发光二极管光谱参数测试方法的研究
发光二极管的测试方法
发光二极管的测试方法发光二极管（LED）是一种能够将电能直接转化为光能的半导体元件。
从市场上常见的LED的类型来看，有红、绿、蓝、黄等不同颜色的LED。
为了确保LED的质量和性能，需要对其进行测试。
下面将介绍一些常用的LED测试方法。
首先是对LED光电参数的测试，主要包括：1. 测试光通量（Luminous Flux）: 光通量是LED的发光亮度的量度，单位为流明(lm)。
可以使用一台光度计来测量LED的光通量值。
2. 测试光强度（Luminous Intensity）: 光强度是LED光线在特定方向上发射的明亮程度，单位为坎德拉（cd）。
光强度的测试可以通过使用一个集成球、透镜和接口装置结合光度计来完成。
3. 测试色度坐标（Chromaticity Coordinates）: 色度坐标是用来描述LED的颜色特性的参数。
可以使用色度仪来测量LED的色度坐标。
此外，还需要对LED的电性能进行测试，主要包括：1. 测试正向电压（Forward Voltage）: 当LED处于导通状态时，正向电压是LED正向电流通过后产生的电压降。
可以使用数字式万用表或特定的LED测试仪进行测量。
2. 测试正向电流（Forward Current）: 正向电流是指在正向电压下流过LED的电流。
可以通过直流电源和电流表进行测试。
3. 测试反向电流（Reverse Current）: 当LED处于反向偏置状态时，如果流过LED的电流过高，则可能导致LED短路。
可以使用数字式万用表或特定的LED测试仪进行测试。
4. 测试开启电压（Breakdown Voltage）: LED在反向偏置状态下的电压，即开启电压。
可以使用数字式万用表或特定的LED测试仪进行测试。
最后，还需要对LED的可靠性进行测试，主要包括：1.高温寿命测试:将LED置于恒定高温环境中，通电并持续观察其工作性能的变化情况，以判断其在高温环境下的寿命和稳定性。
led测试
LED测试引言LED（发光二极管）是一种常见的光电子元件，广泛应用于照明、显示、指示等领域。
在开发和制造LED产品时，LED测试是一个重要的环节，用于确保LED的质量和性能符合要求。
本文将介绍LED测试的原理、常用测试方法和测试设备。
LED测试原理LED测试的目的是评估LED的亮度、色温、色彩均匀性、功率等性能参数。
LED测试原理主要包括以下几个方面：1. 光强测量光强是衡量LED亮度的重要指标。
光强的测试通常使用照度计或光度计进行，其中照度计用于测量表面照度，光度计用于测量出射光流。
2. 色温和色坐标测量LED的色温和色坐标是衡量其色彩性能的指标。
色温是以绝对温标（开尔文）表示的，常见的LED色温有暖白、自然白和冷白等。
色坐标通常使用CIE1931色度图进行测量，色坐标的变化反映LED的颜色变化。
3. 色彩均匀性测试色彩均匀性是衡量LED光源灯具质量的重要指标。
通过将LED光源不同方向的光强进行对比，可以评估其色彩均匀性。
常见的测试方法包括光谱分布测试和光度分布测试。
4. 功率测试功率测试主要用于评估LED的能效，常用的测试设备有功率测量仪和电流表。
通过测量LED的功率和电流，可以计算出其能效和功率因数。
LED测试方法LED测试方法根据不同的性能指标和要求，选择相应的测试方法进行。
以下是常见的LED测试方法：1. 光强测量方法•照度计法：将LED光源放置在与光照表面平行的位置，使用照度计测量光源的光强。
•光度计法：将LED光源放置在光度计的光路中，测量光度计的输出信号。
2. 色温和色坐标测量方法•光谱测量法：使用光谱仪测量LED光源的光谱曲线，根据曲线计算出色温和色坐标。
•CIE1931色度图法：将LED光源的光通过CIE1931色度图仪器，测量出色温和色坐标。
3. 色彩均匀性测试方法•光谱分布测试：使用光谱测量仪测量LED光源在不同方向上的光谱分布差异，评估色彩均匀性。
•光度分布测试：使用光度分布仪测量LED光源在不同方向上的光强差异，评估色彩均匀性。
发光二极管怎么用万用表测试-发光二极管测试方法
发光二极管怎么用万用表测试?发光二极管测试方法1、用万用表检测普通发光二极管：A．用指针式万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。
正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为几十至200kΩ，反向电阻值为∞（无穷大）。
