第四章 存储器系统习题
(完整word版)第四章存储器习题

第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的,随机访问存储器的访问速度与无关.√2。
主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3。
存储器中用来区分不同的存储单元,1GB= KB。
√4。
半导体存储器分为、、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式.√6。
双译码方式采用个地址译码器,分别产生和信号。
√7。
若RAM芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有条输出线;用双译码方式,地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的,保证记忆单元始终处于稳定状态,存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了 ,串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关,其容量为。
11。
要组成容量为4M×8位的存储器,需要片4M×1位的存储器芯片并联,或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时,若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件,它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ,MB= ;表示硬盘容量时,KB= ,MB= 。
16一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种.18 SRAM是;DRAM是;ROM是;EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息,半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型,其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快,但不如后者高,它们的共同缺点是断电后保存信息.23 EPROM属于的可编程ROM,擦除时一般使用,写入时使用高压脉冲.24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
shujuku第4章习题课

第四章存储器管理1.选择题1.存储保护的工作通常由实现。
A.软件B.硬件C.文件D.硬件和软件配合2.段页式存储管理中,访问快表失败时,每访问一条指令或存取一个操作数都要次访问主存。
A.1 B.2 C.3 D.43.在虚拟存储系统中,若进程在内存中占3块(开始时为空)采用先进先出页面淘汰算法,当执行访问页号序列为1、2、3、4、1、2、5、1、2、3、4、5、6时,将产生次缺页中断。
A.7 B.8 C.9 D.104.采用段页式存储管理,在CPU中应设置寄存器。
A.段表和页表控制B.段表控制C.页表控制D.界地址5.采用段页式存储管理时,内存地址分成段号、段内页号和页内地址三部分,地址。
A.但仍是线性B.但仍是二维C.故是三维D.从而成为四维6.用户程序的逻辑地址可以不连续的存储管理方式是。
A.固定分区B.可变分区C.页式D.段页7.在可变分区分配方案中,为了实现主存的空间分配,采用进行管理。
A.页表B.段表C.段表+页表D.分区分配表+空闲区表8.动态重定位是在完成的。
A.作业执行前集中一次B.作业执行过程中集中一次C.作业执行过程中D.作业执行过程中由用户9.在以下的存储管理方案中,能扩充主存容量的是。
A.固定式分区分配B.可变式分区分配C.页式存储管理D.分页虚拟存储管理10.在可变分区分配方案中,在空闲区表中以空闲区长度按递减顺序排列适合于________算法。
A.最坏适应算法B.最先适应算法C.最优适应算法D.首次循环适应算法11.在页式虚拟存储管理中,为实现地址变换,应建立。
A.空闲区表B.分区分配表C.页表D.段表12.在下述存储管理方案中,管理方式要求作业的逻辑地址与占有主存的存储区域都是连续的。
A.段页式B.页式C.段式D.可变分区13.将主存空闲区按地址顺序从小到大登记在空闲区表中,每次分配时总是顺序查找空闲区表,此种分配算法称为分配算法。
