.科学出版社，1976二、课程内容与安排实验一绪论1、介绍半导体物理实验的主要内容2、学生上课要求，分组情况等实验二四探针法测量电阻率一、实验目的或实验原理1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理；2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法；3、能对给定的薄膜和块体材料进行电阻率测量，并对实验结果进行分析、处理。
二、实验内容1、测量单晶硅样品的电阻率；2、测量FTO导电层的方块电阻；3、对测量结果进行必要的修正。
三、实验仪器与材料四探针测试仪、P型或N型硅片、FTO导电玻璃。
实验三椭圆偏振法测量薄膜的厚度和折射率一、实验目的或实验原理1、了解椭圆偏振法测量薄膜参数的基本原理；2、掌握椭圆偏振仪的使用方法，并对薄膜厚度和折射率进行测量。
二、实验内容1、测量硅衬底上二氧化硅膜的折射率和厚度；三、实验主要仪器设备及材料椭圆偏振仪、硅衬底二氧化硅薄膜。
实验四激光测定硅单晶的晶向一、实验目的或实验原理1、理解激光测量Si单晶晶面取向的原理；2、学会利用激光测量单晶Si的晶面取向。
二、实验内容1、单晶Si的磨片与腐蚀；2、测量处理Si片的晶面取向。
三、实验主要仪器设备及材料He-Ne激光器、光具座、光屏、NaOH、电炉、烧杯、单晶Si片等。
实验五紫外可见分光光度计一、实验目的或实验原理1、了解紫外可见分光光度计的结构、性能及使用方法；2、熟悉常见样品透过、吸收光谱的测量方法。
二、实验内容1、分别测量红、蓝墨水的吸收光谱；2、测量半导体薄膜的透射/吸收光谱，并计算材料的光学带隙。
三、实验主要仪器设备及材料紫外可见分光光度计、红墨水、蓝墨水、比色皿、半导体薄膜。
实验六太阳电池参数的测定一、实验目的或实验原理1、了解太阳能电池的基本结构与光电特性；2、掌握太阳能电池电学性能测试的基本方法。
二、实验内容1、无光照时，测量太阳能电池的伏安特性曲线；2、有光照时，测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子。
三、实验主要仪器设备及材料太阳能电池板、电压表、电流表、滑线变阻器、直流电流源。
实验七荧光分光光度计测量半导体光致发光一、实验目的或实验原理1、理解半导体光致发光的动力学过程；2、学会利用荧光分光光度计测量半导体的光致发光，确定半导体的带隙与带间能级；3、分析不同激发波长对半导体发光的影响。
二、实验内容1、测量不同带隙宽度半导体的光致发光；2、利用不同激发波长测量同一样品的光致发光；3、测量光致发光的激发谱。
三、实验主要仪器设备及材料荧光分光光度计、ZnO、GaN及稀土掺杂GaN等。
实验八 MOS结构高频C-V特性测量一、实验目的或实验原理1、了解MOS结构的C-V特性；2、理解高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度的原理；3、学会用高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度。
二、实验内容1、测量MOS结构的高频C-V特性曲线。
2、通过数据确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度。
三、实验主要仪器设备及材料加热装置、高频C-V测试仪、x-y函数记录仪；MOS电容等。
实验九霍尔效应法测量半导体参数一、实验目的或实验原理1、了解霍尔效应的基本原理；2、学会用变温霍尔效应测量仪来测量样品的霍尔系数和电导率，确定半导体载流子浓度和迁移率。
二、实验内容1、常温下测量样品的霍尔系数和电导率；2、变温下测量样品的霍尔系数和电导率；三、实验主要仪器设备及材料变温霍尔效应测量仪、P及N型硅片、液氮。
实验十射频溅射法沉积半导体薄膜一、实验目的或实验原理1、了解真空的获得、制备和测量的一般知识；2、理解超高真空射频磁控溅射设备的结构、工作原理等；3、学会利用射频磁控溅射设备制备薄膜。
二、实验内容1、硅片的清洗处理；2、真空的获得与测量；3、ZnO薄膜的溅射沉积。
三、实验主要仪器设备及材料超声波清洗机、超高真空射频磁控溅射设备；1号和2号清洗液、酒精、ZnO靶、O2、氩气等。
实验十一等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备半导体薄膜材料一、实验目的或实验原理1、了解PECVD制备薄膜的基本原理，掌握PECVD设备的结构；2、学会利用PECVD制备薄膜材料。
二、实验内容1、衬底的清洗和预处理；2、掌握PECVD设备的结构和操作规程；3、操作PECVD进行薄膜的制备。
三、实验主要仪器设备及材料超声波清洗机、PECVD；酒精、1号和2号清洗液、硅片等。
实验十二场效应晶体管的性能测定一、实验目的或实验原理1、理解场效应晶体管的工作原理；2、学会利用特性曲线获得场效应管主要参数。
