8550资料
8550典型开关电路
8550典型开关电路摘要：一、引言二、8550典型开关电路的基本原理1.电路组成2.工作原理三、8550典型开关电路的应用领域1.电子产品2.工业控制四、8550典型开关电路的优缺点1.优点2.缺点五、如何选择合适的8550典型开关电路1.了解需求2.参数选择3.品牌选择六、总结正文：一、引言8550典型开关电路作为一种广泛应用于电子设备和工业控制领域的电路，具有重要的实用价值。
本文将详细介绍8550典型开关电路的基本原理、应用领域、优缺点以及如何选择合适的8550典型开关电路。
二、8550典型开关电路的基本原理1.电路组成8550典型开关电路主要由四个部分组成：电源、开关、负载和保护元件。
电源为电路提供稳定的电压；开关控制电流的通断；负载接收和消耗电流；保护元件用于防止电路过载、短路等故障。
2.工作原理8550典型开关电路的工作原理如下：当开关接通时，电源向负载提供电流，实现电气设备的正常运行；当开关断开时，电源与负载断开联系，电气设备停止工作。
通过控制开关的通断，可以实现对电气设备的遥控、保护等功能。
三、8550典型开关电路的应用领域1.电子产品8550典型开关电路广泛应用于各类电子产品，如家用电器、通信设备、计算机等。
通过使用8550开关电路，可以实现对电源的管理和控制，提高产品的性能和可靠性。
2.工业控制在工业控制领域，8550典型开关电路同样具有重要作用。
例如，在自动化生产线、机器人控制等方面，可以通过8550开关电路实现对设备的精准控制，提高生产效率。
四、8550典型开关电路的优缺点1.优点8550典型开关电路具有以下优点：（1）结构简单，可靠性高，易于维护；（2）控制精度高，响应速度快；（3）适用范围广泛，可满足不同场合的需求。
2.缺点8550典型开关电路的缺点主要包括：（1）对电源和负载的适应性较差，需根据实际应用场景进行选型；（2）开关元件的寿命有限，长期运行可能导致故障。
五、如何选择合适的8550典型开关电路1.了解需求在选择8550典型开关电路时，首先要了解电源、负载以及工作环境等具体需求。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1108050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
8550引脚图
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2 电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（T a=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A
电参数（T a=25℃）（封装形式：TO-92）。
2sc8550规格书
2SC8550规格书1. 引言2SC8550是一种NPN型晶体管，常用于低功耗放大电路、开关电路和电源管理等应用。
本文将对2SC8550的规格进行详细介绍。
2. 2SC8550规格概述2SC8550是一种表面贴装封装的晶体管，具有以下主要规格：2.1 封装形式2SC8550采用SOT-23封装形式，尺寸为3.0mm x 1.3mm x 1.1mm。
该封装形式适用于高密度集成电路的应用，具有较小的体积和重量。
2.2 最大耐压2SC8550的最大耐压为50V，适用于低压电路应用。
2.3 最大电流2SC8550的最大连续电流为150mA，最大峰值电流为300mA。
这使得2SC8550适用于低功耗应用，如便携式电子设备。
2.4 最大功耗2SC8550的最大功耗为200mW，具有较低的能耗特性。
2.5 频率特性2SC8550的最大工作频率为100MHz，具有较高的工作频率能力。
3. 2SC8550电特性2SC8550的电特性对于电路设计和应用非常重要，下面将详细介绍几个关键的电特性。
3.1 饱和电压2SC8550的饱和电压为0.2V，这是指在基极电流为10mA时，集电极和发射极之间的电压。
3.2 基极漏电流2SC8550的基极漏电流为50nA，这是指在基极电压为50V时，集电极和发射极之间的漏电流。
3.3 放大倍数2SC8550的直流放大倍数（hFE）为120至400之间。
这是指在特定工作条件下，输入电流与输出电流之间的比值。
3.4 输入电容2SC8550的输入电容为8.0pF，这是指在特定频率下，输入端所具有的电容。
4. 2SC8550应用2SC8550可以广泛应用于各种电子设备和电路中，下面列举几个常见的应用场景。
4.1 低功耗放大电路由于2SC8550具有低功耗和较高的放大倍数特性，因此常用于低功耗放大电路的设计中。
4.2 开关电路2SC8550的速度较快，适用于开关电路的驱动。
它可以实现高频率的开关操作。
三极管的主要参数
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-908550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-1409011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压30V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.03A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP集电极-发射极电压-30V集电极-基电压-40V射极-基极电压-5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压25V集电极-基电压45V射极-基极电压5V集电极电流0.5A耗散功率0.625W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压45V集电极-基电压50V射极-基极电压5V集电极电流0.1A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率最小150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9015 结构：PNP集电极-发射极电压-45V集电极-基电压-50V射极-基极电压-5V集电极电流0.1A耗散功率0.45W结温150℃特怔频率平均300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000 9016 结构：NPN集电极-发射极电压20V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.025A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压15V集电极-基电压30V射极-基极电压5V集电极电流0.05A耗散功率0.4W结温150℃特怔频率平均620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
8550、8050引脚参数
8550、8050引脚参数/piane/blog/item/6a3983b4815bcdc736d3cadb.html8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.<三极管8550管脚图>1.发射极2.基极3.集电极8550参数:集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃to +150℃和8050（NPN）相对贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.--------------------------------------------------------------8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz8050引脚图芯片尺寸：4 英寸（100mm）芯片代码：C060AJ-00芯片厚度：240±20μm管芯尺寸：600×600μm 2焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝背面金属：金典型封装：S8050，H8050极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度-55~150℃Tj——结温150℃PC——集电极耗散功率1WVCBO——集电极—基极电压40VVCEO——集电极—发射极电压25VVEBO——发射极—基极电压6VIC——集电极电流1.2A电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）。
