电子元器件的测量
常用电子元器件检测方法与技巧
民常用电子元器件检测方法与技巧元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数,判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法,从而判断元器件的正常与否。
特别对初学者来说,熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。
一、电阻器的检测方法与经验：1固定1固定电容器的检测A检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。
测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。
若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。
万用表选用R×1k挡。
两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。
万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。
由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察.应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。
C对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k 挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
2电解电容器的检测A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。
根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。
B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大，摆幅越大),接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。
电子元器件的检测方法
电子元器件的检测方法
1.外观检查：外观检查是最基本的电子元器件检测方法之一，通过目
视观察和仪器测量等手段检查元器件的形状、尺寸、表面质量和引线等外
观特征。
主要检查项包括器件封装形式、引脚排列与间距、引线长度与弯
曲度、焊盘和焊接质量、器件表面缺陷等。
2.物理性能检测：物理性能检测是用来检验电子器件内外部物理特性
的方法，包括尺寸、重量、密度、硬度、磁性、热特性等。
常用的方法有
测量封装尺寸、引脚间距、焊盘尺寸等；利用显微镜观察元器件表面形貌，配合金相显微镜来观察器件的金属结构和应力分布；测量元器件的质量、
密度和强度等指标。
3.电气性能检测：电气性能检测是检验元器件电性能的方法，主要包
括静态参数测试、动态特性测试和电容、电感、电阻等电性能参数测试。
常用的方法有使用万用表、示波器、信号发生器等测量工具，对元器件的
电压、电流、频率、响应时间、电阻值等进行测试。
同时，还可以利用射
频信号源、功率测量器等专用设备对射频器件的性能进行测试。
4.可靠性测试：可靠性测试是用来预测和评估电子元器件在特定条件
下的可靠性能的方法，包括环境可靠性测试、应力可靠性测试和可行性试
验等。
常用的方法有温度循环试验、高低温试验、湿热循环试验、振动试验、冲击试验、可靠性寿命试验等。
通过这些测试，可以评估元器件在不
同环境和应力条件下的工作能力和寿命，为设计和生产提供可靠性参考。
总结起来，电子元器件的检测方法包括外观检查、物理性能检测、电
气性能检测和可靠性测试等多个方面，通过综合运用这些方法，可以全面
评估和验证电子元器件的质量和性能，确保其符合设计要求、可靠工作。
电子元器件的检测方法
电子元器件的检测方法电子元器件的检测方法对于保障产品质量、确保设备正常运行至关重要。
本文将介绍几种常用的电子元器件的检测方法。
一、外观检测外观检测是电子元器件检测中最简单且最基础的方法之一。
通过目视观察元器件的外观，检查是否存在外观缺陷、氧化、变形等问题。
一些常用的外观检测设备包括显微镜、放大镜和高清摄像机等。
外观检测可以快速检查大量元器件，但不能确定元器件内部是否存在问题。
