SCMT474K601H725-F中文资料
国祥空调说明书
国祥空调说明书国祥空调说明书篇一：国祥风冷模块安装使用说明书篇二：空调控制板维修中央空调控制维修关键词电子膨胀阀故障检测及修理方法富田螺杆机组配置广州大麦空调控制器格力中央空调外置电子膨胀阀结构降膜螺杆机组如何控制西臣仕中央空调系统电脑控制汇中地源热泵空调说明书克莱门特中央冷暖空调控制电路 sink空调空气处理机组线路板海润空调风冷模块机组安装图纸水源热泵监控系统枫叶能源空调水机组故障代码热泵电子膨胀阀故障聊城麦克维尔地源热泵奇威特中央空调空调电子膨胀阀维修指引奇威特控制器模块机通用电路板电子膨胀阀接线图电子膨胀阀原理空调板式换热器冻坏中央空调空调FERDLIS 约克YCAE-BC使用说明中央空调通用控制器空调风冷模块通用电脑板蒋立天加天加蒋立螺杆水冷空调液晶线路板空调电路板接线中央空调市场占有率空调监控 GPRS模块空调遥控器维修中央空调压缩机保养图片格力201X上半年销售额富田中央空调主板汇中中央空调喷液压缩机麦克维尔热泵控制板伯瑞斯B-8空调天津开利螺杆冷水机组主板谷轮压缩机内部结构天加空调蒋立中央空调接线图空调开关电源的原理欧科中央空调简介麦克维尔风冷模块机组报压缩机过载电子膨胀阀原理图中央空调PLC系统中央空调因电造成故障空调使用年限规定电子膨胀阀门的原理模块机万能控制板伯瑞斯空调格力201X年上半年销售额约克空调机型 C002.MCB.P:003. 中央空调电脑远程控制器空气处理机组电路板地源热泵空调品牌空调变频通用板 carel easytls编程软件下载 eurklimat 空调器充注制冷剂海润通家用智能化控制惠康别墅式水冷冷/热家用中央空调使用说明书空调触摸屏控制面板惠康螺杆式中央空调新晃工业株式会社集团在日本公司地址中央空调电路板接线空调全部工具枫叶能源空调水机故障代码风冷空调控制板海润通控产品 EK户式风冷热泵空调电路板维修视频空调电子膨胀阀电子膨胀阀测试美的MDV4商用中央空调室内机故障代码查询约克冷水机电路板维修中央空调通常都会显示通讯故障空调线控器用什么协议通用螺杆空调触摸屏中央空调数据故障报警是什么原因奇威特水机说明伯瑞斯空调说明书空调室内机电子膨帐阀接线图中央空调机通用电路板美的mdv4空调维修手册 YCE30SMC主机参数 sink空调的技术文档空调维修专业工具聊城水地源热泵空调招聘空调电路板维修电子膨胀阀中央plc可编程控制空调螺杆压缩机 tcl 空调面板可设置密码？大金帕缔能单相压缩机空调维修需要的工具电子阀线圈的阻值中央空调维修工具浙江国祥螺杆水(地)源热泵机组调试方法空调市场占有率排名枫叶中央空调麦克维尔m-cud220b5y 家用中央空调控制开关麦克维尔型号MDS200BR 螺杆式冷水机组控制电路维修视屏风冷模块更换通用主板克莱门特3000地热中央空调系统变频空调通用版空调出风口正对着沙发离心中央空调机通用板刘结果水源热泵线路板汇中戈特尔空调空调控制原理图深圳海润通控电子膨胀阀空调老式中央空调壁挂机控制电路图克莱门特3000 中央空调水机国翔空调控制接线 ycae130 天加空调蒋立篇三：中央空调调查报告中央空调调查报告一、中央空调分类（一）中央空调根据冷媒不同，可分为风管式系统、冷热水机组系统和多联机型系统。
可靠性测试设备(修改)
弧中心至试样的距离： 300mm
黑标温度计（BPT）： 65℃±3 ℃ SN-900B
冷却类型： 空气冷却型
UV老化试验机
样品板尺寸：60*95*5mm3 辐照强度：0.25~1.55W/m2/nm (共48 个样品板) 黑板温度(BPT)： 光照时：50~85℃ 黑暗时：40~60 ℃
功能：模拟自然光中的紫外能谱对塑料、
料、涂料、橡胶材料进行光辐射老化
试验。
常用标准： ASTM G155-2005、ISO4892.22006、GB/T 16422.2-1999、DELL及HP标准
Q-sun xe-3-HBS
氙灯耐气候老化试验箱
辐照强度： 550W/m2 ; 1000W/m2
试样旋转筐转速： 1r/min (1~10r/min可调)
涂料、橡胶材料进行紫外光辐射 老化试验。 QUV spray
常用标准： ASTM G155-2005、ISO4892.2-2006、GB/T 16422.2-1999、 DELL及HP标准
色差仪
所用光源： D65、F02、TL84、U3000 测色模式： SCI（包含光泽度） SCE（不包含光泽度） 观色角度：10°（常用）、2 °
盐雾试验箱
内箱尺寸： 90*60*50cm3 用 途 ： 可完成涂层、镀层产品的中性 盐雾、酸性盐雾、铜加速酸性 盐雾及交变盐雾。 常用标准： ASTM B117-03、 ISO9227-2006、 GB/T 10125-1997、 GB/T2423.7-2008.