8550典型开关电路
8550典型开关电路（原创版）目录1.8550 典型开关电路概述2.8550 典型开关电路的工作原理3.8550 典型开关电路的应用领域4.8550 典型开关电路的优缺点正文一、8550 典型开关电路概述8550 典型开关电路，是一种广泛应用于电子领域的基础电路，其主要功能是在输入电压达到一定值时，使输出电压发生跳跃式变化。
这种电路具有结构简单、稳定性高、响应速度快等特点，因此在各种电子设备中都有应用。
二、8550 典型开关电路的工作原理8550 典型开关电路的核心元件是场效应管（FET），其工作原理主要依赖于场效应管的开关特性。
当输入电压低于一定值时，场效应管处于截止状态，输出电压为一个固定值；当输入电压高于一定值时，场效应管进入导通状态，输出电压发生跳跃式变化。
通过调整场效应管的导通电压，可以实现对输出电压跳跃幅度的控制。
三、8550 典型开关电路的应用领域8550 典型开关电路在电子领域具有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1.电源开关：在稳压电源、直流电机调速、电压跳跃式调节等领域，8550 典型开关电路可以实现高效、快速的电压切换。
2.信号处理：在信号发生器、脉冲发生器、振荡器等信号处理设备中，8550 典型开关电路可以实现信号的快速切换和调节。
3.通信领域：在无线通信、数据传输等领域，8550 典型开关电路可以实现信号的调制和解调。
4.工业控制：在工业自动化控制、机器人控制等领域，8550 典型开关电路可以实现对执行器的快速控制。
四、8550 典型开关电路的优缺点8550 典型开关电路具有以下优缺点：优点：1.结构简单：电路中主要采用场效应管，结构简单，易于实现。
2.稳定性高：电路具有较高的稳定性，工作可靠性好。
3.响应速度快：场效应管的开关速度较快，使得电路具有较快的响应速度。
4.控制灵活：通过调整场效应管的导通电压，可以实现对输出电压跳跃幅度的控制。
缺点：1.输出电压跳跃幅度受限：由于采用场效应管，其输出电压跳跃幅度受到限制，不适用于对电压跳跃幅度要求较高的场合。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
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Parameter Collector-base breakdown
Ic= -100μA , Ic=- 0.1 mA， IE=-100μA， VCB= -40 VCE=-20 VEB= - 3 VCE= -1 V, VCE= -1 V, V, V, V，
CLASSIFICATION OF HFE(1)
Rank Range B9C
120-200
B9D
160-300
B9E
280-400
Rank Range B 85-160 C 120-200 D 160-300
S8550LT1
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR: (PNP) FEATURES
Die Size 0.44*0.44mm Power dissipation PCM : 225mW（Tamb=25℃） Collector current ICM : 0.5A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40V
MIN
30 21 5.0
TYP
MAX
UNIT
V V V
Collector-emitter breakdown Emitter-base breakdown current current
voltage
Collector cut-off Emitter cut-off
1.0 100 120 40 500 1.2 1.0 400
- 40
- 25 -5
- 0.1 - 0.2 - 0.1
300
Collector-emitter breakdown Emitter-base breakdown current current current
voltage
Collector cut-off Collector cut-off Emitter cut-off
S8550
TRANSISTOR (PNP)
Tቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ-92
FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W（Tamb=25℃） Collector current A ICM : - 0.5 Collector-base voltage V(BR)CBO : - 40 V
1 2 3
μA μA μA
IC= 50mA IC= 500mA
DC
current
gain(note) HFE（2）
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation Base-emitter voltage voltage
VCE(sat) VBE(sat) VBE
1. EMITTER 2. BASE
3. COLLECTOR
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ （ ℃
Symbol voltage voltage V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO HFE（1）
unless otherwise specified） ）
µA nA
DC
current
gain(note) HFE（2）
Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation Base-emitter voltage voltage
VCE(sat) VBE(sat) VBE(on)
mV V V
IC=-500mA, IB= 50 mA IC=-500mA, IB= 50 mA IE=-100mA VCE=- 6 V, IC=-20mA 150
- 0.6
V V V
- 1.2
- 1.4
Transition
frequency
fT
MHz
f = 30MHz
CLASSIFICATION OF HFE(1)
Symbol
V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO HFE（1）
Test conditions
Ic= 100µA , IE=0 Ic= 1 mA，IB=0 IE= 100µA，IC=0 VCB= 30V , IE=0 VEB= 5V，IC=0 VCE= 1V, IC= 150mA VCE= 1V, IC= 500mA IC= 500mA, IB= 50 mA IC= 500mA, IB= 50 mA IC= 10mA, VCE =1V
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORS
SOT—23 —
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified） （ ℃ ）
Parameter
Collector-base breakdown voltage voltage