微电子论文
微电子工艺论文----光刻胶解读
光刻胶的深入学习与新型光刻胶张智楠电科111 信电学院山东工商学院 264000摘要：首先，本文从光刻中的光刻胶、光刻胶的分类、光刻胶的技术指标（物理特性）这几个方面对光刻工艺中的光刻胶进行了详细的深入学习；其次，介绍了当代几种应用广泛的光刻胶以及新型光刻胶；最后，对光刻胶的发展趋势进行了简单的分析。
关键词：光刻、光刻胶、紫外负型光刻胶、紫外正型光刻胶、远紫外光刻胶。
光刻(photoetching)工艺可以称得上是微电子工艺中最为关键的技术，决定着制造工艺的先进程度。
光刻就是，在超净环境中，将掩膜上的几何图形转移到半导体晶体表面的敏光薄材料上的工艺过程。
而此处的敏光薄材料就是指光刻胶（photoresist）。
光刻胶又称光致抗蚀剂、光阻或光阻剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。
经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。
光刻胶的技术复杂，品种较多。
对此探讨以下两种分类方法： 1、光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种——正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。
正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部份不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。
负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于阻显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。
正胶的优点是分辨率比较高，缺点是粘附性不好，阻挡性弱。
与之相反，负胶的粘附性好，阻挡性强，但是分辨率不高。
2、基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
一是光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。
二是光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。
微电子技术发展趋势及未来发展展望
微电子技术发展趋势及未来发展展望论文概要：本文介绍了穆尔定律及其相关内容，并阐述对微电子技术发展趋势的展望。
针对日前世界局势紧张，战争不断的状况，本文在最后浅析了微电子技术在未来轻兵器上的应用。
由于这是我第一次写正式论文，恳请老师及时指出文中的错误，以便我及时改正。
一．微电子技术发展趋势微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。
微电子技术的发展，大大推动了航天航空技术、遥测传感技术、通讯技术、计算机技术、网络技术及家用电器产业的迅猛发展。
微电子技术的发展和应用，几乎使现代战争成为信息战、电子战。
在我国，已经把电子信息产业列为国民经济的支拄性产业。
如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。
集成电路(IC)是微电子技术的核心，是电子工业的“粮食”。
集成电路已发展到超大规模和甚大规模、深亚微米(0.25μm)精度和可集成数百万晶体管的水平，现在已把整个电子系统集成在一个芯片上。
人们认为：微电子技术的发展和应用使全球发生了第三次工业革命。
1965年，Intel公司创始人之一的董事长Gorden Moore在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系时发现，每过18～24个月，芯片集成度提高一倍。
这一关系被称为穆尔定律(Moores Law)，一直沿用至今。
穆尔定律受两个因素制约，首先是事业的限制(business Limitations)。
随着芯片集成度的提高，生产成本几乎呈指数增长。
其次是物理限制(Physical Limitations)。
当芯片设计及工艺进入到原子级时就会出现问题。
DRAM的生产设备每更新一代，投资费用将增加1.7倍，被称为V3法则。
目前建设一条月产5000万块16MDRAM的生产线，至少需要10亿美元。
据此，64M位的生产线就要17亿美元，256M位的生产线需要29亿美元，1G位生产线需要将近50亿美元。
至于物理限制，人们普遍认为，电路线宽达到0.05μm时，制作器件就会碰到严重问题。
高职微电子专业人才培养策略论文
高职微电子专业人才培养策略探讨摘要：我国的工业化进程需要大量的高等技术应用型人才，为高职教育提供了前所未有的发展机遇，同时也对高职教育的人才培养模式提出了新的挑战。
微电子技术是电子工程和信息科学技术的基础及核心，是国家基础性、战略性的产业。
本文将对高职微电子专业人才培养策略作一探讨。
关键词：高职；微电子；工业化；人才培养随着我国经济的不断发展，工业化进程给高职教育带来了极大的发展机遇。
新技术、新标准、新行业的引进，也会刺激高职教育的进一步繁荣。
职业技能越强，知识结构越合理，创新能力越强，越符合市场经济竞争对人才的需要。
微电子学是在物理、电子学、材料科学、机科学、集成电路设计制造学等多种学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科，是发展高新技术和国民现代化的重要基础。