A.最先适应B.最优适应C.最坏适应D.随机适应14.页式存储管理中,每次从主存中取指令或取操作数,当读快表失败时,要读次主存。
计算机操作系统(习题集)第四章 答案

第四章存储器管理一、单项选择题1、存储管理的目的是(C )。
A.方便用户B.提高内存利用率C.方便用户和提高内存利用率D.增加内存实际容量2、在( A)中,不可能产生系统抖动的现象。
A.固定分区管理B.请求页式管理C.段式管理D.机器中不存在病毒时3、当程序经过编译或者汇编以后,形成了一种由机器指令组成的集合,被称为(B )。
A.源程序B.目标程序C.可执行程序D.非执行程序4、可由CPU调用执行的程序所对应的地址空间为(D )。
A.符号名空间B.虚拟地址空间C.相对地址空间D.物理地址空间5、存储分配解决多道作业[1C]划分问题。
为了实现静态和动态存储分配,需采用地址重定位,即把[2C]变成[3D],静态重定位由[4D]实现,动态重定位由[5A]实现。
供选择的答案:[1]:A 地址空间 B 符号名空间 C 主存空间 D 虚存空间[2]、[3]: A 页面地址 B 段地址 C 逻辑地址 D 物理地址 E 外存地址 F 设备地址[4]、[5]: A 硬件地址变换机构 B 执行程序 C 汇编程序D 连接装入程序E 调试程序F 编译程序G 解释程序6、分区管理要求对每一个作业都分配(A )的内存单元。
A.地址连续B.若干地址不连续C.若干连续的帧D.若干不连续的帧7、(C )存储管理支持多道程序设计,算法简单,但存储碎片多。
A.段式B.页式C.固定分区D.段页式8、处理器有32位地址,则它的虚拟地址空间为( B)字节。
A.2GBB.4GBC.100KBD.640KB9、虚拟存储技术是( A)。
A.补充内存物理空间的技术B.补充相对地址空间的技术C.扩充外存空间的技术D.扩充输入输出缓冲区的技术10、虚拟内存的容量只受( D)的限制。
A.物理内存的大小B.磁盘空间的大小C.数据存放的实际地址D.计算机地址字长11、虚拟存储技术与(A )不能配合使用。
A.分区管理B.动态分页管理C.段式管理D.段页式管理12、(B )是指将作业不需要或暂时不需要的部分移到外存,让出内存空间以调入其他所需数据。
操作系统考试必备第四章习题(存储器管理)

一、单项选择题1.在存储管理方案中,可与覆盖技术配合。
A. 页式管理B.段式管理C.段页式管理D.可变分区管理2.在存储管理中,采用覆盖与交换技术的目的是。
A. 节省主存空间B.物理上扩充主存容量C. 提高CPU效率D.实现主存共享3.动态重定位技术依赖于。
A. 重定位装入程序B.重定位寄存器C. 地址机构D.目标程序4. 虚拟存储器的最大容量。
A. 为内外存容量之和B.由计算机的地址结构决定C.是任意的 D. 由作业的地址空间决定5.在虚拟存储系统中,若进程在内存中占3块(开始时为空),采用先进先出页面淘汰算法,当执行访问页号序列为1、2、3、4、l、2、5、1、2、3、4、5、6时,将产生次缺页中断。
A.7 B.8 C.9 D.106.很好地解决了“零头”问题的存储管理方法是。
A. 页式存储管理B.段式存储管理C. 多重分区管理D.可变式分区管理7.系统“抖动”现象的发生是由引起的。
A. 置换算法选择不当B.交换的信息量过大C. 内存容量不足D. 请求页式管理方案8.分区管理中采用“最佳适应”分配算法时,宜把空闲区按次序登记在空闲区表中。
A. 长度递增B.长度递减C. 地址递增D. 地址递减9.在固定分区分配中,每个分区的大小是。
A. 相同B.随作业长度变化C. 可以不同但预先固定D.可以不同但根据作业长度固定10.实现虚拟存储器的目的是。
A. 实现存储保护D.实现程序浮动C.扩充辅存容量D.扩充主存容量11.采用段式存储管理的系统中,若地址用24位表示,其中8位表示段号,则允许每段的最大长度是。
A.224B.216C.28D.23212.作业在执行中发生了缺页中断,经操作系统处理后,应让其执行指令。
A. 被中断的前一条B.被中断的C.被中断的后一条D.启动时的第一条13.把作业地址空间中使用的逻辑地址变成内存中物理地址的过程称为。
A. 重定位B.物理化C.逻辑化D.加载14.首次适应算法的空闲区是。
第4章 存储器管理_习题

第4章存储器管理4.4自测题4.4.1基本题一.判断题(正确的在括号中记√,错误的记×)1.为了减少内部碎片,页应偏小为好。
( )2.为了减少缺页中断率,页应该小一些。
( )3.为提高对换空间的利用率,一般对其使用离散的分配方式。
( )4.用户程序中出错处理部分不必常驻内存。
( )5.使用预分页的原因是每个进程在最初运行时需要一定数量的页面。
