廖承恩《微波技术基础》第四-第六章答案
微波技术基础课程学习知识要点

《微波技术基础》课程复习知识要点(2007版)第一章 “微波技术基础引论”知识要点廖承恩主编的《微波技术与基础》是国内较为经典的优秀教材之一,引论部分较为详细的介绍了微波的工作波段、特点及其应用,大部分应用背景取材于微波通讯占主导地位的上世纪80’s / 90’s 年代。
在科技迅猛发展的今天,建议同学们关注本网站相关联接给出的最新发展动态,真正做到学以致用,拓展自己的知识面,特别是看看微波在现代无线和移动通信、射频电路设计(含RFID )、卫星定位、宇航技术、探测技术等方面的应用,不要局限于本书的描述。
(Microwaves have widespread use in classical communication technologies, from long-distance broadcasts to short-distance signals within a computer chip. Like all forms of light, microwaves, even those guided by the wires of an integrated circuit, consist of discrete photons ….. NATURE| Vol 449|20 September 2007)1本章的理论核心是在对导行波的分类的基础上推导了导行系统传播满足的微波的波段分类、特点与应用(TE 、TM 、TEM )和基本求解方法,给出了导行系统、导行波、导波场满足的方程;(Halmholtz Eq 、横纵关系)、本征值---纵向场法、非本征值---标量位函数法(TEM )。
{重点了解概念、回答实际问题,比如考虑一下如按如下的份类,RFID 涉及那些应用?全球定位系统GPS 呢?提高微波工作频率的好处及实现方法?}1.微波的定义 把波长从1米到1毫米范围内的电磁波称为微波。
微波波段对应的频率范围为: 3×108Hz ~3×1011Hz 。
廖承恩《微波技术基础》习题解答(最全的版本)

w.
λ=
2π υ p 1 = = = β f f µε r ε 0
ww
sc oc 2-5 在长度为 d 的无耗线上测得 Z in (d ) 、 Z in (d ) 和接实际负载时的
Z in (d ) ,证明
sc oc 假定 Z in (d ) = j100Ω , Z in (d ) = − j 25Ω , Z in (d ) = 75∠30°Ω ,求 Z L 。
解: ΓL =
Z L − Z0 =0.2-0.4j=0.4472exp(-j1.11)=0.4472∠-63.44° ZL + Z0 VSWR = ρ =
1+ | ΓL | = 2.618 1− | ΓL |
幅分布图,并求其最大值和最小值。
解:
ΓL =
ww
w.
V ( d ) = VL+ e jβd (1+ | ΓL | e j ( Φ L − 2 βd ) ) 1 ∴V (3λ / 4) = VL+ e j 3π / 2 (1 + e j (π −3π ) ) = VL+ ( −4 / 3) = 600 3 + VL = −450V
w.
60 23 ln = 33.3Ω 2.25 10
网
2 × 10 −1 = 552.6Ω 2 × 10 −3
co m
解法二:在空气中υ p 所以 Z 0 =
= 3 ×108
1 1 = = 55.6Ω 8 υ p C1 3 × 10 × 60 × 10 −12
L1 =
Z0 55.6 = = 1.85 × 10 − 7 H 8 υ p 3 × 10
课
Ω;其输入端电压为 600V、试画出沿线电压、电流和阻抗的振
廖承恩微波技术作业第二章习题参考答案上

第二章习题参考答案同轴线、双导线和平行板传输线的分布参数注:媒质的复介电常数εεε''-'=i ,导体的表面电阻ss R σδσωμ1221=⎪⎭⎫⎝⎛=。
本章有关常用公式:)](1[)()]()([122)()](1)[()()(22)(00000000d Z d V d V d V Z e Z Z I V e Z Z I V d I d d V d V d V e Z I V e Z I V d V d j L L d j L L dj L L d j L L Γ-=-=--+=Γ+=+=-++=+-+-+-+-ββββ )2(2200200)(d j L d j L dj L L d j L L L L L e e e Z Z Z Z e Z I V Z I V VV d βφβββ----+-Γ=Γ=+-=+-==ΓL Lj L j L L L L L e e Z Z Z Z Z Z Z Z φφΓ=+-=+-=Γ0000dtg jZ Z dtg jZ Z Z d Z L L in