集成电路封装考试答案
封装 工艺试题及答案
1.集成电路芯片封装狭义：是指利用膜技术及微加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。
2.封装的分类：依引脚分布，封装元件有单边引脚、双边引脚、四边引脚与底部引脚四种。
3.芯片封装所用材料包括：金属、陶瓷、玻璃、高分子等(金属最具气密性)4.为了获得最佳的共晶贴装，IC芯片背面通常先镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载座上先植入预型片。
5.芯片互连方法：打线键合、载带自动键合、倒装芯片键合。
6.TAB技术分为以下三方面：一芯片凸点制作技术，二TAB载带制作技术，三载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术。
7.厚膜浆料的两个共性：（2）由两种不同的多组分相组成，一个是功能相，提供最终膜的电学和力学性能，另一个是载体相，提供合适的流变能力。
8.三个参数表征厚膜浆料：①颗粒、②固体粉末百分比含量、③粘度9.厚膜电阻：把金属氧化物颗粒与玻璃颗粒混合，在足够的温度\时间进行烧结，以使玻璃熔化并把氧化物颗粒烧结在一起。
10.薄膜技术方法：真空蒸镀、溅射镀膜、电镀、光刻工艺11.常见电路板有硬式印制电路板、软式印制电路板、金属夹层电路板、射出成型电路板12.污染种类：非极性/非离子性污染、极性/非离子性污染、离子性污染、不溶解/粒状污染13.氧化铝为陶瓷封装最常用的材料，浆料的准备为陶瓷封装工艺的首要步骤14.无机材料中添加玻璃粉末的目的：调整纯氧化铝的热膨胀系数、介电系数等特性；降低烧结温度15.芯片封装完成之后，要进行质量和可靠性两方面的检测16.塑料封装的成型技术：转移成型技术、喷射成型、预成型技术，最主要的转移成型17.球栅阵列式BGA技术四种主要形式：塑料球栅阵列、陶瓷球栅阵列、陶瓷圆柱栅格阵列和载带球栅阵列1.厚膜技术：厚膜技术按不同的方式进行分类：聚合物厚膜、难熔材料厚膜和金属陶瓷厚膜；金属陶瓷厚膜浆料具有四种主要成分：1有效物质，确立膜的功能，2粘贴成分，提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基体，3有机粘贴剂，提供丝网印制的合适流动性能，4溶剂或稀释剂，它决定运载剂的粘度。
计算机集成考试题及答案
计算机集成考试题及答案[题目一]1. 计算机集成电路(CIC)是指什么？答：计算机集成电路是把电子器件、线路和封装组合在一起，形成一个或多个功能完整的电路模块，在单个芯片上集成电子器件、线路和封装。
2. 请简要描述计算机集成电路的发展历程。
答：计算机集成电路的发展经历了多个阶段。
1960年代末，诞生了初级大规模集成电路，可以集成数百个逻辑门。
1970年代中期，产生了中级大规模集成电路，集成门数达到数千个。
1980年代初，出现了高级大规模集成电路，门数达到数万个。
1990年代初，随着超大规模集成电路的出现，门数更是达到了数亿个。
目前，超大规模和超大规模以上级别的集成电路已成为主流。
3. 请解释贝尔定律对集成电路发展的影响。
答：贝尔定律是指，每隔18至24个月，集成电路中所能容纳的晶体管数量将翻倍，而价格将减半。
这一定律推动了集成电路技术的快速发展，使得集成电路的性能不断提高，成本不断降低，为计算机技术的革新提供了强大的支持。
4. 请列举三种常见的计算机集成电路类型。
答：常见的计算机集成电路类型包括：数字集成电路、模拟集成电路和混合集成电路。
[题目二]1. 什么是计算机集成制造技术？答：计算机集成制造技术是指将电子器件、线路和封装等组合在一起，通过一系列制造工艺，实现对集成电路芯片的生产和加工。
2. 描述计算机集成制造技术的主要工艺流程。
答：计算机集成制造技术的主要工艺流程包括：晶圆加工、沉积、光刻、刻蚀、清洗、温度退火、封装、测试和分选等环节。
3. 请解释深亚微米工艺对计算机集成制造技术的意义。
答：深亚微米工艺是指制造集成电路中特征尺寸在0.1微米至0.25微米之间的工艺。
深亚微米工艺的采用使得集成电路的微细特征得以实现，使得芯片的密度增加、速度提高、功耗降低，从而推动了计算机集成制造技术的进步。
4. 请说明集成制造技术在计算机硬件发展中的重要性。
答：集成制造技术是计算机硬件发展中的关键技术之一。
集成电路先进封装技术考核试卷
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料
集成电路的封装热管理考核试卷
12. A
13. D
14. D
15. A
16. C
17. A
18. B
19. D
20. A
二、多选题
1. ABCD
2. AB
3. ABC
4. BD
5. ABCD
6. ABC
7. AB
8. ABC
9. ABCD
10. ABC
11. AB
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. AB