( )6.可变分区法可以比较有效地消除外部碎片,但不能消除内部碎片。
()7.分页存储管理方案易于实现用户使用内存空间的动态扩充。
( )8.LRU页面调度算法总是选择在主存驻留时间最长的页面被淘汰。
( )9.最佳适应算法比首次适应算法具有更好的内存利用率。
( )10.请求分段存储管理中,分段的尺寸要受主存空间的限制。
( )二.单项选择题,在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案,并将其代码写在题干后面的括号内。
不选、错选或多选者该题无分。
1.在可变式分区管理中,最佳适应算法是将空白区在空白区表中按______次序排列。
A.地址递增B.地址递减C.容量递增D.容量递减2.动态重定位技术依赖于_______.A.重定位装入程序B.重定位寄存器C.地址机构D.目标程序3.请求分页存储管理方案的主要特点是__________。
A.不要求将作业装入内存B.不要求将作业全部装入内存C.不要求使用联想存储器D.不要求缺页中断的处理4.在存储管理方案中,___________可与覆盖技术配合。
A.页式管理B.段式管理C.段页式管理D.可变分区管理5.一个计算机系统虚存的最大容量是由__________决定的。
A.主存的容量B.辅存的容量C.主存容量+辅存容量D.计算机的地址机构6.在存储管理中,采用覆盖与交换技术的目的是_________。
A.节省主存空间B.物理上扩充主存容量C.提高CPU效率D.实现主存共享7.在可变式分区分配方案中,只需要进行一次比较就可以判定是否满足作业对主存空间要求的是______。
第四章存储器管理

考点一内存管理概念一、单项选择题在下面关于存储功能的论述中正确的是()A.即使在多道程序管理下用户也可以编制用物理地址直接访问内存的程序。
B.内存分配的基本任务是为每道程序分配内存空间,其追求的目的则是提高内存的利用率。
C.为提高内存保护的灵活性,内存保护通常由软件完成。
D.地址映射是指将程序物理地址转变为内存的逻辑地址二、综合应用题1.请列举出逻辑地址和物理地址的两个不同之处。
2.一个进程被换出内存,它就失去了使用CPU的机会。
除了换出内存这种情形,请列举出其它一种情形,进程虽然失去了使用CPU的机会,但它并没有被换出内存。
3.存储管理的主要研究内容是什么?4.什么是动态链接?用何种内存分配方法可以实现这种链接技术?5.某系统把任一程序都分成代码和数据两部分。
CPU知道什么时候要指令(如取指令周期),什么时候要数据(如取数据周期或存数据周期)。
所以,需要两种寄存器(基地址寄存器、界限寄存器),一组用于指令,一组用于数据。
用于指令的是只读的,以便于用户的共享。
请分析这种策略的优缺点。
6.什么是地址的重定位?有哪几种常用的地址重定位的方法?7.在现代计算机系统中,存储器是十分重要的资源,能否合理有效的使用存储器,在很大程度上反映了操作系统的性能,并直接影响到计算机系统作用的发挥。
请问:(1)主存利用率不高主要体现为哪几种形式?(2)可以通过哪些途径来提高主存利用率8.内存保护是否可以完全由软件来实现?为什么?考点二交换与覆盖一、单项选择题1.存储管理方案中,()可采用覆盖技术。
A.单一连续存储管理B.可变分区存储管理C.段式存储管理D.段页式存储管理2.在存储系统管理中,采用覆盖技术与交换技术的目的是( )。
A.节省主存空间B.物理上扩充主存容量C.提高CPU利用率D.实现主存共存二、综合应用题1.在存储管理中,覆盖和对换技术所以解决的是什么问题?各有什么特点?2请写出你对交换过程和覆盖过程的认识,它们的主要区别有哪些?考点三连续分配管理方式一、单项选择题1.在可变式分区分配方案中,某一作业完成后,系统收回其主存空间并与相邻空闲区合并,为此需要修改空闲区表,造成空闲区域减1的情况是()。
计算机组成原理第四章课后习题及答案唐朔飞完整版

第4章存储器1. 解释概念:主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。
答:主存:主存储器,用于存放正在执行的程序和数据。
CPU可以直接进行随机读写,访问速度较高。
辅存:辅助存储器,用于存放当前暂不执行的程序和数据,以及一些需要永久保存的信息。
Cache:高速缓冲存储器,介于CPU和主存之间,用于解决CPU和主存之间速度不匹配问题。
RAM:半导体随机存取存储器,主要用作计算机中的主存。
SRAM:静态半导体随机存取存储器。
DRAM:动态半导体随机存取存储器。
ROM:掩膜式半导体只读存储器。
由芯片制造商在制造时写入内容,以后只能读出而不能写入。
