射频宽带放大器
SX502MQ 低噪声宽带放大器 说明书、使用手册
SX502MQ 低噪声宽带放大器产品说明书、使用手册V.20151126产品用途及应用范围● 无线通信接收/发射系统 ● 射频或中视频信号处理系统产品特点● 双极工艺制作● 输入/输出50Ω阻抗匹配 ● 器件电压低：4.2 V (典型值) ● 工作频带宽：10MHz~4.0GHz● 输出1dB 压缩点较高：(典型值)产品描述SX502MQ 是采用双极工艺制作的射频放大器。
该产品具有工作频带宽、噪声系数较低、器件电压低、温度性能好等特点。
它通过外接偏置电阻实现可调节的单电源供电，使用简单方便，适用于各种常规电源电压工作的射频或中频信号处理系统。
该产品采用4引线ST31B 封装。
该产品电原理图如下：①③②、④图1 电原理图标准● 总规范及编号：GJB 597A-1996《半导体集成电路总规范》● 详细规范及确认号：Q/UC 965-2013《半导体集成电路SX502MQ 型低噪声宽带放大器详细规范》 ● 质量等级： 除静电、盐雾、水汽除外产品检验按B 级控制产品外形图和实物图片图2 外形图 图3 实物图片单位为毫米引出端排列（俯视图）413图4 引出端排列引出端功能符号表产品标识1图5 产品标识图推荐工作条件● 器件电压(V D ):4.2V ● 电源电流(I D ):68mA● 工作频率范围(f ):10MHz~4.0GHz ● 外壳温度(T C ):-55℃~125℃性能指标除另有规定外，V CC =15V ，R =160Ω，Z I =Z O =50Ω，-55℃≤T A ≤125℃。
绝对最大额定值● 电源电流(I D ):80mA ● 射频输入功率(P I ):-5dBm ● 贮存温度(T stg ): -65℃~150℃ ● 热阻(θJC ):150℃/W ● 引线耐焊接温度(T h ):300℃主要特性曲线图（电特性测试图）若无其它说明，测试条件均为T A=25℃，V CC/R bias=15V/160 ，Lc选用RF choke TCCH-80，输入/输出耦合电容选用0.1uF。
放大电路射频电路
放大电路射频电路放大电路是电子设备中常见的一种电路，用于增大电信号的幅度，以便在传输、记录和处理信号时更加可靠。
射频电路则是放大电路中的一种特殊类型，专门用于处理射频信号。
本文将介绍放大电路中的射频电路及其应用。
一、射频电路简介射频（Radio Frequency）指的是频率范围在3kHz至300GHz之间的电磁波信号。
射频电路主要用于无线通信、无线电广播、雷达、卫星通信等领域。
射频电路的设计和调试相比其他电路更为复杂，需要考虑信号衰减、杂散抑制、频率选择、幅度控制等问题。
二、射频放大器射频放大器是射频电路中的重要组成部分，用于增加射频信号的幅度。
常见的射频放大器有共射放大器、共基放大器和共集放大器。
它们的工作原理略有不同，在特定的应用场景中应选择合适的放大器类型。
三、射频混频器射频混频器是射频电路中的另一种常见组件，用于将射频信号与其他信号进行混频，产生新的频率。
射频混频器一般由两个输入端和一个输出端组成，输入端分别是射频信号和本振信号，输出端则是混频后的信号。
四、射频滤波器射频滤波器是射频电路中用于实现频率选择的重要元件。
它可以选择性地通过或抑制某个特定频率范围内的信号。
射频滤波器可以采用主动滤波器或被动滤波器实现，常用的类型有带通滤波器、带阻滤波器和低通滤波器等。
五、射频放大电路的应用射频放大电路广泛应用于通信系统中，如手机、基站、无线局域网等。
它们用于接收、放大、传输和处理射频信号，确保信号的可靠传输和信息的准确处理。
此外，射频放大电路也被应用于雷达系统中，用于探测并跟踪目标。
六、射频电路的设计要点在设计射频电路时，需要考虑以下几个要点：1. 信号衰减问题：射频信号在传输过程中会受到衰减，设计时需要考虑如何最小化衰减，以确保信号的可靠性。