1.集成电路封装的主要目的是保护芯片，提高电路的______和可靠性。
2.热阻（Rth）的单位是______，它表示单位时间内通过单位面积的热量与温差之比。
3.在集成电路封装中，BGA（Ball Grid Array）封装类型具有较好的______性能。
4.主动散热方式包括风冷、液冷和______等。
5.热导率（k）是衡量材料导热能力的物理量，单位是______。
6.为了提高集成电路封装的热管理效果，可以采用______材料来降低热阻。
7.封装过程中，若芯片与封装材料之间的热膨胀系数不匹配，可能会导致______问题。
8.在自然散热条件下，集成电路的散热主要依赖于______和封装表面积。
9.热设计的一个重要原则是保持芯片的工作温度在______以下，以确保电路的正常运行。
16. ABC
17. AD
18. ABC
19. ABC
20. BD
三、填空题
1.可靠性
2. K/W
3.热性能
4.热管
5. W/(m·K)
6.高热导率
7.热应力
8.对流
9.最高允许温度
10.硅脂
1+X集成电路理论试题库(附参考答案)
1+X集成电路理论试题库（附参考答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、若想取下蓝膜上的晶圆或晶粒，需要照射适量（），能降低蓝膜的黏着力。
A、红外线B、太阳光C、蓝色光源D、紫外线正确答案：D答案解析：对需要重新贴膜或加工结束后的晶圆，需要从蓝膜上取下，此时只需照射适量紫外线，就能瞬间降低蓝膜黏着力，轻松取下晶圆或晶粒。
2、一般情况下，待编至( )颗时，需更换卷盘，并在完成编带的卷盘上贴上小标签，便于后期识别。
A、2000B、4000C、6000D、8000正确答案：B答案解析：一般情况下，待编至4000颗左右时，需要更换卷盘，即一盘编带一般装有4000颗的芯片。
3、晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。
A、20B、1C、10D、5正确答案：D4、用编带机进行编带前预留空载带的原因是( )。
A、比较美观B、防止芯片散落C、确认编带机正常运行D、节省人工检查时间正确答案：B答案解析：空余载带预留设置是为了防止卷盘上编带的两端在操作过程中可能会出现封口分离的情况，导致端口的芯片散落。
5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度- 般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C正确答案：A答案解析：一般抛光区的温度控制在38~50°C (粗抛)和20~30°C (精抛)。
6、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。
A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅膜本身的正确答案：B答案解析：硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜，当有白光照射时，二氧化硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。
不同的氧化层厚度的干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。
7、芯片检测工艺中，进行管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后，需要在内盒的封口边（）处贴上“合格”标签。
1+X集成电路理论试题库(附答案)
1+X集成电路理论试题库（附答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、进行料盘包装时，一个内盒中通常装有( )袋真空包装完的料盘。
A、1B、2C、3D、4正确答案：A答案解析：进行料盘包装时，-个内盒中通常装有1袋真空包装完的料盘。
2、使用转塔式分选设备进行芯片测试时，其测试环节的流程正确的是（）。
A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C3、点银浆时，银浆的覆盖范围需要（）。
A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正确答案：C答案解析：引线框架被推至点银浆指定位置后，点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆（银浆覆盖范围>75%）。
4、载带的预留长度一般是( )。
A、10-30cmB、30-50cmC、70-90cmD、50-70cm正确答案：D5、下列语句的含义是（）。