PROM:可编程只读存储器,由用户根据需要确定写入内容,只能写入一次。
EPROM:紫外线擦写可编程只读存储器。
需要修改内容时,现将其全部内容擦除,然后再编程。
擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。
EEPROM:电擦写可编程只读存储器。
CDROM:只读型光盘。
Flash Memory:闪速存储器。
或称快擦型存储器。
2. 计算机中哪些部件可以用于存储信息?按速度、容量和价格/位排序说明。
答:计算机中寄存器、Cache、主存、硬盘可以用于存储信息。
按速度由高至低排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘;按容量由小至大排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘;按价格/位由高至低排序为:寄存器、Cache、主存、硬盘。
3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方?为什么要分这些层次?计算机如何管理这些层次?答:存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。
Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用,即从整体运行的效果分析,CPU访存速度加快,接近于Cache的速度,而寻址空间和位价却接近于主存。
主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用,即从程序员的角度看,他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存,而速度接近于主存。
计算机系统结构 第四章自考练习题答案

第四章存储体系历年真题精选1. 下列说法正确的是( D )。
A. Cache容量一般不大,命中率不会很高B. Cache本身速度很快,但地址变换速度很慢C. Cache芯片速度一般比CPU速度慢数十倍D. Cache存储器查映像表和访问物理Cache其间可以流水,使速度与CPU匹配2.以下与虚拟存储器的等效访问速度无关的是( D )。
A. 页地址流B. 页面调度策略C. 主存的容量D. 辅存的容量3. 页面虚拟存储器把(程序)空间和(主存)空间都机械等分成相同大小的页面。
4. Cache若采用全相联映像规则,则主存中(任意一)块都可映像装入到Cache中的(任意一)块的位置上。
5. 解决计算机主存与CPU的速度差对机器性能的影响,可采用哪三种解决方法?(p86)6. 对于二级虚拟存储层次,其等效访问时间与主、辅存的访问时间有什么关系?可采取哪些措施提高存储层次的等效访问速度?(至少提出两种)(P88)7. 有一个虚拟存贮器,主存有0~3四页位置,程序有0~7八个虚页,采用全相联映象和FIFO替换算法。
给出如下程序页地址流;2,3,5,2,4,0,1,2,4,6。
(1)假设程序的2,3,5页已先后装入主存的第3、2、0页位置,请画出上述页地址流工作过程中,主存各页位置上所装程序各页页号的变化过程图,标出命中时刻。
(2)求出此期间虚存总的命中率H。
(50%)8. 某虚拟存储器共8个页面,每页为1024个字,实际主存为4K个字,采用页表法进行地址映象。
映象表的内容如下表所示。
(1)求出会发生页面失效的全部虚页号;(2,3,5,7)(2)求出虚地址为:0,3728,1023,1024,7800,6800的主存实地址。
(3072,页失效,4095,1024,页失效,656)同步强化练习一.单项选择题。
1. 替换算法要解决的问题是( C )。
A.用户的虚页如何与主存的实页对应B.如何用主存的实页号替代多用户的虚页号C.当页面失效,选择主存中哪个页作为被替换的页D.新用户要进入主存,选择哪个用户作为被替换的用户2. 虚拟存储器地址变换是指( C )。
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17.主存储器一般采用①存储器件,它与外存比较存取速度②、成本③。
答案:①半导体②快③高
18.三级存储器系统是指______这三级:
答案:高缓、内存、外存
19.表示存储器容量时KB=_①_,MB=_②_;表示硬盘容量时,KB=③,MB=④。
答案:①1024字节②t024x1024(或220)字节③103字节④106字节
A.如WAIT线为高电平,则在T2周期后不进入T3周期,而插入一个Tw周期
