实验二 3_RAM62256存储器的应用
存储器的原理及应用
存储器的原理及应用1. 存储器的原理存储器是计算机系统中的重要组成部分，用于存储和检索数据。
根据存储器的原理，可以将其分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种类型。
1.1 随机存取存储器（RAM）RAM是一种可以随机读取和写入数据的存储器。
它由一系列存储单元组成，每个存储单元都有唯一的地址，可以通过地址访问存储的数据。
RAM采用电容或电子管等物理元件来存储数据，其存储能力比较大，并且读写速度快，但是数据在断电时会丢失。
RAM有两种常见的类型：静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。
SRAM利用触发器来存储数据，因此读取速度较快，但是占用空间较大，价格较贵。
DRAM则采用电容来存储数据，由于电容会逐渐放电，需要定期刷新，所以读取速度相对较慢，但是价格相对较低。
1.2 只读存储器（ROM）ROM是一种只能读取而不能写入的存储器。
它通常用于存储初始程序和固件等数据，这些数据在计算机启动时需要被加载。
ROM的数据是永久存储的，不会因为断电而丢失。
ROM的读取速度较快，但是不能被用户随意修改。
根据存储方式的不同，ROM又可以分为可编程只读存储器（PROM）、只读存储器（ROM）和闪存（Flash）等类型。
PROM可以由用户进行一次性的编程，ROM的数据在制造时被写入，不可修改，而闪存是一种可以电子擦除和重新编程的存储器。
2. 存储器的应用存储器作为计算机系统的核心组件之一，在各个领域都有广泛的应用。
2.1 个人电脑个人电脑中使用的RAM主要是SRAM和DRAM。
这些存储器用于存储正在运行的程序和数据，可以提供快速读写的性能。
此外，个人电脑中也会使用固态硬盘（SSD）作为辅助存储器，SSD使用闪存存储技术，具有快速的读取速度和低能耗。
2.2 服务器和大型计算机服务器和大型计算机通常需要大容量的存储器来处理海量的数据。
这些系统使用的存储器通常是DRAM，通过多通道和高频率的设计来提供高带宽和低延迟的性能。
62256芯片
62256芯片62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，它具有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
下面将详细介绍62256芯片的特点、工作原理以及应用领域。
62256芯片的主要特点如下：1. 高容量：62256芯片共有62256个存储位置，每个位置可以存储8位数据。
因此，它具有较高的存储容量，能够满足大部分存储需求。
2. 快速访问：62256芯片的存取时间较短，能够快速地进行数据的读写操作。
这对于一些对存储速度有要求的应用来说非常重要。
3. 静态存储器：62256芯片是一种静态随机存储器(SRAM)，不需要进行刷新操作，能够实时地保存数据。
这样可以节省系统资源并提高存储效率。
4. 低功耗：62256芯片在存储数据时不需要刷新操作，因此功耗较低。
这对于一些功耗敏感的应用来说非常有优势。
62256芯片的工作原理是通过存储单元和控制电路实现的。
每个存储单元由一个存储电容和一个存储开关组成。
控制电路的作用是控制数据的读写操作，并为存储单元提供所需要的电源和时钟信号。
在读取数据时，控制电路将读取地址发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将存储单元中的数据输出到数据总线上。
在写入数据时，控制电路将写入地址和数据发送给存储单元，并打开相应的存储开关，将数据写入到存储单元中。
同时，控制电路还可以根据需要进行数据的复位、使能和屏蔽操作。
62256芯片主要应用于嵌入式系统中，广泛用于各种电子设备中的数据存储和缓存。
它可以存储程序代码、系统配置信息和用户数据等。
常见的应用场景包括计算机、通信设备、医疗设备、工控设备等。
随着科技的进步和应用领域的扩大，62256芯片的应用范围还将继续扩大。
总之，62256芯片是一种高容量、快速访问、低功耗的静态随机存储器。
它适用于各种数据存储和缓存应用，广泛应用于嵌入式系统中。
随着技术的不断发展，我们相信62256芯片将会有更广阔的应用前景。
谈HM62256RAM的应用
樊 太 原 一
地 提 高了工作 效 率 。不足之 处是 分 时复用 、半 双工
通信。
ｌ 工作 原 理
工 作原理 图见 图 １ 。电路 采 用 １片 随 机存 贮 芯 片 （ ＨＭ６ ２ ６ 作 为数 据存 贮 和交 换 中心 ＲＡ 。 ２５ ） Ｍ 将其 内存分页 ，Ｐ Ｃ机能 通 过 数 据 总线 将 数 据成 页 地写 入 ＲＡＭ，Ｃ ５系统再从 Ｒ ２ ＡＭ 中读 出数据 。 ＨＭ６ ２ ６ ＡＭ 的存贮 量 为 ３ ２５ Ｒ ２ＫＢ．地址 线 有 （ ～ Ａ ． ，将 ＨＭ６ ２ ６分 成 １ Ａ。 ） ２５ ，每 页 容 量 ６页
２ＫＢ，有 ２ ４ ０ ８十 地 址 单 元 ，其 低 １ １位 地 址 （ Ａ
～
数据 交换 。该 电路信 号 线 少 、 电路简 单 、成本 低 ，
可靠 性高 、灵活性 强 ，能实 现数 据成 页传送 ．极大