ββ++=000)()(1)(1)()()(0d d Z d I d V d Z in Γ-Γ+==LL VV VSWR Γ-Γ+==11minmax2.1无耗或者低耗线的特性阻抗为110C L Z = 平行双导线的特性阻抗:aDa a D D a a D D Z r r rln 11202)2(ln 11202)2(ln 112222000εεεμεπ≈-+=-+=已知平行双导线的直径mm a 22=,间距cm D 10=,周围介质为空气(1=r ε),所以特性阻抗)(6.5521100ln 120ln11200Ω==≈a D Z rε 同轴线的特性阻抗:ab a b Z r rln 60ln 121000εεμεπ==已知同轴线外导体的内直径2mm b 23=,内导体的外直径2mm a 10=,中间填充空气(1=r ε):特性阻抗)(50210223ln 60ln 600Ω===abZ r ε中间填充介质(25.2=r ε):特性阻抗)(3.33210223ln 25.260ln 600Ω===a b Z r ε2.2对于无耗传输线线有相位常数μεωωβ===k C L 11,所以可求出相速度v k C L v p =====μεωβω1111,等于电磁波的传播速度。
微带电路的原理

微带电路的原理------------------------------------------------------------------------------------------------微带电路的原理一、微带线简介微带线是制作微波集成电路的平面结构传输线。
可用光刻程序制作,且容易与其他无源微波电路和有源微波器件集成,实现微波部件和系统的集成化。
与金属波导相比,其体积小、重量轻、使用频带宽、可靠性高和制造成本低等;但损耗稍大,功率容量小。
二、微带线的结构微带线是在介质基片的一面制作导体带,另一面制作接地金属平板而构成。
其结构有两种形式,如图所示:图中a为开放式微带线,b为屏蔽微带线。
图(c)表示其场结构。
由于导体带上面(y>h)为空气,到替代下面为介质基片,所以大部分场在介质基片内,且集中在导体带与接地板之间。
但也有一部分场分布在几篇上面的空气区域内,因此微带线不可能存在纯TEM模。
三、微带线的制作及工艺60年代前期,由于微波低损耗介质材料和微波半导体器件的发展,形成了微波集成电路,使微带线得到广泛应用,相继出现了各种类型的微带线。
一般用薄膜工艺制造。
介质基片选用介电常数高、微波损耗低的材料。
导体应具有导电率高、稳定性好、与基片的粘附性强等特点。
微带线介质基片的种类:常用的有99%的氧化铝陶瓷、石英、蓝宝石、聚四氟乙烯玻璃纤维等。
——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------传统的微带线制作工艺过程首先要用真空蒸发的方法在抛光的介质几面正面镀上一层厚度为20~40mm的铬,再在铬层上镀上厚度约1um的金、铜或银等,然后在表面涂感光胶并贴上所需电路图形照片的底片,置于紫外光下进行光刻,经腐蚀后,只留下感光部分的电路图形。
《微波技术基础》第二章_传输线理论

i z, t z
3/1/2014
G1 ( z, t ) C1
z, t t
Sch.EIE Hefei Normal University
一般传输线方程、电报方程
13
i( z, t )
L1 z
R1 z
G1z
i(z z,t)
C1z (z z, t)
3/1/2014
9
Sch.EIE Hefei Normal University
二、传输线方程 1) 一般传输线方程或电报方程
i( z, t )
L1 z
R1 z
G1z
i(z z,t)
C1z (z z, t)
( z, t )
按泰勒级数展开, 忽略高次项
z
z, t z z i z z, t i z , t
D D2 d 2 / ln d 2 Rs d
C1 ( F / m)
W
d 2 Rs W W d
R1 ( / m)
2 2 D D d G1 ( S / m) / ln d 导体表面电阻 Rs 复介电常数 j
b 2 / ln a
换坐标:
d lz
VL I L Z 0 d VL I L Z 0 d V (d ) e e V (d ) V (d ) 2 2 VL I L Z 0 d VL I L Z 0 d I (d ) e e I (d ) I (d ) 2Z 0 2Z 0
3
Sch.EIE Hefei Normal University
第二章 传输线理论
2.1 传输线方程 2.2 分布参数阻抗 2.3 无耗线工作状态分析
廖承恩《微波技术基础》习题解答(最全的版本)

(2) (3)
(4)
sc oc 当 Z in (d ) = j100Ω , Z in (d ) = − j 25Ω , Z in (d ) = 75∠30°Ω 时
