1.2半导体三极管同步练

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半导体三极管及其放大电路练习及答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

三极管练习题

晶体三极管一、填空题（40分）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。

2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。

3、三极管的三个管脚电流关系是，直流电流放大系数β的定义式是。

4、三极管处于正常放大状态，硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。

5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。

6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具有放大作用。

7、当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当I B一定时，和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。

8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管死区电压约V。

晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。

9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。

10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。

11、三极管的极限参数分别是、和。

12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

二、判断题（5分）1、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。

（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。

（）3、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。

（）4、对于某晶体三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数为45。

（）5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30μA。

（）三、选择题（30分）1、三极管是一种（）的半导体器件。

A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制2、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。

A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、电压放大和电流放大3、三极管的伏安特性是指它的（）。

半导体三极管及其放大电路练习及标准答案

第一章二级管和三极管习题5页

一、选择合适答案填入空内。

1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小3、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 1001、A ，C2、A3、C4、A二、计算1、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。

2、电路如下图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

解：u i和u o的波形图所示。

3、电路如下图所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

解：波形如解图所示。

4、电路如图所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.5第 1 页第 2 页解：u O 的波形如下图所示。

5、电路如下图所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1mA 6、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

半导体三极管基础知识测试题

2020秋季电子技术基础第二次月考半导体三极管基础知识测试题（满分100分，时间：1.5小时）一、填空题（每空0.5分，共32分）1、三极管有两个PN结，即结和结；有三个电极，即极、极和极,分别用符号、、或、、表示。

2、半导体三极管有型和型,前者的图形符号是，后者的图形符号是。

3、某半导体三极管的（集电极与发射极之间的电压）UCE 不变，基极电流IB=30μA时，Ic=1.2 mA。

则发射极电流IE = mA.如果基极电流IB增大到50μA时, IC增加到2 mA,则发射极电流IE= mA,三极管的电流放大系数β= 。

4、三极管基极电流IB 的微小变化，将会引起集电极电流IC的较大变化,这说明三极管具有作用。

5、当UCE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性。

6、硅三极管发射结的死区电压约为 V。

锗三极管的死区电压约为 V。

半导体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为 V，锗管的约为 V。

7、三极管工作在放大状态时,其结必反偏，结必正偏。

集电极电流与基极电流的关系是，其中最大，最小。

由于IB的数值远远小于Ic，如忽略IB ，则Ic IE。

8、当三极管的发射结，集电结时，工作在放大区；发射结，集电结或时，工作在饱和区；发射结或，集电结时，工作在截止区。

9、半导体三极管放大的实质是。

10、三极管工作在饱和区时，IC决定于，而与无关，这时三极管（有,无)电流放大作用。

11、三极管的输出特性分为、放大、三个区。

工作在放大区时必须使三极管的结保持正向偏置，结保持反向偏置。

12、当温度升高时，三极管的β将，反向饱和电流ICEO，正向结压降UBE ，,三极管的输入特性曲线将。

13、半导体三极管的ICEO，是指极开路的情况下，电流。

14、三极管电流放大系数太小,电流放大作用；电流放大系数太大，会使三极管的性能。

15、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

16、三极管的极限参数分别是、和、。

半导体二极管和三极管习题及答案

半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后，（）。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由（）构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在（）。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是（）器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是（）器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是（）。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（）。

A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。

二极管三极管练习题(学生用)

一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

2．本征半导体的主要特性有、、。

3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。

4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。

5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。

6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。

图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。

8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。

9．PN结的电击穿包括和两类。

10．按材料不同，二极管可分为和两类。

11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。

12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。

13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。

14．三极管属控制型器件。

15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。

16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。

图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为型管。

单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（）。

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课题3：半导体三极管
【任务一】半导体三极管基础知识
1．三极管的结构包含：
（1）三个区，即：区、区、区；
（2）三个极，即：极，用字母表示，极，用字母表示，极，用字母表示，
（3）两个结，即：结、结。

2．由于半导体基片材料的不同，三极管可分为型和型两类。

3．在下表中画出PNP 、NPN 型三极管的结构图和图形符号。

4．三极管的电流放大作用
（1）在下表中记录仿真实验数据，并进行分析。

由表格中的数据可知，B I 、C I 和E I 之间的关系式为：。

（2）根据基尔霍夫节点电流定律，在下列横线上写出NPN 型和PNP 型三极管三个电极上的电流关系式
综上所述三极管的电流分配规律为：。

（3）由仿真实验数据表可以得出，三极管的电流放大原理为：
，
即实质上是用基极电流B I 的变化控制集电极电流C I 的变化。

5．判下列三极管的基本联接方式
（a ）（b ）（c ）
【任务二】三极管的特性曲线及主要参数
1．三极管的输入特性指的是在一定的条件下，加在三极管与之间的电压，和它产生的电流之间的关系。

2．三极管的输出特性指的是在一定的条件下，三极管与之间的电压与电流之间的关系。

3．在下表中画出三极管的输入输出特性曲线。

4．三极管的输出特性曲线分为如下三个区，在这三个区中，三极管的偏置电压特点为：（1）截止区：；（2）放大区：；（3）饱和区：。

【任务拓展】
1．在晶体三极管放大电路中，测得三极管的三只脚的电位如右图所示，则该三极管所用材料为，管型为，1、2、3脚的名称分别为、、。

2．9012和9013是我们最常用到的三极管，根据平时技能训练课老师所讲的，我们知道：图（a ）所示9012是（NPN 型或是PNP 型）三极管，图（b ）所示9013是（NPN 型或是PNP 型）三极管，图（a ）所示的1、2、3脚分别是极、极、极。

1
3
26V 2.7V 2V
3．已知某三极管10.02B I mA =,1 1.22C I mA =,20.03B I mA =，2 1.73C I mA =，则该三极管的β值为。

4．晶体三极管工作在饱和状态时，它的C I 将（）
A ．随
B I 增加而增加 B ．随B I 增加而减小
C ．只决定于C R 和G V 而与B I 无关
D ．无法确定 5．用直流电压表测量处于放大状态中的一只NPN 型晶体管，各电极对地的电位分别为12V V =，26V V =，
3 2.7V V =，则该晶体管各脚的名称是（）
A ．脚1为C ，脚2为
B ，脚3为E B ．脚1为E ，脚2为
C ，脚3为B C ．脚1为B ，脚2为E ，脚3为C
D ．无法判断
6．用直流电压表测量PNP 型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是 4.7B V V =-， 4.3C V V =-，4E V V =-，则该晶体管的工作状态是（）
A ．饱和状态
B ．放大状态
C ．截止状态
D ．无法判断 7．NPN 型和PNP 型晶体管的区别是（）
A ．由两种不同的材料硅和锗制成
B ．掺入的杂质不同
C ．P 区和N 区的位置不同
D ．电流放大倍数不同 8．当晶体管集电极电流大于它的最大允许电流CM I 时，该管子（）
A ．放大能力降低
B ．必定过热至烧毁
C ．仍能正常工作
D ．被击穿 9、判断下列各三极管的工作状态（设NPN 型为硅管，PNP 型为锗管）。