微电子技术是电子工程和信息科学技术的基础及核心，是世界高科技竞争的热点，是国家基础性、战略性的产业。
其中超大规模通信专用集成电路是现代通信设备的心脏，它的设计开发能力和大生产升级技术的掌握与提高，对于我国通信新产品的研发与创新起着决定性的作用。
工业化的深入使得高职教育发展的环境也发生着重大变化，高职教育原有的管理体制、运行机制及教育理念、教学模式、教学内容等不能适应迅速发展的市场经济发展的要求，高职微电子专业人才培养要根据市场的要求，不断优化人才培养策略。
一、以培养复合型人才为目标人才培养目标要从狭隘的职业技能教育转向综合素质教育，培养复合型人才。
单纯的职业技能已不能满足工业化形势下企业的用人要求。
企业要创新，人才是关键，把培养具有创新精神和创新能力的具有综合素质的人才作为高职教育的终极目标，培养学生把科学知识转化为技术、转化为直接生产力的种种技术能力，不断学习，获得新的职业技术资格的能力，自我管理、独立工作完成任务的能力。
只有拥有了具备上述综合素质的应用人才，才能充分应对技术的进步、产品的更新、市场需求的变化、企业才有足够的能力进行创新。
微电子毕业论文选题
微电子毕业论文选题微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。
微电子学主要掌握大规模集成电路及新型半导体器件的设计、制造及测试所必需的基本理论和方法，具有电路分析、工艺分析、器件性能分析和版图设计等的基本能力。
接下来是学术堂收集整理的微电子毕业论文选题，欢迎大家阅读。
微电子毕业论文选题一：[1]陈俊，王学毅，谭琦，杜金生，吴建。
键合SOI材料应力的控制技术[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：304-310.[2]白琼，张斌珍，段俊萍，黄成远，王颖。
基于新型谐振柱的高频波导滤波器的设计[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：324-328+363.[3]肖咸盛，杨拥军，卞玉民，张旭辉。
一种汽车碰撞试验用低阻尼宽频响加速度传感器[J]. 微纳电子技术，2017,（05）：329-335+341.[4]马世童。
当前集成电路的发展现状及未来趋势[J]. 通讯世界，2017,（07）：300.[5]黄诗浩，孙钦钦，谢文明，汪涵聪，林抒毅，陈炳煌。
不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响[J]. 半导体技术，2017,（04）：305-309.[6]刘坤，曼苏乐。
应用于微电网的新型潮流控制器[J]. 电气自动化，2017,（02）：60-62.[7]许吉强，卢闻州，吴雷，沈锦飞，惠晶。
低压微电网逆变器并离网平滑切换控制[J]. 科学技术与工程，2017,（09）：36-43.[8]刘旭，姜克强。
限流接闪器在高层建筑中的应用[J]. 建筑电气，2017,（03）：18-21.[9]莫大康。
中国半导体业需要多元化推动力[N]. 中国电子报，2017-03-24（008）。
[10]Mary. 我国在3D NAND存储器研发领域取得标志性进展[J]. 今日电子，2017,（03）：25-26.[11]刘民哲，王泰升，李和福，刘震宇，陈佐龙，鱼卫星。
静电场辅助的微压印光刻技术[J]. 光学精密工程，2017,（03）：663-671.[12]李展征。
微电子论文
微电子学与医学的结合造福社会刘畅自动化专业093班学号：090919摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。
现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。
微电子技术的发展大大方便了人们的生活。
它主要应用于生活中的各类电子产品，微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。
微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路，在未来主要是生物芯片。
生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。
一、引言：我所了解的微电子技术1.定义微电子技术，顾名思义就是微型的电子电路。
它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。
微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。
与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。
它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。
它的特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。
它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。
2.发展历史：微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。
它的发展史其实就是集成电路的发展史。
1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管，不就美国科学家发明了三极管。