2. 杂散抑制：射频电路中常常会出现杂散信号，对信号质量造成干扰，设计时需要采取相应的抑制措施。
3. 频率选择：射频电路常需要选择特定的频率范围内的信号进行处理，设计时需要选择合适的滤波器和放大器。
DVB-C系统中射频宽带低噪声放大器电路的设计研究
关键之一就于降低接收机 的噪声系数． 一个具有前 置低噪声放大器的接收系统 ， 其整机噪声 系数将大 大 降低 ， 因此需 在 接收 机前 端安 置低 噪声放 大 器． 另 方面 ， Ｖ｝ Ｄ 】Ｃ接收系统工作频率 范围很 宽， 要求 Ｌ Ａ宽带内具有好 的增益平坦度． Ｎ 一般而言 ， 实现 宽带 低 噪声放 大器 的基 本方 法 有 以下 几 种Ｌ ： 分 １① ］ 布放 大器 ： 性能 指标 较优 ， 工艺 复杂 ， 但 调试较 困难 ， 所使用的器件较多 ， 成本也高 ； 有损匹配法 ： 以 ② 可 得 到较宽 的频 带 ， 有损 匹配 电 路 对 放大 器 噪声 性 但 能有较 大 影响 ； 平衡 放大 器 ： 善 了增益 平 坦度 ， ③ 改 可获得 较低 ＶＳ ＷＲ、 宽 的 频 带 ， 做 １个 倍 频 程 较 但
（ 东南大学 国家专用集成 电路系统工程技术研究 中心 ， 南京 ２０ ９ ） １０ ６ 捅 要 ： 文根据 Ｄ 本 ＶＢ系统 对 Ｌ ＮＡ的特殊 要求 ， 阐述 了负反馈展宽放大器频带的原理 ， 讨论 了通过 设计并联 负反馈的手段 来实现 Ｌ ＮＡ宽频带稳定性 ， 并在此基础 上 ， 设计出一种宽带 Ｌ ＮＡ的拓补结 构 ， 并采 用将负 反馈解析 计算 与仿真优 化相结 合 的Ｌ ＮＡ设计方法 ， 出了 Ｌ 给 ＮＡ最终设计的仿真及实测结果． 验结果 和设计结 果吻合 较好。 Ｌ 实 该 ＮＡ带 宽为 ５ ０ＭＨｚ ０ ￣９ ０ ＭＨｚ功率增益 １ ． Ｂ， 内增 益波 动 ０ ６ｄ ， 内噪声 系数 ２ ７ｄ ～３ ５ｄ ． ， ０ ４ｄ 带 ． Ｂ 带 ． Ｂ ． Ｂ
关键 词 ： Ｎ 负反馈； Ｌ Ａｆ 噪声系数； Ｓ Ｖ ＷＲ
中 图分类 号 ：Ｎห้องสมุดไป่ตู้２． Ｔ ７２ １
第2章 射频小信号放大器电路
ABA52563是Agilent公司生产的宽带放大器电路芯片 ABA51563、ABA52563、ABA53563之一，工作频率 范围为DC～3.5GHz，增益为21.5dB，在整个工作频 率范围电压驻波比(VSWR)<2.0，输出P1dB为9.8dBm， 噪声系数为3.3dB，电源电压为5V，电流消耗为35mA。 ABA52563采用SOT-363/SC70封装，各引脚端功能如 下：引脚端Input为信号输入端，Output&Vcc为输出和 输出级电源电压引脚端，Vcc为前级放大器电源电压输 入端，GND1/2/3为地。
2)电作用转换成机械效应。在压电陶瓷片的极板上加 一电压u，则在陶瓷介质内建立起电场，在电场力的作 用下，陶瓷介质将发生极化并产生机械变形(伸长或收 缩)。当u的极性改变时，介质极化及机械变形的方向 也改变。 设u为某一频率的交流信号，则压电陶瓷片也按同一频 率伸缩，形成机械振动，u愈大，则振动愈强。压电陶 瓷片的机械振动有一个固有频率。如果所加电压u的频 率正好等于其固有频率，则很小的u就可使压电陶瓷片 发生很强的机械振动，即压电陶瓷片处于共振状态(谐 振状态)。
图2.33二端陶瓷元件的等效电路
图2.34二端陶瓷元件等效阻抗的频率特性
(3)三端陶瓷元件 三端陶瓷元件的结构与符号如图2.35所示，由两片陶 瓷片A和B用导电胶粘合起来，由粘合面 引出的端子作为公共端，而由另两面引出的端子分别 作为输入端和输出端。 输入信号u加在A片上，它将电能转换成机械能，并产 生机械振动。机械振动通过粘合面传到B片上，又将机 械能转换成电能，输出给外接负载RL。同样，当信号 频率与陶瓷片固有的机械振动频率相等时，形成共振。 共振状态可形成强的电流，提供最大的电流到外部电 路。在共振的条件下，输出和输入信号间可能是同相 位，也可能有180°的相位差，与A、B陶瓷片的粘合 面有关。