1562 . 5 +1875 × 75 ×
3 + 62 . 5 j 2
sc oc 2-6 在长度为 d 的无耗线上测得 Z in (d ) = j50Ω , Z in (d ) = − j 50Ω ,接 实
第二三四六七章习题解答 第二章习题解答
2-1 某双导线的直径为 2mm,间距为 10cm,周围介质为空气,求 其特性阻抗。某同轴线的外导体内直径为 23mm,内导体外直径为 10mm, ,求其特性阻抗;若在内外导体之间填充εr 为 2.25 的 介 质 , 求其特性阻抗。
解:双导线:因为直径为 d=2mm=2×10-3m 间距为 D=10cm=10-1m 所以特性阻抗为
ZL = Z0
2 — 12 画出图 2— 1 所示电路沿线电压、电流和阻抗的振幅分布图,
所以 ΓL =
Z L '− Z 02 450 − 450 = =0 Z L '+ Z 02 450 + 450
微带电路的原理

微带电路的原理一、微带线简介微带线是制作微波集成电路的平面结构传输线。
可用光刻程序制作,且容易与其他无源微波电路和有源微波器件集成,实现微波部件和系统的集成化。
与金属波导相比,其体积小、重量轻、使用频带宽、可靠性高和制造成本低等;但损耗稍大,功率容量小。
二、微带线的结构微带线是在介质基片的一面制作导体带,另一面制作接地金属平板而构成。
其结构有两种形式,如图所示:图中a为开放式微带线,b为屏蔽微带线。
图(c)表示其场结构。
由于导体带上面(y>h)为空气,到替代下面为介质基片,所以大部分场在介质基片内,且集中在导体带与接地板之间。
但也有一部分场分布在几篇上面的空气区域内,因此微带线不可能存在纯TEM模。
三、微带线的制作及工艺60年代前期,由于微波低损耗介质材料和微波半导体器件的发展,形成了微波集成电路,使微带线得到广泛应用,相继出现了各种类型的微带线。
一般用薄膜工艺制造。
介质基片选用介电常数高、微波损耗低的材料。
导体应具有导电率高、稳定性好、与基片的粘附性强等特点。
微带线介质基片的种类:常用的有99%的氧化铝陶瓷、石英、蓝宝石、聚四氟乙烯玻璃纤维等。
传统的微带线制作工艺过程首先要用真空蒸发的方法在抛光的介质几面正面镀上一层厚度为20~40mm的铬,再在铬层上镀上厚度约1um的金、铜或银等,然后在表面涂感光胶并贴上所需电路图形照片的底片,置于紫外光下进行光刻,经腐蚀后,只留下感光部分的电路图形。
表面金属也要有一定厚度,也就是微带导体带的厚度t,导体带的宽度和长度视电路需要而定。
三、微带电路的实现有两种实现方法:1.在基片上沉淀金属导带,这类材料主要是陶瓷刚性材料。
这种方法工艺复杂,加工周期长,性能指标好,在毫米波或要求高的场合使用。
2.在现成介质覆铜板上光刻腐蚀成印制板电路,这类材料主要是复合介质类材料。
这种方法加工方便,成本低,是目前使用最广泛的方法,又称微波印制直板电路。
四、主要技术参数:1、特性阻抗2、衰减常数衰减常数表示微带的损耗,包括导体损耗、介质损耗和辐射损耗。
微波技术基础第四章课后答案---杨雪霞汇总

4-1 谐振腔有哪些主要的参量?这些参量与低频集总参数谐振回路有何异同点?答:谐振腔的主要特性参数有谐振频率、品质因数以及与谐振腔中有功损耗有关的谐振电导,对于一个谐振腔来说,这些参数是对于某一个谐振模式而言的,若模式不同,这些参数也是不同的。
谐振频率具有多谐性,与低频中的回路,当其尺寸、填充介质均不变化时,只有一个谐振频率是不相同的。
在谐振回路中,微波谐振腔的固有品质因数要比集总参数的低频谐振回路高的多。
一般谐振腔可以等效为集总参数谐振回路的形式。
4-2 何谓固有品质因数、有载品质因数?它们之间有何关系?答:固有品质因数是对一个孤立的谐振腔而言的,或者说,是谐振腔不与任何外电路相连接(空载)时的品质因数。
当谐振腔处于稳定的谐振状态时,固有品质因数0Q 的定义为02TWQ W π=,其中W 是谐振腔内总的储存能量,T W 是一周期内谐振腔内损耗的能量。
有载品质因数是指由于一个腔体总是要通过孔、环或探针等耦合机构与外界发生能量的耦合,这样不仅使腔的固有谐振频率发生了变化,而且还额外地增加了腔的功率损耗,从而导致品质因数下降,这种考虑了外界负载作用情况下的腔体的品质因数称为有载品质因数l Q 。
对于一个腔体,01l Q Q k=+,其中k 为腔体和外界负载之间的耦合系数。
4-4 考虑下图所示的有载RLC 谐振电路。
计算其谐振频率、无载Q 0和有载Q L 。
谐振器负载1800Ω解:此谐振电路属于并联谐振电路,其谐振频率为:0356f MHz ===无载时,017.9R Q w L====有载时,040.25L e R Q w L ====根据有载和无载的关系式111L e Q Q Q=+得: 1112.5111140.2517.9L e Q Q Q===++4-5 有一空气填充的矩形谐振腔。