JW-90-BS
交变盐雾试验箱
适用范围： 本燃烧试验装置适用于鉴别汽车内饰材 料水平燃烧特性。
常用标准： GB8410-2006、TL1010、
中频吨位与功率配制表
额定 目标 熔解 熔解 熔解功 频率 温度 时间 能耗 率 HZ ℃ min Kwh/t T/h 564 0.6
1000 1500 50
1500 45
537
1.33
MFF Fe 1500K 铸铁 1500 1100 300 G/1100KW MFF Fe 2000K 铸铁 2000 1500 300 G/1500KW MFF Fe 3000K 铸铁 3000 2200 300 G/2200KW MFF Fe 4000K 铸铁 4000 3000 300 G/3000KW MFF Fe 5000K 铸铁 5000 3500 300 G/3500KW MFF Fe 6000K 铸铁 6000 3500 300 G/3500KW 1500 55 513 6.55 1500 46 510 6.52 1500 43 511 5.58 1500 44 513 4.09 1500 43 520 2.79 1500 45 527 2
MFF Cu 1500K 铸铜 1500 1200 500 G/1100KW MFF Cu 2000K 铸铜 2000 1500 500 G/1500KW MFF Cu 3000K 铸铜 3000 1800 500 G/1800KW MFF Cu 5000K 铸铜 5000 2700 500 G/2700KW MFF Cu 5000K 铸铜 5000 3000 500 G/3000KW 1200 37 354 8.11 1200 42 355 7.14 1200 38 357 4.74 1200 30 358 4 1200 31 363 2.9
容量 功率 型号 MFF St 750KW MFF St 1100KW MFF St 1500KW MFF St 2200KW MFF St 2700KW MFF St 3500KW 1000KG/ 1500KG/ 2000KG/ 3000KG/ 4000KG/ 5000KG/ 材料 KG KW
SCM474K601H7P29-F中文资料
Type SCM Single/Dual IGBT Snubber Capacitor ModulesApplicationsUse style SCM as a discharge restrictive de-coupling to protect dual IGBT modules from overvoltage, Figure 1. Style SCM may also be used as an “N” or “P” type snubber component for a clamp snubber where single IGBT modules are used, Figure 2.HighlightsMount directly to the IGBT module • Low inductance • Low Loss• Hyperfast diodes integrated into package• 1 or 2 wire taps for connecting external resistor • Flame resistant case and epoxy, meets UL 94V0• Other terminal pitches and capacitance values •available.Discharge Restrictive De-coupling The circuit in Figure 1 operates on the same principles as the de-coupling capacitor, but only during turn-offswitching. As the IGBT turns off, energy trapped in the loop inductance is transferred to the capacitor. Thediode blocks oscillations from occurring and excess charge on the capacitor is discharged through the external resistor.RCD Clamp The function of this snubber is similar to a clamp, Figure 2. At turn-off, the snubber diode is forward biased andthe snubber is activated. The energy trapped in the stray inductance is absorbed by the snubber capacitor. During turn-on the snubber caps that were fully charged to bus voltage have a discharge path through the forward biased free-wheel diode, the IGBT, and the snubber resistors. This reduces the reverse recovery voltage transient.Figure 1Style SCM Discharge restrictive decoupling usedto protect dual IGBT modulesFigure 2Style SCM “P” type and “N” type used as a clamp to protect an inverter using two “single” IGBT modulesDual IGBT ModuleSCM “N” Type ModuleExternal ResistorSingle IGBT ModuleSingle IGBT Module SCM “P” Type ModuleSCM “N” Type ModuleExternalResistorComplies with the EU Directive 2002/95/EC re-quirement restricting the use of Lead (Pb), Mer-cury (Hg), Cadmium (Cd), Hexavalent chromium (Cr(VI)), PolyBrominated Biphenyls (PBB) and PolyBrominated Diphenyl Ethers (PBDE).