铁 通 山西 分 公 司 ，０ ０ １ 太 原 ３０３ 助理 工 程 师 ’ 程 师 工
维普资讯
铁 道通 言 信 号
２０ 年第 ３ ０２ ８卷 第 ３ 期
谈 ＨＭ６ ２ ６ Ａ 的 应 用 ２５Ｒ Ｍ
范 新 威
Ｃ５ ２ 语音综 合 系统 （ 以下 简称 Ｃ ５系统 ）是作 ２ 为一十 系统板 安装 在 Ｐ Ｃ机 上 ，程序 由 ｐ ｃ机 执行 ， 与Ｐ Ｃ机进 行数 据交换 。数 据 采用 并 行 方式 。由于 Ｐ Ｃ机扩 充 槽 的数 据 总 线 是 ８位 ，每 次 只 能交 换 １个字节 的数据 ，若要交 换 大量 的数 据 要 花很 长 时 间。为 了加 快数 据交 换 ，减 少数 据传 送时 间 ，虽 然 可以采用 双 口 Ｒ ＡＭ （ 地 址 和数 据 总 线 各 ２套 ， 其 ２个 Ｃ Ｕ 可 以 同时 访 问 ） Ｐ ，但其 容量 小 、价格 贵 ． 不 宜作较 大容量 的公 用存贮 器 。为此 ，设计 了一 个 高速数据交 换 电路 ，来满足 Ｐ Ｃ机 与 Ｃ ５系统 间的 ２
实验 存储器的使用
实验七存储器的使用一、实验目的1、掌握变量的定义方法。
2、掌握内存的块操作方法。
3、掌握存储器的初始化4、熟悉存储器的使用手段二、实验内容1、变量及其定义2、和存储器操作有关的中断指令三、EXE模板的使用（1）单击菜单[文件][新建]，出现如下图所示的对话框，选择EXE模板，单击确定（2）在出现的编程界面中，默认生成了三个段，如下图所示其中，DSEG为数据段，SSEG为堆栈段，CSEG为代码段数据段和堆栈段中没有任何内容堆栈段暂时不使用，代码段需要编写自己的程序所以，默认的堆栈段定义语句可以删除。
代码段中默认的内容也要删除（以后的实验，同样的操作）删除之后如下图所示。
可以在下图中的DSEG中定义数据，在CSEG中编写代码。
也可以将默认生成的代码全部删除，自己编写代码。
四、实验内容1、采用EXE模板，调试下列程序，观察内存变化，观察结果与教材中图4.3比较。
并截图（源程序见教材P138-P139，有改动）DSEG SEGMENTTABLE1 DW 12DW 34DATA1 DB 5TABLE2 DW 67,89DW 1011DATA2 DB 12RATES DW 1314DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START提示，在看数据段之前，查看数据段DS的内容，找到相应的内存区域，本题数据段第一个数据TABLE1的偏移地址为0000H2、调试下列程序，观察内存变化，观察结果，并截图（源程序见教材P138-P139，有改动）DSEG SEGMENT AT 55HZERO DB 0ONE DW ONETWO DW TWOFOUR DW FOUR+5SIX DW ZERO-TWOATE DB 5+6DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START提示，在看数据段之前，查看数据段DS的内容，找到相应的内存区域，本题数据段第一个数据TABLE1的偏移地址为0000H3、调试下列程序，观察内存变化，观察结果，并截图（源程序见教材P138-P139，有改动）DSEG SEGMENT AT 55HSTRING1 DB 'HELLO'STRING2 DB 'AB'STRING3 DW 'AB'STRING4 DB 'ABCD'STRING5 DW 'AB','CD'DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START提示，在看数据段之前，查看数据段DS的内容，找到相应的内存区域，本题数据段第一个数据TABLE1的偏移地址为0000H五、实验思考题1、完成教材P164，习题4.8，观察结果，并截图DSEG SEGMENT;数据段定义的内容见教材P164，习题4.8，请补充DSEG ENDSCSEG SEGMENT 'CODE'ASSUME CS:CSEG,DS:DSEGSTART: MOV AX,DSEGMOV DS,AXMOV AH,4CHINT 21HCSEG ENDSEND START2、完成教材P164，习题4.12，要求A、B、C均定义为字节变量，无符号数。
存储器扩展
数据存贮器扩展实验一、实验目的1、学习片外存贮器扩展方法。
2、学习数据存贮器不同的读写方法。
二、实验内容使用一片62256RAM，作为片外扩展的数据存贮器，对其进行读写。
三、实验说明本实验采用的是55H（0101，0101）与AAH（1010，1010），一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实验调试用户电路时非常有效。
编写程序对片外扩展的数据存贮器进行读写，若L1灯闪动说明RAM读写正常。
四、实验接线图图（12－1）五、实验框图六、实验步骤1、RAM_CS插孔连到译码输出P2.7插孔，P1.0连接到L0。
2、调试运行程序test12中RAM.ASM。
对62256进行读写。
若L1灯闪动，表示62256RAM读写正常。