二、电性能测试电性能测试是常见的电子元器件检测方法之一，通过测量元器件的电性能参数来判断其正常与否。
例如，对于半导体器件，可以通过测量其电流、电压和电阻等参数来判断其质量。
电性能测试需要使用仪器设备，如万用表和示波器等。
三、无损检测无损检测是一种非破坏性的电子元器件检测方法，通过检测元器件所发出的信号或响应来判断其内部是否存在缺陷。
无损检测常用于印刷电路板（PCB）和焊接接头等元器件的质量检测。
常见的无损检测方法包括红外热成像、超声波检测和射线检测等。
四、环境适应性测试环境适应性测试是一种测试电子元器件在不同环境条件下性能稳定性的方法。
通过模拟实际工作环境中的温度、湿度、振动和电磁干扰等因素，测试元器件在这些条件下的可靠性和稳定性。
环境适应性测试可以帮助制造商评估元器件在不同环境下是否能满足产品要求。
五、X射线检测X射线检测是一种用于检测电子元器件内部缺陷的方法。
通过照射元器件并观察其产生的衍射和散射现象，可以检测到元器件内部的焊点开裂、引线脱落等问题。
X射线检测可以在不破坏元器件的情况下对其进行全面的内部检测。
六、寿命测试寿命测试是一种测试电子元器件使用寿命和可靠性的方法。
通过模拟实际使用条件，对元器件进行长时间的工作状况下的测试，以确定其在使用寿命方面的性能。
寿命测试可以帮助制造商评估元器件的耐久性和可靠性，并提前发现潜在的故障问题。
综上所述，电子元器件的检测方法多种多样，不同的方法适用于不同的元器件和不同的检测需求。
通过合理选择和应用这些检测方法，可以确保电子元器件的质量和可靠性，提高产品的竞争力和市场认可度。
电子元器件检测与测试方法
电子元器件检测与测试方法电子元器件检测与测试方法电子元器件检测与测试是电子行业不可或缺的重要环节，通过对电子元器件进行全面准确的检测和测试，可以保证电子产品的质量和稳定性，提高其可靠性和寿命，同时也提高了企业的信誉度和市场竞争力。
电子元器件的检测和测试方法主要包括以下几种：1.物理测量法物理测量法是用物理实验方法对电子元器件进行检测和测试的一种方法，主要包括电阻测量、电容测量、电感测量、磁场测量、温度测量等。
其中，电阻测量是最常用的物理测量法，常用的仪器有万用表、电桥等。
2.功能测试法功能测试法是通过对电子元器件的功能进行测试，来判断其性能是否符合规定要求的一种方法，其主要包括开路测试、短路测试、线损测试、电源电压测试、逻辑电平测试、延迟测试等。
常用的功能测试仪器有示波器、信号源、频谱分析仪、噪声测试仪等。
3.非破坏性检测法非破坏性检测法是指在对电子元器件进行检测和测试时，无需对其造成损坏，也不会改变其性能的一种方法，主要包括X射线检测、磁粉检测、超声波检测、红外检测等。
其中，X射线检测是一种非常重要的非破坏性检测方法，常用于对电子元器件的内部结构进行检测和测试。
4.环境检测法环境检测法是指通过对电子元器件所处环境进行检测和测试来评估其性能和稳定性的一种方法，主要包括温度测试、湿度测试、震动测试、防护等级测试等。
其常用的环境检测仪器有温湿度计、振动测试仪、防护等级测试仪等。
在进行电子元器件检测和测试时，需要根据具体的元器件种类和性能要求选择合适的方法和仪器，同时要注意以下几点：1.仪器精度和准确性。
仪器的精度和准确性是影响测试结果的关键因素，因此在进行测试前需要检查所使用的仪器是否正常，并进行校准和调整，确保测试结果准确可靠。
2.测试条件的控制。
电子元器件的性能在不同的环境下会发生变化，因此在进行测试时要严格控制测试条件，特别是温度、湿度、电源电压等因素。
3.数据分析和处理。
在进行电子元器件测试后，需要对测试数据进行分析和处理，根据实际情况进行调整和优化，并进行合理的记录和存档，以备后续参考使用。
电子元器件的测量,初学者都看过来!
电子元器件的测量，初学者都看过来！01 判断二极管和稳压管有时玻璃轴的稳压管和二极管，很难辩别是整流管还是稳压管。
一般来说，负极性标识的黑线道是稳压管，其它色是整流管。
一般普通整流二极管的反向电阻为无穷大，正向电阻是5K左右。
而稳压管反向是无穷大，正向电阻是10K左右。
02 稳压管的稳压值在没有方便仪器的情况下，用下图可以测出稳压管的稳压值，不过只是30V以内的值。
调整0-30V的电源，到哪个值时，你再调也不上升了，这个值就是稳压值。
测稳压管的两端。
03 测小电容一般在0.01uF以下的小电容，用万用表测不出来，击穿的好测，而断没断路就不好测了（有电容表的除外）。
下图配合指针是万用表可以方便的测出几十PF以上的小电容。
图中是一个复合三极管的放大电路。