元器件交易网Type SCM Single/Dual IGBT Snubber Capacitor ModulesTypical Application Diode CharacteristicsIGBT ModuleIpk Ipk DimensionsCatalog Cap S=Single Ic Vce Vrrm If Trr surge rep W L H P Part Number(µF)D=Dual (A)(V)Type (V)(A)(µs)(A)(A)(in)(mm)(in)(mm)(in)(mm)(in)(mm)SCM474K601H7N29-F 0.47S 200–300600N 600300.04030070 1.72543.82 2.20055.88 1.3434.04 1.14229SCM474K601H7P29-F 0.47S 200–300600P 600300.04030070 1.72543.82 2.20055.88 1.3434.04 1.14229SCM105K601H7N24-F 1.00D 100–200600N 600300.04030070 1.50038.10 1.87547.63 1.2531.750.94524SCM105K601H7P24-F 1.00D 100–200600P 600300.040300701.50038.10 1.87547.63 1.2531.750.94524SCM105K601H5N29-F 1.00S 300–400600N 600500.045500100 1.82546.36 2.22556.52 1.5038.10 1.14229SCM105K601H5P29-F 1.00S 300–400600P 600500.045500100 1.82546.36 2.22556.52 1.5038.10 1.14229SCM155K601H7N24-F 1.50D 200–300600N 600300.04030070 1.35034.29 2.20055.88 1.2030.480.94524SCM155K601H7P24-F 1.50D 200–300600P 600300.040300701.50038.10 1.87547.63 1.2531.750.94524SCM205K601H5N24-F 2.00D 300–400600N 600500.045500100 1.72543.82 2.20055.88 1.3434.040.94524SCM205K601H5P24-F 2.00D 300–400600P 600500.045500100 1.72543.82 2.20055.88 1.3434.040.94524SCM205K601H2N29-F 2.00S 400–600600N 6001000.0501000200 1.82546.36 2.22556.52 1.5038.10 1.14229SCM205K601H2P29-F 2.00S 400–600600P 6001000.0501000200 1.82546.36 2.22556.52 1.5038.10 1.14229SCM474K122H8N29-F 0.47S 200–3001200N 1200300.06530060 1.35034.29 2.20055.88 1.2030.48 1.14229SCM474K122H8P29-F 0.47S 200–3001200P 1200300.06530060 1.50038.10 1.87547.63 1.2531.75 1.14229SCM105K122H8N24-F 1.00D 100–2001200N 1200300.06530060 1.75044.45 2.50063.50 1.4737.340.94524SCM105K122H8P24-F 1.00D 100–2001200P 1200300.065300601.75044.452.50063.50 1.4737.340.94524SCM105K122H4N29-F 1.00S 300–4001200N 1200500.085500100 1.72543.82 2.20055.88 1.3434.04 1.14229SCM105K122H4P29-F 1.00S 300–4001200P 1200500.085500100 1.82546.36 2.22556.52 1.5038.10 1.14229SCM155K122H8N24-F 1.50D 200–3001200N 1200300.06530060 1.75044.45 2.50063.50 1.4737.340.94524SCM155K122H8P24-F 1.50D 200–3001200P 1200300.065300601.82546.362.22556.52 1.5038.100.94524SCM205K122H4N24-F 2.00D 300–4001200N 1200500.065500100 2.12553.98 2.50063.50 1.7043.180.94524SCM205K122H4P24-F 2.00D 300–4001200P 1200500.065500100 2.12553.98 2.50063.50 1.7043.180.94524SCM205K122H1N29-F 2.00S 400–6001200N 12001000.0901000200 2.12553.98 2.50063.50 1.7043.18 1.14229SCM205K122H1P29-F 2.00S400–6001200P12001000.0901000200 2.12553.98 2.50063.50 1.7043.181.14229Ipk surge at 25 °C and Ipk repetitive at 25 °C and 20 kHz.RatingsL Max.H Max.5 mm8 mmUL 1015 AWG 18L = 22 mm min16 mm15 mm7 mm diaP ±1.0 mmECW Max.元器件交易网。
施耐德装置应用指南
1000 V
1000 V
1000 V
1000 V
3或4
3或4
3或4
3或4
30 kW 55 kW 59 kW 59 kW 75 kW 80 kW 65 kW
40 kW 75 kW 80 kW 80 kW 90 kW 100 kW 65 kW
55 kW 90 kW 100 kW 100 kW 110 kW 110 kW 100 kW
i
选型指南
应用
TeSys 接触器
115 至 2750 A
控制所有类型的电动机，适用于标准和重载应用 控制电阻、电感和电容性电路：加热、照明、功率因数补偿、变压器 常规 - 备用电源
额定工作电流 额定工作电压
Ie max AC-3 (Ue ≤ 440 V)
Ie max AC-1 (θ ≤ 40 °C)
F 型电子式热过载继电器
● 概述、说明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2/2 ● 特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2/3 ● 型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2/6 ● 辅助模块与附件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2/8 ● 尺寸、线路图、设置说明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2/10
