计算机组成原理实验报告二半导体存储器原理实验
计算机组成原理实验报告(运算器组成存储器)

计算机组成原理实验报告(运算器组成存储器)计算机组成原理实验报告(运算器组成、存储器)计算机组成原理实验报告一、实验1quartusⅱ的采用一.实验目的掌控quartusⅱ的基本采用方法。
了解74138(3:8)译码器、74244、74273的功能。
利用quartusⅱ检验74138(3:8)译码器、74244、74273的功能。
二.实验任务熟悉quartusⅱ中的管理项目、输入原理图以及仿真的设计方法与流程。
新建项目,利用原理编辑方式输出74138、74244、74273的功能特性,依照其功能表分别展开仿真,检验这三种期间的功能。
三.74138、74244、74273的原理图与仿真图1.74138的原理图与仿真图74244的原理图与仿真图1.4.74273的原理图与仿真图、实验2运算器组成实验一、实验目的1.掌握算术逻辑运算单元(alu)的工作原理。
2.熟悉简单运算器的数据传送通路。
3.检验4十一位运算器(74181)的女团功能。
4.按给定数据,完成几种指定的算术和逻辑运算。
二、实验电路附录中的图示出了本实验所用的运算器数据通路图。
8位字长的alu由2片74181构成。
2片74273构成两个操作数寄存器dr1和dr2,用来保存参与运算的数据。
dr1接alu的a数据输入端口,dr2接alu的b数据输入端口,alu的数据输出通过三态门74244发送到数据总线bus7-bus0上。
参与运算的数据可通过一个三态门74244输入到数据总线上,并可送到dr1或dr2暂存。
图中尾巴上拎细短线标记的信号都就是掌控信号。
除了t4就是脉冲信号外,其他均为电位信号。
nc0,nalu-bus,nsw-bus均为低电平有效率。
三、实验任务按右图实验电路,输出原理图,创建.bdf文件。
四.实验原理图及仿真图给dr1取走01010101,给dr2取走10101010,然后利用alu的直通功能,检查dr1、dr2中是否保存了所置的数。
计算机组成原理实验报告

计算机组成原理实验报告实验目的,通过本次实验,深入了解计算机组成原理的相关知识,掌握计算机硬件的基本组成和工作原理。
实验一,逻辑门电路实验。
在本次实验中,我们学习了逻辑门电路的基本原理和实现方法。
逻辑门电路是计算机中最基本的组成部分,通过逻辑门电路可以实现各种逻辑运算,如与门、或门、非门等。
在实验中,我们通过搭建逻辑门电路并进行实际操作,深入理解了逻辑门的工作原理和逻辑运算的实现过程。
实验二,寄存器和计数器实验。
在本次实验中,我们学习了寄存器和计数器的原理和应用。
寄存器是计算机中用于存储数据的重要部件,而计数器则用于实现计数功能。
通过实验操作,我们深入了解了寄存器和计数器的内部结构和工作原理,掌握了它们在计算机中的应用方法。
实验三,存储器实验。
在实验三中,我们学习了存储器的原理和分类,了解了不同类型的存储器在计算机中的作用和应用。
通过实验操作,我们进一步加深了对存储器的认识,掌握了存储器的读写操作和数据传输原理。
实验四,指令系统实验。
在本次实验中,我们学习了计算机的指令系统,了解了指令的格式和执行过程。
通过实验操作,我们掌握了指令的编写和执行方法,加深了对指令系统的理解和应用。
实验五,CPU实验。
在实验五中,我们深入了解了计算机的中央处理器(CPU)的工作原理和结构。
通过实验操作,我们学习了CPU的各个部件的功能和相互之间的协作关系,掌握了CPU的工作过程和运行原理。
实验六,总线实验。
在本次实验中,我们学习了计算机的总线结构和工作原理。
通过实验操作,我们了解了总线的分类和各种总线的功能,掌握了总线的数据传输方式和时序控制方法。
结论:通过本次实验,我们深入了解了计算机组成原理的相关知识,掌握了计算机硬件的基本组成和工作原理。
通过实验操作,我们加深了对逻辑门电路、寄存器、计数器、存储器、指令系统、CPU和总线的理解,为进一步学习和研究计算机组成原理奠定了坚实的基础。
希望通过不断的实践和学习,能够更深入地理解和应用计算机组成原理的知识。
计算机组成原理全部实验

一、实验目的
1.掌握简单运算器的数据传输方式。
3、P0K、P1K、P2K都置成系统方式;
4、信号连接线必须一一对应连接好。即在实验机左上方的信号接口与实验机右下方的信号接口分别一一对应连接。
左上方右下方
地址指针―――――――――――地址指针
地址总线―――――――――――地址总线〔在实验机右侧中部〕
数据总线―――――――――――数据总线〔在实验机右侧中部〕
运算暂存器DR1―――――――――运算暂存器DR1
运算暂存器DR2―――――――――运算暂存器DR2
微地址―――――――――――――微地址
检查完毕可以通电;
注意事项:
1、电脑屏幕上所有的按钮与实验机上的按钮完全对应。
2、在做实验时,要保证总线不发生冲突。即对总线操作时只有一个操作状态有效。
3、运算器、存储器、数据通路,三个实验按操作步骤操作即可
实验前把TJ,DP对应的逻辑开关置成11状态〔高电平输出〕,并预置以下逻辑电平状态:/ALU-BUS=1,/PC-BUS=1,R0-BUS=1,R1-BUS=1,R2-BUS=1时序发生器处于单拍输出状态,实验是在单步状态下进行DR1,DR2的数据写入及运算,以便能清楚地看见每一步的运算过程。
