太阳能光电材料CuInSe2的研究进展
《2024年CuInSe2量子点制备及TiO2光阳极敏化性能的研究》范文

《CuInSe2量子点制备及TiO2光阳极敏化性能的研究》篇一一、引言随着全球对可再生能源和高效光电转换技术的需求日益增长,半导体量子点及其在光电器件中的应用受到了广泛关注。
在众多半导体材料中,CuInSe2(CISe)量子点因其优异的物理性质和良好的光电性能在光伏领域展现出了巨大的应用潜力。
而TiO2作为光电转换器件的重要组件,其与量子点的结合可有效提升光阳极的敏化性能。
因此,对CuInSe2量子点的制备工艺及TiO2光阳极的敏化性能进行研究具有重要的理论和实践价值。
二、CuInSe2量子点的制备CuInSe2量子点的制备方法主要有物理法和化学法。
在本研究中,我们采用化学法制备CuInSe2量子点,即通过调节反应条件和前驱体的浓度与比例,在溶液中通过化学合成的方式获得CISe量子点。
制备过程主要分为以下几个步骤:前驱体制备、反应体系建立、温度与pH控制、生长动力学控制以及纯化与表征等。
在具体实验过程中,我们选择合适的溶剂和稳定剂,以控制量子点的成核和生长过程。
通过调节反应温度、反应时间和前驱体的摩尔比等参数,实现了对CuInSe2量子点尺寸、形貌和光学性能的有效调控。
经过一系列的纯化与表征步骤,最终获得了高质量的CuInSe2量子点。
三、TiO2光阳极的敏化TiO2光阳极的敏化是提高其光电转换效率的关键步骤。
在本研究中,我们将制备好的CuInSe2量子点通过物理吸附或化学结合的方式固定在TiO2光阳极上。
首先,我们对TiO2光阳极进行预处理,以提高其表面活性并增强与量子点的结合力。
然后,将CuInSe2量子点分散在溶液中,通过浸渍法或喷涂法等方式将量子点均匀地吸附在TiO2表面。
在敏化过程中,我们关注了量子点的吸附量、吸附均匀性以及与TiO2的界面相互作用等因素对光阳极敏化性能的影响。
通过优化敏化条件,我们成功提高了TiO2光阳极的光吸收能力和光电转换效率。
四、实验结果与讨论通过实验,我们获得了不同条件下制备的CuInSe2量子点和敏化后的TiO2光阳极的物理和化学性质。
《CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》范文

《CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》篇一CuInS<sub>2</sub>基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究摘要:本文着重研究了CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备工艺及其敏化特性。
通过对制备过程中各个参数的精确控制,成功制备了具有优异光电性能的光阳极,并对其敏化效果进行了深入探讨。
本文首先介绍了研究背景与意义,随后详细描述了实验材料与方法,接着分析了实验结果,并讨论了相关结果与前人研究的对比,最后总结了本研究的重要发现和未来研究方向。
一、引言随着太阳能电池技术的快速发展,量子点敏化太阳电池因其高光电转换效率和低成本优势,成为了研究热点。
CuInS2作为一种具有良好光电性能的材料,被广泛应用于量子点敏化太阳电池的光阳极材料。
因此,研究CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备工艺及其敏化特性,对于提高太阳电池的光电转换效率具有重要意义。
二、实验材料与方法1. 材料准备:本实验所需材料包括CuInS2量子点、导电玻璃、钛酸四丁酯等。
所有材料均经过严格筛选和纯化处理。
2. 光阳极制备:采用溶胶-凝胶法结合旋涂技术制备CuInS2基光阳极。
通过精确控制前驱体溶液的浓度、旋涂速度和时间等参数,获得均匀致密的薄膜。
3. 量子点敏化:将制备好的光阳极浸泡在CuInS2量子点溶液中,通过化学吸附和物理吸附的方式实现量子点的敏化。
4. 电池组装:将敏化后的光阳极与对电极组装成太阳电池,并进行密封处理。
