SS8550
三极管 SS8550
COLLECTOR POWER DISSIPATION Pc (mW)
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
CAPACITANCE C (pF)
VOLTAGE V
(mV)
CEsat
DC CURRENT GAIN h FE
SS8550
h FE
——
I
C
500
Ta=100℃
Ta=25℃
100
10 -0.1
-1000
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
V
——
CEsat
I
C
V =-1V CE -1000
-100
Ta=100℃ Ta=25℃
-10
-1 0.2
100
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C /C ob ib
——
V /V CB EB
-900 -1000
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
fT
——
I
C
COLLCETOR CURRENT I (mA) C
100
TRANSITION FREQUENCY fT (MHz)
VCE-10V
Ta=25 oC
10
-1
-10
-100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
C ib
β=10
-1000
f=1MHz
I =0/ I =0
E
C
Ta=25 oC
C ob
1 -0.2
三极管8550参数
三极管8550参数（原创版）目录1.三极管 8550 概述2.三极管 8550 的主要参数3.三极管 8550 的用途4.三极管 8550 与 8050 的区别5.三极管 8550 的封装和资料正文一、三极管 8550 概述三极管 8550 是一种常用的普通三极管，属于低电压、大电流、小信号的 PNP 型硅三极管。
它的最大集电极电流为 1.5A，广泛应用于开关电路、射频放大电路、功率放大电路、推挽功放电路等领域。
二、三极管 8550 的主要参数1.集电极 - 基极电压（Vcbo）：-40V2.工作温度：-55℃ to 150℃3.最大集电极电流（Ic）：1.5A4.直流电增益（hFE）：10 to 605.功耗（Pc）：不确定，需要根据实际应用场景和使用条件来确定三、三极管 8550 的用途1.开关应用：由于三极管 8550 具有较快的开关速度和较低的电压，因此常用于开关电路，如振荡器、脉冲发生器等。
2.放大：三极管 8550 可以作为电压放大器和电流放大器使用，具有较好的放大性能。
3.射频放大：三极管 8550 可以用于射频放大电路，提高无线电信号的传输距离和质量。
4.功率放大：三极管 8550 可用于功率放大电路，如音频功率放大器、射频功率放大器等。
5.推挽功放：三极管 8550 可以与其他三极管配合使用，构成推挽功放电路，具有较高的输出功率和较好的稳定性。
四、三极管 8550 与 8050 的区别三极管 8550 和 8050 在参数上具有一定的相似性，但它们之间存在一些区别：1.类型：8550 为 PNP 型三极管，而 8050 为 NPN 型三极管。
2.偏置：由于 8550 和 8050 的类型不同，它们在电路中的偏置电压也不同，需要根据实际应用场景进行调整。
五、三极管 8550 的封装和资料1.封装：三极管 8550 有多种封装形式，如 SOT-23、TO-92 等。
不同的封装形式具有不同的外形尺寸和引脚排列，需要根据实际应用需求选择合适的封装。
8550三级管引脚参数
8550三级管引脚参数
【原创实用版】
目录
1.8550 三极管简介
2.8550 三极管引脚功能及参数
3.8550 三极管的主要用途
4.8550 与其他三极管的比较
5.8550 三极管的封装形式
正文
一、8550 三极管简介
8550 是一种低电压、大电流、小信号的 pnp 型硅三极管。
它是一种非常常见的三极管，广泛应用于各种电子设备中，如开关应用、射频放大等。
二、8550 三极管引脚功能及参数
8550 三极管有三个引脚，分别是：
1.发射极（Emitter，E）：发射极是电子和空穴发射出来的地方，用于放大电路中的信号输出。
2.基极（Base，B）：基极是用于控制三极管导通或截止的极，通过改变基极的电流，可以控制三极管的电流放大倍数。
3.集电极（Collector，C）：集电极是收集电子和空穴的地方，用于放大电路中的信号输入。
8550 三极管的主要参数有：
1.集电极 - 基极电压（vcbo）：-40V
2.工作温度：-55℃ to 150℃
三、8550 三极管的主要用途
8550 三极管主要用于开关应用、射频放大等电子电路中，具有较高的电压放大倍数和较低的噪声。
四、8550 与其他三极管的比较
8550 三极管与 8050（npn 型）三极管相对应，它们的主要区别在于结构和参数。
8550 是 pnp 型三极管，而 8050 是 npn 型三极管。
在电路应用中，它们具有各自的优势和特点。
五、8550 三极管的封装形式
8550 三极管有多种封装形式，常见的有 SOT-23 封装、TO-92 封装等。
三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别
三极管S8050、C8050、8050SS、SS8050、S8050参数区别8050 8550三极管有时在电路⾥做为对管来使⽤，也有的做单管应⽤。
在有些电路⾥对S8050放⼤倍数要求是很⾼的，不能随意替换，必需要⽤原参数管才能替换，否则电路不能正常⼯作。
8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管。
S8050 、S8*******S8550SC8050C85508050SS8550SSSS8050SS8550耗散功率0.625W（贴⽚：0.3W）0.625W（贴⽚：0.3W）1W1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)1W(TA=25℃)2W(TC=25℃)集电极电流0.5A0.5A 1.5A 1.5A 1.5A集电极--基极电压40V30V40V40V40V集电极--发射极击穿电压25V25V25V25V25V集电极-发射极饱和电压0.6V0.5V特征频率fT最⼩150MHZ最⼩150MHZ fT 最⼩100MHZ典型190MHZ最⼩100MHZ最⼩100MHZ引脚排列EBC或ECB ECB EBC EBC ECB两种多为EBC按后缀号分档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档贴⽚为 L H档分为 B C D档分为 B C DD3分为 B C D放⼤倍数B:85-160C:120-200D:160-300L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300E:280-400L:100-200H:200-350B:85-160C:120-200D:160-300B：85-160C:120-200D:160-300D3:300-400B：85-160C:120-200D:160-300UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管⼦很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最⼩100MHZ放⼤倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400。
8050、8550代换9014、9013
8050、8550代换9014、9013(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。
这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。
（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。
）9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