假定x 、y 、z 方向上的边长分别为a 、b 、l 。
试求下列情形的振荡主模及谐振频率:(1)a b l >>;(2)a l b >>;(3)l a b >>;(4)a b l ==。
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第四章习题参考答案带状线为双导体结构,中间填充均匀介质,所以能传输TEM 导波,且为带状线的工作模式。
4.1可由P 。
107:4。
1-7式计算特性阻抗0Z 由介质r ε,导体带厚度与接地板高度的比bt,以及导体带宽度与接地板高度的比bW确定。
Ω=45.690Z4.5可由P 。
107:4。
1-6式计算⎪⎩⎪⎨⎧>--<=1206.085.012000Z x Z x b W r r εε 其中: 441.0300-=Z x r επ已知:1202.74502.20<=⨯=Z r ε 83.0441.02.7430441.0300=-=-=πεπZ x r 所以: )(66.283.02.3mm bx W =⨯==衰减常数P 。
109:4.1-10:d c ααα+=c α是中心导体带和接地板导体的衰减常数,d α为介质的衰减常数。
TEM 导波的介质损耗为:)/(2m Np ktg d δα=,其中εμω'=k 由惠勒增量电感法求得的导体衰减常数为)/(m Np :P 。
111:4。
1-11⎪⎪⎩⎪⎪⎨⎧Ω>Ω<-⨯=-12016.0120)(30107.200003Z B b Z R Z A t b Z R r s r r s c εεπεα 其中:⎪⎭⎫⎝⎛--++-+=t t b t b t b t b W A 2ln 121π ⎪⎭⎫⎝⎛++-++++=t W W t t b t b t W b B πππ4ln 21414.05.01)7.05.0(1)/(155.02001.0100.32.21010222289m Np tg c f ktg r d =⨯⨯===πδεπδα 铜的表面电阻在10GHz 下Ω==026.02σωμs R ,74.4=A m Np A t b Z R r s c /122.0)(30107.203=-⨯=-πεαm Np d c /277.0=+=αααdB e Np 686.8lg 1012==m dB m Np d c /41.2/277.0==+=ααα4.6可由P 。
107:4。
1-6式计算⎪⎩⎪⎨⎧>--<=1206.085.012000Z x Z x b W r r εε 其中: 441.0300-=Z x r επ已知:1204.1481002.20>=⨯=Z r ε 194.0441.04.14830441.0300=-=-=πεπZ x r 所以: )(67.02128.016.3)6.085.0(mm x b W =⨯=--= 在10GHz ,带状线的波长为:cm fcr 02.210102.210398=⨯⨯⨯==ελ4.16可由P.130:4.3—27式计算已知Ω=700e Z ,Ω=300o Z ,mm b 4=,1.2=r ε3813.3300==re e Z A ε648.02212212143813.33813.3214=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫⎝⎛+--=⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+--=e e e e k e eA A e45.1300==ro o Z A ε99.022222=⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛+-=o o A A o e e k ππ68.02==o e k k arctg b W π015.0112=⎪⎪⎭⎫⎝⎛--=oee o k k k k arctg b S π mm b 4=mm W 7.268.04=⨯= mm S 06.0015.04=⨯=廖承恩第6章习题6-5 求图6-1 所示的对称二端口网络的归一化ABCD 矩阵,并求不引起附加反射的条件. 