实验步骤按表1进行。实验时,对表中的逻辑开关进行操作置1或清0,在对DR1,DR2存数据时,按单次脉冲P0〔产生单拍T4信号〕。表1中带X的为随机状态,无论是高电平还是低电平,它都不影响运算器的运算操作。总线D7-D0上接电平指示灯,显示参与运算的数据结果。简单运算器的数据传送通路。
计算机组成原理实验报告二 半导体存储器原理实验

半导体存储器原理实验一、实验目的:1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
二、实验要求:按练习一和练习二的要求完成相应的操作,并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
三、实验方案及步骤:1、按实验连线图接线,检查正确与否,无误后接通电源。
2、根据存储器的读写原理,按表2.1的要求,将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。
3、根据实验指导书里面的例子练习,然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。
4、比较实验结果和理论值是否一致,如果不一致,就分析原因,然后重做。
四、实验结果与数据处理:(1)表2.1各控制端的状态(2)练习操作数据1:(AA)16 =(10101010)2写入操作过程:1)写地址操作:①应设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000000即可。
②应设置有关控制端的开关状态:先在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,打开地址寄存器存数控制信号,即LDAR=1,关闭片选信号(CE),写命令信号(WE)任意,即CE=1,WE=0或1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中:按一下微动开关START即可。
④应关闭AR地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0。
2)写内容操作:①应设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为10101010。
②应设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,关闭地址寄存器存数控制信号,即LDAR=0,打开片选信号(CE)和写命令信号(WE),即CE=0,WE=1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中:再按一下微动开关START即可。
计算机组成原理实验报告_存储系统设计实验

实验四存储系统设计实验一、实验目的本实训项目帮助大家理解计算机中重要部件—存储器,要求同学们掌握存储扩展的基本方法,能设计MIPS 寄存器堆、MIPS RAM 存储器。
能够利用所学习的cache 的基本原理设计直接相联、全相联,组相联映射的硬件cache。
二、实验原理、内容与步骤实验原理、实验内容参考:1、汉字字库存储芯片扩展设计实验1)设计原理该实验本质上是8个16K×32b 的ROM 存储系统。
现在需要把其中一个(1 号)16K×32b 的ROM 芯片用4个4K×32b 的芯片来替代,实际上就是存储器的字扩展问题。
a) 需要4 片4个4K×32b 芯片才可以扩展成16K×32b 的芯片。
b) 目标芯片16K个地址,地址线共14 条,备用芯片12 条地址线,高两位(分线器分开)用作片选,可以接到2-4 译码器的输入端。
c) 低12 位地址直接连4K×32b 的ROM 芯片的地址线。
4个芯片的32 位输出直接连到D1,因为同时只有一个芯片工作,因此不会冲突。
芯片内数据如何分配:a) 16K×32b 的ROM 的内部各自存储16K个地址,每个地址里存放4个字节数据。
地址范围都一样:0x0000~0x3FFF。
b) 4个4K×32b 的ROM,地址范围分别是也都一样:0x000~0xFFF,每个共有4K个地址,现在需要把16K×32b 的ROM 中的数据按照顺序每4个为一组分为三组,分别放到4个4K×32b 的ROM 中去。
HZK16_1 .txt 中的1~4096个数据放到0 号4K 的ROM 中,4097~8192 个数据放到 1 号4K 的ROM 中,8193~12288 个数据放到2 号4K 的ROM 中,12289~16384个数据放到3 号4K 的ROM 中。
c) 注意实际给的16K 数据,倒数第二个4K(8193~12288 个数据)中部分是0,最后4K(12289~16384 数据)全都是0。
计算机组成原理实验说明

实验一运算器组成实验一、实验目的1.熟悉双端口通用寄存器堆(组)的读写操作。
2.熟悉简单运算器的数据传送通路。
3.验证运算器74LS181的算术逻辑功能。
4.按给定数据,完成指定的算术、逻辑运算。
二、实验原理上图是本实验所用的运算器数据通路图。
参与运算的数据首先通过实验台操作板上的八个二进制数据开关SW7-SW0来设置,然后输入到双端口通用寄存器堆RF中。
RF由一个ispLSI1016实现,功能上相当于四个8位通用寄存器,用于保存参与运算的数据,运算后的结果也要送到RF中保存。