射频与微波晶体管放大器基础
射频与微波晶体管放大器基础射频与微波晶体管放大器是一种用于射频（Radio Frequency，RF）和微波（Microwave）信号放大的重要电子器件。
它在通信、雷达、卫星通信、无线电频谱分析仪等领域有着广泛的应用。
本文将介绍射频与微波晶体管放大器的基本概念、工作原理以及常见的分类。
一、基本概念射频与微波晶体管放大器是一种用于放大射频和微波信号的电子器件。
它可以将输入的微弱信号放大到较大的幅度，以便于信号的传输和处理。
晶体管是射频与微波放大器的核心组件，其主要由三个区域组成：发射区、基区和收集区。
通过对这三个区域的控制和调节，晶体管可以实现对射频和微波信号的放大。
二、工作原理射频与微波晶体管放大器的工作原理基于晶体管的三个区域的电子流动和电荷控制。
当输入信号通过发射区时，它将引起发射区电流的变化。
这个变化的电流将通过基区传播到收集区，进而产生一个放大后的输出信号。
晶体管的放大效果主要由两个参数决定：增益和带宽。
增益是指输出信号幅度与输入信号幅度之间的比值。
带宽则决定了放大器可以放大的频率范围。
为了实现高增益和宽带宽，人们不断改进晶体管的结构和材料，以提高其性能。
三、分类射频与微波晶体管放大器可以根据不同的工作方式和应用领域进行分类。
常见的分类包括：1. 单极性晶体管放大器（Unipolar Transistor Amplifier）：它使用单极性（只有一个类型的载流子）晶体管作为放大器的核心。
这种放大器通常具有较高的增益和较宽的带宽。
2. 双极性晶体管放大器（Bipolar Transistor Amplifier）：它使用双极性（同时存在两种类型的载流子）晶体管作为放大器的核心。
这种放大器具有较高的线性度和较低的噪声。
3. 堆叠晶体管放大器（Stacked Transistor Amplifier）：它使用多个晶体管进行级联放大。
这种放大器可以实现更高的增益和更宽的带宽。
4. 集成射频放大器（Integrated RF Amplifier）：它将多个晶体管和其他电子器件集成在一起，以实现更小的体积和更高的集成度。
射频功率放大器RFA概述
基本概念射频功率放大器RF PA是发射系统中的主要部分,其重要性不言而喻;在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大缓冲级、中间放大级、末级功率放大级获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去;为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器;在调制器产生射频信号后,射频已调信号就由RF PA将它放大到足够功率,经匹配网络,再由天线发射出去;放大器的功能,即将输入的内容加以放大并输出;输入和输出的内容,我们称之为“信号”,往往表示为电压或功率;对于放大器这样一个“系统”来说,它的“贡献”就是将其所“吸收”的东西提升一定的水平,并向外界“输出”;如果放大器能够有好的性能,那么它就可以贡献更多,这才体现出它自身的“价值”;如果放大器存在着一定的问题,那么在开始工作或者工作了一段时间之后,不但不能再提供任何“贡献”,反而有可能出现一些不期然的“震荡”,这种“震荡”对于外界还是放大器自身,都是灾难性的;射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的核心;通常在射频功率放大器中,可以用LC谐振回路选出基频或某次谐波,实现不失真放大;除此之外,输出中的谐波分量还应该尽可能地小,以避免对其他频道产生干扰;分类根据工作状态的不同,功率放大器分类如下：传统线性功率放大器的工作频率很高,但相对频带较窄,射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