6 2-6微细图形曝光中的728
曝光补偿有什么使用指南
曝光补偿有什么使用指南不同亮度与18度灰如果我们使用自动相机在不同的时间在不同的场景中拍照，我们会发现，虽然光强度变化很大，但拍摄的照片的亮度没有很大差异。
这是因为当相机处于自动档位时，它会根据测光系统设置相应的光圈、快门和灵敏度，以便拍摄18度灰度的照片——不太亮，也不太暗，恰到好处。
如果对恰到好处的亮度进行量化，则中等亮度图片的曝光补偿为0。
一张曝光补偿为0的照片普通相机的曝光补偿是从-2到+2，一些高级相机是从-3到+3。
对于同一场景拍摄，曝光补偿为-1的照片的亮度是曝光补偿为0的照片的一半，曝光补偿为-2的照片的亮度是曝光补偿为0的照片的1/4。
相反，曝光补偿为+1的照片的亮度是曝光补偿为0的照片的两倍。
为什么要用曝光补偿对于很多场景18度灰并不是一个很好的亮度。
比如我们拍摄雪景时，相机的测光系统不会知道这是雪，是白色的，只会傻傻地认为这里太亮了，所以如果曝光补偿是0的时候拍摄出来的雪景就是一片被“灰”雪覆盖的场景。
如果我们拍摄的是煤场，相机会傻傻地认为这里太暗了，如果曝光补偿是0的时候拍摄出来的照片里会都是“灰”煤。
这些都不是我们想要的。
因此，在拍摄雪景时，应适当增加曝光补偿，使雪白；在拍摄煤堆时，我们需要减少曝光补偿，以便拍摄煤黑。
适当增加曝光补偿雪才是白色的对于初学者，请记住曝光补偿不会出错：曝光补偿与拍摄期间的环境亮度无关，只与拍摄照片的亮度有关。
即使周围是黑暗的，如果加上曝光补偿，最终的照片仍然是明亮的；即使周围的灯光很亮，如果曝光减少并得到补偿，最终的照片也会变暗。
何时何地用曝光补偿从上面的描述我们知道，其实曝光补偿都是在一些特殊场景或者特殊情况下才调整的。
比如你拍摄的物体本身比较亮，在画面中占了很大面积，为了体现物体本来的亮度就要把照片拍摄亮，就要增加曝光补偿。
同理，如果物体本身较黑，在画面中占了很大面积，为了体现物体本来的颜色就要把照片拍暗，就要减少曝光补偿。
此外，有时我们想要表达一个愉快的场景，这也会增加照片的亮度和曝光补偿。
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六微机制内容
六微机制内容
六微机制是一种光学镜头技术，基于六个微镜片的组合。
每个微镜片都具有不同的形状和功能，可以控制入射光线的传播路径和焦距。
六微机制可以实现不同焦距和视场范围的手机摄像头，提供更广阔的拍摄角度和更清晰的图像质量。
具体来说，六微机制由以下六个微镜片组成：
1. 长焦微镜片：具有较长的焦距，适用于远距离拍摄，可以获得更近似于人眼观察的视角。
2. 宽焦微镜片：具有较短的焦距，适用于广角拍摄，可以捕捉更广阔的景象，适合拍摄风景、建筑等大范围场景。
3. 超微镜片：具有非常短的焦距，可以实现微距拍摄，捕捉细节清晰、放大倍数较高的图像。
4. 深度微镜片：具有可调焦距，可以改变景深的范围，实现焦点前后的清晰效果，适用于人像摄影和艺术效果。
5. 相位微镜片：通过调整光线的相位差，可以实现更快的自动对焦和更高的对焦精度，提高拍摄的速度和质量。
6. 光学稳定微镜片：通过稳定光学元件的位置，可以抵消手持拍摄时的晃动，提供更稳定的图像和视频质量。
通过六微机制的组合和切换，手机摄像头可以根据不同的拍摄
需求灵活选择合适的微镜片，提供更多样化的拍摄功能和更高质量的图像效果。
如何判断一张照片的曝光是否完全准确解读
如何判断一张照片的曝光是否完全准确以这幅图片为例：先介绍一下直方图最基础的知识吧。
直方图的横轴从左到右表示亮度的越高，纵轴从下到上表示像素越多。
亮度从0—255。
0表示黑，255表示白，如果某个地方的峰越高，表示在这个亮度下的像素越多。
拿这个直方图来说，它的分布是非常均匀的，说明各个亮度区间的像素分布是很均匀的。
弄懂了上面这几句话，你对直方图就有了一个最基本的了解了，但实际上直方图的东西还有很多很多。
我问一个问题：两个直方图完全一样的图片，两幅图片的画面就一定是一样的吗？答案当然是NO，因为直方图它记录的是像素的亮度信息，换言之，我们把上面所有的像素都不改变，只是改变它们的相对位置，直方图一点儿都不会改变，但画面内容可能就脱胎换骨了。
