北京交通大学模拟电子技术1
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第五章模拟集成放大电路基础-
第五章模拟集成放大电路基础5-1.选择填空题1.在模拟集成放大电路中,电流源的主要作用是_________和_________。
a.有源负载b.偏置电路c.信号源d.补偿电路2.典型的长尾式差分放大电路中,射极电阻R EE的主要作用是___________。
a.提高输入电阻b.提高差模电压增益c.提高共模电压增益d.提高共模抑制比3.放大电路产生零漂的主要原因是________________。
a.环境温度变化b.采用阻容耦合方式c.采用变压器耦合方式d.电压倍数过大4.在采用直接耦合方式的模拟集成放大电路中,影响零漂最严重的一级是____________,零点漂移最大的一级是____________。
a.输入级b.中间级c.输出级d.直流偏置电路5.差分放大电路中,双端输入时差模电压放大倍数是A ud,当变为单端输入时,差模电压放大倍数为____________。
a.2A udb. 0.5A udc. A udd. 无法确定6.差分放大电路由双端输出改为单端输出,共模抑制比减小的原因是____________。
a. A ud不变,A uc增大。
b. A ud减小,A uc不变。
c. A ud减小,A uc增大。
d. A ud增大,A uc减小。
7.集成运放内部是由直接耦合方式的多级放大电路组成,作为放大电路的应用,它____________。
a.能放大直流信号,也能放大交流信号。
b. 不能放大直流信号,但能放大交流信号。
c. 能放大直流信号,但不能放大交流信号。
8.差分放大电路中,输入信号为u i=1mV,单端输入放大的输出电压比单输入方式(即作为差模输入电压进行放大得到的输出____________a.大b.小c.相同d.不能确定9.晶体管集成放大电路较场效应管集成放大电路的特点有____________和__________。
a.功耗大b.功耗小c.速度高d.速度低10.场效应管集成放大电路较晶体管集成放大电路的优点之一是_____________。
国家教学名师侯建军北京交通大学模拟电子技术ch文档ppt
rr ifif U(I i1 i A UU B di U Ii)U r i f ( rif1 A RU b/B /rU if)ri
输入输出阻抗的影响 负反馈对输入阻抗的影响
1. 串联负反馈使输入阻抗增加
• 电压串联负反馈
rif(1 A U B U )ri Uf=BrRiIfo Rb//rif
1. A电Ro压输负出反开馈路使输出阻抗减小，稳定输出电压。
• 互电阻压增并益联负反馈
Idi
Ios
U AIdo Ri考o s虑的RIUIo R开-sdsRor路i后s osrR 互基i LIA 阻本fR 增放I益大o d器iRIsfI=oIBf srGoUUod+-siRsRrsi ri+-BAGRA oIrdR oi U o orsof
Rb U-di
ri A
Io +
Uo RL -
负反馈对输入电阻的影响与反馈加入的方式有关，即
与电串压联或或电并流联反反馈馈无有关关。；而与输r'if出取样U无-+f 直接关B系，即与 1. 串联负反馈使输入阻抗增加 rif
无反馈时： ri=Udi/Ii
• 电压串联负反馈
有反U馈f=时B：UUorif=Ui/Ii
负反馈：反馈信号使放大器的净输入信号减小
直流反馈 反馈信号的属性 交流反馈
反馈的取样信号
混合反馈 电压反馈
电流反馈
反馈在输入端的引入方式 串联反馈 并联反馈
单环反馈的理想模型
+ Xi
Xdi
-Xf
放大电路 A
反馈环
只有一个反馈环 称单环反馈Xo放大器
正向传输
反向传输
反馈网络 B
北京交通大学模拟电子电路实验报告
《模拟电子技术》课程实验报告集成直流稳压电源的设计语音放大器的设计集成直流稳压电源的设计一、实验目的1、 掌握集成直流稳压电源的设计方法。
2、 焊接电路板，实现设计目标3、 掌握直流稳压电源的主要性能指标及参数的测试方法。
4、 为下一个综合实验——语音放大电路提供电源。
二、技术指标1、 设计一个双路直流稳压电源。
2、 输出电压 Uo = ±12V ， 最大输出电流 Iomax = 1A 。
3、 输出纹波电压 ΔUop-p ≤ 5mV , 稳压系数 S U ≤ 5×10-3 。
4、 选作：加输出限流保护电路。
三、实验原理与分析直流稳压电源的基本原理直流稳压电源一般由电源变压器T 、整流滤波电路及稳压电路所组成。
基本框图如下。
各部分作用：1、电源变压器：降低电压，将220V 或380V 的电网电压降低到所需要的幅值。
2、整流电路：利用二极管的单向导电性将电源变压器输出的交流电压变换成脉动的直流电压，经整流电路输出的电压虽然是直流电压，但有很大的交流分量。
直流稳压电源的原理框图和波形变换整流 电路U iU o滤波 电路 稳压 电路电源 变压器 ～3、滤波电路：利用储能元件（电感、电容）将整流电路输出的脉动直流电压中的交流成分滤出，输出比较平滑的直流电压。
负载电流较小的多采用电容滤波电路，负载电流较大的多采用电感滤波电路，对滤波效果要求高的多采用电容、电感和电阻组成的复杂滤波电路。
单向桥式整流滤波电路不同R L C的输出电压波形4、稳压电路：利用自动调整的原理，使输出电压在电网电压波动和负载电流变化时保持稳定，即输出电流电压几乎不变。
常用的稳压电路有两种形式：一是稳压管稳压电路，二是串联型稳压电路。
二者的工作原理有所不同。
