瞬态脉冲干扰的抑制
电力系统中常见瞬态脉冲干扰及抑制方法
、
主 要 的 瞬 态 脉 冲干 扰 的产 生
及特点
１ ．电快速瞬变脉冲群干扰 电快速瞬变脉冲群干扰是 由了电路中 断开感性负载时产生的。它的特点是干扰 信号不是单个脉冲 ， 而是一连 串的脉 冲群 。 方面 由于脉 冲群 可以在电路 的输入端产 生积 累效应 ，使干扰电平的幅度最终 可能 超过 电路的噪声容限。 另一方面脉冲群的 周期较短 ， 每个脉冲波的间隔时 间较短 ， 当 第一个脉 冲波还未 消失时 ，第二个脉 冲波 紧跟而来 。 于电路 中的输 入电容来说 ， 对 在 还未完成放 电时又开始充 电，因此容 易达 到较高的电压 ，这样对 电路 的正常工作影 响甚大。 电快速瞬 变脉 冲群干扰源的 电压的大
一
小取决干 负载 电路的 电感 ，负载断开速度
和介质的耐受能力。 这类干扰 电压的特征是 ：幅值高 、频 率高 。 当触点断开时， 电感电路 中的电流企 图继续通过 ， 在触点之 间产生高压 ， 引起 并 电弧的重燃 ，这样就会产生一连串的电压 脉冲叠加到电子设备连接的电源上 。 电快速瞬变脉冲群干扰电压主要是 共 模 电压。它是通过电容耦合间接传输至其
二、瞬变脉冲干扰的抑 制方法
ｆ １ ．电快速瞬变脉冲群干扰 （ 电快速瞬变脉冲群抗扰 度试验过程 １ ） 中所存在的问题 ： 电快速瞬变脉冲群抗扰 度试验是将电
电力系统 中大部分二次设备都集 中在 变 电站 ， 而且随 着电网的扩大 、 电压等级的 提高 ，使得二次设备所处的 电磁环境更加 恶劣 。特别是 系统中的瞬态干扰 可能 会导 致保护设备误动 、 监控设备运行不正 常、 数 据丢失甚至设备损坏等 ，给 电力系统运行 造 成 很 大 的损 失 。 产生 瞬态 脉 冲干 扰 的原 因有：雷电放电、 静电放电、电力系统 的开 关动作过程等 。我们在 实验 室中模拟 的常 见的瞬态脉冲干扰有 电快速瞬变脉冲群干 扰、静 电放 电干扰 、浪 涌 （ 冲击 ）干扰及 １ ＭＨｚ（０ ｋ ）脉冲群干扰等 。 １０ Ｈｚ
EFT原理及解决方法
EFT原理及解决方法瞬态脉冲骚扰及抑制方法摘要：量度继电器、继电保护及自动化装置(以下简称继电器及装置)随着电子技术的发展已实现微机化及数字化。
在电力系统恶劣的电磁环境中经常受到电磁骚扰，出现电磁干扰的几率很大，严重影响量度继电器及装置的正常工作。
其中影响较大的是瞬态脉冲骚扰。
本文从分析瞬态脉冲骚扰产生的原因着手，总结出各种瞬态脉冲骚扰的特征，提出抑制的方法。
关键词：瞬态脉冲骚扰；原因及特征；抑制方法。
1 引言在电力系统的电磁环境中存在着一些短暂的高能量的脉冲骚扰源，这些骚扰对继电器及装置的正常工作有非常大的影响，严重时也要损坏元器件，甚至损坏设备以至于整个系统。
这些骚扰源就称为瞬态脉冲骚扰源。
产生瞬态脉冲骚扰源的原因有：雷电放电、静电放电、电力系统的开关动作过程等。
常见的瞬态脉冲骚扰源有电快速瞬变脉冲群骚扰、静电放电骚扰、浪涌(冲击)骚扰及1MHz(100kZHz)脉冲群骚扰等。
2 瞬态脉冲骚扰的产生原因2.1 瞬态脉冲骚产生的机理在开关断开电感负载电路的过程中，在电感上要产生反电势。
根据楞次定律：这个反电势应为。
反电势要向寄生电容C反向充电，随着充电电压的升高，当达到一定数值时，在触点之间要出现击穿现象，形成导电通路。
一旦出现导电通路时，电容C就要开始放电，使电压下降，当电压降到维持触点导通电压以下时，触点又将处于断开状态。
上述过程就要重复发生，此过程重复到触点的间距大至电容上电压不能使触点间再击穿为止。
当电容不能通过击穿触点放电时，就通过电感回路放电，直至电感中能量消耗完为止。