三、实验结果与分析1. 光阳极的制备与表征:通过SEM、XRD等手段对制备的光阳极进行表征,结果表明,所制备的光阳极具有均匀致密的薄膜结构,且与导电玻璃基底具有良好的附着力。
2. 量子点的敏化效果:通过UV-Vis光谱和电化学测试等方法,研究了量子点的敏化效果。
结果表明,敏化后的光阳极具有显著的光吸收增强和光电转换效率提升。
3. 电池性能测试:对组装的太阳电池进行J-V曲线测试和IPCE测试,结果表明,CuInS2基量子点太阳电池具有较高的开路电压、短路电流和填充因子,以及优异的光电转换效率。
《2024年CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》范文

《CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》篇一一、引言随着环境问题的日益突出和能源需求的不断增长,寻找清洁、可持续的能源成为了科学研究的热点。
太阳能作为一种无污染、可再生的能源,其利用方式多种多样,其中太阳电池技术是利用太阳能的主要手段之一。
CuInS2基量子点因其独特的电子结构和光电性能,在太阳电池领域展现出巨大的应用潜力。
本文将重点研究CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备工艺及其敏化特性。
二、CuInS2基量子点的制备与性质CuInS2基量子点因其优异的光电性能,被广泛应用于太阳电池的光吸收层。
其制备方法主要包括化学浴沉积法、共沉淀法等。
这些方法可以制备出具有良好分散性、尺寸均匀的CuInS2基量子点。
量子点的尺寸效应和表面效应使得其具有较高的光吸收系数和较大的载流子迁移率,从而提高了太阳电池的光电转换效率。
三、CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备过程主要包括以下几个步骤:1. 基底选择与处理:选择适当的基底,如FTO玻璃等,并进行清洗、干燥处理。
2. 制备光阳极薄膜:采用溶胶-凝胶法或喷雾热解法等制备TiO2光阳极薄膜。
3. 制备CuInS2基量子点敏化层:将制备好的CuInS2基量子点溶液涂覆在光阳极薄膜上,形成敏化层。
4. 后续处理:对敏化层进行烧结、退火等处理,以提高其结晶度和稳定性。
四、敏化特性研究CuInS2基量子点敏化太阳电池的光电性能主要取决于敏化层的性质。
本文将重点研究CuInS2基量子点敏化层的敏化特性,包括以下几个方面:1. 光吸收性能:通过紫外-可见吸收光谱、光谱响应等手段,研究CuInS2基量子点敏化层的光吸收性能,分析其光吸收范围和光吸收强度。
2. 载流子传输性能:通过电化学工作站等设备,研究CuInS2基量子点敏化层的载流子传输性能,分析其电子迁移率、复合速率等参数。
3. 稳定性分析:通过长时间光照实验、循环伏安法等手段,研究CuInS2基量子点敏化层的稳定性,分析其在不同环境下的老化机制和稳定性影响因素。
《2024年CuInSe2量子点制备及TiO2光阳极敏化性能的研究》范文

《CuInSe2量子点制备及TiO2光阳极敏化性能的研究》篇一摘要:本文旨在研究CuInSe2量子点的制备工艺及其在TiO2光阳极上的敏化性能。
通过制备不同尺寸的CuInSe2量子点,探讨其结构、光学性质与光电性能的关系,以及其在TiO2光阳极上对提高太阳能电池效率的作用。
一、引言随着人们对可再生能源需求的增加,太阳能电池技术得到了快速发展。
其中,量子点敏化太阳能电池(QDSS)因具有较高的光电转换效率和良好的应用前景而备受关注。
CuInSe2作为一种重要的光伏材料,具有优良的光电性能和化学稳定性,在太阳能电池领域具有广泛应用。
然而,如何有效制备CuInSe2量子点并实现其在TiO2光阳极上的高效敏化仍是一个重要的研究课题。
二、CuInSe2量子点的制备1. 材料与方法本实验采用化学溶液法,通过调整反应条件,制备了不同尺寸的CuInSe2量子点。
实验所需原料包括铜盐、铟盐、硒源等。
