半导体雷射之抗反射镀膜技术研究

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高功率半导体激光器腔面高反膜的研究

高功率半导体激光器腔面高反膜的研究

摘 要:针对半导体激光器在空气中解理时,其腔面镀膜对激光器的输出特性的影响,讨论了半导体激光器的腔面膜的设计方法
及其腔面薄膜的选择依据。对半导体激光器后腔面不镀膜,后腔面镀上高反射膜进行了对比,测试了半导体激光器的输出功率。
结果表明,镀上高反射薄膜的激光器比没有镀高反射膜的激光器阈值电流降低了10%、斜率效应提高了17.9%。在半导体激光器的
科技创新导报 2017 NO.34 Science and Technology Innovation Herald
DOI:10.16660/j.c n k i.1674-098X.2017.34.092
工业技术
高功率半导体激光器腔面高反膜的研究①
邱忠阳 冯爽 徐栩 李玉春 (大庆师范学院机电工程学院 黑龙江大庆 163712)
射率一 般在30 %左右。对于高功率半 导体 激光器,一 般要求
谐 振 腔的后腔面反射率尽可能高(>95%),即HR膜,以减少
不必要的光损耗,降低器件的激 射阈值,而激光器的光输出
腔面要求具 有比较低的反射率(5%~10 %),即AR膜,以增加 腔内光 的出 射 [7]。
以出射介质为空气的单层膜为例,其反射率为:
大功 率 半 导体 激 光 器 具 有 高 输出功 率、高 功 率 转 化 效 率、体 积 小 和 较 高 的可靠 性 等 优 点 [1l。目前,大功 率 半 导 体 激 光器己被广泛应 用于 光 通信、光信储存、泵浦固体 激光器、 材 料加工、激光医疗等领域 [2-4]。随着其应用的不断扩大,对 于 器件 的 性能、可靠 性 要求 进 一步 提 高 [5]。在半 导体 激 光 器的 腔 面 镀 膜 除可 以 提 高器 件 的 前 腔 面 输出 效 率外,还 有保 护 激 光 器腔 面 不 受 大 气 环 境中的 水 汽 和 灰 尘 等 其 他 物质 污 染,有 利 于 提 高器件 的C O D 阈 值,增 加 器件 的工作可靠 性 [6]。

193nm光刻胶底部抗反射涂层经济效应

193nm光刻胶底部抗反射涂层经济效应

193nm光刻胶底部抗反射涂层经济效应一、光刻胶的作用光刻胶是半导体制造过程中的重要材料之一,广泛应用于芯片制造中。

其主要作用是在光刻过程中对芯片表面进行覆盖,形成一层薄膜,以保护芯片表面和调整光的传播。

光刻胶的性能直接影响到芯片的质量和成本。

二、193nm光刻胶底部抗反射涂层的原理193nm光刻胶底部抗反射涂层是在光刻胶底部添加一层特殊的涂层材料,用于减少光在光刻胶底部的反射。

193nm光刻胶底部抗反射涂层的原理是通过调节涂层的折射率,使得光在涂层与光刻胶之间的界面上发生干涉,从而降低反射的程度。

这样可以提高光的利用率,提高芯片的精度和品质。

三、193nm光刻胶底部抗反射涂层的经济效应1. 提高芯片制造的成功率:193nm光刻胶底部抗反射涂层可以减少光在涂层与光刻胶之间的反射,提高光的利用率,减少光能的浪费,从而提高芯片制造的成功率。

这样可以减少制造过程中的失败率,降低生产成本。

2. 提高芯片的成品率:193nm光刻胶底部抗反射涂层可以减少光在涂层与光刻胶之间的反射,减少光能的损失,提高芯片的成品率。

高成品率意味着更多的可用芯片,可以提高产能,增加经济效益。

3. 降低芯片制造成本:通过使用193nm光刻胶底部抗反射涂层,可以提高光的利用率,减少光能的浪费,从而降低制造过程中的能耗和材料消耗。

此外,高成品率也可以减少废品的产生,降低材料和人工的浪费,进一步降低芯片制造成本。

4. 提高产品竞争力:采用193nm光刻胶底部抗反射涂层可以提高芯片的精度和品质,使得产品更加稳定可靠。

这不仅能够提高产品的竞争力,还能够满足市场对高质量芯片的需求,进一步增加经济效益。

193nm光刻胶底部抗反射涂层可以提高芯片制造的成功率和成品率,降低制造成本,提高产品竞争力。

因此,采用193nm光刻胶底部抗反射涂层具有显著的经济效益。

未来随着半导体技术的不断发展,对光刻胶底部抗反射涂层的需求也将越来越高,相关企业应加强研发,提高产品质量和性能,以满足市场需求,进一步推动产业的发展。

逆向光学技术在抗反射涂层中的应用研究

逆向光学技术在抗反射涂层中的应用研究

逆向光学技术在抗反射涂层中的应用研究一、引言抗反射涂层是一种广泛应用于光学器件和光电产品中的技术,其作用是抑制光波在材料表面反射的能力,与此同时提高了透射率和图像清晰度。