72425资料
SPICE Device Model SUP80N15-20LVishay SiliconixThis document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate data sheet of the same number for guaranteed specification limits.Document Number: 72425 N-Channel 150-V (D-S) 175°C MOSFETCHARACTERISTICS• N- and P-Channel Vertical DMOS • Macro Model (Subcircuit Model) • Level 3 MOS• Apply for both Linear and Switching Application • Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery CharacteristicsDESCRIPTIONThe attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the −55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0 to 10V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias near the threshold voltage.A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties of the switched C gd model. All model parameter values are optimized to provide a best fit to the measured electrical data and are not intended as an exact physical interpretation of the device.SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATICSPICE Device Model SUP80N15-20L Vishay Siliconix Document Number: 72425SPECIFICATIONS (T J = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Test ConditionsSimulatedDataMeasured DataUnitStaticGate Threshold Voltage V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 µA 1.7 V On-State Drain Current aI D(on)V DS = 5 V, V GS = 10 V 314 AV GS = 10 V, I D = 30 A0.016 0.016 V GS = 10 V, I D = 30 A, T J = 125°C 0.023 V GS = 10 V, I D = 30 A, T J = 175°C0.026 Drain-Source On-State Resistance ar DS(on)V GS = 4.5 V, I D = 20 A0.017 Ω Forward Transconductance a g fs V DS = 15 V, I D = 30 A 93 S Forward Voltage aV SDI S = 80 A, V GS = 0 V0.921V Dynamic bInput Capacitance C iss 6590 6500Output CapacitanceC oss 510 520 Reverse Transfer Capacitance C rssV GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz 320 270Pf Total Gate Charge cQ g 114 110Gate-Source Charge c Q gs 21 21 Gate-Drain Charge c Q gdV DS = 50 V, V GS = 10 V, I D = 80 A 33 33NC Turn-On Delay Time c t d(on) 176 20Rise Time ct r 43 100 Turn-Off Delay Time ct d(off) 43 70 Fall Time ct fV DD = 50 V, R L = 0.93 ΩI D ≅ 80 A, V GEN = 10 V, R G = 2.5 Ω 49 135NsNotesa. Pulse test; pulse width ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2%.b. Guaranteed by design, not subject to production testing.c. Independent of operating temperature.SPICE Device Model SUP80N15-20LVishay SiliconixDocument Number: 72425 COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (TJ =25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)。
施耐德7.2kV-40.5kV FP系列户内高压六氟化硫断路器
7.2-40.5kV FP 系列 户内高压六氟化硫断路器
目录
介绍 ............................................................................................... 2 前言 ........................................................................................................... 2 标准..................................................................... 2 用户受益 .................................................................................................... 2