解:方法(一)将此网络分解为3个网络的级联,且各个网络ABCD 矩阵为:33113311101A B A B C D C D jB ⎡⎤⎡⎤⎡⎤==⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎣⎦ 022022cos sin sin /cos jZ A B j Z C D θθθθ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦ 故网络ABCD 的总矩阵为33112233112200000cos sin (2cos sin /sin )cos sin A B A B A B A B C D C D C D C D BZ jZ j B Z BZ BZ θθθθθθθ⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎣⎦-⎡⎤=⎢⎥+--⎣⎦不引起反射的条件为 00in in Z Z Γ=⇒=而012201220L in L AZ B V AV BI AZ B Z Z I CV DI CZ D CZ D+++=====+++ 002cos sin 2/BZ B ctg Z θθθ⇒=⇒=方法(二)若二端口网络不引起反射,则110S =,而网络总矩阵归一化值为00000cos sin (2cos sin /sin )cos sin BZ j a b j B Z BZ ZBZ c d θθθθθθθ-⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥+--⎣⎦⎣⎦2111010a b a b c dS a b c d a a b c d=+--∴===⇒+--=+++002cos sin 2/BZ B ctg Z θθθ⇒=⇒=6-7 求图6-3所示网络的输入阻抗及终端负载0L Z Z =时输入端匹配的条件.解:00011(1)(2)11(1)in Z jX Z BX j X jB B Z jB BX jBZ Z jX jB⎛⎫+ ⎪-+-⎝⎭=+=-+++输入端匹配的条件为 00in in Z Z Γ=⇒= 22012B Z X B+⇒=一般取 00,1/X Z B Z ==6-8 求表6.6-1 中T 形网络的ABCD 矩阵。
解:求T 形网络的ABCD 矩阵.将此网络分解为3个网络的级联:11111101A B Z C D ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦ 22222101A B Z C D ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦ 33333101/1A B C D Z ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦故网络ABCD 的总矩阵为133331122331122233111Z D Z Z A B A B A B A B C D C D C D C D Z Z Z ⎡⎤+⎢⎥⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎢⎥==⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎣⎦+⎢⎥⎣⎦其中 122313D Z Z Z Z Z Z =++6-9 求图6-4 所示的各电路的S 矩阵.解:方法(一):对于图6-4(b),此网络的ABCD 矩阵为101/1A B C D Z ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦网络的归一化矩阵为10/1a b Z Z c d ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦又2121111101201222210220122()2a a a ab b a bcd ad bc S S a a b c d a a b c d b b a b c d S S a a b c da abc d====+---====++++++-+-+====++++++[]000000222222Z Z Z ZZ Z S Z Z Z ZZ Z -⎡⎤⎢⎥++⎢⎥∴=⎢-⎥⎢⎥++⎣⎦方法(二):20111100in inin a Z Z b S a Z Z又 00inZZ Z Z Z 00011002ZZ Z Z Z Z S ZZ Z Z Z Z Z -+∴==-+++222022221211101/0/V V Z b V S a a V V Z1111111111(1)/(1)V V V V S V V S2222V V V V122222111111121/12V V V V V ZS S V S Z Z V[]000000222222Z Z Z ZZ Z S Z Z Z ZZ Z -⎡⎤⎢⎥++⎢⎥∴=⎢-⎥⎢⎥++⎣⎦6-13 如图6-7 所示同轴波导转换接头,已知其散射矩阵为11122122[]S S S S S ⎡⎤=⎢⎥⎣⎦。
