2画出图P2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电...

合集下载

模拟电子技术基础习题解答

模拟电子技术基础习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图34解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

试问:(1)R b =50k 时,U o= (2)若T 临界饱和,则R b =解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

(完整版)哈工大模电习题册答案

(完整版)哈工大模电习题册答案

【2-1】 填空:1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。

两种载流子的浓度 。

2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。

3.漂移电流是 在 作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。

5.稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。

它工作在 。

描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。

6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。

1. 完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。

2. 杂质浓度,温度。

3. 少数载流子,(内)电场力。

4. 单向导电性,正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。

5. 反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z ),工作电流(I Emin ),最大管耗(P Zmax )和动态电阻(r Z )6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示,其中u i =20sinωt (mV),f =1kHz ,试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。

假设电容C 容量足够大。

-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1.静态分析静态,是指u i =0,这时u i 视作短路,C 对直流视作开路,其等效电路如图1.4.2(a)所示。

不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析,也可以根据二极管的伏安特性曲线,用图解法求解。

2.动态分析对于交流信号,直流电源和电容C 视作短路;二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内,故可用动态电阻r d 等效,且D d D1ir u ∆=∆,由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。

二极管伏安特性方程:)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ,故式1.4.1可简化为:TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3.交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4.u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。

模电作业及答案

模电作业及答案

作业及答案第一章1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结?P 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P 型半导体,亦可称为空穴型半导体。

主要靠空穴导电。

N 型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成N 型半导体,亦可称为电子型半导体。

主要靠自由电子导电PN 结:采用不同的掺杂工艺,将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN 结。

PN 结具有单向导电性。

2、简述PN 结的单向导电性。

在PN 结上外加一电压,如果P 型一边接正极,N 型一边接负极,电流便从P 型一边流向N 型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,即PN 结外加正向电压时处于导通状态。

如果N 型一边接外加电压的正极,P 型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过,即PN 结外加反向电压时处于截止状态。

这就是PN 结的单向导电性。

3、简述PN 结的伏安特性。

如左图所示,当PN 结外加正向电压,电流i 随电压u按指数规律变化;当PN 结外加反向电压,首先没有电流流过,但当反向电压增大到一定程度时,反向电流将急剧增加,将PN 结反向击穿。

P. 67四、已知稳压管的稳压值6V Z U =,稳定电流的最小值min 5mA Z I =。

求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。

解:(a) 1316V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V-Ω∴⨯=⨯=>=+⨯+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V R R K U VΩ∴⨯=⨯=++Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时,稳压管输出电压才为:P. 69-70: 1.3,1.61.3 电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答

模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答

精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(√)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS R 大的特点。

(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零,则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。

图T1.3解:U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a)(b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,?=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k ?时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

(精华版)国家开放大学电大专科《电工电子技术》机考网考形考网络题库及答案

(精华版)国家开放大学电大专科《电工电子技术》机考网考形考网络题库及答案

(更新版)国家开放大学电大专科《电工电子技术》机考网考形考网络题库及答案盗传必究考试说明:形成性考核占课程综合成绩的50%,终结性考试占课程综合成绩的50%。

单选题题目11.在题图1所示的电路中,电流表的正、负接线端用“+”、“‒”号标出,现电流表指针正向偏转,示数为10 A,有关电流、电压方向也表示在图中,则()正确。

选择一项:c. I1=10 A,U=12 V题目2在题图2所示的电路中,电位器RP的滑动端向下移动时,电流I1、I2的变化趋势是()。

选择一项:a. I1增大,I2减小题目3在题图3所示的电路中,电流I为()。

选择一项:c. 5 A判断题题目41.判别一个元件是吸收功率还是提供功率,取决于元件上电压和电流的实际方向,二者相同时是提供功率,相反时是吸收功率。

错题目52.电路中电流的实际方向是电位降低的方向,可据此来判别电流源或电压源上电流或电压的关联性。

选择一项:对题目63.两种电源模型的等效变换只是对相同的外部电路而言,对电源内部是不等效的。

选择一项:对题目74.基尔霍夫定律的理论依据是电荷守恒定律及能量守恒定律,对电路中各元件的种类、性质需加以限制。

选择一项:错分析计算题题目81.测得含源二端网络的开路电压U O=12 V,短路电流I S=0.5 A,试计算当外接电阻为36 Ω时的电压和电流。

答:①设该二端网络为题图1-4所示的电压源U S和内阻R S的串联模型。

②二端网络开路时R S中电流为零,说明U S等于开路电压,即U S=12 V。

③由短路电流I S=0.5 A,电源电压U S=12 V,可求得R S=24 Ω。

④外接电阻R L=36 Ω时,利用串联电路的计算方法可得U L=7.2 V,I L=0.2 A单选题题目91.图2-1所示的电路中包含()条支路,用支路电流法分析该电路,需要列写()个方程。

题图2-1选择一项:d. 5,3题目102.用叠加定理分析电路时,当其中一个电源单独作用时,其他电源应置零,即电压源()、电流源()。

模拟电路第二章课后习题答案word精品

模拟电路第二章课后习题答案word精品

第二章习题与思考题♦题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。

EP2-1解:(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求;(b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏) ;(c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏) ;(d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏) ;(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0;(g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;(h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置;(i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。