双端口寄存器堆模块的控制信号中,RS1、RS0用于选择从B端口(右端口)读出的通用寄存器,RD1、RD0用于选取从A端口(左端口)读出的通用寄存器。
而WR1、WR0用于选择写入的通用寄存器。
LDRi是写入控制信号,当LDRi=1时,数据总线DBUS上的数据在T3写入由WR1、WR0指定的通用寄存器。
RF的A、B端口分别与操作数暂存器DR1、DR2相连:另外,RF的B端口通过一个三态门连接到数据总线DBUS上,因而RF 中的数据可以直接通过B端口送到DBUS上。
DR1和DR2各由1片74LS273构成,用于暂存参与运算的数据。
DR1接ALU 的A输入端口,DR2接ALU的B端口。
ALU由两片74LS181构成,ALU的输出通过一个三态门(74LS244)发送到数据总线DBUS上。
图中尾巴上带粗短线标记的信号都是控制信号,其中S3,S2,Sl,S0,M,Cn#,LDDR2,LDDRl, ALU-BUS#,SW-BUS#、LDRi、RS1、RS0、RD1、RD0、WR1、WR0等是电位信号,用电平开关K0—Kl5来模拟。
T2、T3是脉冲信号,印制板上已连接到实验台的时序电路上。
#为低电平有效。
K0—K15是一组用于模拟各控制电平信号的开关,开关向上时为1,开关向下时为0,每个开关无固定用途,可根据实验具体情况选用。
实验中进行单拍操作,每次只产生一组Tl,T2,T3,T4脉冲,需将实验台上的DP,DB开关进行正确设置。
计算机组成原理实验报告,存储器的原理及应用

初:未知 当前:2016-7-3 主笔:Angel 联系方式:QQ :1219818801 版本:1实 验 报 告课程名称: 计算机组成原理 实验项目: 存储器的原理及应用姓 名: 刘斌专 业: 计算机科学与技术 班 级: 计算机14-6班 学 号:1404010612计算机科学与技术学院实验教学中心2016 年 6 月 20日初:未知当前:2016-7-3 主笔:Angel 联系方式:QQ:1219818801 版本:1实验项目名称:存储器的原理及应用一、实验目的1.了解程序存储器EM 的工作原理及控制方法2.了解存储器读写方法。
二、实验内容利用 COP2000 实验仪上的 K16..K23 开关做为 DBUS 的数据,其它开关做为控制信号,实现程序存储器EM 的读写操作。
三、实验用设备仪器及材料计算机、伟福 COP2000系列计算机组成原理实验系统四、实验原理及接线内存中通常存放指令和数据,当内存存放指令时,将指令送指令总线;当内存存放数据时,将数据送数据总线。
如图所示,它主要由一片RAM 6116 组成,RAM6116是静态2048X8位的RAM,有11 条地址线,在COP2000 模型机中只使用8 条地址线A0-A7 ,而A8-A10接地。
存储器EM通过1片74HC245 与数据总线相连。
存储器EM的地址可由PC或MAR提供。
存储器EM 的数据输出直接接到指令总线IBUS,指令总线IBUS 的数据还可以来自一片74HC245。
当ICOE 为0 时,这片74HC245 输出中断指令B8。
EM原理图初:未知当前:2016-7-3 主笔:Angel 联系方式:QQ:1219818801 版本:12存储器 uM 由三片 6116RAM 构成,共 24 位微指令。
存储器的地址由 uPC 提供, 片选及读信号恒为低, 写信号恒为高. 存储器uM 始终输出uPC 指定地址单元的数据。
连接线表五、实验操作步骤1, 1、控制 k4、k5开关,观察PC\MAR输出地址选择:1、K5、输出地址(PC红色灯亮)2、K5、输出地址(PC红色灯亮)2、K5、没有灯亮2、K5、、PC同时输出地址(MAR、PC红色灯同时亮)2、存储器EM 写、读实验(1)将地址 0写入MAR二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据00HK3连接MAREN端,当低电平(0)时,MAR写允许按CLOCK键, 将地址 0 写入MAR(2)将数据11H写入地址00H二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据11HK4连接MAROE,当低电平(0)时,MAR输出地址K2连接EEMEN,当低电平(0)时,存储器与数据总线连接K0连接EMWR,当低电平(0)时,存储器写允许按CLOCK键, 将地址11H写入EM(3)读地址00H 中的数据11HK4连接MAROE,,MAR输出地址K1连接EMRD,当低电平(0)时,存储器读允许学生做:将数据55H写入地址22H,并读出将数据45H写入地址33H,并读出3、将数据打入地址为00的IR 指令寄存器/uPC实验(1)将地址 0写入MAR二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据00HK3连接MAREN端,当低电平(0)时,MAR写允许按CLOCK键, 将地址 0 写入MAR(2)将数据11H写入地址00H二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入,置数据11HK4连接MAROE,当低电平(0)时,MAR输出地址K2连接EEMEN,当低电平(0)时,存储器与数据总线连接K0连接EMWR,当低电平(0)时,存储器写允许按CLOCK键, 将地址11H写入EM(3)读地址00H 中的数据11HK4连接MAROE,,MAR输出地址K1连接EMRD,当低电平(0)时,存储器读允许(4)写地址00H数据11H入 IR及 uPC学生做:将数据22H、33H打入地址为01H、02H的IR 指令寄存器/uPC实验实验 1:微程序存储器 uM 读出置控制信号为:K0为1uM 输出uM[0]的数据按一次CLOCK脉冲键,CLOCK产生一个上升沿,数据uPC 被加一。