ORG 0000HAJMP STARTORG 0030HSTART: MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHMOV A,#55HRAM1: MOV R7,#0FFHRAM2: MOVX @DPTR,ACLR P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM2DJNZ R6,RAM1MOV DPTR,#0000HMOV R6,#0FHRAM3: MOV R7,#0FFHRAM4: MOVX A,@DPTRCJNE A,#55H,RAM6SETB P1.0INC DPTRDJNZ R7,RAM4DJNZ R6,RAM3RAM5: CLR P1.0CALL DELAYSETB P1.0CALL DELAYSJMP RAM5DELAY: MOV R5,#0FFHDELAY1: MOV R4,#0FFHDJNZ R4,$DJNZ R5,DELAY1RETRAM6: SETB P1.0SJMP RAM6END#include <reg51.h>#include <ABSACC.h>void delay(void);sbit P1_0=P1^0;void main(void){unsigned char tmp2;unsigned int tmp1,i1;SP=0x60; i1=0;for (tmp1=0;tmp1<0x3fff;tmp1++){XBYTE[0X0000+i1]=0x55;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0x55){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;delay();i1++;XBYTE[0x0000+i1]=0xaa;tmp2=XBYTE[0X0000+i1];if (tmp2!=0xaa){while(1) P1_0=0;}P1_0=!P1_0;i1++;delay();}}void delay(void){unsigned char ii;unsigned int jj;for (ii=0;ii<15;ii++)for (jj=0;jj<0xFF;jj++);}。
扩展存储器读写实验
实验六扩展存储器读写实验一．实验目的掌握单片机系统中存储器扩展的方法。
二．软件、硬件环境要软件、硬件环境要求1）软件环境要求Windows XP操作系统以及Keil C51 单片机集成开发环境。
2）硬件环境要求电脑一台，TD-51单片机系统。
三．实验内容编写简单的程序，对实验板上提供的外部存储器（62256）进行读写操作，连续运行程序，数码管上显示99。
四．引脚定义：A0——Ai：地址输入线。
D0——D7：双向三态数据线。
CS：片选信号输入线，低电平有效。
RD：读选通信号线，低电平有效。
WR：写选通信号线，低电平有效五、硬件接线图六．试验流程图八.实验步骤：将实验源程序打入K e i l软件,然后编译连接。
九.仿真，仿真结果如下：十．实验程序RAMDATA XDATA 99HRAMADDRESS XDATA 6000HORG 0000HAJMP MAINORG 0030H;MAIN: CALL W_RAMCALL R_RAMMOV R0,ACALL DISP ;调用LED显示子程序CALL DELAY ；调用延时子程序CALL DELAYAJMP MAIN;;********************************************************; /*写 RAM 子程序*/ *;********************************************************;W_RAM: MOV DPTR,#RAMADDRESS ;把数据存入指定的地址中MOV A,#RAMDATAW_RAM1: MOVX @DPTR,ARET;;********************************************************; /*读 RAM 子程序*/ *;********************************************************R_RAM: MOV DPTR,#RAMADDRESSR_RAM1: MOVX A,@DPTR ;从指定的地址中读出数据 RET;;********************************************************; /*LED显示子程序*/ *;********************************************************;DISP: MOV A,R0ANL A,#0FHACALL DSEND ;显示MOV A,R0SWAP AANL A,#0FHACALL DSEND ;显示RETDSEND: MOV DPTR,#SGTB1MOVC A,@A+DPTRMOV SBUF,A ;发送字符JNB TI,$CLR TIRET;;********************************************************; /*延时子程序*/ *;********************************************************;DELAY: MOV R6,#250DELAY1: MOV R7,#250DJNZ R7,$ ；延时sDJNZ R6,DELAY1RET;;********************************************************; /*字符编码*/ *;********************************************************;SGTB1:DB 09H ;9END十一．实验总结本次实验是实现单片机内部RAM和外部RAM之间数据的传送，这就要求我们知道他们各自传送的特点。
