设备名称： 真空有机金属热蒸发—沉积(OLED)镀膜设备数量： 1台
PECVD设备介绍
PECVD设备介绍PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）即等离子体增强化学气相沉积技术，是一种常用于制备薄膜的工艺方法。
该方法利用等离子体激活气体分子，使其在室温下与固体表面反应，形成薄膜。
PECVD设备是实现PECVD技术的关键设备之一，本文将对PECVD设备的工作原理、主要组成部分和应用领域进行详细介绍。
【工作原理】PECVD设备主要由气体输送系统、真空系统、等离子体激发系统、基底加热系统和反应室组成。
其工作原理是将气体通过气体输送系统进入反应室，然后通过真空系统将反应室抽成高真空状态，再利用等离子体激发系统将气体分子激发形成等离子体，最后将等离子体中的活性物种沉积在基底上，形成薄膜。
【主要组成部分】1.气体输送系统：由气体缸、气体流量计和气体控制阀等组成，用于控制和输送反应气体。
2.真空系统：由机械泵和分子泵等组成，用于将反应室抽成高真空状态，以保证薄膜质量。
3.等离子体激发系统：主要包括高频电源、等离子体发生器和电极等，用于产生等离子体并激发气体分子。
4.基底加热系统：由加热源和温度控制器等组成，用于加热基底，提供合适的反应条件。
5.反应室：是进行气体反应的空间，通常采用石英制成，具有良好的耐高温、耐腐蚀性能。
【应用领域】1.半导体器件制备：PECVD设备可用于生长SiO2、SiNx等材料，用于制备MOSFET等半导体器件的绝缘层和通道层。
2.光伏电池制备：PECVD设备可用于制备非晶硅、多晶硅等薄膜，用于制备光伏电池的光吸收层和透明导电层。
3.平板显示器制备：PECVD设备可用于制备低温多晶硅薄膜，用于制备薄膜晶体管面板的薄膜电晶体。
4.光学涂层制备：PECVD设备可用于制备SiO2、Si3N4等材料，用于制备抗反射膜、硬质涂层、光学滤波器等光学涂层。
5.纳米材料合成：PECVD设备可用于合成纳米碳管、纳米颗粒等纳米材料，应用于传感器、催化剂等领域。
oled蒸镀机的原理
oled蒸镀机的原理
OLED蒸镀机是一种用于制造OLED显示器的设备，其原理是利用蒸镀技术将有机材料沉积在基板上，形成OLED显示器的各个层次。
OLED蒸镀机需要一个真空室，以确保在蒸镀过程中没有氧气或其他杂质进入。
在真空室中，有一个加热器，用于加热有机材料，使其蒸发。
有机材料可以是各种有机化合物，如三苯胺、二苯乙烯等。
接下来，有机材料蒸发后，会在基板上沉积形成薄膜。
基板可以是玻璃、塑料或金属等材料。
在沉积过程中，有机材料会形成分子束，通过控制分子束的方向和速度，可以控制沉积的薄膜的厚度和形状。
在OLED蒸镀机中，通常需要沉积多层薄膜，以形成OLED显示器的各个层次。
例如，需要沉积一个导电层、一个发光层和一个电子传输层。
每个层次的有机材料都需要单独蒸发和沉积，以确保每个层次的质量和性能。
OLED蒸镀机需要一个控制系统，用于控制蒸镀过程中的各个参数，如温度、压力、分子束方向和速度等。
控制系统可以根据不同的OLED显示器要求进行调整，以确保制造出高质量的OLED显示器。
OLED蒸镀机是一种利用蒸镀技术制造OLED显示器的设备。
其原理是利用有机材料蒸发和沉积在基板上形成薄膜，通过控制分子束的方向和速度，可以控制沉积的薄膜的厚度和形状。
控制系统可以根据不同的OLED显示器要求进行调整，以确保制造出高质量的
OLED显示器。
热蒸发式真空镀膜仪技术参数
热蒸发式真空镀膜仪技术参数1. 工作条件1.1电力供应：380V（±6%），50Hz，功率不高于15KW，地线对地电阻4Ω1.2工作温度：15︒C-25︒C1.3工作湿度：< 60% (20︒C)1.5仪器运行的持久性：仪器可连续使用1.6 仪器的工作状态：较强的防震抗磁能力，工作稳定1.7 仪器设备的安全性：符合放射线防护安全标准和电器安全标准2. 设备用途：实现热蒸发式碳膜喷镀。
特别用于低温单颗粒三维重构中的的低温样品载网支持膜制备，确保样品制备中载网支持膜的导电性和良好的支撑性能。
3. 技术规格3.1 真空镀膜腔室尺寸不小于Ø350×H350mm3.2 真空镀膜腔室配有观察窗。
3.3 真空系统为无油系统。
*3.4 极限真空：≤5×10-5Pa*3.5 暴露大气10分钟内并充干燥氮气开始抽气，30分钟真空度≤6×10-4Pa，两小时内真空度≤1×10-4Pa。
3.6 设两组蒸碳电极，并配备直径3mm碳棒卡套。
蒸发电源为2kW/8V直流恒流电源3.7 蒸碳电极周围配备挡板，实现定向碳棒喷镀，降低真空腔体表面污染3.8 在样品与蒸发源间设有高度可调的电动挡板3.9 样品台可在电机驱动下绕自身轴线旋转，也可静止喷镀。