逆向光学技术作为一种高精度和高分辨率的光学研究分支,已经广泛应用于抗反射涂层的设计、制备和表征中。

本文将从逆向光学技术基本原理出发,介绍逆向光学技术在抗反射涂层制备中的应用研究。

二、逆向光学技术基本原理逆向光学技术(Reverse Optics)是指利用逆向成像的原理,通过反转近场探测过程,使得电磁波从材料中传出到探测器上。

途中经过逆向成像器件,对原始信号进行处理,最终获得样品的结构信息和光学属性。

逆向光学技术的基本原理是通过反转光子探测和成像过程,对样品内部的光学性能进行非接触、非摧毁性的检测。

其优点是高分辨率、高灵敏度和高速度,适用于纳米尺度的结构表征和光学性能分析。

三、抗反射涂层设计基础抗反射涂层的设计目标主要是提高透光率和减少反射误差,从而提高器件性能和成像质量。

其基本原理是利用多层薄膜的干涉效应,形成反向干涉和前向干涉,使入射光反射消失或至少减小到很小的程度。

带宽数值越高,反射率也就越低。

最常用的抗反射涂层材料是氟化镁(MgF2)和氧化硅(SiO2),其中氟化镁可以提高薄膜的硬度和耐腐蚀性,而硅氧化物的抗反射能力较强。

四、逆向光学技术在抗反射涂层制备中的应用1.基于逆向光学技术的抗反射涂层设计逆向光学技术可以对薄膜的厚度和纳米结构进行直接的探测和表征,为抗反射涂层的设计提供准确的参考。