在上述过程中，电容C每次击穿触点时都要向电源回路反向充电，因此在电源回路上形成很大的脉冲电流，由于电源回路也有阻抗存在，脉冲电流通过电源回路时，在其两端就要形成脉冲电压，而共用此电源回路的其它的电路(或继电器及装置就要受到该脉冲电压的影响。
这就是瞬态脉冲骚扰形成的原因。
随着触点间隙的变化，击穿触点间隙所需要的电压是变化的。
电快速瞬变脉冲群抑制方法
电快速瞬变脉冲群(EFT)抑制方法一、电快速瞬变脉冲群特点电快速瞬变脉冲群EFT是电气和机电设备中常见的一种瞬态干扰，是由继电器、接触器、电动机、变压器等电感器件产生的,是时间很短但幅度很大的电磁干扰，是一连串的脉冲，可以在电路输入端产生累计效应，使干扰电平的幅度最终超过电路的噪声门限，对电路形成干扰。
电快速瞬变脉冲群由大量脉冲组成，具有如下特点：1)幅值在100V至数千伏；2)脉冲频率在1kHz至1MHz；3)单个脉冲的上升沿在纳秒级，脉冲持续时间在几十纳秒至数毫秒；4)EFT所形成的骚扰信号频谱分补非常宽，数字电路对它比较敏感，易受到干扰。
相关标准：GB/T 17626.4-2008《电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验》二、电快速瞬变脉冲群常见抑制方法1) 减小PCB接地线公共阻抗：增加PCB接地导线的面积，减小电感量成分；2) 加接EFT电感瞬态干扰抑制网络：在电感元件上并接压敏电阻、阻容电路、二极管、TVS 管、背靠连接的稳压二极管等；3) 电源或信号干扰源输入口，使用滤波器或吸收器等滤波元器件，选用磁珠的内径越小、外径越大、长度越长越好；4) 电子元器件选择时，选用性能可靠的关键器件；最好做过芯片级的电磁兼容仿真试验，质量可靠的元器件选用可提升对电快速瞬变脉冲信号的抑制能力；4) PCB布局时，将干扰源远离敏感电路；5) PCB布线时注意线缆的隔离，强弱电的布线隔离、信号线与功率线的隔离，各类走线要尽量短，6) 正确使用接地技术，减小环路面积；7) 安装瞬态干扰吸收器；8) 软件设计时，考虑避免干扰对系统的影响，软件上应正确检测和处理告警信息，及时恢复产品的状态；9) I/O信号进出由完全隔离的变压器或光耦连接，更好的实现隔离；10) 使用高阻抗的共模或差模电感滤波器11) 使用铁氧体磁环；12) 在PCB层电源输入位置要做好滤波，通常采用的是大小电容组合，根据实际情况可以酌情再添加一级磁珠来滤除高频信号；13) 组装生产环节中应严把质量关，做好生产工艺流程控制，尽量保证产品质量的一致性，减少因个别产品质量问题带来的测试不合格现象；三、PCB抗干扰设计1、电源电路抗干扰设计1) 变压器及稳压模块应就近安装在交流电源进入系统的地方；2) 强电输送线绝不能在系统内乱布；3) 电源供电线应尽量短，板间连接线使用双绞线；4) 交流输入、功率继电器、电源滤波器、电源变压器等干扰源电路应与系统稳压后的5V、3.3V等布线严格分开并进行有效隔离；5) 稳压电源输出并接电解电容及0.01uF左右陶瓷电容和二极管；2、PCB布局抗干扰设计1) 主控部分和外围设备按各自体系要有明显界限，不能混装，即使系统只有一块印制板，也要分模块设计，模块间做好隔离；2) 大功率低速电路、模拟电路和数字电路应分开布局，大功率器件应与小信号电路分开，如功率继电器要与主控模块及弱点驱动模块隔离，使相互间的信号耦合最小；3) 各部件之间引线要尽量短，噪声敏感器件尽量缩短连接的信号线；4) 发热量大的器件如电源芯片、单片机、RAM等应尽量安排在不影响敏感电路的地方及通风冷却较好的地方，电路板竖直放置时，发热量大的器件应放置在最上边。
瞬态干扰抑制器详解
瞬态干扰抑制器详解
瞬态干扰指交流电网上出现的浪涌电压、振铃电压、火花放电等瞬间干扰信号，其特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大。