A、-> OUT &= 0X00FF;B、-> OUT |= 0X0F00;C、GPIOB低八位端口，高四位为低，低四位为高D、GPIOB低八位端口，高四位为高，低四位为低E、GPIOB高八位端口，高四位为低，低四位为高F、GPIOB高八位端口，高四位为高，低四位为低正确答案：C6、下列选项中，（）是封装工艺中不涉及的工序。
A、第一道光检B、第二道光检C、第三道光检D、第四道光检正确答案：A答案解析：封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出现废品（崩边等情况）。
引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。
切筋成型之后需要进行第四道光检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。
7、解决铝尖刺的方法有（）。
A、在合金化的铝中适当地添加铜B、采用三层夹心结构C、在合金化的铝中适当地添加硅D、采用“竹节状”结构正确答案：C答案解析：解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。
1+X集成电路理论模拟试题+参考答案
1+X集成电路理论模拟试题+参考答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.晶圆烘烤时长一般为( )分钟。
A、1B、5C、10D、20正确答案：B答案解析：晶圆烘烤长一般为5分钟。
烘烤时间太长会导致墨点开裂，时间太短可能会使墨点不足以抵抗后续封装工艺中的液体冲刷，导致墨点消失。
2.低压化学气相淀积的英文缩写是（）。
A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正确答案：C答案解析：APCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。
3.一般来说，( )封装形式会采用转塔式分选机进行测试。
A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正确答案：A答案解析：一般来说，LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试，DIP/SOP 会采用重力式分选机进行测试，QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。
4.在一个花篮中有片号10/15/20/25的晶圆，其中片号为15的晶圆需放在花篮编号为( )的沟槽内。
A、10B、15C、20D、25正确答案：B答案解析：导片时需保证晶圆片号与花篮编号一致。
因此，片号为15的晶圆需放置在花篮编号为15的沟槽内。
5.塑封一般采用（）为塑封料。
A、热塑性塑料B、人工催化塑料C、热固性塑料D、芳烃类塑料E、结晶性塑料正确答案：C6.以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操作是( )。
A、前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上B、按下降的按钮，承重台和花篮开始下降C、花篮下降到指定位置，下降指示灯灭D、合上承重台上的盖子正确答案：A答案解析：以全自动探针台为例，上片时，将花篮放在承重台上后，前后移动花篮，将花篮固定在承重台上。
7.料盘打包时,要在料盘的()个地方进行打包。
A、1B、2C、3D、4正确答案：C答案解析：料盘打包时，要在料盘的3个地方进行打包。
集成电路封装与测试复习题(含答案)
第1章集成电路封装概论2学时第2章芯片互联技术3学时第3章插装元器件的封装技术1学时第4章表面组装元器件的封装技术2学时第5章BGA和CSP的封装技术4学时第6章POP堆叠组装技术2学时第7章集成电路封装中的材料4学时第8章测试概况及课设简介2学时一、芯片互联技术1、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。
2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。
于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。
这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。
3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。
这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。
现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。
可实现微机控制下的高速自动化焊接。