外形及安装尺寸图 .........................................................................11 手车式 .......................................................................................................11
7.2-40.5kV FP 系列
户内高压六氟化硫断路器
产品目录
施耐德电气
善用其效 尽享其能
全球能效管理专家施耐德电气为世界100多个国家提供整体解决方案，其中在能源与基 础设施、工业过程控制、楼宇自动化和数据中心与网络等市场处于世界领先地位，在 住宅应用领域也拥有强大的市场能力。致力于为客户提供安全、可靠、高效的能源， 施耐德电气2010年的销售额为196亿欧元，拥有超过110,000名员工。施耐德电气助 您——善用其效，尽享其能！
辽宁电动截止阀参数
辽宁电动截止阀参数
辽宁电动截止阀是一种用于控制管道流体的阀门，具有很强的控制性能和可靠性。
以下是该电动截止阀的主要参数介绍：
一、结构特点：
1.本产品结构简单、体积小、重量轻，安装方便，其结构设计满足了现代化流体控制技术的要求。
2.采用先进的电动执行器和智能化控制系统，使本产品的性能和使用寿命大大提高。
3.选用高强度不锈钢制造出的阀杆和波纹管，保证了阀门的可靠性和耐用性。
4.采用硬质合金密封材料，使其密封性能可靠，能耐高温、高压等恶劣环境。
二、主要参数：
1.公称压力：PN10~PN160
3.密封性能：零泄漏
4.安装形式：法兰式、对夹式、螺纹式等
5.介质温度：≤180℃,≤230℃,≤450℃
6.操作方式：手动、电动、气动
7.适用介质：液体、气体、蒸汽、油品等。
三、技术参数：
1.密封材料：硬质合金
2.阀杆材料：2Cr13
3.执行器电压：AC220V、AC380V
4.电动执行器功率：400W、750W、1200W等
5.打开/关闭时间：15S，60S，90S等
以上为辽宁电动截止阀的主要参数介绍，该阀门采用先进的技术和材料，设计紧凑，操作方便，能够适应各种介质和工作条件，是现代化流体控制系统的重要组成部分。
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Type SCMT Single/Dual IGBT Snubber Capacitor Modules
Applications
dual IGBT modules from overvoltage, Figure 1. Style SCMT
clamp snubber where single IGBT modules are used, Figure 2. Highlights
•Mount directly to the IGBT module• 1 or 2 wire taps for connecting external resistor
•Low inductance• Flame resistant case and epoxy, meets UL 94VO •Low Loss• Other terminal pitches and capacitance values available.•Hyperfast diodes integrated into •
package
Discharge Restrictive De-coupling
same principles as the de-coupling capacitor, but only during turn-off switching. As the IGBT turns off, energy trapped in the loop inductance is transferred to the capacitor. The diode blocks oscillations from occurring and excess charge on
resistor.RCD Clamp
The function of this snubber is similar to a clamp,
biased and the snubber is activated. The energy trapped in the stray inductance is absorbed by the snubber capacitor. During turn-on the snubber
a discharge path through the forward biased
resistors. This reduces the reverse recovery voltage transient.
元器件交易网
SCMT型 单个或双个IGBT突波吸收密封盒装电容器
使用SCMT型目的就像是放电限制分离耦合，是保护双IGBT模块。
用途
如图1，SCMT型也是有“N”型或“P”型突波吸收电容，各对一个IGBT.。
特点
可直接安装在IGBT上低电感
低损耗
内装快恢管一条或者两条引线可连接到电阻上UL94VO阻燃环氧树脂封装
各种间距的电容器可供选择
使用环保材料
放电限制分离偶合
在图1中的线路中操作上与放电限制分离耦合一样，
但只有在关閉转换时，
当IGBT关的时候，感性线圈中的能量被转移到电容上。
从充电到充电过于饱和，通过电容内部电阻，二极管阻止了振荡。
这种突波吸收功能就像一个夹子，如图2，在关断时，于是就产生了突波吸收的作用。
感性线圈中产生的能量被突波吸收电容吸收了. 当打開时，突波吸收电容
通过母线电压充至饱和，放电回路二极管的正向偏置，IGBT，突波吸收电容电阻。
这样会减少反向瞬间电压. RCD吸收回路
Style SCMT Discharge restrictive decoupling used
to protect dual IGBT modules
External Resistor
Dual IGBT Module
SCMT “N” Type Module
Style SCMT “P” type and “N” type used as a clamp to protect an inverter using two “single” IGBT modules.
SCMT Single “P” Type Module
IGBT Module
Single IGBT Module
SCMT “N” Type Module
W ±1.0
H ±1.0
L ±1.0
C
14 mm
16 mm
9 mm
P
5 mm
E
UL 1015 AWG 18L = 200 mm
6.5 to 8.5 mm slot
Dimensions in millimeters (mm)
SCMT “P”型模块
[*] Specify “N’ or “P” Type
SCMT
105
K
122H1
N
28
–F
Tol.Voltage Polarity Pitch
RoHS
105 = 1.0 µF
K = 10%601 = 600V 25 = 25mm –F = RoHS J = 5%
122 = 1200V
table for
28 = 28mm Compliant。