场效应管基础
场效应管与三极管基础知识讲解
mos管分四种，N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型。
箭头指向g 的且带虚线的为N增强，没有虚线的为N耗尽。
箭头背向g端的且带虚线的为P增强，不带虚线则为P耗尽。
希望说的你能明白，小妹新手，多多关照！有没说清楚的继续，呵呵···场效应管三极管开关电路基础发布时间：2008-12-08 23:08:32三极管简介:三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
图1双极面结型晶体管有两个类型：npn和pnp。
npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域；pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域，图2和图3分别是它们的电路符号。
以下的说明将集中在npn BJT。
图2: npn BJT 的电路符号图3: pnp BJT 的电路符号BJT工作于三种不同模式：截止模式、线性放大模式及饱和模式，见图4。
图4 四种工作模式BJT在电子学中是非常重要的元件。
它们被广泛应用在其他展品中，特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。
开关电路原则a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通总结:低边开关用 NPN 管高边开关用 PNP 管三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--源极NPN和PNP 开关三极管（1）我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.（2）PNP三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的继电器信号集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流出了基极的话，那么集电极和发射极就会通.三极管VS场效应管三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N70022n7002 IC产品型号的一种描述：晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:280mA电压, Vds 最大:60V开态电阻, Rds(on):5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:2.1V功耗:0.2W工作温度范围:-55to 150封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702功率, Pd:0.2W外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:0.115A电流, Idm 脉冲:0.8A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V阈值电压, Vgs th 最高:2.5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)MOS管的基本知识（转载）2011-05-07 06:39:32| 分类：电路硬件设计| 标签：|字号大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
场效应管知识点
场效应管知识点场效应管是一种重要的电子器件，广泛应用于各个领域，如通信、计算机、电子设备等。
它的工作原理是基于电场的调控作用，通过电场的控制来控制电流的流动，实现信号放大、开关控制等功能。
本文将从场效应管的基本结构、工作原理和应用等方面进行详细介绍。
一、场效应管的基本结构场效应管由栅极、漏极、源极和沟道四部分组成。
其中栅极是控制电流的输入端，漏极是电流的输出端，源极是电流的输入端，而沟道则连接源极和漏极。
栅极与源极之间的电压可以控制沟道中的电场分布，从而控制电流的流动。
栅极与漏极之间的电压被称为栅极电压，而漏极与源极之间的电压被称为漏极电压。
二、场效应管的工作原理1. N沟道MOSFETN沟道MOSFET是一种常见的场效应管，其沟道为N型材料。
当栅极电压为0V时，沟道中没有电子流动，处于截止状态；当栅极电压为正值时，形成栅极-沟道电场，使沟道中的N型材料中的电子被推向漏极，形成漏-源电流，处于导通状态。
2. P沟道MOSFETP沟道MOSFET是另一种常见的场效应管，其沟道为P型材料。
当栅极电压为0V时，沟道中没有空穴流动，处于截止状态；当栅极电压为负值时，形成栅极-沟道电场，使沟道中的P型材料中的空穴被推向漏极，形成漏-源电流，处于导通状态。
三、场效应管的应用场效应管具有很多优点，如高输入阻抗、低输出阻抗、功耗小、速度快等，因此在电子电路设计中有着广泛的应用。
以下是场效应管的几个常见应用场景。
1. 信号放大器场效应管可以通过控制栅极电压来调节漏极电流，从而实现信号的放大。
在放大器电路中，场效应管常常作为前置放大器，将输入信号放大后再输出给后续电路。
2. 开关控制场效应管可以作为开关来控制电流的通断。
当栅极电压为高电平时，场效应管处于导通状态，电流可以通过；当栅极电压为低电平时，场效应管处于截止状态，电流无法通过。
因此，场效应管常用于各种开关电路中。
3. 数字逻辑电路由于场效应管的特性，它可以作为数字逻辑门电路的基本单元。
电子电路基础(3.3.1)--半导体场效应管
绝缘栅场效应管（ MOSFE T）
Байду номын сангаас参与导电的载流子： N 沟道、 P 沟道
（ 2 ）结型场效应管的工作原理
栅源电压控制沟道的电阻；夹断电压 UGS(off) 漏源电压产生漏极电流，并使漏极电流随 漏源电压控制。
UGS(off)<uGS<0 ， uDS>0
（ 3 ） N 沟道结型场效应管的特性曲线
沟道器件。 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。
1. 结型场效应三极管 JFET (Junction type Field Effect Transister)
2. 绝缘栅型场效应三极管 IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister)