因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。
2、载带自动焊的分类及结构特点？答：TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um，Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些？答：TAB的关键技术主要包括三个部分：一是芯片凸点的制作技术；二是TAB载带的制作技术；三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。
制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ）4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。
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集成电路封装考试答案 work Information Technology Company.2020YEAR
名词解释：
1.集成电路芯片封装：
利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。
2.芯片贴装：
3.是将IC芯片固定于封装基板或引脚架芯
片的承载座上的工艺过程。
4.芯片互联：
5.将芯片与电子封装外壳的I/O引线或基
板上的金属布线焊区相连接。
6.可焊接性:
指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。
7.可润湿性：
8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀
和连续的焊料涂敷层。
9.印制电路板：
10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复
合材料基板。
11.气密性封装：
12.是指完全能够防止污染物（液体或固
体）的侵入和腐蚀的封装。
13.可靠性封装：
14.是对封装的可靠性相关参数的测试。
15.T/C测试：
16.即温度循环测试。
17.T/S 测试：
18.测试封装体抗热冲击的能力。
19.TH测试：
20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久
性的实验。
21.PC测试：
22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测
试。
23.HTS测试：
24.是测试封装体长时间暴露在高温环境
下的耐久性实验。
封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。
25.Precon测试：
26.模拟包装、运输等过程，测试产品的
可靠性。
27.金线偏移：
28.集成电路元器件常常因为金线偏移量
过大造成相邻的金线相互接触从而产生短
路，造成元器件的缺陷。
29.再流焊：
30.先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印
制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。
简答：
1.芯片封装实现了那些功能？
传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持
2．芯片封装的层次
五个层次：零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺
第一层次：芯片层次的封装
第二层次：将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺
第三层次：将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺
第四层次：将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程
3.简述封装技术的工艺流程
硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码
4.芯片互联技术有哪几种分别解释说明
打线健合技术（WB）：将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互联。
载带自动键合技术（TAB）：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O或基板上的金属布线焊区用具有引线图形成金属箔丝连接的技术工艺。
倒装芯片键合技术(FCB):芯片面朝下，芯片焊区与基板焊区直接相连的一种方法。
5.常用的芯片贴装有哪三种？请对这三种芯片贴装方法做出简单说明。
共晶粘贴法：Au-Si共晶合金粘贴到基板上