瞬态干扰
会造成控制系统的电源电压的波动;当瞬态电压叠加在控制系统的输入电压上，使输入控制系统的电压超过系统内部器件的极限电压时，便会损坏控制系统
内部的设备，因此必须采用抑制措施。
硅瞬变吸收二极管
硅瞬变吸收二极管的工作有点象普通的稳压管，是箝位型的干扰吸收器件;其应用是与被保护设备并联使用。
硅瞬变电压吸收二极管具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力，及极多的电压档次。
可用于
保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷
所产生的过电压。
TVS管有单方向(单个二极管)和双方向(两个背对背连接的二极管)两种，它们的主要参数是击穿电压、漏电流和电容。
使用中TVS
管的击穿电压要比被保护电路工作电压高10%左右，以防止因线路工作电压
接近TVS击穿电压，使TVS漏电流影响电路正常工作;也避免因环境温度变
化导致TVS管击穿电压落入线路正常工作电压的范围。
TVS管有多种封装形式，如轴向引线产品可用在电源馈线上;双列直插的和表面贴装的适合于在印刷板上作为逻辑电路、I/O总线及数据总线的保护。
EFT原理及解决方法
EFT原理及解决方法本帖被fasten 从测试报告共享学习移动到本区(2008-05-20)瞬态脉冲骚扰及抑制方法瞬态脉冲骚扰及抑制方法2006-9-11 11:51:30未知来源供稿摘要：量度继电器、继电保护及自动化装置(以下简称继电器及装置)随着电子技术的发展已实现微机化及数字化。
在电力系统恶劣的电磁环境中经常受到电磁骚扰，出现电磁干扰的几率很大，严重影响量度继电器及装置的正常工作。
其中影响较大的是瞬态脉冲骚扰。
本文从分析瞬态脉冲骚扰产生的原因着手，总结出各种瞬态脉冲骚扰的特征，提出抑制的方法。
关键词：瞬态脉冲骚扰；原因及特征；抑制方法。
1 引言在电力系统的电磁环境中存在着一些短暂的高能量的脉冲骚扰源，这些骚扰对继电器及装置的正常工作有非常大的影响，严重时也要损坏元器件，甚至损坏设备以至于整个系统。
这些骚扰源就称为瞬态脉冲骚扰源。
产生瞬态脉冲骚扰源的原因有：雷电放电、静电放电、电力系统的开关动作过程等。
常见的瞬态脉冲骚扰源有电快速瞬变脉冲群骚扰、静电放电骚扰、浪涌(冲击)骚扰及1MHz(100kZHz)脉冲群骚扰等。
2 瞬态脉冲骚扰的产生原因2.1 瞬态脉冲骚产生的机理在开关断开电感负载电路的过程中，在电感上要产生反电势。
根据楞次定律：这个反电势应为。
反电势要向寄生电容C反向充电，随着充电电压的升高，当达到一定数值时，在触点之间要出现击穿现象，形成导电通路。
一旦出现导电通路时，电容C就要开始放电，使电压下降，当电压降到维持触点导通电压以下时，触点又将处于断开状态。
上述过程就要重复发生，此过程重复到触点的间距大至电容上电压不能使触点间再击穿为止。
当电容不能通过击穿触点放电时，就通过电感回路放电，直至电感中能量消耗完为止。
在上述过程中，电容C每次击穿触点时都要向电源回路反向充电，因此在电源回路上形成很大的脉冲电流，由于电源回路也有阻抗存在，脉冲电流通过电源回路时，在其两端就要形成脉冲电压，而共用此电源回路的其它的电路(或继电器及装置就要受到该脉冲电压的影响。
瞬态脉冲骚扰及抑制方法
瞬态脉冲骚扰及抑制方法1 引言在电力系统的电磁环境中存在着一些短暂的高能量的脉冲骚扰源，这些骚扰对继电器及装置的正常工作有非常大的影响，严重时也要损坏元器件，甚至损坏设备以至于整个系统。
这些骚扰源就称为瞬态脉冲骚扰源。
产生瞬态脉冲骚扰源的原因有：雷电放电、静电放电、电力系统的开关动作过程等。