配合万用表会看见指针的摆，来判断电容的好坏，但容量测不出来。
要用万用表10K档来测。
04 电阻的故障电阻的故障一般为断路和变值。
大多数电阻是开路和变值。
短路的较少。
除非是碳化的影响。
变值的一般不意查觉。
在路测量时，比如50K，你要正反向都测一下。
如果第一次测是50K，掉过来测是40K，不见得是坏了，因为有在路的影响！但如果第一次测是接近值，第二次是100K，就要焊下来测测了。
因为不应该在路测量会大于电阻本值。
供参考。
05 三极管测量我们知道，三极管有NPN和PNP型。
一般基极对发射极和集电极都有个正向导通，但发射极和集电极应该是无穷大。
别光注意导通的情况，一定要测EC极的阻值！一般来说，如果用指针表10K档测量时有阻值，那这个三极管就不好。
在谋些场合可能能用，有些设备上就会异常！有时，三极管会处于临界击穿状态，这个用万用表不好测，因为万用表的电池最高也就15V.有台电视机就是伴音出现咔咔的杂音，多数人以为是接触不好。
我修过一个这类故障，最后把伴音中的一个三伋管换一个就好了。
过去有金封的三极管台3DG6，3DG12等。
它们的口诀是：管脚朝上头冲下，缺口对自已，左发右集中间基！而现在大多数是小塑封的了，现在的小塑封三极管，管脚排例并不一致，有的基极在中间，有的在旁边。
电子元器件识别与检测方法大全
电子元器件识别与检测方法大全1.目视检查：通过肉眼观察元器件的外部特征，如封装形状、引脚数量和排列等，可以初步判断元器件的类型、性能和规格等。
2.五线谱法：使用顶针、伏打仪等测量设备，在元器件的引脚上测量电阻、电容、电感等参数，通过比对测试结果和标准参数来识别元器件类型。
3.输电线圈法：通过对元器件的线圈进行输入电流测量和电压测量，计算出得到元器件的电阻、电感、互感等参数，进行元器件的类型识别。
4.X射线检测法：通过使用X射线设备扫描和照射元器件，可以观察元器件的内部结构和焊接情况，用来检测元器件是否存在异常情况，如焊接虚焊、焊接不良等。
5.红外线检测法：通过红外线热成像技术，可以发现元器件在工作过程中的热点、温度异常等问题，对于散热不良的元器件可以快速识别。
6.环境湿度检测法：通过检测元器件周围的湿度情况，可以判断元器件是否存在潮湿等问题，避免电子元器件受潮而影响正常工作。
7.剩余温度检测法：通过检测元器件在使用过程中的温度，可以判断元器件是否存在过热情况，及时调整工作状态，避免元器件温度过高损坏。
8.电磁兼容性测试法：通过电磁兼容性测试设备，对元器件的辐射和抗辐射能力进行测试，判断元器件是否能够满足相关的电磁兼容性要求。
9.声音检测法：通过对元器件进行敲击、振动等操作，观察元器件的声音特征，可以初步判断元器件是否存在内部损坏情况。
10.玻璃绝热检测法：通过对元器件封装外壳的玻璃绝热特性进行检测，可以判断元器件的密封性能是否良好，防止外界湿气、灰尘等物质进入并影响元器件的正常工作。
总之，元器件的识别与检测方法多种多样，需要根据具体的元器件类型、性能和规格等特点，选择合适的检测手段和测试设备，进行全面的评估和检测，以确保元器件的正常工作和使用安全。
电子元器件检测方法
电子元器件检测方法电子元器件是电子产品中最为基础的组成部分，检测电子元器件的可靠性和稳定性是现代电子工程中至关重要的一环。
对于电子元器件的检测方法，以下是一些常用的方法供参考。
1. 绝缘电阻测试绝缘电阻测试常用于检测电子元器件的绝缘是否良好。
该测试方法使用万用表测量两个电极之间的电阻值来检测绝缘是否被破坏。
如果发现电阻值过低，那么可能代表着元器件的绝缘已经破坏或者短路了。
2. 电容测试电容是电子元器件中最为常见的元器件之一，通常被用于存储电荷和稳定电压。
电容可以被检测其电容值是否符合标准规范。
可用万用表或者LCR仪器测量电容值，并根据测量结果来判断电容是否正常。
3. 电感测试电感是使用磁场来存储电能的元器件。
电感的测试通常通过一个频率测量器来测量电感元件的电感值。
通过比较测量结果和标准规范，可以判断电感元件是否达到标准要求。
4. 二极管和晶体管测试二极管和晶体管是半导体元件的重要组成部分。
通过使用特定的测试仪器，可以测量二极管和晶体管的电流和电压值，以确定是否符合标准规范。
同时，通常还会检查元器件的漏电流和反向电压，来确保其性能的完整性。
5. 可控硅测试可控硅是一种电子元器件，常用于电路控制。
测试可控硅通常可以使用特定的交流电流或直流电流来刺激元器件，然后使用测试仪器来测量其开关特性和电流传输特性，以判断其性能是否符合标准规范。
6. 晶振测试晶振是一种用于精确计时和频率控制的元器件。
