常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数电子元器件是电子产品中非常重要的一部分，为了便于识别和使用，每种电子元器件都有相应的型号和技术参数。
本文将介绍常用电子元器件的命名法和主要技术参数，以帮助读者更好地了解电子元器件。
1. 电阻器电阻器通常用来限制电路中的电流，并改变电压和功率。
电阻器的命名法为“R+数字”，数字表示电阻值。
例如，R100表示100欧姆的电阻器。
电阻器的主要技术参数有：电阻值：电阻器的电阻值越大，电路中的电流越小。
功率：功率越大，电阻器发热越多。
精度：电阻器的精度越高，电路中的电流越精确。
温度系数：温度系数可以影响电阻器的电阻值。
2. 电容器电容器通常用来存储能量或阻止电流。
电容器的命名法为“C+数字”，数字表示电容值。
例如，C1μF表示1微法的电容器。
电容器的主要技术参数有：电容值：电容值越大，电容器可以存储的电力越大。
电压：电容器的电压越高，它可以承受的电力也越高。
电容器类型：电容器根据构造材料的不同，分为有机电容器和无机电容器。
3. 二极管二极管通常用来控制电流的方向。
二极管的命名法为“D+数字”，数字表示型号。
例如，D1N4148表示1N4148型号的二极管。
二极管的主要技术参数有：正向工作电压：正向工作电压是二极管正向工作时的最大电压。
反向击穿电压：反向击穿电压是二极管能承受的最大反向电压。
反向电流：反向电流是二极管反向工作时的电流。
4. 晶体管晶体管通常用来放大电流和控制电路。
晶体管的命名法为“Q+数字”，数字表示型号。
例如，Q2N3904表示2N3904型号的晶体管。
晶体管的主要技术参数有：最大工作电压：最大工作电压代表晶体管工作的最大电压。
最大功率：最大功率代表晶体管可以承受的最大功率。
放大系数：放大系数代表晶体管从输入信号到输出信号的增益。
5. 电感器电感器通常用来阻止电路中的交流电流。
电感器的命名法为“L+数字”，数字表示型号。
例如，L100表示100微亨的电感器。
国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：
电子元件单位大全
电子元器件基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。
如R表示电阻，W表示电位器。
第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。
1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。
第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻电子元器件基础知识（2）——电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。
依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。
第二部分：材料，用字母表示。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
第四部分：序号，用数字表示。
用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介电子元器件基础知识（3）——电感线圈电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。
常见电子元器件讲解及其命名
常见电子元器件讲解与命名第一部分电阻器系列1、概述电阻器是电子电路中应用最广泛的基本元器件之一，在电子设备中约占元件总数的 30%以上，其性能的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。
1.1 定义电阻器，简称电阻（Resistor，通常用“R”表示），是指具有一定阻值，一定几何形状，一定技术性能的在电路中起特定作用的元件。
1.2 作用在电子设备中，电阻器主要用于稳定和调节电路中的电流和电压，其次还可作为消耗电能的负载、分流器、分压器、稳压电源中的取样电阻、晶体管电路中的偏执电阻等。
1.3 单位电阻器的基本单位是欧姆，用希腊字母Ω表示。
在实际应用中，常常使用由Ω导出的单位，如千欧（kΩ），兆欧（MΩ）等。
2、分类电阻器种类繁多，形状各异，有多种分类方法。
2.1 按结构分：2.1.1 固定电阻器2.1.2 可变电阻器：有滑线变阻器和电位器。
滑线变阻器电位器2.1.3 敏感电阻器：有热敏电阻、光敏电阻、压敏电阻、湿敏电阻、气敏电阻等。
2.2 按外形分：有圆柱型、圆盘型、管型、方型、片状、纽扣状电阻。
2.3 按材料分：2.3.1 合金型：用块状电阻合金拉制成合金线或碾成合金箔片，制成电阻。
如线绕电阻，精密合金箔电阻等。
2.3.2 薄膜型：在玻璃或陶瓷基体上沉积一层电阻薄膜，膜的厚度一般在几微米以下。
薄膜材料有碳膜、金属膜、化学沉积膜、金属氧化膜等。
2.3.3 合成型：电阻体由导电颗粒（石墨、碳黑）和有机（无机）粘接剂混合而成，可以制成薄膜或实芯两种类型。
碳膜电阻 金属膜电阻水泥电阻2.4 按安装方式分，有插件电阻和贴片电阻。
插件电阻2.5 按用途分：贴片电阻2.5.1 普通型(通用型)：适用于一般技术要求的电阻，功率在 0.05～2W 之间，阻值为 1Ω～22M Ω，偏差为±5～±20%。
2.5.2 精密型：功率小于 2W ，阻值为 0.01Ω～20M Ω，偏差为 2%～0. 001%。
2.5.3 功率型：功率在 2～200W 之间，阻值 0.15～1M Ω，精度±5～20%，多为线绕电阻，不宜在高频电路中使用。
元器件的完整型号说明和各国命名方法
元器件的完整型号说明和各国命名方法
不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。
为什么会有这种情况呢?问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。
下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。
完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。
一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。
当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。
器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。
又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。
如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。
忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。
一般来说，后缀有以下这些用处：
1、区分细节性能
比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。