利用逆向光学技术,研究人员可以模拟不同的薄膜厚度、带宽和表面形貌,预测薄膜的抗反射效果,并且制作出高效的抗反射涂层。

2.基于逆向光学技术的抗反射涂层制备逆向光学技术还可以通过控制薄膜成长的条件,制备出具有纳米级结构特征的抗反射涂层。

在制备过程中,逆向光学技术可以实时监测薄膜厚度、表面形貌和光学性能的变化,从而调整制备条件,优化薄膜性能。

通过这种方法,可以制备出具有较高抗反射能力、机械强度和光学稳定性的抗反射涂层。

光刻机对镜片抗反射技术的研究与应用

光刻机对镜片抗反射技术的研究与应用

光刻机对镜片抗反射技术的研究与应用在光刻机领域,镜片抗反射技术是非常重要的研究方向。

本文将对光刻机对镜片抗反射技术的研究与应用进行探讨。

一、简介光刻机是一种用于微影制程的关键设备,广泛应用于半导体、光子学、光学器件等领域。

而镜片抗反射技术则是提升光刻机性能的重要手段之一。

抗反射技术能够减少镜片表面的光反射,提高光刻机曝光过程的效率和精度。

二、镜片抗反射技术的研究1. 表面微结构化抗反射技术表面微结构化抗反射技术是通过在镜片表面形成微纳米级的结构,利用这些结构的光学特性实现抗反射。

具体的方法包括纳米阵列、光子晶体、粗化等。

研究表明,表面微结构化抗反射技术能够显著降低光刻机中的反射损耗,提高曝光均匀性和分辨率。

2. 薄膜涂层抗反射技术薄膜涂层抗反射技术是将具有抗反射能力的材料涂覆在镜片表面,通过调节膜层的厚度和折射率来减少光的反射。

这种技术可以实现宽带抗反射,具有较高的透射率和较低的反射率。

目前,常用的涂层材料包括氧化物、氮化物、硅基材料等。

三、镜片抗反射技术的应用1. 半导体芯片制造在半导体芯片制造过程中,镜片抗反射技术能够降低曝光系统中的反射损耗,提高曝光均匀性,从而提高芯片制造的效率和质量。

此外,抗反射技术还可以减少因反射引起的光刻层厚度的不均匀性和曝光误差。

2. 光学器件制造镜片抗反射技术在光学器件制造中也具有广泛的应用。

光学器件对光的传输和衍射要求较高,反射损耗会影响器件的光学性能。

因此,采用镜片抗反射技术能够提高光学器件的透射率和分辨率,减少不必要的光损耗。

3. 光子学领域光子学是研究光与物质相互作用的学科,其研究领域涉及到光的传播、调控和探测等方面。

镜片抗反射技术在光子学领域中起到了关键作用,它能够减少光的反射和散射,提高光的透过率和能量利用率,促进光子学器件的发展。

四、结论通过对光刻机对镜片抗反射技术的研究与应用进行探讨,可以看出镜片抗反射技术在光刻机领域具有重要的意义。

无论是在半导体芯片制造、光学器件制造还是光子学领域,抗反射技术都能够提高设备的性能和效率,推动相关行业的发展。

半导体光学镀膜

半导体光学镀膜

半导体光学镀膜半导体光学镀膜是一种应用于半导体器件中的技术,旨在改善器件的光学性能。

第一部分:半导体光学镀膜的原理半导体光学镀膜的原理基于光的干涉和反射。

通过在半导体表面或器件上沉积一层光学薄膜,可以改变光的传播和反射特性。

这些薄膜通常由多个不同材料的层次结构组成,每个材料层具有不同的折射率。

通过精确控制每个层的厚度和材料选择,可以实现特定的光学效果,如反射、透射、增透或减反射。

第二部分:半导体光学镀膜的应用半导体光学镀膜在半导体器件中有广泛的应用。

以下是一些常见的应用领域:1. 光学传感器:半导体光学镀膜可用于增强光学传感器的灵敏度和选择性。

通过调整薄膜的设计参数,可以实现在特定波长范围内的高透过率或高反射率,从而提高传感器的信噪比和性能。

2. 光学滤波器:光学滤波器是一种选择性透过或反射特定波长范围光线的装置。

半导体光学镀膜可用于制备各种类型的滤波器,如带通滤波器、带阻滤波器和全透射滤波器。

这些滤波器在光通信、成像和光谱分析等领域中具有广泛应用。

3. 反射镜和透射镜:半导体光学镀膜可用于制备高反射率或高透过率的镜子。

反射镜广泛应用于激光器、光学仪器和光学系统中,用于反射和聚焦光线。

透射镜通常用于调节入射光的强度,例如在激光器中用于控制输出功率。

4. 光学涂层保护:半导体器件通常需要长期使用,并且需要保护光学组件不受环境因素的损害。

光学涂层可以提供保护层,防止划痕、腐蚀和灰尘等对器件的影响。

第三部分:半导体光学镀膜的制备过程半导体光学镀膜的制备过程涉及以下几个关键步骤:1. 材料选择:根据所需的光学特性,选择合适的材料作为薄膜层的组成材料。

这些材料的折射率和透过率是设计过程中的关键参数。

2. 设计优化:使用光学模拟软件进行设计优化,确定每个薄膜层的厚度和材料。

这些参数的选择将决定所需的光学效果。

3. 沉积过程:采用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)等技术将薄膜层沉积在半导体器件表面。

半导体激光器溅射镀膜的作用_概述及解释说明

半导体激光器溅射镀膜的作用_概述及解释说明

半导体激光器溅射镀膜的作用概述及解释说明1. 引言1.1 概述半导体激光器是一种基于半导体材料制造的激光发射器件,具有小尺寸、高效率和长寿命等优点,在通信、医疗、材料加工等领域得到了广泛应用。