路;射频功率放大器可以按照电流导通角的不同,分为甲A、乙B、丙C三类工作状态;甲类放大器电流的导通角为360°,适用于小信号低功率放大,乙类放大器电流的导通角等于180°,丙类放大器电流的导通角则小于180°;乙类和丙类都适用于大功率工作状态,丙类工作状态的输出功率和效率是三种工作状态中最高的;射频功率放大器大多工作于丙类,但丙类放大器的电流波形失真太大,只能用于采用调谐回路作为负载谐振功率放大;由于调谐回路具有滤波能力,回路电流与电压仍然接近于正弦波形,失真很小;开关型功率放大器Switching Mode PA,SMPA,使电子器件工作于开关状态,常见的有丁D类放大器和戊E类放大器,丁类放大器的效率高于丙类放大器;SMPA将有源晶体管驱动为开关模式,晶体管的工作状态要么是开,要么是关,其电压和电流的时域波形不存在交叠现象,所以是直流功耗为零,理想的效率能达到100%;传统线性功率放大器具有较高的增益和线性度但效率低,而开关型功率放大器具有很高的效率和高输出功率,但线性度差;具体见下表：电路组成放大器有不同类型,简化之,放大器的电路可以由以下几个部分组成：晶体管、偏置及稳定电路、输入输出匹配电路;1、晶体管晶体管有很多种,包括当前还有多种结构的晶体管被发明出来;本质上,晶体管的工作都是表现为一个受控的电流源或电压源,其工作机制是将不含内容的直流的能量转化为“有用的”输出;直流能量乃是从外界获得,晶体管加以消耗,并转化成有用的成分;不同的晶体管不同的“能力”,比如其承受功率的能力有区别,这也是因为其能获取的直流能量的能力不同所致；比如其反应速度不同,这决定它能工作在多宽多高的频带上；比如其面向输入、输出端的阻抗不同,及对外的反应能力不同,这决定了给它匹配的难易程度;2、偏置电路及稳定电路偏置和稳定电路是两种不同的电路,但因为他们往往很难区分,且设计目标趋同,所以可以放在一起讨论;晶体管的工作需要在一定的偏置条件下,我们称之为静态工作点;这是晶体管立足的根本,是它自身的“定位”;每个晶体管都给自己进行了一定的定位,其定位不同将决定了它自身的工作模式,在不同的定位上也存在着不同的性能表现;有些定位点上起伏较小,适合于小信号工作；有些定位点上起伏较大,适合于大功率输出；有些定位点上索取较少,释放纯粹,适合于低噪声工作；有些定位点,晶体管总是在饱和和截至之间徘徊,处于开关状态;一个恰当的偏置点,是正常工作的础;在设计宽带功率放大器时,或工作频率较高时,偏置电路对电路性能影响较大,此时应把偏置电路作为匹配电路的一部分考虑;偏置网络有两大类型,无源网络和有源网络;无源网络即自偏置网络通常由电阻网络组成,为晶体管提供合适的工作电压和电流;它的主要缺陷是对晶体管的参数变化十分敏感,并且温度稳定性较差;有源偏置网络能改善静态工作点的稳定性,还能提高良好的温度稳定性,但它也存在一些问题,如增加了电路尺寸、增加了电路排版的难度以及增加了功率消耗;稳定电路一定要在匹配电路之前,因为晶体管需要将稳定电路作为自身的一部分存在,再与外界接触;在外界看来,加上稳定电路的晶体管,是一个“全新的”晶体管;它做出一定的“牺牲”,获得了稳定性;稳定电路的机制能够保证晶体管顺利而稳定的运转;3、输入输出匹配电路匹配电路的目的是在选择一种接受的方式;对于那些想提供更大增益的晶体管来说,其途径是全盘的接受和输出;这意味着通过匹配电路这一个接口,不同的晶体管之间沟通更加顺畅,对于不同种的放大器类型来说,匹配电路并不是只有“全盘接受”一种设计方法;一些直流小、根基浅的小型管,更愿意在接受的时候做一定的阻挡,来获取更好的噪声性能,然而不能阻挡过了头,否则会影响其贡献;而对于一些巨型功率管,则需要在输出时谨小慎微,因为他们更不稳定,同时,一定的保留有助于他们发挥出更多的“不扭曲的”能量;典型的阻抗匹配网络有L匹配、π形匹配和T形匹配;其中L匹配,其特点就是结构简单且只有两个自由度L和C;一旦确定了阻抗变