具体步骤包括溶液配制、温度控制、时间控制等。
2. 结果与讨论通过X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)等手段对制备的CuInSe2量子点进行表征。
结果表明,所制备的量子点具有较好的结晶度和均匀的尺寸分布。
随着量子点尺寸的减小,其吸收光谱发生蓝移,表明量子尺寸效应明显。
此外,通过调整反应条件,可以实现对量子点尺寸和形貌的有效控制。
三、TiO2光阳极的敏化1. 实验方法将制备的CuInSe2量子点通过物理吸附或化学键合的方式敏化到TiO2光阳极上。
通过控制量子点的负载量和分布,实现光阳极的高效敏化。
2. 结果与讨论通过紫外-可见吸收光谱和电化学测试等手段,研究了敏化前后TiO2光阳极的光电性能。
结果表明,CuInSe2量子点的敏化显著提高了TiO2光阳极的光吸收能力和光电转换效率。
随着量子点负载量的增加,光电流和光电转换效率呈现先增后减的趋势,存在一个最佳负载量。
此外,敏化后的TiO2光阳极具有较好的稳定性和重复性。
《2024年CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》范文

《CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》篇一摘要:本文以CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备及敏化特性为研究对象,探讨了不同制备方法对光阳极结构与性能的影响。
通过对实验过程中的条件控制及性能表征,系统地分析了所制备光阳极的光电转化效率、稳定性和敏化程度等关键性能参数。
本研究的开展不仅有助于提升太阳电池的效率,也为量子点太阳电池的进一步发展提供了理论和实践依据。
一、引言随着环境问题的日益突出,太阳电池作为清洁能源的重要代表,其研究与应用越来越受到关注。
CuInS2基量子点因其独特的物理和化学性质,在太阳电池领域具有广阔的应用前景。
其中,光阳极作为太阳电池的关键组成部分,其制备工艺及敏化特性直接影响到太阳电池的光电转化效率。
因此,研究CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备及敏化特性具有重要的理论意义和实践价值。
二、CuInS2基量子点太阳电池光阳极的制备(一)材料选择与制备方法本研究所选用的材料为CuInS2量子点。
采用溶胶-凝胶法结合旋涂技术制备光阳极。
首先,通过调整前驱体溶液的浓度、旋涂速度和时间等参数,优化了光阳极的制备工艺。
(二)制备过程与结构表征通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对所制备的光阳极进行结构表征。
结果表明,所制备的光阳极具有较好的结晶度和均匀的薄膜结构。
三、敏化特性的研究(一)敏化过程及条件控制将CuInS2量子点通过化学吸附法敏化到光阳极表面。
通过调整敏化时间、温度和量子点浓度等条件,研究其对光阳极敏化程度的影响。
(二)敏化特性表征与分析通过紫外-可见吸收光谱、电化学阻抗谱等手段对敏化后的光阳极进行性能表征。
结果表明,敏化后的光阳极具有更高的光吸收能力和更低的电子传输阻抗。
四、性能评价与优化(一)光电转化效率评价通过模拟太阳光照射,测试了光阳极的光电转化效率。
结果表明,经过优化制备和敏化过程的光阳极具有较高的光电转化效率。
(二)稳定性测试与分析对所制备的光阳极进行了长时间的光照稳定性测试。
《CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》范文

《CuInS2基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究》篇一CuInS<sub>2</sub>基量子点太阳电池光阳极制备及敏化特性研究一、引言随着能源危机的加剧和环保意识的提高,新型高效太阳能电池的研发已成为科技领域的热点。