储存器实验报告

储存器实验报告储存器实验报告一、引言储存器是计算机中重要的组成部分,它用于存储和读取数据。
在计算机科学领域,储存器的设计和性能对计算机的运行速度和效率有着重要的影响。
本实验旨在通过设计和实现一个简单的储存器,来深入了解储存器的工作原理和性能指标。
二、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类;2. 掌握储存器的存储原理和读写操作;3. 分析和评估储存器的性能指标。
三、实验过程1. 储存器的分类储存器按照存储介质的不同可以分为随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。
RAM是一种易失性存储器,它可以随机读写数据。
ROM则是一种非易失性存储器,主要用于存储固定的程序和数据。
2. 储存器的存储原理储存器的存储原理是通过电子元件的状态来表示数据的存储状态。
在RAM中,每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。
当电容充电时表示存储单元存储的是1,当电容放电时表示存储单元存储的是0。
在ROM中,存储单元由一组可编程的开关组成,每个开关的状态决定了存储单元存储的数据。
3. 储存器的读写操作储存器的读操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要读取的存储单元,然后将存储单元的数据输出。
储存器的写操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要写入的存储单元,然后将要写入的数据输入。
四、实验结果在实验中,我们设计并实现了一个8位的RAM储存器。
通过对储存器进行读写操作,我们成功地将数据存储到储存器中,并成功地从储存器中读取数据。
实验结果表明,储存器的读写操作是可靠和有效的。
五、实验分析1. 储存器的性能指标储存器的性能指标包括存储容量、存取时间和存储器的可靠性。
存储容量是指储存器可以存储的数据量,通常以位或字节为单位。
存取时间是指从发出读写指令到数据可以被读取或写入的时间间隔。
存储器的可靠性是指储存器的故障率和故障恢复能力。
2. 储存器的应用储存器广泛应用于计算机、手机、平板电脑等电子设备中。
在计算机中,储存器用于存储程序和数据,是计算机的核心组件之一。
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半导体存储器原理实验一、实验目的:1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
二、实验要求:按练习一和练习二的要求完成相应的操作,并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
三、实验方案及步骤:1、按实验连线图接线,检查正确与否,无误后接通电源。
2、根据存储器的读写原理,按表2.1的要求,将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。
3、根据实验指导书里面的例子练习,然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。
4、比较实验结果和理论值是否一致,如果不一致,就分析原因,然后重做。
四、实验结果与数据处理:(1)表2.1各控制端的状态2)练习操作数据1:(AA)16 =(10101010)2写入操作过程:1)写地址操作:①应设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“ INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0 设置为00000000 即可。
②应设置有关控制端的开关状态:先在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0 ,打开地址寄存器存数控制信号,即LDAR=1, 关闭片选信号(CE ),写命令信号(WE )任意,即CE=1,WE=0 或1。
③应与T3 脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR 地址寄存器中:按一下微动开关START 即可。
④应关闭AR 地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0 。
2)写内容操作:①应设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“ INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0 设置为10101010 。