IGFET 也称金属氧化物半导体三极管 MOSFET （ Metal Oxide Semiconductor
4.3 半导体场效应管
4.3.1 结型场效应管 4.3.2 绝缘栅场效应管 4.3.3 场效应管的主要参数及电路模
型 4.3.4 双极型和场效应型三极管的比
较
场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电 的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的 半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电 子作为载流子的 N 沟道器件和空穴作为载流子的 P
(1) 结构 N 沟道增强型 MOSFET 是在 P 型半导体上生成一 层 SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高 掺杂的 N 型区，从 N 型区引出电极，
一个是漏极 D ，一个是源 极 S 。在源极和漏极之 间的
绝缘层上镀一层金属铝作
为栅极 G 。 P 型半导体
称为
场效应管与三极管基础知识讲解
mos管分四种，N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型。
箭头指向g 的且带虚线的为N增强，没有虚线的为N耗尽。
箭头背向g端的且带虚线的为P增强，不带虚线则为P耗尽。
希望说的你能明白，小妹新手，多多关照！有没说清楚的继续，呵呵···场效应管三极管开关电路基础发布时间：2008-12-08 23:08:32三极管简介:三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。
三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。
实际上箭头所指的方向是电流的方向。
图1双极面结型晶体管有两个类型：npn和pnp。
npn类型包含两个n 型区域和一个分隔它们的p型区域；pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域，图2和图3分别是它们的电路符号。
以下的说明将集中在npn BJT。
图2: npn BJT 的电路符号图3: pnp BJT 的电路符号BJT工作于三种不同模式：截止模式、线性放大模式及饱和模式，见图4。
图4 四种工作模式BJT在电子学中是非常重要的元件。
它们被广泛应用在其他展品中，特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。
开关电路原则a. BJT三极管Transistors只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法N管发射极E 对电源负极短路. 低边开关;b-e 正向电流饱和导通P管发射极E 对电源正极短路. 高边开关 ;b-e 反向电流饱和导通b. FET场效应管MOSFET只要源极S 对电源短路就是电子开关用法N管源极S 对电源负极短路. 低边开关;栅-源正向电压导通P管源极S 对电源正极短路. 高边开关;栅-源反向电压导通总结:低边开关用 NPN 管高边开关用 PNP 管三极管b-e 必须有大于C-E 饱和导通的电流场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就OK假如原来用NPN 三极管作ECU 氧传感器加热电源控制低边开关则直接用N-Channel 场效应管代换;或看情况修改下拉或上拉电阻基极--栅极集电极--漏极发射极--源极NPN和PNP 开关三极管（1）我把NPN三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的.继电器的信号吧集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通.（2）PNP三极管看成一个三个脚继电器.基极-----就是一个小电流的继电器信号集电极-----可以说是正极吧发射极------可以说负极吧有一个小电流流出了基极的话，那么集电极和发射极就会通.三极管VS场效应管三极管BJT--------TRANSISTORS ----------- 电流驱动场效应管----- FET ------------------------- 电压驱动MOS场效应管MOSFET ................ 电压驱动2N70022n7002 IC产品型号的一种描述：晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:280mA电压, Vds 最大:60V开态电阻, Rds(on):5ohm电压@ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:2.1V功耗:0.2W工作温度范围:-55to 150封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SMD标号:702功率, Pd:0.2W外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:0.115A电流, Idm 脉冲:0.8A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V阈值电压, Vgs th 最高:2.5VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)MOS管的基本知识（转载）2011-05-07 06:39:32| 分类：电路硬件设计| 标签：|字号大中小订阅现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS 管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。
模拟电子技术基础__课件_01-4-1讲义(场效应管)
N沟道增强型MOSFET
简称增强型NMOS管
源极 S 栅极 漏极 G A1 层 N＋ 耗 尽 层 L P型衬底 B N＋ D 氧化层 (SiO2 )
综上：
增强型NMOS管在uGS＜UT时，不能形成 导电沟道，管子处于截止状态；
只有当uGS≥UT时，才有沟道形成，此时在 漏-源极间加上正向电压uDS，才有漏极电流 产生。 箭头方向从P区指向N型沟道 而且uGS增大时，沟道变厚.