B.Tw周期结束后,不管WAIT线状态如何,一定转入T3周期
C.Tw周期结束后,只要WAIT线为低,则继续插入一个Tw周期,直到WAIT线变高,才转入T3周期
D.有了WAIT线,就可使CPU与任何速度的存储器相连接,保证CPU与存储器连接时的时序配合
5.因为半导体存储器加电后才能存储数据,断电后数据就丢失了,因此EPROM做成的存储器,加电后必须重写原来的内容。
答案:错。半导体存储器加电后才能存储数据,断电后数据丢失,这是指RAM。EPROM
是只读存储器,断电后数据不会丢失,因此,加电后不必重写原来的内容。
6.大多数个人计算机中可配置的内存容量受地址总线位数限制。
25.对存储器的要求是①,②,③。为了解决这三个方面的矛盾,计算机采用多级存储器体系结构。
答案:①容量大②速度快③成本低
26.动态MOS型半导体存储单元是由一个①和一个②构成的。
答案:①晶体管②电容器
27.动态半导体存储器的刷新一般有①、②和③三种方式。
答案:①集中式②分散式③异步式
28.动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在①,因此,需要不断地进行②。
A.23B.25
C.50D.19
答案:D
23.某一动态RAM芯片其容量为16KXl,除电源线、接地线和刷新线外,该芯片的
最小引脚数目应为_______。
A.16 B.12 C.18
答案:B
24.某计算机字长32位,存储容量为1MB,若按字编址,它的寻址范围是________。
A.0-1MWB.0-512KB
答案:B
11.RAM芯片并联时可以________。
A.增加存储器字长B.增加存储单元数量
C.提高存储器的速度D.降低存储器的平均价格
答案:A
12.存储周期是指________。
A.存储器的读出时间
B.存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔
C.存储器的写入时间
D.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔
C.闪速存储器D.EPROM
答案:C
29.对于没有外存储器的计算机来说,监控程序可以存放在_______。
A.RAM B.ROM
C.RAM和ROM D.CPU
答案:B
30。在某CPU中,设立了一条等待(WAIT)信号线,CPU在存储器周期中T的下降沿采样WAIT线,则下面的叙述中正确的是_______。
A.CacheB.寄存器
C.内存D.外存
答案:B
19.与动态MOS存储器相比,双极型半导体存储器的特点是________。
A.速度快B.集成度高
C.功耗大D.容量大
答案:A,C
20.ROM与RAM的主要区别是______。
A.断电后,ROM内保存的信息会丢失,RAM则可长期保存而不会丢失
B.断电后,RAM内保存的信息会丢失,ROM则可长期保存而不会丢失
11.若RAM芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有①条输出线;用双译码方式,地址译码器有②条输出线。
答案:①1024②64
12.静态存储单元是由晶体管构成的①,保证记忆单元始终处于稳定状态,存储的信息不需要②。
答案:①双稳态电路②刷新(或恢复)
13.存储器芯片并联的目的是为了①,串联的目的是为了②。
答案:C
17.若一台计算机的字长为4个字节,则表明该机器_______。
A.能处理的数值最大为4位十进制数
B.能处理的数值最多为4位二进制数组成
C.在CPU中能够作为一个整体加以处理的二进制代码为32位
D.在CPU中运算的结果最大为2的32次方
答案:C
18.下列元件中存取速度最快的是_______。
A.1MX8bit进行并联B.1MX4bit进行串联
C.2MX4bit进行并联D.2MX4bit进行串联
答案:C
7.若RAM芯片的容量是2MX8bit,则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是______。
A.21B.29C.18D.不可估计
答案:B
8.若RAM中每个存储单元为16位,则下面所述正确的是_______。
答案:C,D
31.下面是有关存储保护的描述。请从题后列出的选项中选择正确答案:
为了保护系统软件不被破坏,以及在多道程序环境下防止一个用户破坏另一用户的程序,而采取下列措施:
(1)不准在用户程序中使用“设置系统状态”等指令。此类指令是___①____指令。
(2)在段式管理存储器中设置___②___寄存器,防止用户访问不是分配给这个用用户的存储区域。