而溅射镀膜技术是一种常见的表面处理技术,通过将材料喷射到激光器的表面形成一层薄膜,可以改变激光器的性能和特性。

本文主要探讨半导体激光器溅射镀膜的作用及其对激光器性能的影响。

1.2 文章结构文章分为五个部分进行论述。

首先在引言部分介绍文章的背景和目的,然后在第二部分详细阐述半导体激光器溅射镀膜的作用,并对溅射镀膜技术进行介绍。

接下来,在第三部分解释说明溅射镀膜对半导体激光器的影响,包括提高光学效率、增强垂直发射性能以及提高稳定性和可靠性。

在第四部分,通过实际应用案例分析,展示溅射镀膜技术在半导体激光器中的具体应用情况。

最后,在第五部分总结半导体激光器溅射镀膜的作用和意义,并展望未来该技术的发展方向。

1.3 目的本文旨在全面阐述半导体激光器溅射镀膜的作用及其对激光器性能的影响。

通过对溅射镀膜技术的介绍和解释,探讨其在提高光学效率、增强垂直发射性能以及提高稳定性和可靠性等方面的作用。

此外,通过实际应用案例分析,深入了解溅射镀膜技术在工业领域中的实际运用情况。

最终目标是为读者提供对半导体激光器溅射镀膜技术有全面理解并展示其重要性与前景。

2. 半导体激光器溅射镀膜的作用2.1 半导体激光器简介半导体激光器是一种基于半导体材料制造的光电子元件,其在信息通信、制造业和医学领域有着广泛应用。

半导体激光器通过注入电流进入半导体材料来产生激射效应,该效应可将电能转化为高纯度单色激光输出。

然而,由于半导体材料本身的特性限制,它们在发射效率、光束质量和长时间稳定性方面存在一些局限。

2.2 溅射镀膜技术介绍溅射镀膜技术是一种常用的表面处理方法,可以在半导体激光器器件上形成一层薄膜。

此技术涉及将目标材料(如金属或合金)置于真空环境中,并施加高能量粒子束使其离散并沉积到待处理表面上。

laseroptik镀膜原理的简单介绍-解释说明

laseroptik镀膜原理的简单介绍-解释说明

laseroptik镀膜原理的简单介绍-概述说明以及解释1.引言1.1 概述laseroptik镀膜是一种在光学元件表面上涂覆一层特殊膜层的技术,旨在改善光学元件的光学性能。