在测量正向电阻值时，较高灵敏度的发光二极管，管内会发微光。
若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降约在2V左右（部分发光二极管压降在3V 左右，如白色发光二极管等），而万用表R×1k档内电池的电压值为1.5V，故不能使发光二极管正向导通。
B、用指针式万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。
C、用3V直流电源，在电源的正极串接1只47Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。
或将1节1.5V电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的1.5V电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。
D、如果有两块指针万用表（最好同型号）。
用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。
余下的“-”笔接被测发光管的正极（P区），余下的“+”笔接被测发光管的负极（N区）。
两块万用表均置×10Ω挡。
正常情况下，接通后发光二极管就能正常发光。
若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1Ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。
应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1Ω，以免电流过大，损坏发光二极管。
有机发光二极管显示器件光学和光电参数测试方法通则
有机发光二极管显示器件光学和光电参数测试方法通则有机发光二极管显示器件光学和光电参数测试方法通则包括以下步骤:
1. 测试波长的选择：根据所需测试的波长范围，选择适当的波长激光器。
通常使用的波长范围为 400-700 纳米。
2. 测试环境的建立：建立测试环境，确保测试环境的温度、湿度、气压等参数符合测试要求。
3. 测试样品的准备：将待测试的 OLED 显示器件放置在测试平台上，并确保其正常工作。
4. 测试参数的测量：通过波长计或分光光度计等设备，测量 OLED 显示器件的波长、光强、角度等参数。
5. 测试结果的计算和分析：根据测试参数的测量结果，计算 OLED 显示器件的光电参数，如发光效率、量子效率、视角等。
6. 测试结果的展示和报告：将测试结果展示在报告或图表中，并给出结论和建议。
OLED 显示器件的光学和光电参数测试方法通则旨在确保测试过程的标准化和精度，从而提高测试结果的准确性和可靠性。
半导体发光二极管LED的测试方法
电磁 能量，单位为 瓦特 （ ）。 它通 常 ｗ 表示Ｌ Ｄ在 空间４ Ｅ ｎ度 范围内，每秒钟所
发 出 的 能 量 。 实 际 上 ，辐 射 通 量 就 是 辐 ’
角元ｄＱ内月
这 个立体 角， 在此方 向上ｆ
， 一
一
射体 的辐射 功率。 由于光子 能量 的大 小
半导体发光二极管Ｌ Ｄ Ｅ 的测试方法
光地 北京光 电子技术实验室主任 半导体发光二极 管 （ Ｅ Ｌ Ｄ） 已经被
广 泛 应 用 于 指 示 灯 、 信 号 灯 、 仪 表 显
的红外线放射作用。而 １６ 年美国通用 ９２
电气公 司 （ ｉｋＨｏｏ ｙ ｋＪ） 则开 ＧＥ Ｎ ｃ ｌｎ ａ ｒ
量 、辐 射效率 、光强、光强分布特 性和
光谱参数等。
光通 量和 光效。光通 量 的测试有 两 种 方法，即积分球法和 变角光度 计法。 在辐射度学上，Ｌ Ｄ辐射通量中ｅ Ｅ ｍ来衡
量 发 光 二极 管 在 单 位 时 间 内 发 射 的 总 的
Ｉ ） （ （ １ ）
距离和探测
之间不 同波长 的光线 ，而业界也有紫色
～
紫外线 的Ｌ Ｄ。近年 来Ｌ Ｄ最吸引入 Ｅ Ｅ
的发展是蓝光Ｌ Ｄ上涂上萤光粉 ，将蓝 Ｅ
现 了砷 化镓Ｇａ 与及 其他半 导体合 金 ＡＳ
光转化成 白光 的白光Ｌ Ｄ产 品。Ｌ Ｄ之 Ｅ Ｅ
Ｔｅｃｈｎ ｏｑ ｏｌ
所 以被称 为世 纪新光源 ，原 因在于ＬＥ Ｄ 具备 点光源与 固态光源的特性 ，能够节
省 能源 、高耐震、寿命长 、体积４ 响应 、
快速、并且色彩饱和度高。
电特性测试方法 Ｌ ＥＤ是一个 由半导体无机 材料构成 的单 极性Ｐ ｎ 二极 管 ，其 电压 与 电流 —结