其中,基于CuInS<sub>2</sub>(简称CIS)的量子点敏化太阳电池因具有低成本、高转换效率及优良的物理化学稳定性,成为了科研工作者的重点研究对象。
本论文针对CuInS<sub>2</sub>基量子点太阳电池的光阳极制备工艺及敏化特性进行了深入研究,旨在为太阳能电池的进一步发展提供理论支持和技术指导。
二、光阳极制备1. 材料选择与预处理本实验选用高纯度的Cu、In和S元素作为原料,通过气相沉积法制备CIS量子点。
在制备前,对基底材料进行清洗和预处理,以保证基底与量子点的良好结合。
2. 制备工艺采用溶胶-凝胶法结合旋涂技术制备光阳极。
首先,配置CIS 量子点的胶体溶液,并通过旋涂法将胶体均匀涂布在基底上,形成薄膜。
然后,对薄膜进行热处理,以增强其结晶性和附着力。
3. 工艺优化通过调整旋涂速度、热处理温度和时间等参数,优化光阳极的制备工艺,以提高量子点的分布均匀性和薄膜的致密性。
三、敏化特性研究1. 量子点的敏化作用CIS量子点具有较高的光吸收系数和良好的光稳定性,能够有效地吸收太阳光并产生光生电子。
敏化后的光阳极可以扩大光谱响应范围,提高太阳电池的光电转换效率。
2. 敏化过程及条件敏化过程包括量子点的合成、光阳极的制备和敏化剂的吸附等步骤。
通过控制敏化剂浓度、温度和时间等条件,实现量子点在光阳极上的均匀吸附和有效敏化。
3. 敏化特性分析通过紫外-可见光谱、电化学工作站等手段,对敏化前后的光阳极进行光谱响应测试和电化学性能分析。
结果表明,敏化后的光阳极具有更高的光吸收能力和更优的电子传输性能。
四、实验结果与讨论1. 光阳极制备结果通过扫描电子显微镜(SEM)观察光阳极的表面形貌,发现制备出的光阳极具有较好的均匀性和致密性。
掺杂改善CuInSe2薄膜光伏特性的研究进展

累。控 制 钠浓 度 对 电池 的光 电 性 能有 一 定 的 影 响 ’ : a的 量 足 够 大 时 , a会 取 代 c , 成 H N 』 N u形 N l e 化合物 , a S2 n 其带 隙比 C I e 大。少量 N 会 un : S a 形成点缺陷而非二次相 。综上 , 钠离子对薄膜太 阳 能电池 的开路电压和填充因子均具有改善作用 , 其 作 用机 理是 通过 对 吸 收 层 薄 膜 晶 界 和表 面 的钝 化 , 增加净载流子浓度 . 和降低薄膜电阻 ] 5 。 12 镓掺杂 CS薄膜及薄膜 电池的研究进展 . I 镓的掺杂 , 宽 了薄膜 的禁带宽度 , 增 降低 了与 CS d 间的晶格失配度 、IS薄膜 电阻率和反应温度 CG 等等。主要的掺人方式是溅射 、 沉积、 蒸发。 首先 , 的掺人增宽 了薄膜的禁带宽度 。文献 镓 [8 用 c - —a的前躯体在 s s 气氛下退火制备 1 ] uI G n /e 出 C (nG ) s s )( IS )结果表明 CG S薄 u I, a ( ,e 2 CG S , IS 膜为直接带隙半导体 , 带隙的增 宽依赖镓含量 的变
N 离子的掺入使 CG 组分失配容忍度大大增加 , a IS
效 率更 高 。
1 掺杂对改善 CS薄膜及薄膜光伏 特 I 性影 响的研究进展
11 钠离子掺杂 CS . I 薄膜及薄膜电池的研究进展
年 CG IS光电转换效率达到 1 .%L , 目前光 电 99 3 是 ] 转换 的世界纪录。制备 CS I 薄膜吸收层的方法大致
膜 中渗透 。这种现象 同样 由文献[ ] 7 通过俄歇 电子 能谱 ( E ) A S 对三组样 品分析后 , 在三组 薄膜样 品表 面都证实 N a 存在。由沉积含有 N a 层提供 ; 如采 用 N 2e l、 aO 和 N F等 。文 献 [ 1 选用 as 9 N 2 2 8 J a 1] 钠钙玻璃 为衬底 , 在其上沉积一层厚度为 10 ̄的 8/
《CuInS2基量子点敏化太阳电池的掺杂特性、核壳结构及其吸附技术研究》范文

《CuInS2基量子点敏化太阳电池的掺杂特性、核壳结构及其吸附技术研究》篇一摘要随着太阳电池技术的不断进步,CuInS2基量子点敏化太阳电池因其高光电转换效率和低成本优势,逐渐成为研究热点。