具体而言,laseroptik镀膜通过控制光线的干涉与反射来实现。

该技术在现代光学之中起着重要作用,广泛应用于光学器件、激光设备、光学通信等领域。

laseroptik镀膜原理主要涉及光的干涉以及薄膜的光学性质。

通过合理设计并选择不同折射率的薄膜材料,可以实现对特定波长的光进行选择性增强或衰减。

这些薄膜层经过多次沉积、热处理和退火等工艺,以形成非常精细的光学膜。

借助这些薄膜层,光可以在光学元件内部多次反射和透射,从而实现对光的控制和调节,达到特定的光学性能要求。

laseroptik镀膜原理的应用领域十分广泛。

其中一些典型的应用包括激光器的输出镜片、光谱仪的分光镜片、光学薄膜滤波器等。

通过使用适当的镀膜工艺,可以增强激光设备的输出功率和稳定性,改善光学元件的抗反射和反射特性,扩展光学系统的应用范围等。

总之,laseroptik镀膜原理是一种通过控制光的干涉与反射,利用合适的材料制备高精度薄膜层,在光学器件上实现特定的光学性能。

这种技术在光学相关领域的应用非常广泛,为光学设备的研发和应用提供了重要的支持。

随着科学技术的不断进步,laseroptik镀膜原理的发展前景十分广阔,将继续为光学领域的发展贡献力量。

1.2 文章结构文章结构部分是对整篇文章的组织结构进行描述,通常包括引言、正文和结论部分。

下面是文章结构部分的一种可能内容:文章结构:本文主要包括引言、正文和结论三个部分。

引言部分将首先对laseroptik镀膜原理进行概述,介绍laseroptik镀膜原理的基本概念和应用领域。

接着,将介绍本文的结构和目的,以便读者能够更好地理解文章的内容与框架。

最后,通过对laseroptik镀膜原理的总结,为接下来的正文部分做铺垫。

正文部分将详细探讨laseroptik镀膜原理的基本概念、主要步骤和应用领域。

光刻机中抗反射涂层材料的性能评估与优化

光刻机中抗反射涂层材料的性能评估与优化

光刻机中抗反射涂层材料的性能评估与优化光刻技术是半导体工业中不可或缺的重要工艺,用于将电路图案转移到硅片上。

其中,抗反射涂层材料在光刻过程中起着至关重要的作用。

本文将对光刻机中抗反射涂层材料的性能评估与优化进行论述。

一、抗反射涂层材料的性能评估方法在光刻机中,抗反射涂层材料的性能评估需要基于以下几个关键指标进行。

1. 抗反射性能:抗反射涂层材料应具有良好的抗反射性能,能够有效减少反射光对光刻曝光的干扰。

通过实验测量反射率,可以评估抗反射涂层材料的性能。

2. 光学特性:光学特性包括透射率、折射率等指标,影响抗反射涂层的光学性能。

通过测试这些指标,可以评估抗反射涂层材料的适用性。

3. 热稳定性:光刻机中工作环境温度较高,因此抗反射涂层材料需要具备良好的热稳定性,以避免在高温下出现失效或变形等问题。

二、抗反射涂层材料的优化方法为了提高抗反射涂层材料的性能,以下几个方面可供参考。

1. 材料选择:根据具体需求,选择适当的抗反射涂层材料。

常见的材料有二氧化硅、氮化硅等,不同材料具有不同的光学特性和热稳定性。

2. 结构设计:通过调整抗反射涂层的结构,如多层膜设计、纳米结构等,可以增强抗反射效果。

合理设计结构能够显著降低反射光的影响。

3. 表面处理:通过表面处理技术,如喷涂、溅射等,可以改变抗反射涂层材料的表面形貌,以提高其抗反射性能。

4. 材料改性:通过掺杂、改变成分等方式,改善抗反射涂层材料的性能,如提高透射率、降低折射率等。

三、光刻机中抗反射涂层材料的发展趋势随着半导体工艺的进一步发展,对抗反射涂层材料的要求也越来越高。

下面是一些光刻机中抗反射涂层材料的发展趋势。

1. 多层膜设计:利用多层膜设计可以更好地控制光的反射和透射,以提高抗反射涂层的效果。

2. 纳米结构设计:通过引入纳米结构,可以显著改变抗反射涂层的光学性质,进一步降低反射率,提高抗反射效果。

3. 多功能材料:研发具有多种功能的抗反射涂层材料,如兼具耐热性、耐蚀性、机械强度等,并满足特定光学性能要求。

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n-side
樣品代號A6B非對稱多重量子井半導 體雷射特性量測 1.右上圖為未鍍抗反射膜量測光譜結 果。 2.右下圖為鍍抗反射膜量測光譜結果。 3.下圖為量測鍍膜前後之光強度-電流 (L-I)特性曲線結果。
1 8 .5 V 7 0 0 m A
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C u rren t (m A )
W av elen g th (n m )


1. 欲獲得寬光譜之雷射光源,必須設計一最佳抗反射膜,以涵蓋雷射發 光光譜。經採用雙層薄膜各自使用非1/4波長膜相,其光學抗反射膜 是具有寬光譜範圍特徵,且使得雷射二極體在鍍膜端面之發射光,達 成高穿透率效果。 2. 半功率全寬 FWHP(Full Width at Half Power) 2.1. A6b非對稱半導體(InGaAsP/InP)雷射達到218nm波長 (1359.45nm ~1577.45nm)寬。 2.2. 1550nm波長半導體(InGaAlAs/InP)雷射為75nm波長 (1500nm ~1575nm)寬。 3. 實驗測試結果也佐證了若要獲得更寬的FWHP,必須依非對稱量子井結 構設計使發光區域之間距加長或增加主要發光之材料種類,最終使雷 射增益範圍增大,再將雷射一端鏡面鍍抗反射膜後,即可達成目的。 4. 在提升光輸出功率方面,則可將雷射一端鏡面鍍高反射膜,另一端鏡 面鍍抗反射膜或者結合外部共振腔方式,如此可獲得高功率寬光譜雷 射。
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W a v e le n g th (n m )
2V40m A
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C u rren t (m A )
W av elen g th (n m )
1550nm波長多重量子井半導體雷 射(InGaAlAs/InP)特性量測 1.右上圖為未鍍抗反射膜量測光譜 結果。 2.右下圖為鍍抗反射膜量測光譜結 果。 3.下圖為量測鍍膜前後之光強度-電 流(L-I)特性曲線結果。
半導體雷射之抗反射鍍膜技術研究
p-side 非對稱多重量子井半導體雷射, 其內部量子井結構有兩種發光材料是 為非對稱量子井,如右圖所示為樣品 代號A6B主要結構 ( In 1 x Ga x As y P1 y / InP ),其具有雙光域 雷射光特性 ( In 0 .67 Ga 0 .33 As 0 .72 P0 .28 及 In 0 .53 Ga 0 .47 As )。 由於雷射光是因共振腔而產生FabryPerot效應,使得雙光域雷射光之光譜 為非連續性,因此研究在共振腔之一 端鏡面鍍抗反射膜,從此端面可獲得 連續性寬光譜之自發性非同調光。這 在發展及應用可調雷射光源是非常具 有價值的。
O p tic a l In te n sity (a .u .)
0 .0 0 0 0 0 6
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
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A 6 B U n c o a tin g A 6 B A R C o a tin g
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