集成电路设计实习报告-孙

集成电路版图设计实习报告

学院：电气与控制工程学院

专业班级：微电子科学与工程1101班

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学号：**********

一、实验要求：

1. 熟悉Cadence的工作环境。

2. 能够熟练使用Cadence工具设计反相器，与非门等基本电路。

3. 熟记Cadence中的快捷操作。比如说“W”是连线的快捷键。

4. 能够看懂其他人所画的原理图以及仿真结果，并进行分析等。

二、实验步骤：

1、使用用户名和密码登陆入服务器，右击桌面，在弹出菜单中单击open Terminal；在弹出的终端中键入Unix命令icfb&然后按回车启动Cadence。Cadence启动完成后，关闭提示信息。设计项目的建立

2、点击Tools-Library Manager启动设计库管理软件。点击File-New-Library 新建设计库文件。在弹出的菜单项中输入你的设计库的名称，比如My Design,点击OK。选择关联的工艺库文件，点击OK。在弹出的菜单中的Technology Library下拉菜单中选择需要的工艺库，然后单击OK。

3、设计的项目库文件建立完成，然后我们在这个项目库的基础上建立其子项目。点击选择My Design，然后点击File-New-Cell View。输入子项目的名称及子项目的类型，这设计版图之前我们假定先设计原理图：所以我们选择Composer-Schematic，然后点击OK。

4、进入原理图编辑平台,原理图设计,输入器件：点击Instance按键或快捷键I插入器件。查找所需要的器件类型-点击Browse-tsmc35mm-pch5点击Close。更改器件参数，主要是宽和长。点击Hide，在编辑作业面上点击插入刚才设定的器件。如果想改参数器件，点击选择该器件，然后按Q，可以修改参数器件使用同样的方法输入Nmos,工艺库中叫nch5. 点击Wire(narrow)手动连线。完成连线后，输入电源标志和地标志：在analogLib库中选择VDD和GND，输入电源线标示符。接输入输出标示脚：按快捷键P，输入引脚名称in, Direction选择input,点击Hide，并且和输入线连接起来。同理设置输出引脚Out。

5、版图初步建立新的Cell，点击File-New-Cell View 还是建立名称为inv的版图编辑文件，Tool选择Virtuoso版图编辑软件，点击OK，关闭信息提示框。进入版图编辑环境根据之前仿真所得宽长比和反相器inv或与非门NAND的原理图画出反相器inv或与非门NAND的IC版图；

6、完成后使用版图验证系统进行DRC（设计规则检查）。

三、实验设计规则：

1、Linux常用的文件和目录命令：

cd //用于切换子目录

pwd//用于显示当前工作子目录

ls//用于列出当前子目录下的所有内容清单

rm//用于删除文件

touch//用于建立文件或是更新文件的修改日期

mkdir//用于建立一个或者几个子目录

rmdir//用于删除子目录（目录必须为空）

cp//用于拷贝文件或者子目录

mv//用于更改文件或者子目录的名称

tar//压缩命令 gzip//用于压缩文件 ftp//数据传递命令

2、经典编辑器vi

(1)vi的基本概念

基本上vi可以分为三种状态，分别是

命令行模式command mode）//控制屏幕光标的移动，字符、字或行的删除，移动复制某区段及进入Insert mode下，或者到 last line mode。

插入模式（Insert mode）//只有在Insert mode下，才可以做文字输入，按[ESC]键可回到命令行模式。

底行模式（last line mode）//将文件保存或退出vi，也可以设置编辑环境，如寻找字符串、列出行号……等。

不过一般我们在使用时把vi简化成两个模式，就是将底行模式（last line mode）也算入命令行模式command mode）。

(2)vi的基本操作

a) 进入vi//在系统提示符号输入vi及文件名称后，就进入vi全屏幕编辑画面：

b) 切换至插入模式编辑文件//在[命令行模式]下按一下字母i进入[插入模式]

c) 退出vi及保存文件

: w filename （输入 [w filename]将文章以指定的文件名filename保存）: wq (输入[wq]，存盘并退出vi)

: q! (输入q!，不存盘强制退出vi)

:x (执行保存并退出vi编辑器)

d）. 删除文字

[x]：每按一次，删除光标所在位置的“后面”一个字符。

[#x]：例如，[6x]表示删除光标所在位置的“后面”6个字符。

[X]：大写的X，每按一次，删除光标所在位置的“前面”一个字符。

[#X]：例如，[20X]表示删除光标所在位置的“前面”20个字符。

[dd]：删除光标所在行。

[#dd]：从光标所在行开始删除#行

3

4

N阱(well) N阱的最小宽度3.0u

阱与阱之间的最小间距4.8u

N+Active到Nwell的最小间距4.0u

N+Active包含在Nwell的最小宽度0.4u

P+Active到Nwell的最小间距0.4u

P+Active包含在Nwell的最小宽度1.8u 有源区（Active）有源区的最小宽度0.6u

MOS管沟道的最小宽度0.75u

扩散与扩散之间的间距

A、N+Active与N+Active的最小间距1.2u

B、P+Active与P+Active的最小间距1.2u

C、Nwell外，N+Active与P+Active的最小间

距1.2u

D、Nwell内，N+Active与P+Active的最小间

距1.2u

多晶硅（poly）多晶硅的最小宽度0.6u

多晶硅间的最小宽度0.75u

正常阈值电压N/PMOS管沟道长度0.6u

多晶硅栅伸出Active区的最小延伸长度0.6u 接触孔（contact）接触孔的最小尺寸0.6u*0.6u

接触孔间的最小间距0.7u

Active包最小尺寸接触孔的最小间距0.4u

Poly包最小尺寸接触孔的最小间距0.4u 金属1（metal1）金属1的最小宽度0.9u

金属1间的最小间距0.8u

金属1覆盖最小尺寸接触孔的最小间距0.3u 金属2（metal2）金属2的最小宽度0.9u

金属2的最小间距0.8u

金属2覆盖通孔的最小间距0.4u

通孔（via）通孔的最小尺寸0.7u*0.7u

通孔间的最小间距0.8u

通孔与接触孔间的最小间距0.5u

金属1覆盖通孔的最小间距0.4u

四、实验遇到的问题及解决方案：

1、反相器仿真结果提示没有找到相关的器件模型。//检查是否加载仿真文

件···.csc；

2、反相器的瞬态分析结果没有实现元件的功能。//检查全局电源的及仿真

电路信号源的参数设置；

3、与非门的仿真结果提示最高阶参数应为一个值或者有意义的参数，且提

示参数“n”错误。//检查与非门原理电路中各个MOS管的参数是否正确；