②应设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=O,关闭地址寄存器存数控制信号,即LDAR=O,打开片选信号(CE )和写命令信号(WE),即CE=0,WE=1。
③应与T3 脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中:再按一下微动开关START 即可。
④应关闭片选信号和写命令信号:即CE=1,WE=0。
读出操作过程:1 )写地址操作:参考写入操作的写地址操作2)读内容操作:①关闭输入三态门控制端,即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意,不过最好关闭,即LDAR=0 ,防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号(WE),即WE=0,打开片选信号(CE),即CE=0,不需要T3脉冲,即不要按微动开关START。
此时00000000地址的内容通过“ BUS UNIT ”中数据显示灯B7-B0 显示出来。
数据2:(55)16 =(01010101)2写入操作过程:1)写地址操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“ INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0 设置为00000001 。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=O,打开地址寄存器存数控制信号,即LDAR=1,关闭片选信号(CE),写命令信号(WE)任意,即CE=1,WE=0 或1。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR 地址寄存器中:按一下微动开关START 即可。
④关闭AR 地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0 。
2)写内容操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为01010101 。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=O,关闭地址寄存器存数控制信号,即LDAR=0,打开片选信号(CE)和写命令信号(WE ),即CE=0,WE=1 。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116 的00000001 地址单元中:按一下微动开关START 即可。
④关闭片选信号和写命令信号:CE=1,WE=0。
读出操作过程:1 )写地址操作:参考写入操作的写地址操作2)读内容操作:①关闭输入三态门控制端,即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意,不过最好关闭,即LDAR=0 ,防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号(WE),即WE=0,打开片选信号(CE),即CE=0,不需要T3脉冲,即不要按微动开关START。
此时00000001地址的内容通过“BUS UNIT ”中数据显示灯B7-B0 显示出来。
数据3:(33)16 = (00110011)2写入操作过程:1)写地址操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为00000010。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,打开地址寄存器存数控制信号,即LDAR=1,关闭片选信号(CE),写命令信号(WE)任意,即CE=1,WE=0 或1。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR 地址寄存器中:按一下微动开关START 即可。
④关闭AR 地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0 。
2)写内容操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为00110011 。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,关闭地址寄存器存数控制信号,即LDAR=0,打开片选信号(CE)和写命令信号(WE ),即CE=0,WE=1 。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116 的00000010 地址单元中:按一下微动开关START 即可。
④关闭片选信号和写命令信号:CE=1,WE=0 。
读出操作过程:1)写地址操作:具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2)读内容操作:①关闭输入三态门控制端,即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意,不过最好关闭,即LDAR=0 ,防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号(WE),即WE=O,打开片选信号(CE),即CE=O,不需要T3脉冲,即不要按微动开关START。