单片机实验-扩展存储器读写实验
实验一：扩展存储器读写实验一.实验要求编制简单程序，对实验板上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。
二.实验目的1．学习片外存储器扩展方法。
2．学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路及连线将P1.0接至L1。
CS256连GND孔。
四.实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。
用户藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系统调试程序的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。
本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作，并比较读写结果是否一致。
不一致则说明读写操作不可靠或该存储器单元不可靠，程序转入出错处理代码段（本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错）。
读写数据的选用，本例采用的是55（0101，0101）与AA（1010，1010）。
一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等，在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时，可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法，来观察程序执行的流程和各中间变量的值。
2．在I状态下执行MEM1程序，对实验机数据进行读写，若L1灯亮说明RAM读写正常。
3．也可进入LCA51的调试工具菜单中的对话窗口，用监控命令方式读写RAM，在I状态执行SX0000↓ 55，SPACE，屏幕上应显示55，再键入AA，SPACE，屏幕上也应显示AA，以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注：SX是实验机对外部数据空间读写命令。
4．本例中，62256片选接地时，存储器空间为0000~7FFFH。
五.实验程序框图实验示例程序流程框图如下：六.实验源程序：ORG 0000HLJMP STARTORG 0040HSTART:MOV SP,#60HMOV DPTR,#0000H ;置外部RAM读写地址MOV A,#55H ;测试的数据一MOV B,AMOVX @DPTR,A ;写外部RAMMOVX A,@DPTR ;读外部RAMXRL A,B ;比较读回的数据JNZ ERRORMOV A,#0AAH ;测试的数据二MOV B,AMOVX @DPTR,AMOVX A,@DPTRXRL A,BJZ PASS ;测试通过ERROR: SETB P1.0 ;测试失败,点亮LEDSJMP $PASS: CPL P1.0 ;LED状态(亮/灭)转换MOV R1,#00H ;延时DELAY: MOV R2,#00HDJNZ R2,$DJNZ R1,DELAYLJMP START ;循环测试END实验二P1口输入、输出实验一.实验要求1.P1口做输出口，接八只发光二极管，编写程序，使发光二极管循环点亮。
《微机原理与接口技术》实验指导书
《微机原理与接口技术》课程实验指导书实验内容EL-8086-III微机原理与接口技术教学实验系统简介使用说明及要求✧实验一实验系统及仪器仪表使用与汇编环境✧实验二简单程序设计实验✧实验三存储器读/写实验✧实验四简单I/0口扩展实验✧实验五8259A中断控制器实验✧实验六8253定时器/计数器实验✧实验七8255并行口实验✧实验八DMA实验✧实验九8250串口实验✧实验十A/D实验✧实验十一D/A实验✧实验十二8279显示器接口实验EL-8086-III微机原理与接口技术教学实验系统简介使用说明及要求EL-8086-III微机原理与接口技术教学实验系统是为微机原理与接口技术课程的教学实验而研制的，涵盖了目前流行教材的主要内容，该系统采用开放接口，并配有丰富的软硬件资源，可以形象生动地向学生展示8086及其相关接口的工作原理，其应用领域重点面向教学培训，同时也可作为8086的开发系统使用。
可供大学本科学习《微机原理与接口技术（8086）》，《单片机应用技术》等课程提供基本的实验条件，同时也可供计算机其它课程的教学和培训使用。