(1)求端口②匹配时端口①的驻波系数;(2)求当端口②接负载产生得反射系数为Г2时,端口①的反射系数;(3)求端口①匹配时端口②的驻波系数. 解:(1)由散射矩阵定义11111222211222b S a S a b S a S a =+=+ (1)端口2匹配,意味负载处的反射波a 2=0,此时端口1的反射系数为11111b S a Γ== 因此端口1的驻波系数为1111111S S ρ+=-(2)当端口2接反射系数为Γ2的负载时,负载处的入射波b 2与反射波a 2之间满足222222a ab b Γ=⇒=Γ 代入(1)式得:1111122222112222b S a S b b S a S b =+Γ=+Γ因此端口1的反射系数为 11221211112221b S S S a S ΓΓ==+-Γ 6-15 推导式(6。
6-3). 解:11121221212222(1)(2)b T a T b a T a T b =+=+将(2)式中b 2的代入到(1)式有:121212211211121211122222222121222221a T a T T T b T a T a T a T T T T b a a T T对比S 的定义:11111222211222b S a S a b S a S a =+=+,有11121222111221222122222122/(/)1//S S T T T T T T S S T T T -⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥-⎣⎦⎣⎦6-18 如图6-11所示网络,当终端接匹配负载时,要求输入端匹配,求电阻R 1和R 2应满足的关系。
解:将此网络分解为3个网络的级联,且各个网络ABCD 矩阵为:11111101/1A B C D R ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦ 33332101/1A B C D R ⎡⎤⎡⎤=⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦ 0002200022cos sin 0/sin /cos /0ch lZ sh l ljZ l jZ A B sh l Z ch l j l Z l j Z C D γγββγγββ⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎡⎤===⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎣⎦242l πλπβλ=⋅= 故网络ABCD 的总矩阵为330201122330012011122////A B jZ R jZ A B A B A B C D j Z jZ R R jZ R C D C D C D ⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎡⎤⎡⎤==⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥+⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎣⎦⎣⎦当终端接匹配负载时,有0L Z Z =, 00L in L AZ BAZ B Z CZ D CZ D++==++要求输入端匹配,则有0in Z Z =, 120R R Z ⇒-= 6-21 测得某二端口网络的S 矩阵为0.100.8900.8900.20S,问此二端口网络是否互易和无耗?若在端口2 短路,求端口1 处的回波损耗. 解:12210.8900.8S S j ,故网络互易.又由:*0.10.80.10.80.650.080.80.20.80.20.080.68j j j S SU j j j不满足幺正性,因此网络为有耗网络.或 111121210.010.640.651S S S S **+=+=≠当端口2短路时,1L Γ=-,222L a bb由二端口网络的S 矩阵:11111221111222211222211222(1)(2)b S a S a S a S b b S a S a S a S b由(2)式得 2121221S b a S 代入(1)式消去b 2有1122111122(0.8)(0.8)0.10.633110.2inb S S j j S a S则端口1处的驻波比1 1.23 1.610.77in inVSWR则1端口的回波损耗:20lg3.97rinL dB6-22 推导ABCD 矩阵与Y 矩阵的转换关系. 解:注意:I 与ABCD 参量中使用的符号要一致,由于11111222211222I Y V Y V I Y V Y V =+-=+,故2122221I V Y AV Y212211V V B IY 2112211122221I I Y Y Y Y CV Y2111221V I Y D I Y第7章习题7-6 内壁镀银的空气填充TE101模式矩形腔,尺寸a×b×l=2。