稳压管稳压电路其工作原理是利用稳压管两端的电压稍有变化，会引起其电流有较大变化这一特点，通过调节与稳压管串联的限流电阻上的压降来达到稳定输出电压的目的。
它一般适用于负载电流变化较小的场合。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章 半导体二极管及其基本电路
第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。
（3）PN结的结电容包括和。
（4）晶体管的三个工作区分别是、和。
在放大电路中，晶体管通常工作在区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。
（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。
2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第九章理想运算放大电路及应用
第九章理想运算放大电路及应用9-1．填空（1）理想集成运放的A od= ，r id= ，r od= ，K CMR= 。
（2）运算放大器组成运算电路必须引入反馈，在电压比较器中则应。
（3）欲实现电压放大倍数Au=-100应该选用电路。
（4）欲实现电压放大倍数Au=+100应该选用电路。
（5）比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地。
答案：（1）∞，∞，0，∞。
（2）负反馈，开环或加入正反馈。
（3）反相比例放大电路。
（4）同相比例放大电路。
（5）反相。
9-2．判断下列说法是否正确。
（1）运算电路中集成运放一般工作在线性区。
（）（2）反相比例运算电路输入电阻很大，输出电阻很小。
（）（3）虚短是指集成运放两个输入端短路。
（）（4）同相比例运算电路中集成运放的共模输入电压为零。
（）（5）单限比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
（）（6）无源滤波电路带负载后滤波特性将发生变化。
（）（7）因为由集成运放组成的有源滤波电路往往引入深度电压负反馈，所以输出电阻趋于零。
（）(8)由于有源滤波电路带负载后滤波特性基本不变，即带负载能力强，所以可将其用作直流电源的滤波电路。
（）（9）无源滤波器不能用于信号处理。
（）（10）按照将积分运算电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现微分运算的思路，将低通滤波电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现高通滤波。
（）答案：（1）对；在运算电路中，为使集成运放工作在线性区，一定要引入负反馈，只有在引入深度负反馈的条件下，输出电压与输入电压运算关系才几乎仅仅决定于反馈网络和输入网络。
（2）错；反相运算电路输入电阻与反相输入端所接电阻大小有关。
（3）错；“虚短”的含义不是说两个端短路，而是指两个端电位近似相等。
（4）错；同相比例运算电路输入单端输入模式。
（5）错；迟滞比较器的抗干扰能力强于单限比较器。
（6）对；本题考查是否理解“有源”和“无源”滤波电路的特点。
有源滤波电路有其局限性，主要表现在：一是频率响应受组成它的晶体管、集成运放频率参数的限制。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第三章双极型三极管基本放大电路
第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
2．晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
《c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
3．在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。
a. 共射b. 共集c. 共基d. 不确定4．对于题3-1图所示放大电路中，当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时，有可能是因为______，测得U CE ≈0时，有可能是因为________。
题3-1图ccR L开路 b. R C 开路 c. R B 短路 d. R B 过小5．对于题3-1图所示放大电路中，当V CC =12V ，R C =2k Ω，集电极电流I C 计算值为1mA 。
用直流电压表测时U CE =8V ，这说明______。
a.电路工作正常b. 三极管工作不正常c. 电容C i 短路d. 电容C o短路 &6.对于题3-1图所示放大电路中，若其他电路参数不变，仅当R B 增大时，U CEQ 将______；若仅当R C 减小时，U CEQ 将______；若仅当R L 增大时，U CEQ 将______；若仅更换一个β较小的三极管时，U CEQ 将______； a.增大 b. 减小 c. 不变 d. 不确定7.对于题3-1图所示放大电路中，输入电压u i 为余弦信号，若输入耦合电容C i 短路，则该电路______。
a.正常放大b. 出现饱和失真c. 出现截止失真d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真；若产生截止失真，则输出电压_______失真。