发光二极管的测试方法
电特性测试方法： 1．正向电压：目的：测量器件在规定正向工作电流下，两电极间产生的电压降。
测试原理：D ——被测器件； G ——恒流源； A ——电流表； V ——电压表。
正向电压测量原理图测量步骤：正向电压的测量按下列步骤进行： a) 按图连接测试系统，并使仪器预热；b) 调节恒流源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。
规定条件：——环境或管壳温度； ——正向偏置电流。
2．反向电压：目的：测量通过器件的反向电流为规定值时，在两电极之间产生的反向电压。
G测量原理：D ——被测器件； G ——稳压源； A ——电流表； V ——电压表。
反向电压测量原理图测量步骤：反向电压的测量按下列步骤进行： c) 按图连接测试系统，并使仪器预热；d) 调节稳压电源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。
规定条件：——环境或管壳温度； ——反向电流。
3．反向电流：目的：测量在被测器件施加规定的反向电压时产生的反向电流。
测量原理：V A+-GV +-GD——被测器件；G——稳压源；A——电流表；V——电压表。
反向电流测量原理图测量步骤：反向电压的测量按下列步骤进行：e)按图连接测试系统，并使仪器预热；f)调节稳压电源，使电流表读数为规定值，这时在直流电压表上的读数即为被测器件的正向电压。
规定条件：——环境或管壳温度；——反向电压。
4．总电容：目的：在被测器件施加规定的正向偏压和规定频率的信号时，测量被测器件两端的电容值。
测量原理：D——被测器件；——隔离电容；CA——电流表；V——电压表L——电感。
总电容测量原理图测量步骤：总电容的测量按下列步骤进行： g) 按图连接测试系统，并使仪器预热；h) 调节电压源和调节电容仪，分别给被测器件施加规定的正向偏压和规定频率的信号，将电容仪刻度盘上读数扣去电容C 0等效值即为被测器件总电容值。
规定条件：——环境或管壳温度； ——正向偏置电压；——电容仪提供规定频率的信号。
半导体发光二极管LED的测试方法
34技术应用T echnology and application半导体发光二极管（LED,light emitting diode ）是一种新型的发光体，具有电光转换效率高、体积小、寿命长、电压低，节能、环保等优点，是下一代理想的照明器件。
LED 光电测试是检验LED 光电性能的重要手段，相应的测试结果是评价和反映当前我国LED 产业发展水平的依据。
文章结合有关LED 测试方法的国家的相关标准，介绍了LED 光电性能测试的几个主要方面。
半导体发光二极管LED 的测试方法沈光地 北京光电子技术实验室主任半导体发光二极管（L E D）已经被广泛应用于指示灯、信号灯、仪表显示、车载光源、大屏幕显示、背光源等场合，白光L E D技术也不断地发展，L E D在照明领域的应用越来越广泛。
过去，对于L E D的测试没有较全面的国家标准和行业标准，在生产实践中只能以相对参数为依据，不同的厂家、用户、研究机构对此争议很大，导致国内L E D 产业的发展受到很大影响。
结合国内外关于L E D测试方法的各种标准，基于L E D各个应用领域的实际需求，本文从电特性、光特性、开关特性、颜色特性、热学特性、可靠性等方面进行了介绍。
LED 的发光原理1955年，美国无线电公司（R a d i o Corpor of America Rubin Braunstein）发现了砷化鎵G a A s与及其他半导体合金的红外线放射作用。
而 1962年美国通用电气公司（GE Nick Holonyak Jr）则开发出可见光的L E D。
不过，L E D真正的起飞是 1990 年代白光 LED出现后，才开始渐渐被重视，而应用面越来越广。
L E D具备二极管的特性，是一种可以将电能转化为光能的电子零件，也就是具备一正极一负极，L E D最特别的地方在于只有从正极通电才是会发光，故一般给予直流电时，L E D会稳定地发光，但如果接上交流电，L E D会呈现闪烁的型态，闪亮的频率依据输入交流电的频率而定。
led测试原理
led测试原理LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种半导体器件，能够将电能转化为可见光能量。
在工业生产中，为了确保LED的质量和性能稳定，需要进行LED测试。