焊接粘贴法：Pb-Sn合金焊接
导电胶粘贴法：在塑料封装中最常见的方法是使用高分子聚合物贴装到金属框架上6.请说明热压焊和超声焊的工艺原理，并指出优缺点。
将细金属线按顺序打在芯片与引脚的封装基板的焊垫上而形成电路互连。
超声焊：优点为键合温度低、键合尺寸较小且导线回绕高度较低，缺点为必须沿着金属线回绕的方向排列
热压焊：优点为导线可以球形接点为中心改变位置
7.厚膜技术的概念
使用网印与烧结方法，用以制作电阻、电容等电路中的无源元件。
8.薄膜制备的技术有哪几种？请举例说明。
溅射、蒸发、电镀、光刻工艺
9.通过厚膜与薄膜技术的比较分析，简述它们各自的优缺点
薄膜技术使用光刻工艺形成的图形具有更窄、边缘更清晰的线条。
这一特点促进了薄膜技术在高密度和高频率的使用。
薄膜工艺比厚膜工艺成本高，多层结构的制造极为困难，受限于单一的方块电阻率。
10.助焊剂的主要成分是什么？
活化剂、载剂、溶剂、和其他特殊功能的添加物。
11.焊接前为何要前处理：
电子元器件封装的工艺通常需要经过数个高温过程，故焊垫金属或待焊接的表面往往不可避免的长有一层氧化层，必须出去以免影响健合。
12.无铅焊料选择的一般要求是什么？
对环境的影响最小，并且要考虑它的整个生命周期。
13.常见的印制电路板有哪几种？
硬式印制电路板、软式印制电路板、金属夹层电路板、射出成型电路板。
14.印制电路板的检测项目包括哪些？具体说明电性能试验的内容。
电性与成品质量的检查。
15.软式印制电路板的概念，并说明它的应用领域。
软式印制电路板与硬式印制电路板结构相似，但使用的基板具有可扰屈性。
静态应用的软式印制电路板通常有较粗的导体连线，动态应用中软式电路板则随时会被扰屈，故铜导线应具有最薄的厚度，且必须无针孔、刮痕等缺陷。
16.表面贴装技术的优点有哪些？
能提升元器件接合的密度、能减少封装的体积重量、获得更优良的电气特性、可降低成本
17.简述回流焊的基本工艺流程
使用盖印、网印或点胶技术将锡膏先印在焊垫上，并将封装元器件放置到焊垫并封齐，再以气焊或、红外线回流焊、传导回流焊与激光回流焊等方法将焊垫加热使锡膏回熔而完成接合。
18.波焊为引脚插入式器件的常见焊接技术，基本工艺步骤是什么？
助焊涂布、预热、焊锡涂布、多余焊锡吹
除、检测/维护、清洁
19.涂封的材料主要有哪几种？
AR、SR、XY、氟化高分子树脂
20.什么是顺形涂封它的基本方法是什么
将电路板表面清洗干净后以喷洒或沉浸的方法将树脂原料均匀涂上，在经过适当的热烘干处理后即成为保护涂层。
喷洒法、沉浸法、流动式涂布和毛刷涂布21.封胶技术有什么作用？
为了使成品表面不会受到外来环境因素及后续封装工艺的损害，通常在表面涂布一层高分子涂层用以提供保护。
22.什么是陶瓷封装？优点与缺点
陶瓷封装是高可靠度需求的主要封装技术。
优点是能提供IC芯片的密封保护，缺点是
成本高，具有较高的脆性、易致应力受损、工艺自动化与薄型化封装的能力逊于塑料封装
23.画出陶瓷封装的工艺流程框图
生胚片的制作、冲片、与导孔成型、叠压、烧结、表层电镀、引脚接合与测试
24.生胚片刮刀成型的工艺过程
刮刀成型机在浆料容器的出口处置有可调整高度的刮刀，生胚片的表面同时吹过与输送带运动方向相反的滤净热空气是齐缓慢干
燥，然后再卷起，并切成适当宽度的薄带。
25.什么是塑料封装？简述优缺点
塑料封装的散热性、耐热性、密封性虽逊于陶瓷封装和金属封装，但塑料封装具有低成本、薄型化、工艺较为简单、适合自动化生产等优点
26.按塑料封装元器件的横截面结构类型，有哪三种形式
双列式封装、塑胶晶粒封装、四方扁平封装
27.解释塑料封装中转移铸膜的工艺方法
利用铸膜机的挤制杆将预热软化的铸膜材料经闸口与流道压入模具腔体的铸孔中，经热处理产生硬化成型反应。
28.气密性封装的作用和必要性有哪些
气密性封装是指完全能够防止污染物的侵入和腐蚀的封装。
为提供IC芯片的保护，避免不适当的电、
热、化学及机械等因素的破坏。
29.气密性封装的材料主要有哪些哪种最好
金属、陶瓷及玻璃
30.玻璃气密性封装的应用途径和使用范围有哪些
用来固定金属圆罐的钻孔伸出的引脚，提供氧化铝陶瓷、金属引脚间的密封粘接
31.请解释产品的可靠性的浴盆曲线（画图）
32.可靠性测试项目有哪些
预处理、T/C、T/S、HTST、T&H、PCT
33.请解释T/C与T/S的区别
结构与T/C相似，但T/S测试环境是在高温液体中转换，液体的导热比空气快，于是有较强的热冲击力
34.简述金线偏移的产生原因
树脂流动而产生的拽曳力、导线架变形、气泡的移动、过保压/迟滞保压、填充物的碰撞
35.波峰焊工艺与再流焊的工艺不同点
波峰焊工艺焊接时元器件是固定的，焊接时不会产生位置移动。
再流焊工艺的“再流
动”及“自定位效应焊”焊接时由于表面张力不平衡，焊接也会出现缺陷。
36.说明翘曲的产生机理和解决办法
翘曲产生的主要原因是由于施加到元器件上的力的不平衡造成的。
提高焊膏印刷和放置精度、印刷的清晰度和精确度、放置精度。