北交大模电习题绪论 练习与习题
t
同样利用延迟定理，可以得到 1 F ( s ) = 2 (1 − e − s − e −3 s + e 4 ) s 0-4 设输入信号为阶跃信号，用 Multisim 计算以下系统输出波形。 Y ( s) 1 （a） = X ( s ) s + 0.5 解： 利用 Multisim 中的传递函数仿真功能 ，连接仿真电路如图 a 所示。把信号设置为 10V/100Hz，可以得
练习题
0-1 绘制以下信号的波形
a) f (t ) = 3 sin(20πt + π ) b) f (t ) =
n = −∞
∑ [u(t − nT ) − u(t − nT − T )]
∞
解： a）ω=20π=2πf，所以 f=10Hz，π对应于 180 度。波形如下图。
b）周期为 T，u(t)−u(t−T)是一个方波，所以，根据表达是可知，这是方波串，方波的周期为 2T。波形如图。
+1 t
T
-1
练习 0-3 图
解： 锯齿波的周期为 T。设线性端的方程为： y(t)=at+b 根据给定的波形， y (t ) t =0 = b = −1
y (t ) t =T = aT + b = 1
所以
2 t −1 T 利用阶跃函数把直线限制在一定的区域内容，即 2 f (t ) = t − 1[u (t ) − u (t − T )] T 2 f n (t ) = (t − nT ) − 1[u (t − nT ) − u (t − nT − T )] T y (t ) =
图b
图 c
图d
从图 c 可以看到，当输入信号的频率为 100Hz 时，信号把衰减了 55.964dB。 Y ( s) 1 （b） （略） = X ( s ) ( s + 1)( s + 2) （c） Y ( s) （略） ( s + 3) = X ( s ) ( s + 1)( s + 2)
电子技术_北京交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
电子技术_北京交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.在如图所示的JK触发器中，【图片】端的功能是异步（）。
【图片】参考答案:置“0”2.整流滤波电路如图所示，变压器副边电压有效值U21= U22=30V，若输出电压UO= 36V，则说明此时电路出现的状况是( )。
【图片】参考答案:电路元件均正常3.整流电路如图所示，已知输出电压平均值UO=18V，则变压器副边电压有效值【图片】应为( )。
【图片】参考答案:20V4.4位左移移位寄存器要并行输出四位输入数码需要（）个移位脉冲。
参考答案:45.请选择合适的与非门实现逻辑函数【图片】，试判断逻辑电路图的对错。
【图片】参考答案:正确6.已知逻辑图和输入A，B，C的波形如图所示，试判断输出F波形（图中红色波形）的对错。
【图片】【图片】参考答案:正确7.工作在反向击穿区的稳压二极管具有( )作用。
参考答案:稳定电压8.二极管电路如题图所示，设二极管为理想二极管，已知u1=-3V，u2=0V，则输出电压uo为( )。
【图片】参考答案:-3V9.整流电路如图所示，变压器副边电压有效值【图片】为10 V，则输出电压的平均值【图片】是（）。
【图片】参考答案:4.5 V10.单相桥式整流电路如图1所示，变压器副边电压【图片】的波形如图2所示，设四个二极管均为理想元件，则二极管D1两端的电压【图片】的波形为图3中（）。
【图片】参考答案:(d)11.如图所示共发射极放大电路中出现饱和失真，应采取以下（）措施可消除失真。
【图片】参考答案:增大RB或减小UCC12.TTL三态门电路如图所示。
写出输出F与输入A、B的表达式为（）。
【图片】参考答案:C=1，C=0，13.下列四个数中最大的数是（）。
参考答案:(178)1014.对于如图所示的波形，A、B为输入，F为输出，其反映的逻辑关系是（）。
【图片】参考答案:异或关系15.电路如图所示，D为硅二极管，根据所给出的电路参数判断该管为( )。
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常用的本征半导体
Si
+14
2 8 4
Ge
+32
2 8 18 4
+4
本征半导体
本征半导体的原子结构和共价键
共价键内的电子 称为束缚电子 称为束缚电子 挣脱原子核束缚的电子 价带中留下的空位 称为自由电子 称为自由电子 +4 +4 +4 称为空穴 称为空穴 导带
+4 +4 +4
自由电子定向移动 形成电子流 形成外电场 电子流 外电场E
T=300k(室温)时 UT= 26mv (室温)
当加正向电压时: 当加正向电压时: 当加反向电压时: 当加反向电压时:
I = I Se
U UT
(U>>UT)
I = IS
PN结电容效应 PN结电容效应
势垒电容 T 势垒电容C 电容 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的. 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的.当外加 反偏电压使PN结上压降发生变化时 结上压降发生变化时, 反偏电压使 结上压降发生变化时,离子薄层的厚度也相 应地随之改变,这相当PN结中存储的电荷量也随之变化 结中存储的电荷量也随之变化, 应地随之改变,这相当 结中存储的电荷量也随之变化, 犹如电容的充放电. 犹如电容的充放电.