二、实验内容1、测量场效应晶体管的输出特性；2、测量场效应晶体管的转移特性。
三、实验主要仪器设备及材料半导体特性测试仪、探针台、场效应管等。
实验十三半导体材料的赛贝克系数测定一、实验目的或实验原理1、了解并掌握几类不同热电效应原理；2、了解并掌握半导体材料热电系数的测量原理及测量方法；3、了解并掌握如何通过热电系数判断半导体材料的导电类型。
二、实验内容1、测量单晶硅样品的热电系数及判断导电类型；2、测量金属铝样品热电系数；3、测量金属铜样品热电系数。
三、实验仪器与材料热电系数测定仪、P型或N型硅片、ITO导电玻璃、金属铝颗粒、金属铜颗粒。
实验十四半导体材料的光刻工艺一、实验目的或实验原理1、了解并掌握光刻机的基本原理；2、熟悉光刻胶的类型、曝光的原理及方法；3、掌握光刻法制备图形的基本技术。
二、实验内容1、在硅片上光刻法制备简单图形；2、显微镜观察测量图形尺寸；三、实验仪器与材料光刻机、暗室、显微镜、光刻胶、显影液、刻蚀液、不同晶向N型硅片。
（一）教学方法与学时分配本课程属于实验教学，共72学时。
序号实验名称学时必做/选做1 绪论 6 必做2 四探针法测量电阻率 6 必做3 椭圆偏振法测量薄膜的厚度和折射率 6 选做4 激光测定硅单晶的晶向 6 选做5 紫外可见分光光度计6 必做6 太阳能电池参数的测定 6 必做7 荧光分光光度计测量半导体的光致发光 6 必做8 MOS结构高频C-V特性测量 6 必做9 霍尔效应法测量半导体参数 6 选做10 射频溅射法沉积半导体薄膜 6 必做11 PECVD制备半导体薄膜材料 6 选做12 场效应晶体管的性能测定 6 必做13 半导体材料的赛贝克系数测定 6 必做14 半导体材料的光刻工艺 6 必做（二）内容及基本要求实验一绪论主要内容：1、介绍半导体物理实验的主要内容实验二四探针法测量电阻率主要内容：1、测量单晶硅样品的电阻率；2、测量FTO导电层的方块电阻；3、对测量结果进行必要的修正。
【重点掌握】：1、单晶硅样品的电阻率测量方法2、FTO导电层的方块电阻测量方法；实验三椭圆偏振法测量薄膜的厚度和折射率主要内容：1、了解椭圆偏振法测量薄膜参数的基本原理2、测量硅衬底上二氧化硅膜的折射率和厚度【重点掌握】：1、二氧化硅薄膜的折射率、厚度的测量方法。
实验四激光测定硅单晶的晶向主要内容：1、单晶Si的磨片与腐蚀；2、测量处理Si片的晶面取向。
【重点掌握】：1、利用激光测量单晶Si的晶面取向实验五紫外可见分光光度计主要内容：1、测量红、蓝墨水的吸收光谱；2、半导体薄膜的透射/吸收光谱，并计算材料的光学带隙。
【重点掌握】：1、液体和薄膜样品透过、吸收光谱的测量方法实验六太阳电池参数的测定主要内容：1、无光照时，测量太阳能电池的伏安特性曲线；2、有光照时，测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子。
【重点掌握】：1、太阳能电池电学性能测试的基本方法【掌握】：1、太阳能电池的基本结构与光电特性实验七荧光分光光度计测量半导体光致发光主要内容：1、测量不同带隙宽度半导体的光致发光；2、利用不同激发波长测量同一样品的光致发光；3、测量光致发光的激发谱。
【重点掌握】：1、利用荧光分光光度计测量半导体的光致发光，确定半导体的带隙与带间能级【掌握】：1、半导体光致发光的动力学过程2、不同激发波长对半导体发光的影响实验八 MOS结构高频C-V特性测量主要内容：1、测量MOS结构的高频C-V特性曲线。
2、通过数据确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度。
【重点掌握】：1、用高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度【掌握】：1、高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度的原理实验九霍尔效应法测量半导体参数主要内容：1、常温下测量样品的霍尔系数和电导率；2、变温下测量样品的霍尔系数和电导率；【重点掌握】：1、变温霍尔效应测量仪来测量样品的霍尔系数和电导率，确定半导体载流子浓度和迁移率实验十射频溅射法沉积半导体薄膜主要内容：1、硅片的清洗处理；2、真空的获得与测量；3、ZnO薄膜的溅射沉积。
【重点掌握】：1、超高真空射频磁控溅射设备的结构、工作原理2、利用射频磁控溅射设备制备薄膜实验十一等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法制备半导体薄膜材料主要内容：1、衬底的清洗和预处理；2、掌握PECVD设备的结构和操作规程；3、操作PECVD进行薄膜的制备。
【重点掌握】：1、PECVD制备薄膜的基本原理，掌握PECVD设备的结构；2、学会利用PECVD制备薄膜材料。
实验十二场效应晶体管的性能测定主要内容：1、测量场效应晶体管的输出特性；2、测量场效应晶体管的转移特性。