2、区分器件等级和工作温度
比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级)，TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级)，其中后缀“C”和“I”就代表不同。
(整理)常用电子元器件命名
常用电子元器件型号命名法一．电阻器1．电阻器型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。
四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。
例如，色环为棕绿橙金表示15⨯103＝15kΩ±5%的电阻器。
五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。
例如，色环为红紫绿黄棕表示275⨯104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。
较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。
有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。
常用元器件主要参数
常用元器件主要参数电阻容差：通用场合选用1％精读，当有特殊要求比如输出电压精度要求时选用更小的选择比率：当阻值不是很重要时，比如分压器，以减少电路中不同阻值种类数目以实现大批量采购节约成本最大电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要注意温度系数：大多数电阻都有很小的温度系数（50～250ppm每度），电阻发热时，线绕电阻的温度系数会有较大变化额定功率：一般电阻功耗为额定值一半脉冲功率：在较短时间内，线绕电阻可以承受远大于其额定功率的冲击，但非线绕电阻不行电容铝电解电容大容量小体积钽电容中等电容量陶瓷电容定时与信号电路多层陶瓷电容低ESR场合塑胶电容高dv/dt场合容差：典型值正负20％，电解电容还要差好多ESR：等效串联电阻，设计大容量滤波器时ES R比容量重要老化：“电源寿命1000h”实际就是对电解电容电容而言，如果把电源放到实际温度条件或者工作几年就要选择2000h到5000h肖特基二极管常用在整流器中，正向导通电压小，没有反向恢复时间整流二极管反向恢复：二极管正向导通后在很短时间内能够反向流过电流这段时间叫反向恢复时间，这对变换器的效率非常不利但并不是越快越好，会产生快速的电压电流尖锋晶体管（BJT）脉冲电流：一般BJT上不会提到脉冲电流（除非专为电源设计），取额定直流电流的两倍放大倍数：一般假定为10，不管手册数据如何晶体管（MOSFET）功率损耗：导通损耗＋门极充电损耗＋开关导通损导通损耗：当MOSFE T全部导通时漏源极之间存在一个电阻，导通损耗大小取决于管中电流大小，而且电阻随温升增大门极充电损耗：由于MOSF ET有一个相当大的等效门极电容引起开关导通损：在开通或关断转换的任何时候，晶体管上同时既有电压又有电流产生功率损耗最大门极电压：通常20V电阻型号命名方法分类及主要特性参数等导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
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第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2)W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5W，2K7表示2.7kW，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kW)额定功率1/8W型号1/8W，标称阻值为5.1kW，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。
例如，色环为棕黑红，表示10´102＝1.0kW±20%的电阻器。
四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。
例如，色环为棕绿橙金表示15´103＝15kW±5%的电阻器。
五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。
例如，色环为红紫绿黄棕表示275´104＝2.75MW±1%的电阻器。
一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。
较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。
有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。
4．电位器的主要技术指标(1) 额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。
使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。
(2) 标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。
(3) 允许误差等级实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许±20%、±10%、±5%、±2%、±1%的误差。
精密电位器的精度可达0.1%。
(4) 阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。
在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。
维修时若找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。
对数式电位器只适合于作音调控制等。
5．电位器的一般标志方法WT－2 3.3k ±10%允许误差±10%标称阻值3.3kW额定功率2W碳膜电位器WX－1 510W J允许误差±5%标称阻值510W额定功率1W线绕电位器二．电容器1．电容器型号命名法(1) 铝电解电容器C D 1 1第四部分：序号第三部分：特征分类（箔式）第二部分：材料（铝）第一部分：主称（电容器）(2)C C 1－1第四部分：序号第三部分：特征分类（圆片）第二部分：材料（瓷介质）第一部分：主称（电容器）(3)纸介金属膜电容器C Z J X第四部分：序号第三部分：特征分类（金属膜）第二部分：材料（纸介）第一部分：主称（电容器）2．电容器的主要技术指标(1) 电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。
(2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。
±2﹪,J: ±5﹪,K: ±10﹪,M: ±20﹪,N: ±30﹪,Z:+80﹪-20﹪。
(3) 标称电容量：注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以，其中n为正整数或负整数，单位为pF。