常见的瞬态脉冲骚扰源有电快速瞬变脉冲群骚扰、静电放电骚扰、浪涌(冲击)骚扰及1MHz(1 00kZHz)脉冲群骚扰等。
2 瞬态脉冲骚扰的产生原因2.1 瞬态脉冲骚产生的机理在开关断开电感负载电路的过程中，在电感上要产生反电势。
根据楞次定律：这个反电势应为。
反电势要向寄生电容C反向充电，随着充电电压的升高，当达到一定数值时，在触点之间要出现击穿现象，形成导电通路。
一旦出现导电通路时，电容C就要开始放电，使电压下降，当电压降到维持触点导通电压以下时，触点又将处于断开状态。
上述过程就要重复发生，此过程重复到触点的间距大至电容上电压不能使触点间再击穿为止。
当电容不能通过击穿触点放电时，就通过电感回路放电，直至电感中能量消耗完为止。
在上述过程中，电容C每次击穿触点时都要向电源回路反向充电，因此在电源回路上形成很大的脉冲电流，由于电源回路也有阻抗存在，脉冲电流通过电源回路时，在其两端就要形成脉冲电压，而共用此电源回路的其它的电路(或继电器及装置就要受到该脉冲电压的影响。
这就是瞬态脉冲骚扰形成的原因。
随着触点间隙的变化，击穿触点间隙所需要的电压是变化的。
当触点间隙越来越大时，击穿电压越来越高。
因此电容C上的电压也要越来越高。
当触点击穿所需要的电压越高时，电容充电的时间就越长，振荡波形的频率就越低。
2．2 主要的瞬态脉冲骚扰的产生及特点(1) 电快速瞬变脉冲群骚扰电快速瞬变脉冲群骚扰是由于电路中断开感性负载时产生的。
它的特点是骚扰信号不是单个脉冲，而是一连串的脉冲群。
一方面由于脉冲群可以在电路的输入端产生积累效应，使骚扰电平的幅度最终可能超过电路的噪声容限。
瞬态脉冲骚扰及抑制方法
瞬态脉冲骚扰及抑制方法1 引言在电力系统的电磁环境中存在着一些短暂的高能量的脉冲骚扰源，这些骚扰对继电器及装置的正常工作有非常大的影响，严重时也要损坏元器件，甚至损坏设备以至于整个系统。
这些骚扰源就称为瞬态脉冲骚扰源。
产生瞬态脉冲骚扰源的原因有：雷电放电、静电放电、电力系统的开关动作过程等。
常见的瞬态脉冲骚扰源有电快速瞬变脉冲群骚扰、静电放电骚扰、浪涌(冲击)骚扰及1MHz(100kZHz)脉冲群骚扰等。
2 瞬态脉冲骚扰的产生原因2.1 瞬态脉冲骚产生的机理在开关断开电感负载电路的过程中，在电感上要产生反电势。
根据楞次定律：这个反电势应为。
反电势要向寄生电容C反向充电，随着充电电压的升高，当达到一定数值时，在触点之间要出现击穿现象，形成导电通路。
一旦出现导电通路时，电容C就要开始放电，使电压下降，当电压降到维持触点导通电压以下时，触点又将处于断开状态。
上述过程就要重复发生，此过程重复到触点的间距大至电容上电压不能使触点间再击穿为止。
当电容不能通过击穿触点放电时，就通过电感回路放电，直至电感中能量消耗完为止。
在上述过程中，电容C每次击穿触点时都要向电源回路反向充电，因此在电源回路上形成很大的脉冲电流，由于电源回路也有阻抗存在，脉冲电流通过电源回路时，在其两端就要形成脉冲电压，而共用此电源回路的其它的电路(或继电器及装置就要受到该脉冲电压的影响。
这就是瞬态脉冲骚扰形成的原因。
随着触点间隙的变化，击穿触点间隙所需要的电压是变化的。
当触点间隙越来越大时，击穿电压越来越高。
因此电容C上的电压也要越来越高。
当触点击穿所需要的电压越高时，电容充电的时间就越长，振荡波形的频率就越低。
2．2 主要的瞬态脉冲骚扰的产生及特点(1) 电快速瞬变脉冲群骚扰电快速瞬变脉冲群骚扰是由于电路中断开感性负载时产生的。
它的特点是骚扰信号不是单个脉冲，而是一连串的脉冲群。
一方面由于脉冲群可以在电路的输入端产生积累效应，使骚扰电平的幅度最终可能超过电路的噪声容限。
瞬态干扰抑制