晶振的测试通常需要使用测试仪器来测量其准确的振荡频率，并根据标准要求来判断其准确性是否符合要求。
总的来说，电子元器件的测试十分重要，主要是为了保证电子产品的品质和稳定性。
以上列举了一些常见的测试方法供参考，然而对于某些特定的元器件来说，存在特殊的测试方法。
在进行电子元器件测试之前，应该先了解其工作原理和性能特点，并且根据实际要求选择合适的测试方法。
常用电力电子元器件的测试和判断
部分电子器件的测试和判断方法1、二极管和桥堆二极管的检测是用万用表的二极管档测PN结的压降，二极管的正极是PN结的正端，负极是PN结的负端。
PN结的正向压降约为0.3—0.8V，反向为∞。
桥堆的检测和二极管一样，分别测四个二极管的好坏，若其中有一个坏的，则桥堆是坏的。
2、三极管三极管有NPN型和PNP型，用万用表的二极管档测两个PN结的压降，可粗略判断三极管的好坏，PN结的正向压降约为0.2—0.7V，反向为∞。
也可以测三极管的放大倍数，数值为0或∞的管子一般是坏的。
三极管的损坏形式一般是b-e结击穿，严重时连c-b结也击穿。
3、MOS管场效应管（常用MOS管）有N沟道型和P沟道型，测试时用万用表的二极管档，栅极（G）对源极（S）和漏极（D）是双向绝缘的（数值为∞）；S对D相当于一个PN结（P沟道型为D对S），测试时可参照PN结的测试。
MOS管的损坏形式一般是D-S结击穿，严重时连G-S绝缘也击穿。
4、IGBTIGBT模块可通过测量G-E间的结电容来判断，模块的G-E结电容与它的耐流值有关，一般好的100A以下模块G-E结电容在4~20nF间，100A以上模块的G-E结电容可能超过20nF。
我们也可以通过测量模块G-E、G-C、C-E的电阻来判断，常见模块的损坏形式是G-E击穿或C-E击穿。
5、变压器变压器的损坏一般是匝间短路或开路。
开路的情况可以用万用表测量；对于短路情况，我们可以在它的高压端加交流市电，然后测它的空载损耗和或副边电压来判断它的好坏。
对于小变压器而言，损坏较多的情况还是原边开路。
6、电容温度升高而形成恶性循环，继而膨胀、失效。
有些损坏的电容可从外观上来判断，膨胀、变形或出现漏液的电容一般是坏的。
电容也可以万用表来测量，对于容值较小的，可以用万用表的电容档测其容值，偏差不大的电容是好的；对于容值较大的电容，可用万用表的电阻档来测量，若阻值能够从很小缓慢增大到∞，且对调表笔后能同样变化的，则电容是好的，若阻值很小或很大且不会发生变化的，则电容是坏的。
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R1 /[R1 (R2 Ra )]
S.R
Ia Ifs
Rx
R1(R2 Ra ) /[R1 (R2
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Ra )]
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第5章 电子元器件的测量
清华大学出版社
由式可知，当待测电阻Rx＝ R1(R2 Ra ) /[R1 (R2 Ra )]
1．电感线圈
电感线圈的主要特性为电感L，但不可避免地还包 括有损耗电阻rL和分布电容Cf。通常情况下，rL和Cf的 影响较小。将电感线圈接于直流电源并达到稳态时，则 可视为电阻。当其连接于频率不高的交流电源时，可视 为理想电感和损耗电阻的串联；当频率继续升高，仍可 将其视为L和rL的串联，但因Cf的作用，损耗电阻rL和电 感L将随频率变化而变化；当频率很高时，由于Cf的作 用，可视为电感和电容的并联。由此可见，在某一频率 范围内，电感线圈可由若干理想元件组成的等效电路表 示。近似程度越高，适应的频率范围越宽，电路的形式 越复杂。图5-3所示为高频电感线圈等效电路。
第5章 电子元器件的测量
rL
清华大学出版社
L
Cf
图5-3 电感线圈的等效电路
Z dx
(rL
jωL)
1 jωCf
rL
j ωL
1 ωCf
rL jωL jωCf rL (1 ω2LCf
)
(ωCf rL )2
rL (1 ω2LCf)2jωFra bibliotek(ωCf
L(1 rL )2
ω2LCf ) (1 ω2LCf
于间接测量法，存在一定的误差。
R A
R A
V +-
V +-
图5-6 电阻测量的基本电路
第5章 电子元器件的测量
清华大学出版社
2．欧姆表
欧姆表或万用表中的欧姆挡是一种直接测量电阻所
用的仪表，其准确度不高，但使用极为方便，可以直接