A.地址线也是16位B.地址线与16无关
C.地址线与16有关D.地址线不得少于16位
答案:B
9.若存储器中有IK个存储单元,采用双译码方式时要求译码输出线为______。
A.1024B.10
C.32D.64
答案:D
10.RAM芯片串联时可以_______。
A.增加存储器字长B.增加存储单元数量
C.提高存储器的速度D.降低存储器的平均价格
4.2半导体存储器
4.2.1填空题
1.计算机中的存储器是用来存放__①___的,随机访问存储器的访问速度与___②___无关。
答案:①程序和数据②存储位置
2.对存储器的访问包括______和________两类。
答案:①读②写
3.计算机系统中的存储器分为__①___和___②____。在CPU执行程序时,必须将指令存在____③____中。
(3)在环保护的主存中,把系统程序和用户程序按其允许访问存储区的范围分层;假如规定内层级别高,那么系统程序应在___③___,用户程序应在__④__。内层__⑤___访问外层的存储区。
(4)为了保护数据及程序不被破坏,在页式管理存储器中,可在页表内设置R(读)、W(写)及___⑥____位,__⑥___位为1,表示该页内存放的是程序代码。
C.0-256KWD.0-256KB
答案:C
25.某RAM芯片,其存储容量为1024x16位,该芯片的地址线和数据线数目分别为______。A.2Fra bibliotek,16B.20,4
C.1024,4D.1024,16
答案:A
26.某计算机字长16位,其存储容量为2MB,若按半字编址,它的寻址范围是______。
A.0-8MB.0-4M
答案:错。内存容量不仅受地址总线位数限制,还受寻址方式、操作系统的存储管理方式等限制。
7.因为动态存储器是破坏性读出,所以必须不断地刷新。
答案:错。刷新不仅仅因为存储器是破坏性读出,还在于动态存储器在存储数据时,若存储器不做任何操作,电荷也会泄漏,为保证数据的正确性,必须使数据周期性地再生即刷新。
答案:①位扩展②字节单元扩展
14.计算机的主存容量与①有关,其容量为②。
答案:①计算机地址总线的根数②2地址线数
15.要组成容量为4MX8位的存储器,需要①片4MXl位的存储器芯片并联,或者需要②片1MX3的存储器芯片串联。
答案:①8②4
16.内存储器容量为256K时,若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是
答案:①内存②外存③内存
4.主存储器的性能指标主要是①、②、存储周期和存储器带宽。
答案:①存储容量②存取时间
5.存储器中用①来区分不同的存储单元,1GB=②KB。
答案:①地址②1024X1024(或220)
6.半导体存储器分为①、②、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
答案:①静态存储器(SRAM)②动态存储器(DRAM)
20.只读存储器ROM可分为①、②、③和④四种。
答案:①ROM②PROM③EPROM④E2PROM
21.SRAM是①;DRAM是②;ROM是③;EPROM是④。
答案:①静态存储器②动态存储器③只读存储器④可改写只渎存储器
22.半导体SRAM靠①存储信息,半导体DRAM则是靠②存储信息。
答案:①触发器②栅极电容
供选择的项:
①,②A:特权B:特殊C:上、下界D:系统
③,④A:内层B:外层C:内层或外层
⑤A:允许B:不允许
⑥A:M(标志)B:P(保护)C:E(执行)D:E(有效)
答案:①A②C③A④B⑤A⑥C
4.2.3判断改错题
1.动态RAM和静态RAM都是易失性半导体存储器。
答案:对。
2.计算机的内存由RAM和ROM两种半导体存储器组成。
答案:对。
3.个人微机使用过程中,突然RAM中保存的信息全部丢失,而ROM中保存的信息不受影响。
答案:错。RAM中保存的信息在断电后会丢失,而ROM中保存的信息在断电后不受
影响。
4.CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的,存储器容量越大,访问存储器所
需的时间越长。
答案:错。CPU访问存储器的时间与容量无关,而是由存储器元的材料决定的。
C.静态RAM、动态RAM都属挥发性存储器,断电后存储的信息将消失
D.ROM不用刷新,且集成度比动态RAM高,断电后存储的信息将消失
答案:C
5.可编程的只读存储器_______。
A.不一定可以改写B.一定可以改写
C.一定不可以改写D.以上都不对
答案:A
6.组成2MX8bit的内存,可以使用_____。