本文重点研究了CuInS2基量子点的掺杂特性、核壳结构及其在太阳电池中的吸附技术。
通过实验和理论分析,探讨了不同掺杂元素对量子点性能的影响,核壳结构对光吸收和电子传输的优化作用,以及吸附技术对量子点敏化太阳电池性能的提升。
一、引言太阳电池作为将太阳能转换为电能的装置,其效率和稳定性对实际应用具有重要意义。
CuInS2基量子点敏化太阳电池凭借其高光吸收系数和良好的光电转换效率,成为当前研究的重点。
本文将从掺杂特性、核壳结构以及吸附技术三个方面,探讨CuInS2基量子点敏化太阳电池的研究进展。
二、CuInS2基量子点的掺杂特性1. 掺杂元素的选择CuInS2基量子点的掺杂是提高其光电性能的重要手段。
通过选择合适的掺杂元素,可以调整量子点的能级结构、提高光吸收效率、改善电子传输性能。
常见的掺杂元素包括金属元素和非金属元素。
2. 掺杂对量子点性能的影响不同元素的掺杂会对CuInS2基量子点的能带结构、光学性质和电学性质产生不同影响。
实验结果表明,适量掺杂可以显著提高量子点的光吸收能力和光电转换效率。
三、核壳结构的优化作用1. 核壳结构的构建核壳结构是通过在CuInS2量子点外包裹一层或多层其他材料(如硫化锌、硫化镉等)形成的。
这种结构可以保护量子点免受外界环境的影响,提高其稳定性。
2. 核壳结构对光吸收和电子传输的优化核壳结构能够有效地延长光生载流子的寿命,提高光吸收效率。
同时,核壳界面的能级匹配可以改善电子的传输性能,降低电子与空穴的复合几率。
四、吸附技术研究1. 吸附技术的原理吸附技术是通过化学或物理手段将量子点与太阳电池的光阳极紧密结合的技术。
通过适当的吸附层处理,可以提高量子点在光阳极上的附着力和稳定性。
2. 吸附技术对太阳电池性能的提升实验结果表明,采用适当的吸附技术可以显著提高CuInS2基量子点敏化太阳电池的光电转换效率和稳定性。
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0 引言
能源 和环境问题是 当前人类面临 的两大主要问题 t 而太 阳能是解决 以上两大 问题最有效的途径 因此许 多学者致 力 于太 阳能 电池的研 究. 以此作 为开发太阳能资源的新技 术 自 从 1 5 年 用直拉硅单晶( Z 开发出第 一个太 阳能 电池 —— 94 C )
硅太 阳能 电池 以来 , 阳能 技 术 发展 迅 速 , 化 效率 也 不断 提 太 转 高 , 本 不 断 下 降 , 面 积 的 太 阳 能 电 池 也有 了 很 大 的 发 展 = 成 大
吸 收 系数 较 高 , 希 望 得 到 低 成 本 且 转 化效 率较 高 的 产 品 。 有 特
17 9 6年 Man ie大学 首次制得 了真 正意 义上 的 C S多晶 I 太阳能电池, 转化效率为 6 其制备方法是双掉 ( I C S和 s) 蒸发法 。 9 8 Wht 等用分子柬外延也得到了 C S太阳能 17 年 i e I 电池 ]1 8 年 B en 。9 2 o ig公司与美 国曦邦能源研究机构制得 的
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太 阳 能 光 电材 料 C I S 2的 研 究 进 展 / u. e 张 辉 等
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太阳能光电材料 C IS un e 的研究进展
张 辉 马向 阳 杨德 仁
( 江 大 学硅 材 料 国 家重 点实验 室 . 州 30 2 ) 浙 杭 10 7 摘 要 关键 词 蚌 述 了太 阳 匏 光 电材 料 C lS 2 研 宄 历 史 和 现 状 t 要 讨 论 了 C lS 2的 光学 性 质 、 学性 质 、 其 un e 的 主 uu e 电 厦 C lS 光 电材料 uue 太阳毹 电池 制备方法