理解上面这一点很重要，对于我们理解直方图的本质有很大帮助。
好吧，上面的都是一些人尽皆知的知识，下面的才是我要讲的。
回到这幅图。
这幅图右边有色阶，数量，百分比这几个参数，它们的含义是什么呢？大家打开直方图，把你的鼠标放在直方图的某个位置，就会出现这三个参数，它们分别代表：色阶：指针所在地方的亮度，即从０—２５５的某个值。
数量：在这个亮度下的像素值，比如上面这幅图的意思就是在１３８这个色阶下，有１９１５个像素。
百分比：当前色阶在整个色阶中的位置。
好吧，上面这个还有进阶的知识。
当你按住鼠标左键往右拉的时候，你会发现它们有变化。
色阶：你选取的色阶的范围，比如上面这个就是从１１５到２１６这个范围的色阶。
数量：在这个范围下的像素总数。
等等，有人会说，这个照片的像素总数才２０７２８４，怎么这个范围下的像素就有２２７７２８呢？这不是自相矛盾吗？非常好的观察力，因为我是选的ＲＧＢ通道，像素总数是要乘以三的，后面我会专门讲到各个通道的。
百分比：这里的百分比就不是位置的百分比了，而是你选取的范围的像素在整个像素中的百分比。
好吧，经过上面的学习，你又进一步了解了直方图了，但还不够，还有更复杂的。
山东省临沂市2024高三冲刺(高考物理)人教版测试(强化卷)完整试卷
山东省临沂市2024高三冲刺（高考物理）人教版测试(强化卷)完整试卷一、单项选择题（本题包含8小题，每小题4分，共32分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）(共8题)第(1)题翡翠文化在我国源远流长，翡翠手镯一直以来都备受人们的喜爱。
翡翠的折射率是鉴定翡翠的重要依据之一，某位同学想亲自鉴定一下家里的一块环形翡翠手镯，他将手镯平放在水平桌面上，过环心的横截面如图所示（俯视图），内圆的半径为r。
图中AB是过环心O的一条直线，该同学用激光笔发出一细光束平行于AB射入手镯，调整光束与AB的距离d，使光束折射后在内环面上恰好发生全反射（不考虑多次折射和反射）。
则下列说法正确的是（ ）A．光线由空气进入翡翠手镯后，传播速度变大B．光束与AB的距离d与内圆的半径为r大小相等C．减小光束与AB的距离d，光束折射后在内环面上仍能发生全反射D．增大光束与AB的距离d，光束折射后不经过内环面，直接照射到外环面，则有可能在外环面发生全反射第(2)题如图所示是建筑工地上起吊重物的吊车，某次操作过程中，液压杆收缩，吊臂绕固定转轴O顺时针转动，吊臂边缘的M、N两点做圆周运动，O、M、N三点不共线，此时M点的角速度为ω。
已知MN=2OM=2L，则下列说法正确的是（ ）A．M点的速度方向平行于N点的速度方向B．N点的角速度C．N点的向心加速度大小D．M、N两点的线速度大小关系为第(3)题如图所示是某款手机防窥屏的原理图，在透明介质中有相互平行排列的吸光屏障，屏障垂直于屏幕，可实现对像素单元可视角度θ的控制（可视角度θ定义为某像素单元发出的光在图示平面内折射到空气后最大折射角的2倍）。
发光像素单元紧贴防窥屏的下表面，可视为点光源，位于相邻两屏障的正中间。
不考虑光的衍射。
下列说法正确的是（ ）A．屏障的高度d越大，可视角度θ越小B．透明介质的折射率越小，可视角度θ越大C．防窥屏实现防窥效果主要是因为光发生了全反射D．防窥屏实现防窥效果主要是因为防窥屏使光的波长发生了变化第(4)题图甲所示为2019年日本发射货运飞船搭载的STARS-Me系列卫星，其包含两颗微小、犹如魔方大小的卫星，卫星之间通过一根细钢缆相连，它们以相同角速度环绕地球从东向西转动，其简化图如图乙所示，已知卫星A位于卫星B正下方，轨道高度均低于地球同步轨道，下列说法正确的是（）A．两颗卫星线速度均大于7.9km/sB ．根据公式，卫星A的线速度大于B的线速度C．卫星A与卫星B之间钢缆上可能没有力的作用D．当两颗卫星在赤道平面上方转动时，卫星A电势高第(5)题一无人机静止在水平地面上，启动后竖直上升，上升过程中加速度a随时间t的变化如图所示，下列判断正确的是（ ）A．无人机在与时刻的速度之比为B．无人机在与的位移大小之比为C．无人机在与所受合外力的冲量之比为D．与合外力对无人机做功之比为第(6)题篮球技巧表演赛是展示组织后卫水平的比赛其中一个环节是传球技巧，要求运动员拿球要准确传入正对面的球洞中、如图所示，运动员在距球洞前5m处传球，篮球以与水平面成45°的倾角准确落入球洞中心。