代换相应的8050或8550三极管
代换相应的8050或8550三极管(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。
如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。
这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。
（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。
）9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
三极管的主要参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
9011三极管参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的相关参数手册9011,9012,9013,9014,8050,8550 三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数 20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数 30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数 40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数 20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数 30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数 40-140详情如下：90 系列三极管参数 90 系列三极管大多是以 90 字为开头的，但也有以 ST90、C 或 A90、S90、SS90、UTC90 开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN 集电极-发射极电压 30V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.03A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 370MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压-5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN 集电极-发射极电压 25V 集电极-基电压 45V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN 集电极-发射极电压 45V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP 集电极-发射极电压 -45V 集电极-基电压 -50V 射极-基极电压-5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.45W 结温150℃ 特怔频率平均 300MHZ 放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN 集电极-发射极电压 20V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.025A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN 集电极-发射极电压 15V 集电极-基电压 30V 射极-基极电压5V 集电极电流 0.05A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 620MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198三极管 8550 8550 是一种常用的普通三极管。
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SS8550PNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings T a =25°C unless otherwise notedElectrical Characteristics T a =25°C unless otherwise notedh FE ClassificationSymbol ParameterRatings Units V CBO Collector-Base Voltage -40V V CEO Collector-Emitter Voltage -25V V EBO Emitter-Base Voltage -6V I C Collector Current-1.5A P C Collector Power Dissipation 1W T J Junction Temperature 150°C T STGStorage Temperature-65 ~ 150°CSymbol ParameterTest Condition Min.Typ.Max.Units BV CBO Collector-Base Breakdown Voltage I C = -100µA, I E =0-40V BV CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage I C = -2mA, I B =0-25V BV EBO Emitter-Base Breakdown Voltage I E = -100µA, I C =0-6V I CBO Collector Cut-off Current V CB = -35V, I E =0-100nA I EBO Emitter Cut-off Current V EB = -6V, I C =0-100nAh FE1h FE2h FE3DC Current GainV CE = -1V, I C = -5mA V CE = -1V, I C = -100mA V CE = -1V, I C = -800mA 45854017016080300V CE (sat)Collector-Emitter Saturation Voltage I C = -800mA, I B = -80mA -0.28-0.5V V BE (sat)Base-Emitter Saturation Voltage I C = -800mA, I B = -80mA -0.98-1.2V V BE (on)Base-Emitter on Voltage V CE = -1V, I C = -10mA -0.66-1.0V C ob Output CapacitanceV CB = -10V, I E =0f=1MHz15pF f TCurrent Gain Bandwidth ProductV CE = -10V, I C = -50mA100200MHzClassificationB C D h FE285 ~ 160120 ~ 200160 ~ 3001. Emitter2. Base3. CollectorSS85502W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.•Complimentary to SS8050•Collector Current: I C =1.5A•Collector Power Dissipation: P C =2W (T C =25°C)TO-921SS8550SS8550TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.FACT™FACT Quiet series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic™TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™。