3.10 留出供inficon-SQC310C膜厚仪进行膜厚测量的接口注：*表示必须满足且重要的指标4. 技术文件：4.1 投标人应提供仪器主体及主要附件的详细的操作，安装，及调整说明书。
4.2投标人应提供电子版说明书。
5.技术服务5.1 设备安装、调试和验收5.1.1现场安装；现场调试；按照买方和卖方双方同意的标准对主机、附件，软件的性能和功能进行测试；在买方对主机、附件，软件的性能和功能进行测试合格的基础上，由买方授权人签字验收。
5.1.2服务：在中国设立两家或以上的固定维修站，并配备专业维修工程师，北京地区至少1名工程师，能提供及时有效的售后服务。
sacvd设备工作原理
sacvd设备工作原理
SACVD（Sub-Atmospheric Chemical Vapor Deposition）是一种化学气相沉积技术，用于在半导体制造中沉积薄膜，例如在集成电路制造中用于制备绝缘层或导电层。
下面是SACVD设备的工作原理概述：
1.前处理：在SACVD之前，通常需要进行前处理，如清
洗和表面处理，以确保基板表面的洁净和适当的粗糙度，从而提高薄膜的附着性。
2.真空室：SACVD设备通常包括一个真空室，用于创建
低压环境。
这有助于实现更精确的气相沉积过程，并防止不必要的气体杂质进入。
3.前驱体供给：气相沉积过程中，所需的前驱体（通常
是气体或液体）被引入真空室。
前驱体可以是有机或无机气体，取决于所需的沉积薄膜的性质。
4.载气：有时，载气也会被引入，以稀释前驱体，控制反
应速率，并确保均匀的沉积。
5.加热源：基板通常被加热到一定的温度，以促使前驱
体在表面发生化学反应，形成固体薄膜。
6.沉积反应：前驱体在基板表面发生化学反应，生成固
体产物，并沉积在基板上。
反应的具体细节取决于前驱体的性质以及所使用的反应条件。
7.沉积控制：控制沉积速率和薄膜厚度的参数包括前驱
体浓度、温度、压力和沉积时间等。
这些参数的精确控制可确保沉积的薄膜具有所需的性质。
8.后处理：沉积完成后，可能需要进行后处理步骤，如
退火或其他热处理，以提高薄膜的质量和稳定性。
SACVD是一种灵活的沉积技术，可用于制备多种类型的薄膜，具体取决于所选择的前驱体和沉积条件。
物理气相沉积真空镀膜设备介绍
物理气相沉积真空镀膜设备介绍(上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系，上海200444）摘要：本文主要介绍了五类物理气相沉积的真空镀膜设备.五种设备分别为：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置以及空心阴极蒸发装置。
介绍了相关设备的原理，优缺点等。
其中,着重列出了有关电子束蒸发装置的其中一个应用，是厚度为200μm左右的独立式的铁铬—Y2O3非晶态/晶态复合涂层的已经从基板温度500ºC左右的铁铬和氧化钇材料的电子束物理气相沉积产生。
Abstract：It describes the five physical vapor deposition vacuum coating equipment in this article。
Five kinds of equipment are: resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus，arc evaporation apparatus，laser evaporation apparatus and a hollow cathode evaporation apparatus.It introduces the principle of related equipment，advantages and disadvantages. Emphatically identifies the electron beam evaporation apparatus in which an application.It is that Freestanding FeCrAl—Y2O3 amorphous/crystalline composite coating with a thickness of about 200nm has been produced from electron—beam physical vapor deposition of FeCrAl and yttria materials with a substrate temperature of 500 ℃ around.关键词：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置、空心阴极蒸发装置Keyword ：Resistive evaporation apparatus，an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus，a laser evaporation apparatus, a hollow cathode evaporation device一、电阻式蒸发装置电阻式蒸发装置的电加热方法是钨丝热源，针对这种加热方式，其主要的特点在于：第一它主要用于块状材料的蒸发、可以在2200K下工作;其次就是有污染;但仪器操作简单、经济实惠。