本征半导体的载流子的浓度
本征半导体
电子浓度n 电子浓度 i :表示单位体积的自由电子数 空穴浓度p 空穴浓度 i :表示单位体积的空穴数.
ni = pi = AoT e
A0—与材料有关的常数 与材料有关的常数 EG—禁带宽度 禁带宽度 T—绝对温度 绝对温度 K—玻尔曼常数 玻尔曼常数 结论
3
2 EG /2 KT
R = r nipi
其中r—复合系数,与材料有关 复合系数,
杂质半导体
掺入三价元素, 掺入三价元素,如B(硼), (铝) ( ),Al( 型半导体, 等,形成P型半导体,也称空穴型半导体. 形成 型半导体 也称空穴型半导体. 掺入杂质的本征半导体. 掺入杂质的本征半导体. 掺杂后半导体的导电率大为提高. 掺杂后半导体的导电率大为提高. 掺入五价元素, 掺入五价元素,如P(磷),砷(As) ( ),砷 ) 型半导体, 等,形成N型半导体,也称电子型半导体. 形成 型半导体 也称电子型半导体.
1. PN结加正向电压时的导电情况 PN结加正向电压时的导电情况 P区的电位高于 区的电位,称为加正向电压,简称正偏; 区的电位高于N区的电位 正向电压, 正偏; 区的电位高于 区的电位,称为加正向电压 简称正偏 外电场方向与PN结内 外电场方向与 结内 电场方向相反, 电场方向相反,削弱了内 电场. 电场. 于是内电场对多子扩 散运动的阻碍减弱, 散运动的阻碍减弱,扩散 电流加大. 电流加大. 扩散电流远大于漂移 电流, 电流,可忽略漂移电流的 影响. 影响. PN结呈现低阻性. 结呈现低阻性. 结呈现低阻性 内 外
半导体基础知识
半导体的特性 本征半导体 杂质半导体
半导体特性
何谓半导体
物体分类 导电率为10 量级, 导体 — 导电率为105s.cm-1,量级,如金属
-14 -1量级, 导电率为10-22 绝缘体 — 导电率为10 -10 s.cm 量级, 橡胶,云母,塑料等. 如:橡胶,云母,塑料等.
半导体特性
+4
+3 +4
+4
+4
+4
+4
+4
+3 +4
+4
杂质原子提供 空穴是多子
价带
由热激发形成 自由电子是少子
杂质半导体的载流子浓度 n p = ni pi = ni2
N型半导体: 型半导体: 型半导体
杂质半导体
因掺杂的浓度很小, 因掺杂的浓度很小,可近似认为载流子的产生率 g与复合系数保持不变,即存在如下关系. 与复合系数保持不变,即存在如下关系. 与复合系数保持不变 nn≈ND(施主杂质的浓度>>ni) 施主杂质的浓度
学习方法
深入理解模拟电路的基本概念 掌握典型电路的结构及分析方法
参 考 资 料
高 等 教 育 出 版 社
著者: 著者:康华光
清华大学 返 回
参 考 资 料
高 等 教 育 出 版 社
著者: 著者:邓汉磬等
清华大学
参 考 资 料
高 等 教 育 出 版 社
著者: 著者:王远
著者: 著者:童诗白
绪论
超大规模 VLSI 以上) (105以上)
1960年集成电路出现,成 年集成电路出现, 年集成电路出现 1906年,1948年,肖克利等发明了晶体管,其 年 福雷斯特等发明了电子管;电子管体 年 肖克利等发明了晶体管, 福雷斯特等发明了电子管; 千上万个器件集成在一块 积大,重量重,耗电大,寿命短.世界上第一 性能在体积, 积大,重量重,耗电大重量方面明显优于电子 性能在体积,,寿命短. 芯片, 芯片,大大促进了电子学 台计算机用了1.8万只电子管,占地170平方米, 台计算机用了但器件较多时由分立元件组成的 , 管, 万只电子管,占地 平方米, 万只电子管 平方米 芯片中集成上万个等效门, 芯片中集成上万个等效门 的发展, 的发展,尤其促进数字电 耗电150W.目前在一些大功率发射 重30吨,分立电路体积大,焊点多,电路的可 吨 分立电路体积大,焊点多, 耗电 . 目前高的已达上亿门. 目前高的已达上亿门. 路和微型计算机的飞速发 装置中使用. 靠性差. (摩尔定律) 靠性差 装置中使用. . 展. 摩尔定律)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+5 +4
+4
杂质原子提供 自由电子是多子
P型半导体 型半导体