必须在uGS≥UT时 才能形成导电沟道 的MOS管称为 增强型MOS管。
耗尽型NMOS管的符号
(c)
输出特性曲GS 越大，沟道越宽，漏极 电流越大。
iD / mA ＋6V 4 3 2 1 5 10 (b ) 15 －3V UG S＝＋ 3 V 0V
当uGS<0时，电场减弱， 0 沟道变窄，漏极电流 减小。
N沟道耗尽型MOSFET
耗尽型NMOS管在制造 过程中就形成了导电沟道， 即uGS=0时就有导电沟道， 所以只要uDS > 0，漏极就 有电流。
D
掺杂在绝缘层 中的正离子 S G D
＋＋ ＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋
N＋ N型沟道 P型衬底
N＋
G S
B
衬底引线
耗尽型NMOS管的结构示意图 箭头方向从P型沟道指向N区
工作原理:
A B T1 T2 T3 T4 F
G S G
T4
S
T1
T2 F T3
0 0 1 1
A B
0 1 0 1
电子技术基础第七章场效应管
P沟道结型场效应管
D
G
S
D
G
S
场效应管的工作原理
P
G
S
D
UDS
UGS
N
N
N
N
PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。
UDS较小时
UDS较小时
P
G
S
D
UDS
UGS
N
N
N
N
但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。
UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。
N
N
沟道中仍是电阻特性，但是非线性电阻。
G
S
D
UDS
UGS
UGS<VpUGD=VP时
N
N
漏端的沟道被夹断，称为予夹断。
UDS增大则被夹断区向下延伸。
G
S
D
UDS
UGS
UGS<VpUGD=VP时
N
N
此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。
场效应管的特性曲线
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
7.3场效应管的命名方法
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
0
UGS=0V
-1V
-3V
-4V
-5V
-2v
1
在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。
cmos 过驱动电压
cmos 过驱动电压CMOS（Complementary Metal–Oxide–Semiconductor）是指互补式金属氧化物半导体技术，是现代集成电路的基础。
CMOS过驱动电压指的是在CMOS电路中，为了使开关通道达到最大导通状态时，在其门源结上施加的电压，通常用VDD或VSS上下文提到。
接下来，我们将详细介绍CMOS过驱动电压。
一、CMOS场效应管基础知识首先了解一下CMOS场效应管的基础知识。
CMOS电路一般由n沟道MOS场效应管（NMOS）和p沟道MOS场效应管（PMOS）组成，由于其源极/漏极之间存在一定的内阻，因此在输入端施加的电压必须达到一定的门限电压才能导通，而在内部，NMOS和PMOS是交替连接的，以形成符号或数字逻辑电路中的基本组成单元，例如与门、或门和反相器等。
二、CMOS过驱动电压的作用在CMOS电路中，由于不同的工艺差异、生产批次、温度等因素，场效应管的特性参数可能存在一定的波动，在开关通道达到最大导通状态时，需要在其门源结上施加一定的电压，以确保其正常工作。
实际应用中，CMOS过驱动电压的大小取决于电路设计和工艺制程，通常设定为0.2VDD-0.4VDD，其中，VDD是电路供电电压。
在实际使用中，需要根据电路设计要求和工艺过程的不同，计算合适的CMOS过驱动电压。
以下为CMOS过驱动电压的计算公式：1. NMOS过驱动电压计算UN=Uth+VTLOGW/L+ΔU其中，UN为NMOS过驱动电压，Uth为门限电压，VT为热电压常数，W/L为宽度/长度比，ΔU为任意电压增益。
其中，UP为PMOS过驱动电压，其他参数与NMOS过驱动电压相同。
需要注意的是，在实际设计中，可以通过改变场效应管的宽度/长度比或其他方法，来调整过驱动电压的大小，以满足电路设计的需求。
1. 工艺制程：CMOS过驱动电压大小与工艺制程有关，不同的工艺制程可能会导致不同的VTH和ΔU值，从而影响到过驱动电压的大小。
电路基础原理场效应管的放大作用
电路基础原理场效应管的放大作用电路基础原理：场效应管的放大作用场效应管是一种重要的电子元件，广泛应用于电子设备中。
它通过控制电场来控制电流的流动，具有很好的放大作用。
在电路基础原理中，场效应管的放大作用是一项重要的内容。
本文将介绍场效应管的工作原理、放大作用及其在电路中的应用。
一、场效应管的工作原理场效应管的基本结构包括栅极、漏极和源极，其中栅极是场效应管的控制端。
其工作原理是通过控制栅极电压来控制电流流动。
当栅极电压为负时，栅极和源极之间形成一个反型PN结，导致漏极与源极之间有一个很小的电流，电路处于截止状态；当栅极电压大于一定值时，栅极和源极之间形成一个屏蔽层，导致漏极与源极之间有一个较大的电流，电路处于饱和状态。
二、场效应管的放大作用场效应管具有很好的放大作用。
它可以根据输入信号的大小来控制输出信号的增益。
当输入信号较小时，场效应管处于截止状态，输出信号很小；当输入信号增大时，场效应管逐渐进入饱和状态，输出信号随之增大。
因此，场效应管可以将弱小的输入信号放大为较大的输出信号。
三、场效应管在电路中的应用场效应管在电路中有广泛的应用。
它常用于放大电路、开关电路和电源电路等。
1. 放大电路场效应管可以作为放大器的核心元件，将弱小的输入信号放大为较大的输出信号。
在放大电路中，场效应管可以提供高增益、低噪声和良好的线性特性。
例如，在音频放大器中，场效应管能够将低音频信号放大为能够驱动扬声器的高功率信号。
2. 开关电路场效应管还可以用作开关元件，通过控制栅极电压来控制开关的状态。
当栅极电压高于一定值时，场效应管处于导通状态，可以将电流流通；当栅极电压低于一定值时，场效应管处于截止状态，电流无法流通。
在开关电路中，场效应管能够实现快速开关及低功耗的特点。
3. 电源电路场效应管的低导通电阻特性使其成为电源电路中的理想选择。
在电源电路中，场效应管可以用作稳压器、电流源等。
它可以通过控制电流来保证电路中的电压和电流稳定，提供稳定可靠的电源。