读取被测对象的电阻，在精度要求不高的情况下被广泛 使用。图5-7所示为串联式欧姆表的电路，由直流电流表 与电阻及电源串联组成。当被测电阻Rx＝0时，可以通过 调整“零欧姆调整电阻（0Ω adj）” R2，使电表头偏转在 满刻度的位置，在此将刻度标以“0Ω”。在被测电阻Rx＝ ∞时，流过电表头的电流为零，因此在刻度的零点位置标 以“∞”。Rx＝0时流过电表头的满刻度电流表示为
虚数部分X为电抗，是存储能量的元器件。|Z|为阻抗的绝对值
（或模值）；为复数的阻抗相角，表示电压U与电流I之间的
相位差。Z、R和X之间的关系可用阻抗矢量图表示，如图5-2
所示。
jX
Z
Z
Z sin
o
Z cos
R
图5-2 阻抗矢量图
第5章 电子元器件的测量
清华大学出版社
5.1.2 R、L、C元件的基本特性
第5章 电子元器件的测量
L0
R
C
Rj
清华大学出版社
L0
R
C
Rj
C
(a)电容器等效电路
3．电阻器
(b)低频等效电路 图5-4 电容器等效电路
(c)高频等效电路
电阻器的主要特性为电阻R，但不可避免地还包括有
分布电感和分布电容。电阻器的等效电路如图所示。图中，
R为理想电阻，LR为串联分布电感，Cf为分布电容。
D 1 RC
Q
（5-8）
第5章 电子元器件的测量
5.1.3 电阻的测量
清华大学出版社
1．伏安法
对于阻值固定且在低频下工作的电阻，可以根据欧姆
定律对其进行测量。只要测得电阻两端的电压以及流过电
阻的电流，即可由欧姆定律R＝U/I求出电阻的实际数值。
图5-6所示为利用电流表和电压表测量电阻的两种方法，属
激励电流
激
i(t)
励
u(t)
源
被测 元器 件或 负载
图5-1 电路阻抗示意图
第5章 电子元器件的测量
清华大学出版社
由于响应电流i(t)与激励电压u(t)之间通常会存在一个相位 差，故
Z R jX Z e j Z (cos jsin) （5-1）
阻抗Z的实数部分R为电阻，是交流电路中消耗能量的元器件；
第5章 电子元器件的测量
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5.1 电阻、电感和电容的测量
5.1.1 阻抗的概念 5.1.2 R、L、C元件的基本特性 5.1.3 电阻的测量 5.1.4 电感的测量 5.1.5 电容的测量
第5章 电子元器件的测量
5.1.1 阻抗的概念
清华大学出版社
阻抗是表征一个元器件或电路中电压、电流关系的复 数特征量。在图5-1中，若给一个无源网络（或二端网络） 的两输入端施加一激励电压信号（直流或交流），将产生 一个电流。当激励电压为直流电压E时，对应产生的电流 为I，其电压与电流之比为一个常数，称之为电阻R，即R ＝E/I。当激励电压为交流电压u(t)时，对应的响应电流为 i(t)，这时我们将该电压与电流之比称为阻抗Z。
)2
第5章 电子元器件的测量
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2．电容器
电容器等效电路如图5-4(a)所示。图中，除理想电 容C外，还包含有介质损耗电阻Rj，由引线、接头、高 频趋肤效应等产生的损耗电阻R，以及在电流作用下因 磁通引起的电感L0。当频率很低时，R和L0的影响可以忽 略，电容器的等效电路可以简化成图5-4(b)所示电路； 当频率很高时，Rj的影响比R的影响小很多，L0的影响不 能忽略，这时的等效电路如图5-4(c)所示，相当于一个 LC串联谐振电路。可以看出：当f＜f0C时，电容器呈容 抗，其等效电容C随频率的升高而增大；当f＞f0C时，电 容器呈感抗；当f＝f0C时，电容器呈纯电阻。
Ifs
R2
E
Ra
第5章 电子元器件的测量
清华大学出版社
当两测试端连接上被测 电阻Rx时，流过电表头的电 流为
Ifs A Ra
Ia R2
R1
Ia
Rx
E R1(R2 Ra ) R1 (R2 Ra )
R1
R1 (R2
Ra )
E
Rx
图5-7 串联式欧姆表
欧姆表连接待测电阻Rx时的偏转与满刻度偏转的比 值，以刻度S.R表示为
rL
L
Cf
第5章4电．子Q元值器件的测量
清华大学出版社
为表征元器件储能与耗能之间的关系，引入了品质因数
Q，同时定义：
X Q
R
（5-5）
对于电感L，其品质因数为：
QL
XL rL
L
rL
2fL
rL
对于电容L，其品质因数为：
QC
XC R
1/(C) R
1 2fRC
（5-6） （5-7）
在实际应用中，常用损耗因数D来形容电容器的质量。损耗 因数D被定义为Q的倒数，即