杂质半导体
在本征半导体中掺入的三价元素如B. 在本征半导体中掺入的三价元素如 . 因留下的空穴很容易俘获 电子,使杂质原子成为负 电子,使杂质原子成为负 离子. 离子.三价杂质 因而也 称为受主杂质 受主杂质. 称为受主杂质. 导带 受主 - 能级
P型半导体: 型半导体: 型半导体
n i 2 ≈ n i 2 (<<p ) p n= i nn ND
n i 2 ≈ n i 2 (<<n ) np= i pp NA
pn≈NA(受主杂质的浓度>>pi) 受主杂质的浓度
在杂质型半导体中,多子浓度比本征半导体的 在杂质型半导体中, 浓度大得多, 浓度大得多,而少子浓度比本征半导体的浓度小得 但两者乘积保持不变,并等于n 多,但两者乘积保持不变,并等于 i2 .
§ PN结与晶体二极管 PN结与晶体二极管
PN结 结 晶体二极管 特殊类型的二极管
PN结的形成 PN结的形成
内电场阻碍多子向对方的扩散 内电场阻碍多子向对方的扩散 阻碍多子向对方的 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 促进少子向对方 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动 P区 区 N区 区 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散 扩散,称 的区域扩散 称扩散运动 形成的电流成为扩散电流 形成的电流成为扩散电流
掺杂特性 温度特性 光照特性
导电能力介于导体和绝缘体之间. 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间. 砷化镓等. 如:硅,锗,砷化镓等. 掺入杂质则导电率急剧增加 温度增加使导电率大为增加 光敏器件 半导体器件 光电器件 热敏器件
光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势
本征半导体
本征半导体 完全纯净,结构完整的半导体晶体. 完全纯净,结构完整的半导体晶体. 纯度: 纯度:99.9999999%,"九个 , 九个9" 它在物理结构上呈单晶体形态. 它在物理结构上呈单晶体形态.
第2章 半导体器件基础 章
一,晶体二极管及其应用 了解半导体的特性;本征,杂质半导体;掌握PN结的基 本原理,电流方程及反向击穿现象;掌握晶体二极管的伏安 特性,电阻和电容效应;掌握光电,发光二极管的工作原理 及其应用. 二,双极型晶体管 掌握双极型晶体三极管的原理,电流分配关系,符号; 掌握双极型晶体三极管的主要参数和〈H〉参数等效电路. 三,场效应管 了解场效应管的分类,理解结型,绝缘栅型场效应管 的工作原理及特点;掌握结型,绝缘栅型场效应管的转移特 性曲线和输出特性曲线;掌握场效应管的主要参数和微变等 效电路.
杂质半导体
N型半导体 型半导体
+5 +4
杂质半导体
在本征半导体中掺入的五价元素如P. 在本征半导体中掺入的五价元素如 . 由于五价元素很容易贡献电 因此将其称为施主杂质 施主杂质. 子,因此将其称为施主杂质. 施主杂质因提供自由电子而 带正电荷成为正离子 正离子. 带正电荷成为正离子. 导带 施主 + + + + + + + 能级 价带 由热激发形成 空穴是少子
第1章 绪论 章
模拟电路的特点 电子器件的发展 学习方法 考核方法 参考书
模拟电路的特点
模拟电路与数字电路的区别
模拟电路:处理的信号是时间上连续的信号 模拟电路:处理的信号是时间上连续的信号 连续
数字电路: 处理的信号是离散 离散的信号 数字电路: 处理的信号是离散的信号
二,电子器件的发展
电 子 管 分 晶 立 体 元 管 件 ( ( ( ( 以下) ( 以下 集 SSI(100以下) 成 MSI(〈103) ( 电 路 LSI(〈104) (
4
5
PN结具有单向导电性. 结具有单向导电性. 结具有单向导电性
PN结电流方程 PN结电流方程
PN结两端的电压与 结两端的电压与 U UT 流过PN结电流的关系式 由半导体物理可推出: 由半导体物理可推出:I = 流过e 结电流的关系式 IS ( 1)