为配合使用EL型微机教学实验系统而开发的8086调试软件，可以在WINDOWS 2000/XP等多种操作系统下运行。
在使用本软件系统调试程序时，可以同时打开寄存器窗口、内存窗口、反汇编窗口、波形显示窗口等等，极大地方便了用户的程序调试。
该软件集源程序编辑、编译、链接、调试与一体，每项功能均为汉字下拉菜单，简明易学。
经常使用的功能均备有热键，这样可以提高程序的调试效率。
一、基本特点EL型微机教学实验系统是北京精仪达盛科技有限公司根据广大学者和许多高等院校实验需求，结合电子发展情况而研制的具有开发、应用、实验相结合的高科技实验设备。
旨在尽快提高我国电子科技发展水平，提高实验者的动手能力、分析解决问题能力。
系统具有以下特点：1、系统采用了模块化设计，实验系统功能齐全，涵盖了微机教学实验课程的大部分内容。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
实验中应该注意的问题
1. 把地址线 把地址线A2~A0、数据线 、数据线I/O3 ~ I/O1 、读写信号 分别按顺序连接到几个拨码开关上， 线OE WR分别按顺序连接到几个拨码开关上，同 分别按顺序连接到几个拨码开关上 时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。 时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。 2. 写入数据时先置 写入数据时先置OE 、 WR信号为高电平，正确设 信号为高电平， 信号为高电平 置地址和数据后，拨动WR开关，顺序为高 低— 开关， 置地址和数据后，拨动 开关 顺序为高—低 高，依次往前8个RAM单元中写入数据 依次往前 个 单元中写入数据00H~07H 单元中写入数据 3. 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开，但 读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开， 数据线仍需要和发光二极管相连， 数据线仍需要和发光二极管相连，依次改变地址线 A2~A0，观察并记录读出的数据 ，观察并记录读出的数据I/O3 ~ I/O1 。 4. 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确，只需 如果读出数据时发现个别地址的数据不正确， 要对此地址重新写入数据，不需要所有的地址全部 要对此地址重新写入数据， 重写。 重写。
RAM62256随机存储器的应用 RAM62256随机存储器的应用
实验目的
熟悉RAM62256的管脚功能 。 掌 的管脚功能。 熟悉 的管脚功能 握随机存储器的性能及使用方法。 握随机存储器的性能及使用方法。
实验内容
1. 对RAM62256中的存储单元进行写入操作。 中的存储单元进行写入操作。 中的存储单元进行写入操作 （存储单元从000～111） 存储单元从 ～ ） 2. 读出RAM62256存储单元中的内容。（用发 读出RAM62256存储单元中的内容。（用发 存储单元中的内容。（ 光二极管显示状态） 光二极管显示状态） 3. 选做：用RAM62256随机存储器设计一个 选做： 随机存储器设计一个4 随机存储器设计一个 循环彩灯电路。 循环彩灯电路。
实验器件
RAM62256 、 发光二极管、拨码开关 发光二极管、
32k× 位静态随机存储器RAM62256 32k×8位静态随机存储器RAM62256
A0～A14：地址输入端； ～ ：地址输入端； I/O1～I/O8：数据输入 /输出端； 输出端； 输出端 WE：写使能输入端； ：写使能输入端； OE：输出使能输入端； ：输出使能输入端； CS：片选输入端； ：片选输入端； Vcc：电源（ 5V ） ：电源（ Vss：地 ：
RAM62256引脚功能 RAM62256引脚功能
CS H L L L OE X H L X WE X H H L I/O1～8 高阻 高阻 输出 输入 功能 片选无效 输出无效 读 写
实验原理图
H L
ห้องสมุดไป่ตู้
状态显示
11
12
13
15
16
17
18
19
22
27
I/O1
…
I/O8
OE WE
RAM62256
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13 A14 CS
10 9 8 7 6 5 4 3 25 24 21 23 2 26 1 20
数据记录表格
A2 A1 A0 I/O3 I/O2 I/O1 I/O3 I/O2 I/O1 地址） 写入） 读出） （地址） （写入） （读出） 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1
思考题
1．RAM62256有多少条地址线？有多少条数 有多少条地址线？ 有多少条地址线
据线？ 据线？有多少个存储单元 ？
2． 实验中写入 RAM 数据后，当读数据时会 数据后，
发现某些单元的数据变化了，为什么？ 发现某些单元的数据变化了，为什么？
3 ． 如何使用 RAM62256 构成 64K 的静态数据 存储器？