摄影曝光知识：曝光控制技巧——利用颗粒度及缩微效果控制曝光
摄影曝光知识：曝光控制技巧——利用颗粒度及缩微效果控制曝光摄影中，曝光是指控制图像中亮度和暗度的过程。
可以通过调节快门速度、光圈和ISO来控制曝光。
但是，除了这些基本方法，摄影师还可以使用一些非常有趣的曝光控制技巧，比如利用颗粒度和缩微效果。
颗粒度是指照片中的颗粒或噪点。
在胶片摄影时代，颗粒是不可避免的，对于喜欢胶片摄影的摄影师来说，这种颗粒也是照片的一种美感。
而在现代数码摄影中，数码噪点也可以达到相同的效果。
这些颗粒或噪点可以用来控制曝光，最终得到一张独特的照片。
利用颗粒度控制曝光的最简单方法是将ISO设置得非常高。
高ISO 会增加噪点的数量和大小，因此您可以选择高ISO，以增加图像中的阴影区域，尤其是在拍摄低光环境下的照片时效果更好。
清晰的防抖技术也可以帮助消除潜在的模糊问题，确保照片质量。
此外，在后期处理时，可以通过调节图像的曝光、对比度和亮度来增加或减少颗粒。
这种方法特别适用于黑白照片或高对比度场景，例如城市风光或夜晚街拍。
通过增加颗粒和噪点，照片中的视觉冲击力会更加强烈，同时也有可能更好地反映所拍摄到的现实状况。
另一种控制曝光的方法是缩微效果。
缩微镜头通常用于拍摄微不足道的日常事物，这种镜头也可以用于控制曝光。
缩微摄影是指将图像放大到更大的比例，从而使图像中的细节更加明显。
这个技巧在室内家居拍摄、人物特写拍摄时十分有用。
比如在照片的边缘加入更多的细节，这种特别的效果可以帮助制造出有趣的图像，使照片的焦点在视觉上任何时候都集中在较小的区域内。
最后，想要在摄影领域中掌握这些技巧并不容易，需要长时间的实践和经验积累，但只要您花点时间学习，掌握正确的技巧，就可以制作出一张独特、具有视觉冲击力的照片。
因此，希望大家在摄影路上不断发掘新的技巧和方法，并不断提升自己的技术盲区和技术能力，为自己的作品增添更多美感和个性。
微形摄像头工作原理
微形摄像头工作原理
嘿，朋友们！今天咱们来聊聊微形摄像头的工作原理，这可真是个有趣又神奇的东西呢！
想象一下，微形摄像头就像是一只超级小眼睛，它在暗中观察着周围的一切。
它主要是由镜头、图像传感器、处理器等这些重要部分组成的哦。
镜头就像是我们的眼睛晶状体，负责把外面的景象聚焦到图像传感器上。
这个图像传感器可厉害了，它就像是一个超级敏感的画布，能把光信号变成电信号。
就好像是一个魔法画布，能把光线的魔法转化为电子的奇妙信号。
然后呢，处理器就登场啦！它就像是一个聪明的小脑袋，把这些电信号进行处理和分析，让它们变成我们能看懂的图像。
是不是很神奇呀！
比如说，我们在生活中用手机上的微形摄像头拍照，当我们按下快门的时候，镜头就快速捕捉到眼前的画面，图像传感器立马行动起来，把光变成电，接着处理器迅速工作，一下子，我们就能在手机屏幕上看到清晰漂亮的照片啦。
总之，微形摄像头虽然小小的，但是它的工作原理却很精妙呢，让我们能随时随地记录下生活中的美好瞬间和有趣的事情。
怎么样，现在是不是对这个小小的神奇玩意儿有了更深入的了解呀！。
双重曝光六种模式的原理
双重曝光六种模式的原理
双重曝光是一种利用相机的多重曝光功能实现的特殊摄影技术，它将多张图片叠加在一起，创造出令人惊艳的影像效果。
以下是双重曝光六种模式的原理：
1. 正常模式：在每次曝光后，相机不会重置感光元件上的图像，而是将新曝光的图像与之前的图像叠加在一起。
这样，每次曝光的图像逐渐叠加，最终形成双重曝光的效果。
2. 明亮模式：相机在叠加图像时，会加强每个像素的明亮度。
这样，叠加的图像中亮部区域会更加突出，产生高光效果。