LED测试是对LED的特性、亮度、电流等参数进行检测和分析的过程，以确保其符合规定的标准和要求。
一、引言随着LED在照明、电子显示等领域的广泛应用，人们越来越重视LED的质量和性能。
而LED测试正是评估LED产品质量和性能的重要手段之一。
本文将介绍LED测试的原理及其测试方法。
二、LED测试原理1. 光谱测试光谱测试是对LED光谱特性进行分析和评估的方法。
LED的光谱特性包括光谱分布、颜色坐标、色温、显色指数等。
通过光谱测试可以了解LED光谱的质量和匹配性，从而评估其应用的适用性。
2. 亮度测试LED的亮度是评估其光输出能力的重要指标。
亮度测试通常采用光度测量仪和光度计来进行，可以获取LED发光区域的亮度、光通量等参数。
通过亮度测试可以准确评估LED的光输出性能和发光均匀性。
3. 电气特性测试LED的电气特性包括正向电压、正向电流、反向电流等。
电气特性测试可以通过示波器、电流源等设备来进行。
通过电气特性测试可以确保LED的电流和电压运行在正常范围内，以保证其稳定的工作性能。
4. 耐压测试耐压测试是对LED的电气安全性进行评估的方法。
通常使用高压发生器对LED进行电气耐压测试，以确定其在安全电压下的工作状态。
耐压测试可以确保LED在正常电压范围内工作，避免出现电气击穿等安全隐患。
5. 寿命测试寿命测试是对LED的使用寿命进行评估的方法。
通过对LED进行长时间连续工作或着色度变化测试，可以评估其使用寿命和稳定性。
寿命测试对于保证LED产品质量和可靠性非常关键。
三、LED测试方法1. 手工测试手工测试是最简单、常用的测试方法之一。
即使用人工对LED进行目测、触摸等方式进行测试。
手工测试适用于小批量生产和初步筛选，但效率较低且不够准确，不能满足大规模生产的需求。
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发光二极管光谱参数测试方法的研究X金尚忠1,2,王东辉1,周 文2,张在宣1(1.中国计量学院信息工程学院,浙江杭州310034; 2.浙江大学信息工程学院,浙江杭州310027) 摘要:影响发光二极管(L ED)颜色的光谱参数有:峰值波长、带宽、主波长和质心波长。
峰值波长和带宽反映了L ED发光的物理特性,主波长反映了L ED发光的目视感觉,质心波长是L ED的几何对称波长。
用分光光度法和CCD器件测量L ED的光谱参数,精度达1nm。
用质心波长来估算主波长,误差小于3nm。
关键词:发光二极管(L ED);峰值波长;主波长;质心波长;色品坐标中图分类号:T P216;T N312+.8 文献标识码:A 文章编号:1005-0086(2002)08-0825-03Research on Measurement of Spectrum Parameters in LEDJIN Shang-zhong1,2,WANG Do ng-hui1,ZHOU Wen2,ZHAN G Zai-x uan2(1.Institute of I nfo rm atio n Eng ineer ing,China Instit ute of M etr olog y,Hangzhou310034,China; 2.In-stitute o f Infor matio n Eng ineer ing,Zhejia ng U niv ersity,Hang zho u310027,China)Abstract:Peak w av eleng th,bandw ith,domain wav eleng th,and centro id w avelength ar e facto rs affect ingon lig ht color of LED.P eak wav eleng th and bandwith stand for the physical pro per ty of lig ht o f L ED,domain w av elengt h co rr espo nds to feel of eyes,centr oid w av elengt h is g eometr ic sym metry w avelengthof L ED.T hey wer e measured using concave disper sio n sy st em and CCD.T heir accur acies are1nm.Do-main w avelength w as estimated by centr oid w aveleng th,its err or is less t ha n3nm.Key words:L ED;P eak wav eleng th;Do main w avelength;Cent ro id wav eleng th;Colo r coo rdinate1 引 言 发光二极管(LED)由于其光强高、功耗低、寿命长、可靠性高、易驱动和易与IC相衔接等特点,已被广泛用于交通、广告和仪器仪表的显示中。