本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理U1♦题2-2试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。

设电路中的电容均足够大, 变压器为理想变压器解:-O +v ccRA営&本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。

(c)+交紇诵聲十W白浙!SAOO1卩a浦诵踣I交说通路(1 •:)1BQ1CQ♦题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变, 分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的 I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。

① 增大Rb;②增大VCC ③增大3。

解:①Rb =■ 1 BQ■ 1 CQ ■ ~ U CEQ② V cc = 1BQ = 1 CQ = UCEQ ( =V CC- R c 1 CQ )不疋I BQ 基本不变本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对 Q 点的影响♦题2-4在图2.5.2所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中,假设电路其他参数不变,分别改1BQCQ BQ■I B QUCEQ — V CC - 1 CQ R C1CQ=V cc变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的 I BQ 、 I CQ 、U CEQ 、「be 和| A u|将增大、减小还是不变。

第二章自测&习题(1)

第二章自测&习题(1)

共射
18
2.3 分别判断图示电路各是共射、共集、共基放大电路中的 分别判断图示电路各是共射、共集、 哪一种,并写出Q、 哪一种,并写出 、AU、Ri 、 Ro 。
共基
19
2.3 分别判断图示电路各是共射、共集、共基放大电路中的 分别判断图示电路各是共射、共集、 哪一种,并写出Q、 哪一种,并写出 、AU、Ri 、 Ro 。
0 0.72 4 6 8 10 12 u /V CE
I CQ = 2mA, U CEQ = 6V
U om = (6 − 0.7) / 2V
23
2. RL=3k时 时 c +VCC Rc Rb + ui _ VBB T RL e +
c 3k Rc VCC RL 3k 12V e RO T + 1.5k 6V RO VO
uo 等效! 等效! _
Rb
ICQ
IBQ VBB
UCE 24
Rb
ICQ
1.5k RO T +
I BQ =
6V
VBB − U BEQ Rb
1 − 0.7 = = 20µA 3 15 ×10
IBQ VBB
iC/mA 4 3 2 1 Q2 40µA 30µA 20µA IB=10µA
2
二、试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简 试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号, 述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
交流通路中V 短路, 交流通路中 BB短路, 输入信号无法接入, 输入信号无法接入, 不可能
可能
输入信号直接作用 于基极和地之间, 于基极和地之间, 没有作用在直流信 号之上,必然失真, 号之上,必然失真, 不可能 3

电子线路 第五版 (梁明理) 高等教育出版社 课后答案[WORD版本](1)

电子线路 第五版 (梁明理) 高等教育出版社 课后答案[WORD版本](1)

1.5 限幅电路如图P1.5所示,设D 为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V R 。

试绘出输出电压v O 的波形。

解:(1)当v i <V R 时(V R >0),二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波。

当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R ,被限幅在V R 值上。

分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。

输出波形如图1.5—(a )所示。

(2)当v i <V R (V R <0)时,二极管D 导通,相当于短接,v O =v i ,输出为正弦波(输出为负半周部分波形)。

当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =V R 。

分析结果是,本电路只输出小于V R 值的正弦波部分,大于V R 的正弦波被限制在V R 上。

输出波形如图1.5—(b )所示。

(3)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 导通,相当于短路,v O =V R ,输出直流电压V R 。

当v i >V R 时,二极管D 截止,相当于断路,输出电压v O =v i ,输出正弦波。

分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。

输出波形如图1.5—(c )所示。

(4)当v i <V R (V R >0)时,二极管D 截止,相当于断路,v O =V R ,输出直流电压V R 。

当v i >V R 时,二极管D 导通,相当于短接,输出电压v O =v i ,输出正弦波。

分析结果是,本电路只输出大于V R 值的正弦波部分,小于V R 的输出波被限制在V R 上。

输出波形如图1.5—(d )所示。

1.6 双向限幅电路如图P1.6所示,设D 1、D 2为理想二极管,输入电压v i 为正弦波,其振幅大于V im =3V R 。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

2.2 画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。

设所有电容对交流信号均可视为短路。

图P2.2
2.4 电路如图P2.4(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时U B E Q=0.7V。

利用图解法分别求出R L=∞和R L=3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压U o m(有效值)。

图P2.4
2.8若将图P2.7所示电路中的NPN型管换成PNP型管,其他参数不变,则为使电路正常放大,电源应做如何修改?如果输出电压波形底部失真,说明电路产生了什么失真?
图P2.7
2.10 在图P2.10所示电路中,设静态时I C Q=2mA,晶体管饱和管压降U C E S =0.6V。

试问:当负载电阻R L=∞和R L=3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏?若要使输出不失真输出电压最大,则在其他电路参数不变的情况下Rb应选取多少千欧?
图P2.10
2.12 电路如图P2.12所示,晶体管的 =80。

(1)求出Q点;
图P2.12。

相关文档
最新文档