同样也可 以得到 S的 舍量与禁带宽度的关 系.但实际 控 毹 Ga和 S的含 量 与反映 电 学特性 的 C / uI n比币是 独 立 的 , 加 Ga和 S对结晶粒径 和品格缺 陷卫有影 响 - m在理 添 所 想的禁带宽度附近转 化效率不是最高。一般而言 . 添加 Ga时 通常会增大开路 电压 . 但会降低短路 电流 =在 C R, : u …Ga 中 . x一0 2 当 . 5时 . 即禁 带宽度 为 1 2V时 转化效 率最 大为 .e 1 . 而在 C l ( e ) 69 un sS 中. y .5时转化效率最 大 当 —D 2
可以通过 C D、 V MOC VD、 分子束外延 、 礁控溅射 、 电沉积等方 法 得 到。而三 元 化 台物 中的 C IS 应 用 前景 最 好 , u e n 由于 C lS 是 直 接带 隙半 导 体 . 有 较 高 的吸 收 系 数 f 0 ~ un e 具 1
其 中最重 要的是 l8 年 A cS ae 公 司提 出的硒化法 。硒 3 9 ro o tr 化法分两个阶段 , 一步是用 某种方法 ( 第 目前 主要是 电沉积 ) 先制 得 C — uI u或 C lS 2 un e 的先驱体 , 第二步把 先驱 体放在 s e
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Thsp p ro tie h it r n r sn tn so lS 2 h tv hacmae il・tgv sar i a e u l stehs oy a d p ee tsa 】 f n Cun e o o o i p tras I ie e
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精 斌 导 强
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20 0 1年 5月 第 1 第 5期 5卷
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或 HS ( e 目前
Eg( 一 1 1 + 0 5 5 0 0 X X) O 8 . 7X 1 8
可 降低成本 。 常温下 C lS : un e 禁带宽度 约为 10V. e 通过掺 杂 Ga s 形成 C l a S, , 或 , unG e S 可以增大禁带宽度 。 当禁 带 度宽 增 大 到 14 e 左右 ( 佳 禁带 宽 度) . . 5V 最 时 可 提 高
C lS 的理 论 转 化 效 率 。 un e 由此 可 见 C lSz 阳能 电 池 转 un e 太
自从 1 7 94年 美 国 贝尔 实验 室 的 S Wa g r 在 C S上 . ne 等 d
吸收系数较 低 , 要求有 一定 的厚童 , 故 导致成 本较高 ; 目前其
实 验 室 的 最 大 转 化 效 率 为 2 , 业 生 产 为 1 左 右 多晶 3 工 6
蒸镀 C lS 的单 晶制得 C S的太 阳能 电池 的雏形 后 。, un e I 许 多 国家都开 展了 C S太阳能 电池的研究 , 化效率有 很大 I 转 的提高 , 成本也不断 降低 . 其转 化效 率随时 问逐 年增 加 , 如图
1 m-) 0c 。。其多 晶 薄 膜 具 有优 良的 光 学特 性 , . 厚 的 05 m
Cune lS 足 以 吸 收 9 的 太 阳 能 光 子 , 以薄 膜 不 需 要 很 厚 。 0 所
*丰课题 受国家 自然科 学基金 ( 9 7 0 5 、 No 5 9 6 3 )教育部优秀 青年教师基盎、 教育部博士点基金_ 瞽助
lJ [ 所示
硅太阳能 电池生产工艺相对简单 , 所要求的原料纯 度低 + 实验
室 转 化效 率 为 1 , 比较 有 希望 的 太 阳 能 电池 材 料 非 晶 8 是
硅太 阳能电池可 以进一 步降低成本 , 但是其转化效 率和稳定 性是急需 解决 的问题 二元化台 物半导体 中的 Ga 、n As IP段 Cd的硫族 化合物