3. 暗调模式：相机在叠加图像时，会加强每个像素的暗调。
这样，叠加的图像中暗部区域会更加突出，产生阴影效果。
4. 中性模式：相机在叠加图像时，不会对像素的明亮度或暗调进行加强。
这样，叠加的图像中的亮暗部分保持原始的明暗关系。
5. 多重曝光模式：相机在每次曝光后，并不是只叠加两张图像，而是将新曝光的图像与之前的所有图像叠加在一起。
这样，曝光的图像会逐渐累积，产生更加复杂和纷杂的效果。
6. 反转模式：在每次曝光后，相机会反转感光元件上的图像。
这样，在叠加图
像时，亮区会变暗，暗区会变亮。
这种模式可以产生一些有趣的效果，如类似底片的负片效果。
这些原理可以根据不同相机品牌和型号而有所差异，具体操作方法可以参考相机的使用说明书。
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4.2光致刻蚀剂（光刻胶） 300-400nm负光致抗蚀剂 包括g线（435nm）、h线（405nm）和i线(365nm)所 用抗蚀剂。 国外OMR-85Kodak-KTFR和DQN胶;国内BN-310胶 优点：优异的抗酸抗碱性、良好的粘附性、高R和高S。 缺点：因γ小而造成曝光时间不当使R下降、用二甲苯 或烷烃类显影时易发生膨胀造成边缘毛刺、导热性 差和抗离子体刻蚀性弱，所以应用受限。 用途：5μm、2-3 μm分立器件和LSI制作。 发展：经化学增幅技术处理，分辨率可达1.9 μm左右
2013-7-24 8
Qi
3.3分辨率高
分辨率 R 即最小线宽。 分辨率受抗蚀剂材料本身因素（反差、灵敏 度、电子抗蚀剂中电子散射等）和曝光 （光 照、光刻系统工艺引起误差等）的限制。 从物理上，L受波长限制，根据测不准关系 h （ x p h ）、德布罗意波（ p ）和粒 1 2 子纯量关系（ E mv ）可求得：
2013-7-24 6
正性抗蚀剂归一化曲线
灵敏度取归一化厚度为零时的入射剂量。
归 一 化 厚 度
入射剂量
2013-7-24 7
3.2反差大
反差表征抗蚀剂对入射剂量变化敏感程度。一 般要求反差>1。 Q0 1 1 反差系数定义 (lg ) Q
Qi lg
0
Qi与Q0分别表示曲线直线部外推到归一化厚度为 1.0和零时对应的入射剂量。 二者靠的越近，表示γ越大，即越敏感，图形轮 廓越清楚，分辨率越高。一般γ在0.9-2之间。 为负cop抗蚀剂在0.9-1，正性PMMA一般为2。
2013-7-24
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4、抗蚀剂及其发展情况
4.1不同曝光方式的正负抗蚀剂及光刻灵敏度 见下表：
光刻中带电粒子束，灵敏度以C/cm2单位表示，在 10-5-10-7 C/cm2范围；光束灵敏度以mJ/cm2单位表 示，光子在10-100 mJ/cm2范围，有的以J/cm3表示。
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6、抗蚀剂的掩模作用
抗蚀剂上形成图形后就可以作掩蔽膜（掩 模）用。抗蚀剂掩模要与后续加工工 艺—加厚工艺和减薄工艺相容。
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6.1抗蚀剂掩模在加厚工艺中的作用
下页图示出加厚工艺具体实例—制作IC的金 属布线工艺，抗蚀剂图形轮廓作成底切式可避免 金属图形粘连（还有顶切式和直壁式软廓）。再 用剥离法去胶。 见下页图
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5、光刻胶与IC发展情况
表中给出集成度、CD、光源的发展进程
年 代 IC集成度 技术水平 μm 可能采用的光 刻技术
86年 89年 92年 95年 98年 2001年 2004年 2007年 2010年 1M 4M 16M 64M 256M 1G 4G 16G 64G
1.2
0.8