电压和较低的静电电压都比中等程度的静电电压产生的静 电放电更容易引起电路干扰。关于这种现象的解释如下： 电 压较低时： 带电体几乎接触上接地导体时才发生放电， 放电
不良俗接
圈 １ 静电放电对电路产生干扰的机理
．直接传导： 静电放电电流直接流过电路， 通常会对电
地线问题的一个主要原因。值得注意的是， 由于静电放电的
瞬态干扰抑制（ 二）
对于 来自电源线和信号线上的瞬态干扰， 如果能正确地 使用瞬态抑制器件和低通滤波器 ，往往可以获得较好的效 果＿当 个产品静电放电试验失败时， 如果佳得了静电放电 干扰的机理 ， 就能采取妥善的对策。
频率很高， 因此， 机箱与线路板之间的杂散电容度可以成为 静电放电的通路 ．电容锅合和电感藕合： 金属机箱或电缆上的睁电放电 电流产生的电磁场通过寄生电容或电感祸合进敏感电路。 特 别是当机箱 卜 有导电不连续点时， 这些不连续点的附近会有
的损坏〔 ） 图３ 。对于 这种问题的解决方法如下： ．屏蔽电缆： 两个机箱之间用屏蔽电缆连接， 通过电缆
放电电流进人电路；
． 对敏感电路进行局部屏蔽 。 使它不会受到静电放电产
生的电磁场影响 ；
的屏蔽层将两个机箱连接在一起．使它们的电位同升同降， 因此可以 使两个机箱之间的电位差尽量小。这里， 机箱与电 缆屏蔽层之间的搭接方式很重要， 要使两个设备的电位差尽
ｎｔ Ｆ ｌ ， ｏｄ ｔｎ Ｎ ｗ ｒ Ｍ Ｇａ 一 ｉ １８． ｅｃ ｄ ｓ ｎ ｅｉ ， Ｙ ｋ ｃ ｒ Ｈｌ ９ ７ ｉ ｉｓ ｅ ｅ ｃ ｄｉ ｏ ｅ ｏ ： ｗ ，
９ ． Ｎ ｒ ａ Ｖｏ ｔ ， ｎｌ ． ． ｏｍ ｎ ｉｅｅ ｏａ Ｒ ． ｉ ａｄ ． Ｊ Ｌ ｌｔ Ｄ ｄ Ｊ Ｗｈｔ ｎ ｅ
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I
放电电流 I
t
1ns 100ns
特点：频率范围宽
瞬态干扰的频谱
A 0.5A 2A
时间
1/
1/tr
频率
瞬态类型
EFT ESD
tr
5ns 1ns
50ns 30ns
1/
6. 4MHz 10MHz
1/tr
64MHz 320MHz
A
4kV 30A
2A
0.4V/MHz 1.8A/MHz
流进电源的电流
0
0
20
40
60
80
100 s
浪涌抑制器件的保护作用
kV 6 4 2 0 kA 3 2 1
浪涌电压
抑制后的电压
开关电源等效电路 6kV, 3kA 1.2 50 s 浪涌波形
流进电源的电流
流进抑制器的电流
大部分电流
流进了电源
0
0
20
40
60
80
100 s
TVS增容问题
1M 1M
• 寄生电容小
• 电流容量大
跟随电流 不可用在直流的场合！
放电管与压敏电阻组合
优点：
用低通滤 波器消除
• 没有跟随电流 • 没有漏电流
• 钳位电压低
作用在开关电源上的浪涌
kV 6 4 2 0 kA 3 6kV, 3kA 1.2 50 s 浪涌波形 开关电源等效电路 2 1
浪涌电压 电源上电压
浪涌
1.2s
50s
6.3kHz
265kHz
4kV
0.4V/MHz
消除感性负载干扰
L R L R C L
RL
阻尼电路参数确定
R:
越大，开关闭合 时限流作用越好 越小，开关断开 时反充电压越小
折衷
V / Ia < R < RL
C:
由于没有弧光，L中的能量全部进入C，VC = I (L/C)1/2
V / V OUT = 2 fco
低通滤波器对瞬态干扰的抑制
VOUT / VIN
-40
-30 -20 -10 0 0.001 0.01
0.1
1/2
fCO
瞬态干扰抑制器件
压敏电阻
钳位不紧
浪涌电压
瞬态抑制二极管
电流容量不大
1000 500 220
气体放电管
有跟随电流