3．电容器的标志方法(1)直标法容量单位：F（法拉）、mF（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。
1法拉=微法=微微法， 1微法=纳法=微微法1纳法=微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22mF，51 表示51pF。
有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF；用小于1的数字表示单位为mF 的电容，例如0.1表示0.1mF。
(2) 数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。
前两位为有效数字，后一位表示位率。
即乘以10i，i为第三位数字，若第三位数字9，则乘10-1。
如223J代表22´103pF＝22000pF＝0.22mF，允许误差为±5%；又如479K代表47´10-1pF，允许误差为±5%的电容。
这种表示方法最为常见。
（3）色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。
色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。
有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。
三．电感器1．电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。
变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。
2．电感器的主要技术指标(1) 电感量:在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。
即：式中：j＝磁通量I＝电流强度(2)固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。
统称为电感器的固有电容。
(3) 品质因数：电感线圈的品质因数定义为：式中：w－工作角频率，L－线圈电感量，R－线圈的总损耗电阻(4) 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。
(5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。
2．电感器电感量的标志方法(1) 直标法。
单位H（亨利）、mH（毫亨）、mH（微亨）、(2) 数码表示法。
方法与电容器的表示方法相同。
(3)色码表示法。
这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为mH，第四种颜色是误差位。
四．半导体分立器件1．半导体分立器件的命名方法（1）我国半导体分立器件的命名法1) 锗材料PNP型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN型高频小功率三极管：3 A D 50 C 3 D G201 B规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率 PNP型、锗材料 PNP型、锗材料三极管三极管3) N型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：2 C W 51 B T3 3 E序号规格号稳压管耗散功率 N型、硅材料三个电极二极管特种管半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法A F 239 SAF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。
如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4) 第三部分表示登记顺序号。
三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。
例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h FE或N F）进行分档。
6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。
极性的确定需查阅手册或测量。
(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。
这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。
如表11所示。
1) JAN2N2904 2) 1N4001JAN 2 N 2904 1N4001EIA登记序号 EIA登记序号EIA注册标志 EIA注册标志三极管二极管军用品1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。
例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。
例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。
因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。
3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3NLL开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。
4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。
因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。
例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。
5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。
同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。
因此，型号相同的器件可以通用。
6) 登记序号数大的通常是近期产品。
(4) 日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。
日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。
通常只用到前五部分。
前五部分符号及意义如表12所示。
第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。
第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。
N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。