换比率和谐振频率,网络的Q值带宽也就确定了;π形匹配网络的一个优点就是不管什么样的寄生电容,只要连接到它,都可以被吸到网络中,这也导致了π形匹配网络的普遍应用,因为在很多的实际情况中,占支配地位的寄生元件是电容;T形匹配,当电源端和负载端的寄生参数主要呈电感性质时,可用T形匹配来把这些寄生参数吸收入网络;确保射频PA稳定的实现方式每一个晶体管都是潜在不稳定的;好的稳定电路能够和晶体管融合在一起,形成一种“可持续工作”的模式;稳定电路的实现方式可划分为两种：窄带的和宽带的;窄带的稳定电路是进行一定的增益消耗;这种稳定电路是通过增加一定的消耗电路和选择性电路实现的;这种电路使得晶体管只能在很小的一个频率范围内贡献;另外一种宽带的稳定是引入负反馈;这种电路可以在一个很宽的范围内工作;不稳定的根源是正反馈,窄带稳定思路是遏制一部分正反馈,当然,这也同时抑制了贡献;而负反馈做得好,还有产生很多额外的令人欣喜的优点;比如,负反馈可能会使晶体管免于匹配,既不需要匹配就可以与外界很好的接洽了;另外,负反馈的引入会提升晶体管的线性性能;射频PA的效率提升技术晶体管的效率都有一个理论上的极限;这个极限随偏置点静态工作点的选择不同而不同;另外,外围电路设计得不好,也会大大降低其效率;目前工程师们对于效率提升的办法不多;这里仅讲两种：包络跟踪技术与Doherty技术;包络跟踪技术的实质是：将输入分离为两种：相位和包络,再由不同的放大电路来分别放大;这样,两个放大器之间可以专注的负责其各自的部分,二者配合可以达到更高的效率利用的目标;Doherty技术的实质是：采用两只同类的晶体管,在小输入时仅一个工作,且工作在高效状态;如果输入增大,则两个晶体管同时工作;这种方法实现的基础是二只晶体管要配合默契;一种晶体管的工作状态会直接的决定了另一支的工作效率;射频PA面临的测试挑战功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件,但他们本身是非线性的,因而会导致频谱增生现象而干扰到邻近通道,而且可能违反法令强制规定的带外out-of-band放射标准;这个特性甚至会造成带内失真,使得通信系统的误码率BER增加、数据传输速率降低;在峰值平均功率比PAPR下,新的OFDM传输格式会有更多偶发的峰值功率,使得PA不易被分割;这将降低频谱屏蔽相符性,并扩大整个波形的EVM 及增加BER;为了解决这个问题,设计工程师通常会刻意降低PA的操作功率;很可惜的,这是非常没有效率的方法,因为PA降低10%的操作功率,会损失掉90%的DC功率;现今大部分的RF PA皆支持多种模式、频率范围及调制模式,使得测试项目变得更多;数以千计的测试项目已不稀奇;波峰因子消减CFR、数字预失真DPD及包络跟踪ET等新技术的运用,有助于将PA效能及功率效率优化,但这些技术只会使得测试更加复杂,而且大幅延长设计及测试时间;增加RF PA的带宽,将导致DPD测量所需的带宽增加5倍可能超过1 GHz,造成测试复杂性进一步升高;依趋势来看,为了增加效率,RF PA组件及前端模块FEM将更紧密整合,而单一FEM则将支持更广泛的频段及调制模式;将包络跟踪电源供应器或调制器整合入FEM,可有效地减少移动设备内部的整体空间需求;为了支持更大的操作频率范围而大量增加滤波器/双工器插槽,会使得移动设备的复杂度和测试项目的数量节节攀升;半导体材料的变迁：Ge锗、Si硅→→→GaAs砷化镓、InP磷化铟→→→SiC碳化硅、GaN氮化镓、SiGe锗化硅、SOI绝缘层上覆硅→→→碳纳米管CNT →→→石墨烯Graphene;目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs工艺;另外,GaAs HBT,砷化镓异质结双极晶体管;其中HBTheterojunction bipolar transistor,异质结双极晶体管是一种由砷化镓GaAs层和铝镓砷AlGaAs层构成的双极晶体管;CMOS工艺虽然已经比较成熟,但Si