C S太 阳 能 电 池 的 转 化 效 率 超 过 了 1 , 们 发 觋 制 得 的 双 I 0 他
别是 I V族 的 G A , — a s 目前转 化效 率 己达 2 , 57 小面 积多 结 G As 阳能 电池的技率超过 4 但 G A 材料非 常昂 a 太 o as
贵 , As有毒 , 以限 制 了大 面 积 的 推 广 。这 些 二 元 化 台物 且 所
C lS 四 元 的 C I a S 及 C I a S ¨ 和 异 质 un e , z unG e z unG l eS_ 1 结 中的 C s C TeC S C lS z d / d 、 d / un e 等 单 晶硅 太 阳能 电池 由于
1 C l S un e 太阳能电池的研究状况
棒 杂 对 禁 带 宽度 的 影 响 , 绍 了薄 膜 的 制 备 方 法 特 别 是硒 化 法 , 后综 述 了目前 存 在 的 问题 厦 其 发 展 趋 势 。 介 最
Pr g e s i s a c n Cu nS Pho ov ia c M a e i l o r s n Re e r h o l % t o t i t r as
特 别是 2 世纪 7 0 0年代 由于石油危机 的出现 . 再加上 环境污 染 , 以 太 阳能 电 池 发展 迅 速 所 目前适 合 作 太 阳能 电池 的 半 导
体材 料主 要 有 : 晶 硅 、 晶 硅 、 晶 硅 、 单 多 非 化合 物 半导 体 其 中
化台物半导体主要包括二 元的 C S C T a 、 P 三元的 d d e G AsI , n
t e i t c n q e fC l S t i i . s e il ee ia in ,  ̄ u s d F n l s r e e it g p o lms a d ̄ t r h t e h i u so u u e h n f m e p cal s l n s to s i d c s e . i a l o t x s i r be n u u e c l y s y, i n
ve 0 h lcrclp o ete ,l pta r p risa dt ee{e f o igo h a dg p F rh r r ,h y iw ft eee tia r p ris t eo t [po ete n h { t0 pn n t b n a ・ u te mo e t es n a c e d e
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组件 . 同年 Arooa 公司 利用掺 杂技术还 制备 厂转 化效 率 cS lr
为 】 . 的 C I l,e 。 41 u n Ga S z 】
22 C lS2 . une 的光 学性质
C IS 是直 接带 隙的 半导体 . un, e 常温下 禁带 宽度 一般 为
层 C S薄 膜可 以避 免在 C S C S界面处 由于扩散产 生铜粒 I I/d
而导致不稳定性 , 大大提高 了太阳能 电池的性能 。8 0年代 出 现 r许 多制备太 阳能 电池的新方 法, } 、 如最 射 喷射热 解、 快速
凝 固法、 电沉 积 方 法及 在 电沉 积 基 础 上 发 展 起 来 的 硒 化 法等 ,
和 B en o ig公司 利用叠层技 术制得 的 C lS zC S太阳 能 电 un e/ d
池 效 率 达 1 . . 太 阳 能 电 池向 实 用 化 迈 进 了 一步 1 9 19 使 9B 3 年 Aro oa cS l r公 司 将 非 晶 硅 电 池 放 置 于 C S电 池 的 上 部 t I 提 出 独 剖 的多 结 结 构 , 两 种 材 料 在 应 用 爪 阳 能 谱 E能 够 互 使 补 18 9 8年 Aro oa 公 司 制 备 了转 化 效 率 为 1 . 的 CS c S lr 11 I
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