OLED真空蒸镀
OLED真空蒸镀一、基本知识真空蒸镀：真空中通过电流加热，电子束轰击加热和激光加热等方法，使被蒸材料蒸发成原子或分子，它们随即以较大的自由程作直线运动，碰撞基片表面而凝结，形成薄膜。
所以要求镀膜室里残余分子的自由程大于蒸发源到基片的距离，保证镀膜的纯净和牢固。
真空测量工具：测量真空的装置称为真空规，常用的热偶真空规和电离真空规。
热偶真空规可以测量0.1～10Pa的压强，利用低压下气体的热传导与压强成正比的原理；电离真空规利用电子与气体分子碰撞产生电离电流随压强变化的原理制成，可测量范围是10－1～10－6Pa。
注意，电离真空规必须在0.1Pa以下使用，否则会损坏装置。
真空膜层检测系统：石英芯片微量天平系统（QCM），其工作原理为蒸镀过程中随着材料的蒸发，石英芯片质量增加，从而改变石英芯片的固有振荡周期，将石英振荡器组装到振荡回路中使薄膜质量的变化作为频率的变化读出。
二、蒸镀设备简介功能：实现有机膜层的蒸镀和无机膜层的蒸镀。
工作原理：利用电阻产生热能，将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在基片表面析出的过程。
OLED蒸镀分为有机材料蒸镀和无机蒸镀，有机材料蒸镀：在高真空腔室中设有多个放置有机材料的蒸发源，加热蒸发源蒸镀有机材料，并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。
ITO玻璃基板放置在样品托架上，其下面放置的金属掩膜板控制蒸镀图案；无机蒸镀：在有机材料薄膜蒸镀完成后进行蒸镀，用于金属电极蒸镀的源通常采用钼、钽和钨等材料制作，以便用于不同的金属电极蒸镀(主要是防止舟金属与蒸镀金属发生化学反应)。
从如下两方面——蒸镀系统和其系统功能的描述对蒸镀设备系统进行简要概括。
（一）蒸镀系统蒸镀系统结构包括：操作接口、Infeed Load/Lock传输腔体、Plasma真空腔体、有机蒸镀真空腔体、金属蒸镀真空腔体、材料蒸镀控制柜、手套箱、气体循环系统。
1、操作接口控制软件的各操作接口与设备各组成部分一一对应，以控制设备的相应气阀及机动操作。
半导体pvd设备原理
半导体pvd设备原理
物理气相沉积（PVD）是一种用于在半导体制造中沉积薄膜的技术。
PVD 设备通过将材料加热至蒸发温度，使其变成气态，然后将气态物质输送到沉积室中，在衬底上沉积形成薄膜。
PVD 设备通常由以下几个部分组成：蒸发源、沉积室、真空泵、控制系统等。
蒸发源是将材料加热至蒸发温度的部分，通常使用电子束蒸发器、电阻蒸发器或激光蒸发器等。
沉积室是将气态物质沉积到衬底上的部分，通常使用真空室来保持高真空环境。
真空泵用于将沉积室内的空气抽出，以保持高真空环境。
控制系统用于控制蒸发源和沉积室的温度、压力、气体流量等参数。
在 PVD 过程中，蒸发源将材料加热至蒸发温度，使其变成气态。
气态物质通过管道输送到沉积室中，在衬底上沉积形成薄膜。
沉积室中的真空环境可以防止气体分子与沉积的薄膜发生反应，从而保证薄膜的质量。
控制系统可以精确控制蒸发源和沉积室的参数，以获得所需的薄膜性能。
PVD 技术可以用于沉积各种材料的薄膜，如金属、半导体、绝缘体等。
PVD 技术具有沉积速度快、薄膜质量高、可控性好等优点，因此在半导体制造中得到了广泛应用。
物理气相沉积真空镀膜设备介绍
物理气相沉积真空镀膜设备介绍（上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系，上海200444）摘要：本文主要介绍了五类物理气相沉积的真空镀膜设备。
五种设备分别为：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置以及空心阴极蒸发装置。
介绍了相关设备的原理，优缺点等。
其中，着重列出了有关电子束蒸发装置的其中一个应用，是厚度为200μm左右的独立式的铁铬-Y2O3非晶态/晶态复合涂层的已经从基板温度500ºC左右的铁铬和氧化钇材料的电子束物理气相沉积产生。