CMOS功率放大器的应用并不广泛;成本方面,CMOS工艺的硅晶圆虽然比较便宜,但CMOS功放版图面积比较大,再加上CMOS PA复杂的设计所投入的研发成本较高,使得CMOS功放整体的成本优势并不那么明显;性能方面,CMOS功率放大器在线性度,输出功率,效率等方面的性能较差,再加上CMOS工艺固有的缺点:膝点电压较高、击穿电压较低、CMOS工艺基片衬底的电阻率较低;碳纳米管CNT由于具有物理尺寸小、电子迁移率高,电流密度大和本征电容低等特点,人们认为是纳米电子器件的理想材料;零禁带半导体材料石墨烯,因为具有很高的电子迁移速率、纳米数量级的物理尺寸、优秀的电性能以及机械性能,必将成为下一代射频芯片的热门材料;射频PA的线性化技术射频功率放大器的非线性失真会使其产生新的频率分量,如对于二阶失真会产生二次谐波和双音拍频,对于三阶失真会产生三次谐波和多音拍频;这些新的频率分量如落在通带内,将会对发射的信号造成直接干扰,如果落在通带外将会干扰其他频道的信号;为此要对射频功率放大器的进行线性化处理,这样可以较好地解决信号的频谱再生问题;射频功放基本线性化技术的原理与方法不外乎是以输入RF信号包络的振幅和相位作为参考,与输出信号比较,进而产生适当的校正;目前己经提出并得到广泛应用的功率放大器线性化技术包括,功率回退,负反馈,前馈,预失真,包络消除与恢复EER,利用非线性元件进行线性放大LINC ;较复杂的线性化技术,如前馈,预失真,包络消除与恢复,使用非线性元件进行线性放大,它们对放大器线性度的改善效果比较好;而实现比较容易的线性化技术,比如功率回退,负反馈,这几个技术对线性度的改善就比较有限;1、功率回退这是最常用的方法,即选用功率较大的管子作小功率管使用,实际上是以牺牲直流功耗来提高功放的线性度;功率回退法就是把功率放大器的输入功率从1dB压缩点放大器有一个线性动态范围,在这个范围内,放大器的输出功率随输入功率线性增加;随着输入功率的继续增大,放大器渐渐进入饱和区,功率增益开始下降,通常把增益下降到比线性增益低1dB时的输出功率值定义为输出功率的1dB压缩点,用P1dB表示;向后回退6-10个分贝,工作在远小于1dB压缩点的电平上,使功率放大器远离饱和区,进入线性工作区,从而改善功率放大器的三阶交调系数;一般情况,当基波功率降低1dB时,三阶交调失真改善2dB;功率回退法简单且易实现,不需要增加任何附加设备,是改善放大器线性度行之有效的方法,缺点是效率大为降低;另外,当功率回退到一定程度,当三阶交调制达到-50dBc以下时,继续回退将不再改善放大器的线性度;因此,在线性度要求很高的场合,完全靠功率回退是不够的;2、预失真预失真就是在功率放大器前增加一个非线性电路用以补偿功率放大器的非线性失真;预失真线性化技术,它的优点在于不存在稳定性问题,有更宽的信号频带,能够处理含多载波的信号;预失真技术成本较低,由几个仔细选取的元件封装成单一模块,连在信号源与功放之间,就构成预失真线性功放;手持移动台中的功放已采用了预失真技术,它仅用少量的元件就降低了互调产物几dB,但却是很关键的几dB;预失真技术分为RF预失真和数字基带预失真两种基本类型;RF预失真一般采用模拟电路来实现,具有电路结构简单、成本低、易于高频、宽带应用等优点,缺点是频谱再生分量改善较少、高阶频谱分量抵消较困难;数字基带预失真由于工作频率低,可以用数字电路实现,适应性强,而且可以通过增加采样频率和增大量化阶数的办法来抵消高阶互调失真,是一种很有发展前途的方法;这种预失真器由一个矢量增益调节器组成,根据查找表LUT 