LED的颜色是影响显示效果的关键因素,决定LED颜色的则是它的波长特性。
由于LED的相对光谱功率分布是一种窄带的准单色光光谱,因此测量它的波长就尤为重要。
2 测量原理 LED在可见光区域内发光的相对光谱功率分布为P(K)。
图1所示为绿色LED的P(K)曲线,量大值所对应的波长K P称为它的峰值波长。
它的颜色可用色坐标(x,y)来表示。
按CIE规定[1],LED的三刺激值X、Y和Z为 X=k∫780380P(K)x-(K)d KY=k∫780380P(K)y-(K)d KZ=k∫780380P(K)z-(K)d K(1)式中,x-(K)、y-(K)和z-(K)为1931CIE-X YZ标准色度观察者光谱三刺激值;k称为调整系数 k=100/∫780380P(K)y-(K)d K(2)图1 LED的相对光谱功率分布Fig.1 Relative spectrum energy distribution of LED 光电子・激光 第13卷 第8期 2002年8月 Jo urnal of O pt oelect ro nics・L aser Vo l.13 N o.8 A ug.2002 X收稿日期:2002-01-21 修订日期:2002-02-06把LED 的Y 值调整为100。
得到X 、Y 和Z 三刺激值后,可求得它的色品坐标为 x =X /(X +Y +Z )y =Y /(X +Y +Z )(3) 各种颜色的色品坐标构成了1931CIE-X YZ 色品图(图2)。
图中,从780nm 沿边缘线到380nm 为单色光颜色的色品坐标,W E (0.3333,0.3333)为等能白[P (K )=1]的色品坐标。
若LED 的色品坐标为S 1(x 1,y 1),连接W E S 1交边缘线于Kd 。
K d 即为该LED 的主波长,它反映了人眼观察LED 显示的目视感觉[2]。
图2 1931CIE -XYZ 色品图Fig .2 1931CIE -XYZ color diagram LED 的质心波长K m 为 Km =∫780380P (K )K d K /∫780380P (K )d K(4)即只要测得P (K ),就可获得K P 、Kd 和K m 。
3 测量装置3.1 K P 的测量 LED 的P (K )测试装置如图3(a)所示,LED 放在直径180mm 的积分球内。
图3(b )为驱动LED 的恒流源,电流在1～100mA 可调(也可设置为方波恒流源,电流在1～1000m A 可调),频率1kHz,占空比1/8。
LED 发的光通过光缆传到多色仪的入射狭缝上,经凹面光栅衍射成像在线阵CCD 的感光面上,线阵CCD 上的各个像元对应LED 各个波长的能量特征,经CCD 采样、放大和A /D 转换后送入计算机[3,4],处理后即可获得P (K )。
3.1.1 波长的标定 先将低压Hg 灯、He-Ne 激光器及已知波长的半图3 P (K )的测试装置Fig .3 Testing setup of P (K)导体激光器的光引入积分球内,计算机找到对应于Hg 灯、He -Ne 激光器及半导体激光器谱线407.7nm 、435.8nm 、546.1nm 、577.0nm 、579.0nm 、632.8nm 和655.0nm 的CCD 像元位置,由插值可获得380～780nm 内各波长所对应的CCD 像元位置,这就完成了波长的标定。
所采集到的各波长的信号I (K )与P (K )的关系为 I (K )=cP (K )S (K )S (K )(5)式中,S (K )是整个光学系统的光谱透射率;S (K )是CCD 的光谱响应灵敏度;c 是比例系数。
3.1.2 能量的标定 将标准光源A 的光引入积分球内,其标准相对光谱功率P A (K )所对应的信号I A (K )为 I A (K )=cP A (K )S (K )S (K )(6) 式(5)除于式(6),有 P (K )=P A (K )I (K )/I A (K )(7) 即可获得被测LED 的P (K )。
