模拟电子技术基础习题精品
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术基础__经典例题
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
模拟电子技术基础试题及答案
(120)1．纯净的半导体叫（）。
掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。
A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。
A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。
A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。
A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。
A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。
A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。
A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。
A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。
A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。
（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
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A．等于0.7V
B．小于0.7V
C．大于0.7V
7. 二极管电路如图2-51所示，V，二极管均为理想元件，则 输出电压为（ A ）。
A．0V
B．3V
C．6V
D．9V
图2-51
8. 二极管电路如图2-52所示，二极管均为理想元件，则输 出电压为（ A ）。
A．-2V
B．0V
C．4V
D．10V
9. 稳压管电路如图2-53所示，稳压管VS1的稳压值为9V， VS2的稳压值为15V，输出电压等于（ B ）。
B．等于 2U 2 C．大于 2U 2
12. 图2-55所示三个整流电路(a)、(b)、(c)，变压器二次 电压，负载电压的波形如图(d)所示，符合该波形的电路 是（ C ）。
图2-55
三、判断题
1. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型 为P型半导体。 （ √ ）
2. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（× ）
四、分析计算题
解：
第三章 思考题与习题 一、 填空 1. 晶体管从结构上看可以分成___PNP____和___NPN___两种类型。 2. 晶体管工作时有___两种___载流子参与导电，因此晶体管又称为___
双极型___晶体管。 3. 晶体管具有放大作用的外部条件是____发射____结正向偏置，____集
（ C ）。
A．基本不变
B．增加
C．增加以上
4. 硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增加，它的电流 （ C ）。
A．基本不变
B．的反向饱和电流将（ A ）。
A．增大
B．不变
C．减小
6. 当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不 变，当温度升高到时时，二极管的导通电压将（ B ）。
第二章 半导体二极管及其应用电路
一、填空题 1. 半导体是导电能力介于__导体__和___绝缘体___之间的物
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
12. 当温度升高时，二极管的正向电压将__减小___，反向 击穿电压___减小___，反向电流___增加___。
13. 整流电路的作用是___将交流电压转变成直流电压__， 核心元器件是__二极管___。
14. 滤波电路的作用是__脉动的直流电压变成平滑的直流电 压___，滤波电路包含有__储能__元件。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
（× ）
3. 在二极管的反向截止区，反向电流随反向电压增大而增
大。
（× ）
4. 如果稳压管工作电流，则管子可能被损坏。
（× ）
5. 桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都 只有负载电流一半。（ √ ）
6. 当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输 入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二极管 承受的反向电压相同。
A．P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电 B．N型半导体中由于多数载流子为电子，所以它负正电 C．P型和N型半导体材料本身都不带电。
2. 二极管的导通条件是（ B ）。
A．U D 0 B．U D 死区电压
C．U D 击穿电压
3. 硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加，它的电流
模拟电子技术基础习题
第一章 电子系统基础知识 第二章 半导体二极管及其应用电路 第三章 双极型晶体管及其放大电路 第四章 场效应晶体管及其基本放大电路
第五章 集成运算放大器及其应用
第六章 负反馈放大电路 第七章 功率放大电路
第八章 有源滤波器 第九章 波形发生和变换电路
第十章 直流稳压电源
第一章 思考题与习题
1-1 哪些是我们在以后学习模拟电路中重点要掌握的内容？ 解：重点要掌握的内容有：电子器件和放大电路、运算放大器
的应用、放大电路的性能指标。
1-2 试对照图1-2电子信息系统的框图和图1-10自动感应节能 灯电路图，分别写出信号、信号处理、信号加工、负载和 电源的具体组成部分。（以元器件为核心）
解：0.1～10HZ、1mV左右的微弱电压是信号，集成运算放大器 LM324进行信号处理，晶体管V和双向晶闸管进行信号控制， 负载是EL灯， 220V电源电压经过VD1、VD2、VD3组成直流电 源。
15. 单相半波整流和单相桥式整流相比，脉动比较大的是 ___单相半波整流__，整流效果好的是__单相桥式整流__。
16. 在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反接，则 __电路烧毁__，如果任意一个二极管虚焊，则__变成单相 半波整流___。
二、选择题
1. 在半导体材料中，其正确的说法是（ C ）。
A．15V
B．9V
C．24V
图2-52
图2-53
10. 电路如图2-54所示，VD1 ～VD3为理想二极管，HA、HB、 HC是三只相同的白炽灯，其中最亮的灯是（ A ）。
A．HB
B．HC
C．HA
图2-54
11. 理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承受 的最大反向电压为（ B ）。
A．小于 2U 2
6. 二极管最主要的特点是__单向导电性__，使用时应考虑 的两个主要参数是___最大整流电流___和__最高反向工作 电压___。
7. 半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小， 说明二极管的__单向导电性能越好___的性能越好。
8. 半导体二极管分为点接触型，面接触型和平面型3种，通 常__面接触型___流过电流最大，___点接触型___流过电 流最小。对工作频率而言，__点接触型的___最高，__平 面型的__最低。