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436nm、365nm、正性抗蚀剂 国外用AX1350和OFPR等正性胶 优点：与负性胶相比，R高、抗蚀性强、 热性能好和去胶方便等。 应用：分立器件和LSI；尤其在0.8-1.2 μm，0.5-0.6 μm的SI制造几乎全部应用 这种正性抗蚀剂。
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DUV抗蚀剂 248nm（krF源）和193nm(ArF源)所用抗蚀 剂， 优点：波长短衍射作用小而R高、S高、γ高、 透射性好，与基片粘结性好，耐化学和耐 干法腐蚀性好。 应用：目前已广泛用于亚微米（0.25-0.35 μm ）SI和Mask制作中。 特殊工艺的ESCAP新胶：曝光后稳定可达7h， 而同一公司APFXZE胶稳定性仅15min。
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图中示出加厚工艺具体实例
曝光
显影
淀积金属
去胶
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6.2抗蚀剂掩模在减薄工艺中的作用
下页图中示出了利用抗蚀剂掩模的 裸露区，对其下面材料刻蚀加工使之 变薄的工艺，再进行离子注入工序。
见下页图
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抗蚀剂掩模在减薄工艺中的作用
曝光
显影
粒子束刻 蚀SiO2 去胶注入
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1.2抗蚀剂的作用，光学曝光在抗蚀剂 上形成微细图形，并且在后续工艺 中起到掩蔽膜作用。这个微细图形 是线束（三束中的任意一种）与抗 蚀剂材料相互作用并对其进行人为 控制的结果。
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2.抗蚀剂的特性
2.1工作原理 三束照射引起材料的化学和物理性能发生变化。其 取决 于聚合物的结构和转移的能量。从转移能量角 度，其取决于受照材料吸收能量，三束能量和数量。 2.2两种反应－交联与降解 以电子抗蚀剂为例说明之。该抗蚀剂是线性链高分子 聚合物。 交联反应：相邻聚合物链之间产生化学链，交联成一 个大分子，以至扩展到整个辐照区。 由小分子→大分子，显影时其溶解下降，保存下来； 而未被辐照处，易溶而脱落。此即为负性抗蚀剂－在 束能作用下，交联占主要地位。
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S e 2 2 [ Lmin ] N min ( Lmin ) N min e s
3.4其它要求
与其它工艺相容性好； 使用方便，胶膜无针孔； 附着力好，湿法刻蚀不致钻蚀掀膜； 贮存寿命长，一般一年左右。
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3.5对抗蚀剂要求各具特殊性
光刻掩模板和直接书写对抗蚀剂的要求不 同，可见下表（P55）：
§2-6微细图形曝光中的抗蚀剂
1.抗蚀剂（光刻胶）概述 1.1抗蚀剂(光刻胶)材料： 其是一种有机聚合物，由树脂（Resin）、 粘合剂（Binder）、感光剂（Sensitiger） －光活性（Photo-activity）极强的化合物 及溶剂（Solvent）混合而成。 有光致抗蚀剂和电子抗蚀剂之分，曝光前 稳定，曝光后反应迅速。它们各自有正性 和负性抗蚀剂之分；另外有制造掩模的抗 蚀剂和在基片上直接书写曝光的抗蚀剂。
0.5
0.35
0.25
0.18
0.13
KrF+ RET ArF
0.10
ArF+RET F2 PXL IPL
0.07
F2+RET EPL EUV EBOW
ｇ线
ｇ线 ｉ线 KrF
ｉ 线 KrF
KrF
备注