此时00000010地址的内容通过“ BUS UNIT ”中数据显示灯B7-B0 显示出来。
数据4:(44)16 = (01000100)2写入操作过程:1)写地址操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为00000011 。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,打开地址寄存器存数控制信号,即LDAR=1,关闭片选信号(CE),写命令信号(WE)任意,即CE=1,WE=0 或1。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR 地址寄存器中:按一下微动开关START 即可。
④关闭AR 地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0 。
2)写内容操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为01000100。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,关闭地址寄存器存数控制信号,即LDAR=0,打开片选信号(CE)和写命令信号(WE ),即CE=0,WE=1 。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116 的00000011 地址单元中:按一下微动开关START 即可。
④关闭片选信号和写命令信号:CE=1,WE=0。
读出操作过程:1 )写地址操作:具体操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2)读内容操作:①关闭输入三态门控制端,即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意,不过最好关闭,即LDAR=0 ,防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号(WE),即WE=O,打开片选信号(CE),即CE=O,不需要T3脉冲,即不要按微动开关START。
此时00000011地址的内容通过“BUS UNIT ”中数据显示灯B7-B0 显示出来。
数据5:(66)16 = (01100110)2写入操作过程:1)写地址操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为00000100。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,打开地址寄存器存数控制信号,即LDAR=1,关闭片选信号(CE),写命令信号(WE)任意,即CE=1,WE=0 或1。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR 地址寄存器中:按一下微动开关START 即可。
④关闭AR 地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0 。
2)写内容操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为01100110。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=0,关闭地址寄存器存数控制信号,即LDAR=0,打开片选信号(CE)和写命令信号(WE ),即CE=0,WE=1 。
③与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000100地址单元中:按一下微动开关START 即可。
④关闭片选信号和写命令信号:CE=1,WE=0。
读出操作过程:1 )写地址操作:操作参照写入操作过程的写地址操作过程。
2)读内容操作:①关闭输入三态门控制端,即SW-B=1。
②地址寄存器存数控制信号(LDAR)任意,不过最好关闭,即LDAR=0 ,防止误按脉冲信号存入数据。
③关闭写命令信号(WE),即WE=0,打开片选信号(CE),即CE=0,不需要T3脉冲,即不要按微动开关START。
此时00000100地址的内容通过“ BUS UNIT ”中数据显示灯B7-B0 显示出来。
数据6:(08)16 = (00001000)2写入操作过程:1)写地址操作:①设置输入数据的开关状态:将试验仪左下方“INPUT DEVICE ”中的8位数据开关D7-D0设置为00000101 。
②设置有关控制端的开关状态:在实验仪“SWITCH UNIT ”中打开输入三态门控制端,即SW-B=O,打开地址寄存器存数控制信号,即LDAR=1,关闭片选信号(CE),写命令信号(WE)任意,即CE=1,WE=0 或1。
③与T3 脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR 地址寄存器中:按一下微动开关START 即可。
④关闭AR 地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0 。