计算机找出最大P(K )所对应即为K P 。
3.2 K d 的测定 由图2可知,1931CIE -X YZ 色品图边缘线上每个波长的色品坐标与W E (0.3333,0.3333)间都存在斜率k i 。
计算被测LED 的色品坐标与等能白W E 的斜率k d ,找出与其最接近的k i 所对应即为主波长K d 。
3.3 K m 的测量 由测得P (K )和式(4)计算,即可获得K m 。
为便于测量,建立如图4所示的K m 测量装置。
LED 发出的光经积分球多次漫反射匀光后,被两个・826・光电子・激光 2002年 第13卷 Si -PIN 探测器、D 1、D 2检测。
其中D 1加滤光片校正,使它在可见区内的相对光谱灵敏度S (K )=1。
经放大和A/D 转换后,信号即为 I 1=c 1∫780380P (K )d K(8)图4 K m 测量装置框图Fig .4 Block diagram of measuring K m D 2直接检测光信号。
由于高性能Si -PIN 探测器的量子效率在可见区内近似为常数,其相对光谱灵敏度[5]S (K )≈c 3K ,检测到的信号即为 I 2≈c 3c 2∫780380P (K )K d K(9)综合(4)、(8)和(9)式,得 K m ≈k 1I 2/I 1(10)这里,c 1、c 2、c 3和k 1为比例系数,其中k 1可由已知波长的激光器方便地测定。
4 实验结果及分析 我们对一些光谱灯和激光器的K P 进行了实测,结果如表1所示。
由表可见,其误差小于1nm ,可见它能胜任LED 的波长测试。
表1 K p 的测试结果Tab .1 Testing results of K pS tandard K s/nm 407.8435.6532.0546.1579.0589.6632.8669.4T est K p /nm 407.0435.0532.0546.0579.0590.0633.0670.0 表2为用图3装置测得的K P 、K d 及K m 和用图4装置测得的K m1。
由表可见,K m1比K m 更接近K d 。
由于LED 发光为准单色光,其P (K )近于高斯分布。
计算表明[5],当K P <572nm 时,K d >K p 。
由表2可见,K d 和K p 的关系与其相符。
对于实际显示,影响颜色的应为K d 。
表2中,K m 和K d 存在一定的关系。
表3列出了目前显示常用LED 的Km 和K d 关系。
由表3可见了,K m1比K m 更接近K d ,这是由于Si -PIN 探测器的量子效率在蓝端和红端有所下降,测出的K m1在蓝端移向长波,在红端移向短波。
因此,可简单地由Km1来估算K d 。
即对测出的Km1,加对应的修正量,就可获得K d ,误差小于3nm 。
表2 K p 、K d 和K m (K m1)的测试结果Tab .2 Testing results of K p 、K d and K m (K m1)No.123456789101112K p /n m 429466470480497506518522530567588595K d /n m 462471472484498508522528538571586592K m /nm 439467471485501510522525533571587595K m1/nm 447469472485501510523526535572587594No .131415161718192021222324K p /n m 596600601621626629635638654657659703K d /n m 593695596614619621625629641644645653K m /nm 596598599621626629635637654657659705K m1/nm 595597598618623625629632649650651676表3 K d 和K m (K m 1)的关系Tab .3 The relation between K d and K m (K m1)K d /n m450～475475～520520～550550～605605～630630～660K m ～K d /nm -1～-41～4-3～-50～37～810～14K m 1～K d/nm -2～01～3-2～-31～244～65 结 论 LED 的发光光谱为准单色光分布(除白色LED 外),影响其发光颜色的主要因素有峰值波长K p 带宽、主波长K d 和质心波长K m 。