Abstract:It describes the five physical vapor deposition vacuum coating equipment in this article.Five kinds of equipment are: resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, laser evaporation apparatus and a hollow cathode evaporation apparatus.It introduces the principle of related equipment, advantages and disadvantages. Emphatically identifies the electron beam evaporation apparatus in which an application.It is that Freestanding FeCrAl-Y2O3 amorphous/crystalline composite coating with a thickness of about 200nm has been produced from electron-beam physical vapor deposition of FeCrAl and yttria materials with a substrate temperature of 500 ℃ around.关键词：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置、空心阴极蒸发装置Keyword :Resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, a laser evaporation apparatus, a hollow cathode evaporation device一、电阻式蒸发装置电阻式蒸发装置的电加热方法是钨丝热源，针对这种加热方式，其主要的特点在于：第一它主要用于块状材料的蒸发、可以在2200K下工作；其次就是有污染；但仪器操作简单、经济实惠。
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▲5
真空系统
配置600L/S分子泵1台。
配置2X-4机械泵1台。
配置CF150超高真空闸板阀1台，配置CF35超高真空角阀1支。配置放气阀1支。
3台
6
样品沉积转台
附带基片架
1套
7
样品转台控制系统
在真空室上盖安装衬底基片转盘，样品可旋转加热，自转15转/分；在衬底基片盘下放置一托，在衬底基片托下设一电动磁力转轴挡板，在镀膜时挡板打开，基片托可自转也可上下升降调节。
1套
8
基片加热器
室温～600±1℃，可控可调
1套
9
烘烤照明系统
烘烤、照明作用
1套
10
观察窗
CF100玻璃金属封接
1套
11
挡板
磁力耦合挡板1套
热蒸发源挡板4套（电动）
基片挡板1套
6套
12
机械手
掩膜板推拉机械手
1套
13
掩膜板
能按照提供的器件图型加工制造
1个
14
机架
固定作用
1台
15
膜厚仪
速率分辨率0.1Å/s，厚度分辨率1Å。4个蒸发源公用2套石英晶体探头
1套
16
控制柜
抽速8m3/h。
1套
17
检测与报警系统
水路检测与报警系统
1套
18
相序检测与报警系统
相序检测与报警系统
1套
四、工作条件：
电压：380V交流
环境温度：15～32℃
环境湿度：20％－80％
4个
*4
热蒸发电源
金属蒸发电源2套（直流恒流源，功率1000W,电流160A，12.5V），数显电流精度0.1A。其中一组电源采用表控温加热，此电源可程序控制金属源加热温度，以便与两组有机源同步升温控温，实现三源共蒸。
有机蒸发电源1套（直流恒流源，功率600W,电流40A）。表控温，热偶反馈，可两组共蒸或与一组金属源实现三源共蒸。加热速率5～20℃/min。温度误差≤±1℃
一、设备名称：真空有机/金属热蒸发—沉积（OLED）镀膜设备数量：1台
二、功能及用途：
有机/金属热蒸发—沉积镀膜设备，放置在手套箱内在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜，主要用于有机半导体材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验及OLED实验研究。
三、设备明细（如为配件，需在备注中注明）：
序号
设备及主要配件名称
技术指标
数量
备注
*1
有机/金属联合热蒸发镀膜室
材质：真空专用不锈钢；
内直径：320mm，高400mm左右；
内外表面玻璃丸喷砂处理；
配3套备用法兰口
1个
2
微机型电阻—电离复合真空计
量程：大气～10-5Pa
1台
*3
热蒸发源
三套钨舟热蒸发源，每个蒸发舟采用独立的结构，互不关联用于蒸发有机材料；一套钽炉热蒸发源，用于金属材料的蒸发镀膜