的内容来控制输入信号的幅度和相位,预失真的大小由查找表的输入来控制;矢量增益调节器一旦被优化,将提供一个与功放相反的非线性特性;理想情况下,这时输出的互调产物应该与双音信号通过功放的输出幅度相等而相位相反,即自适应调节模块就是要调节查找表的输入,从而使输入信号与功放输出信号的差别最小;注意到输入信号的包络也是查找表的一个输入,反馈路径来取样功放的失真输出,然后经过A/D变换送入自适应调节DSP中,进而来更新查找表;3、前馈前馈技术起源于"反馈",应该说它并不是什么新技术,早在二三十年代就由美国贝尔实验室提出来的;除了校准反馈是加于输出之外,概念上完全是"反馈";前馈线性放大器通过耦合器、衰减器、合成器、延时线、功分器等组成两个环路;射频信号输入后,经功分器分成两路;一路进入主功率放大器,由于其非线性失真,输出端除了有需要放大的主频信号外,还有三阶交调干扰;从主功放的输出中耦合一部分信号,通过环路1抵消放大器的主载频信号,使其只剩下反相的三阶交调分量;三阶交调分量经辅助放大器放大后,通过环路2抵消主放大器非线性产生的交调分量,从而了改善功放的线性度;前馈技术既提供了较高校准精度的优点,又没有不稳定和带宽受限的缺点;当然,这些优点是用高成本换来的,由于在输出校准,功率电平较大,校准信号需放大到较高的功率电平,这就需要额外的辅助放大器,而且要求这个辅助放大器本身的失真特性应处在前馈系统的指标之上;前馈功放的抵消要求是很高的,需获得幅度、相位和时延的匹配,如果出现功率变化、温度变化及器件老化等均会造成抵消失灵;为此,在系统中考虑自适应抵消技术,使抵消能够跟得上内外环境的变化;。
射频放大器AP1110
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AP1110
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2008. 08. 29 Update
AP1110
2.4~2.5 GHz Power Amplifier
Electrical Characteristics: WLAN Applications
EVM(%)
Gain(dB)
Fig.2 - Power Gain and EVM vs. Pout
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1819Biblioteka 2021Pout(dBm)
Gain(dB) EVM(%)
AP1110
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BT Applications:
(BT V.1.1&1.2, Under Vc=3.3V, Vref=2.85V) • LOW Current: 85mA at 18dBm
高频功率放大器简介
高频功率放大器简介
高频功率放大器，又称射频功率放大器，是一种能量转换器件，它将电源供给的直流能量转换成为高频交流输出。
高频功率放大器用于发射机的末级，作用是将高频已调波信号进行功率放大，以满足发送功率的要求，然后经过天线将其辐射到空间，保证在一定区域内的接收机可以接收到满意的信号电平，并且不干扰相邻信道的通信。
高频功率放大器是通信系统中发送装置的重要组件。
按其工作频带的宽窄划分为窄带高频功率放大器和宽带高频功率放大器两种，窄带高频功率放大器通常以具有选频滤波作用的选频电路作为输出回路，故又称为调谐功率放大器或谐振功率放大器；宽带高频功率放大器的输出电路则是传输线变压器或其他宽带匹配电路，因此又称为非调谐功率放大器。
高频功率放大器大多工作于丙类。
但丙类放大器的电流波形失真太大，因而只能用于采用调谐回路作为负载的谐振功率放大。
由于调谐回路具有滤波能力，回路电流与电压仍然极近于正弦波形，失真很小。
一、高频放大器的特点
1. 采用谐振网络作负载。
2. 一般工作在丙类或乙类状态。
3. 工作频率和相对通频带相差很大。
4. 技术指标要求输出功率大、效率高。
二、高频功率放大器的技术指标
主要技术指标有：输出功率、效率、功率增益、带宽和谐波抑制度（或信号失真度）等。
这几项指标要求是互相矛盾的，在设计放大器时应根据具体要求，突出一些指标，兼顾其他一些指标。