气体放电管的跟随电流
30
60
t(ns)
ESD常见问题与改进
ESD ESD
V ESD
ESD 屏蔽层
V
ESD常见问题与改进
I2 ESD2
ESD1
I1
二次放电
铁氧体磁珠 ESD2 ESD1
I1
电缆上的ESD防护
电缆/机箱搭接
VN
错误
正确
V
浪涌
Z V / I2P
V1 V2 V0MAX
一级
二级
地线反弹与对策
VZ VZ + VG VG 设施地 设备参考地
若电流为5kA，地线阻抗为0.5，则反弹电压达到2500V !
静电放电现象
＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋＋＋ ＋ ＋＋ ＋＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋
I
放电电流 I t
1ns 100ns
ESD对电路工作影响的机理
瞬态脉冲干扰的抑制
瞬态干扰对设备的威胁
静电放电 静电放电
信号端口 电源端口
静电放电
浪涌
电快速脉冲
电快速脉冲
浪涌
感性负载断开时产生的干扰
VL 对应的EMC实验：EFT t
20 － 200 Vdc
电源回路中的电流（电压）
Vdc
I0
C
VL
t
特点：脉冲串
两种触点击穿导通机理
气 隙 上 的 电 压 320V
击穿电压
阳极(+)
维持电压
电子流
阴极(－)
0.08mm 接触点距离
辉光放电 气体电离
弧光放电 金属气化
浪涌产生的原因
对应EMC实验：浪涌
一般小于75kA 最大可达300kA 导体周围产 生强磁场
特点：能量大 I
静电放电现象
对应EMC实验：ESD
＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋＋＋ ＋ ＋＋ ＋＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋
R
R
不行
R = V / Ipeak
可以
最好
V = 两管钳位差 Ipeak = TVS的峰值电流
多级浪涌抑制电路
Z V1、V2 = 额定工作电压 I2 = 第二级额定峰值电流 V2 V0 + 电压偏差2 V1 V2 + 电压偏差1+电压偏差2 V =V1MAX - V2MIN V1 V I2P V2 V0
电流找阻抗最小路径 静电放电产生的电磁场
不良搭接
孔缝
ESD产生的电磁场
电场 kV/m
4 3 2 10 cm
磁场 A/m
15 10
1
5 10
20 cm 50 cm
15 时间 ns
5
静电试验的方法
静电放电试验 Ipeak 直接放电试验 感 应 90%
I1
非接触
放电
接触
放电
在附近放电
产生感应场
I2
tr
瞬态抑制二极管 气体放电管
低通滤波器：截止频率小于1 /
低通滤波器对瞬态干扰的作用
2A
输入脉冲频谱
A
2A
输出脉冲频谱
f
IL
+
fCO
滤波器特性
f
f
fCO
Fco > 1 /
VOUT = VP(f) f1 = 2VIN / = 2VIN /
输出脉冲的幅度略有降低
VIN
VOUT
fco
Fco < 1 /
Parseval 定律：时域中的能量等于频域中的能量： out V2(f)df = V2(t)dt 0 0
= 1 / fco
fco
fco 0 (2VIN)2df =
out
0
V 2OUT dt
(2VIN)2 fco = V 2OUT / fco
为了防止发生辉光，VC < 300V
C > ( I / 300 ) 2 L 为了防止发生弧光，电容充电速率要小于1V/s， C > 10- 6 I
过零开关消除干扰
VD
C
电感电 流取样
继电器
+
电压比较器
瞬态干 感 电 容 负温度系数电阻 （压敏电阻）
分流法：