⑴ ｇ线：为ｇ线光刻技术 ⑵ ｉ线：为ｉ线光刻技术； ⑶ KrF：为 248nm光刻技术； ⑷ ArF：为193nm光刻技术； ⑸ F2：为157nm光刻技 术； ⑹ RET：为光网增强技术； ⑺ EPL：为电子投影技术； ⑻ PXL： 近Ｘ—射线技术； ⑼ IPL：为离子投影技术； ⑽ EUV：为超紫外技术； ⑾ EBOW：为电子束直写技术。 22
2
h L 2 2m E
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1 [lp / mm ] 2L
，L—最小特征尺寸，
结论： 给定束能（E），则粒子m越大，L越小，则R 越高;给定粒子质量（m）， 则束能越高，L越小，则R越高。 1.23106 对光子：L
E
对电子： L
1.22 10 E1 / 2
2.7381011 对离子： [ E (M / M p )]1/ 2
其中M是离子质量;Mp是质子质量;E0粒子能量 （单位ev）。
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灵敏度（S)怎样影响分辨率（R）？ 结论：抗蚀剂S高，并不能一定得到高分辨 率。 例：负性PCMS抗蚀剂 S=0.3×10-6C/cm2→每cm2面积上电子数 为S/e=1.8727 ×1012个→在(0.01μm)2面 积上电子数为1.8727个；
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4.3电子抗蚀剂
正电子抗蚀剂 以PMMA 和PBS、EMR-E 为代表 优点：R高、 γ、无衍射问题； 缺点：用于制作掩模和高分辨率图形，图 形受临近效应影响，S比负胶低。
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负电子抗蚀剂 以COP、NIR-600、SEL-NA(B)等位代表。 优点：S高且范围宽； 缺点：显影溶胀，R提高受限； 用途：主要高分辨Mask。
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降解反应：复杂分子分裂成碎片或原子， 或分裂出化学集团，即大分子变成小分 子。显影时被辐照部分溶解速度快，成 为良溶性。此即为正性抗蚀剂－在束能 作用下，降解反应占主要地位者。 光致抗蚀剂曝光图形机制与电子抗蚀剂 相似。
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正负电子抗蚀剂的曝光变化示意图
涂胶
曝光
显影
负性抗蚀剂
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正性抗蚀剂
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3、对抗蚀剂的基本要求
3.1灵敏度高 以单位面积上入射电荷量表征，(库仑/ 厘米2－C/cm2）。通常范围：10-4～10-7 C/cm2；灵敏度系指对入射粒子束的敏感 程度。 入射剂量低就能引起交联或降解反应，则 说明其灵敏度高，负性抗蚀高于正性抗 蚀剂。
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X射线抗蚀剂 以PBS正胶和EPB负胶为代表，还有SAL和 TDUR电子束抗蚀剂系列。 优点：波长短几乎无衍射干扰、比电子束 散射半径小，能获高R、高S和高γ图形; 曝光图形缺陷低（X射线能穿透尘埃）；与 电子束曝光相比装置简单、成本低。 缺点：光源、光刻胶灵敏度受限及掩模制 作复杂，所以应用受限。
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入射到抗蚀剂上的电子数N，偏差 N ，则入 射数为 N N ，实际中最小剂量电子数 Nmin=100，最小尺寸曝光，要求满足：
取S=0.3×10-6/cm2 则Lmin=0.07 μm S=1.5×10-6/cm2 则Lmin=0.033 μm 可见S很高，并不能引起Lmin明显的变小， 即并未明显引起分辨率R明显提高。