电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。
它被广泛应用于各个领域。
1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。
微电子技术专业毕业论文答辩ppt模板
致谢
• 大学本科的学习生活即将结束。在此，我要感谢所 有曾经教导过我的老师和关心过我的同学，他们在 我成长过程中给予了我很大的帮助。本文能够顺利 完成，要特别感谢我的导师赵金明老师，感谢各位 系的老师的关心和帮助。 • 最后向所有关心和帮助过我的人表示真心的感谢。
12
微电子技术专业论文题目
班级：J 23002 专业：微电子技术专业 学号：X 59524 姓名：杜某某
论文的结构和主要内容
• 第一部分 • 第二部分 • 第三部分 • 第四部分
相关概念
• 若有特别专业或者要特别说明的概念，可以解释。一般无须。
研究综述ห้องสมุดไป่ตู้1）
• 简要说明国内外相关研究成果，谁、什么时间、什么成果。 • 最后很简要述评，引出自己的研究。
研究方法与过程（1-2）
• 采用了什么方法？在哪里展开？如何实施？
主要结论（3-5）
• 自己研究的成果，条理清晰，简明扼要。 • 多用图表、数据来说明和论证你的结果。
演示
• 若是系统开发者，则需要提前做好安装好演示准备，在答辩时对 主要模块作一演示1－2分钟。
问题讨论（1）
• 有待进一步讨论和研究的课题。
总结：微电子技术专业
• 内容123 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业 988292
结束语: 780525
• 内容123 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业 • 微电子技术专业微电子技术专业微电子技术专业
微电子封装技术论文范文（2）
微电子封装技术论文范文(2)微电子封装技术论文范文篇二埋置型叠层微系统封装技术摘要：包含微机电系统(MEMs)混合元器件的埋置型叠层封装，此封装工艺为目前用于微电子封装的挠曲基板上芯片(c0F)工艺的衍生物。
cOF是一种高性能、多芯片封装工艺技术，在此封装中把芯片包入模塑塑料基板中，通过在元器件上形成的薄膜结构构成互连。
研究的激光融除工艺能够使所选择的cOF叠层区域有效融除，而对封装的MBMs器件影响最小。
对用于标准的c0F工艺的融除程序进行分析和特征描述，以便设计一种新的对裸露的MEMs器件热损坏的潜在性最小的程序。
cOF/MEMs封装技术非常适合于诸如微光学及无线射频器件等很多微系统封装的应用。
关键词：挠曲基板上芯片;微电子机械系统：微系统封装1、引言微电子机械系统(MEMS)从航空体系到家用电器提供了非常有潜在性的广阔的应用范围，与功能等效的宏观级系统相比，在微米级构建电子机械系统的能力形成了在尺寸、重量和功耗方面极度地缩小。
保持MEMS微型化的潜在性的关键之一就是高级封装技术。
如果微系统封装不好或不能有效地与微电子集成化，那么MEMS的很多优点就会丧失。
采用功能上和物理上集成MEMS与微电子学的方法有效地封装微系统是一种具有挑战性的任务。
由于MEMS和传统的微电子工艺处理存在差异，在相同的工艺中装配MEMS和微电子是复杂的。
例如，大多数MEMS器件需要移除淀积层以便释放或形成机械结构，通常用于移除淀积材料的这些工艺对互补金属氧化物半导体(CMOS)或别的微电子工艺来说是具有破坏性的。
很多MEMS工艺也采用高温退火以便降低结构层中的残余材料应力。
典型状况下退火温度大约为1000℃，这在CMOS器件中导致不受欢迎的残余物扩散，并可熔化低温导体诸如通常用于微电子处理中的铝。
缓和这些MEMS微电子集成及封装问题的一种选择方案就是使用封装叠层理念。
叠层或埋置芯片工艺已成功地应用于微电子封装。
在基板中埋置芯片考虑当高性能的内芯片互连提供等同于单片集成的电连接时，保护微电子芯片免受MEMS环境影响。
微电子技术论文
微电子技术论文微电子技术是随着集成电路，尤其是大规模集成电路发展起来的一门新技术。
下面是由店铺整理的微电子技术论文，谢谢你的阅读。
微电子技术论文篇一微电子技术与产业群研究【摘要】微电子技术进步促进了微电子产业的发展，同时，以微电子产业为基础的许多领域也正在形成产业群发展浪潮。
本文旨在探讨微电子技术与产业群的关系，研究微电子产业群，区分微电子相关性产业群和微电子产业集群，揭示其产业群的特殊性，深化我们对微电子产业群的认识，促进其健康、快速发展。
【关键词】微电子技术;集成电路;产业群;产业集群;相关性产业群微电子技术的不断进步促进了微电子产业的快速发展，同时，也在以微电子产业为基础的许多领域产生了极富创造性的变革，从而引领了新一轮的产业群发展浪潮。
本文旨在通过对微电子技术与产业群发展关系的研究，探讨微电子产业群的分类以及它们的特征，把握微电子产业群发展的基本要求，促进微电子产业群健康有序发展。
一、微电子技术的发展微电子技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的系列技术，它包括系统和电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术。
微电子技术除集成电路外，还包括集成磁泡、集成超导器件和集成光电子器件等。
为便于分析，我们设定：研究的微电子技术主要限于集成电路的器件、工艺技术等领域。
微电子技术始于1947年晶体管的发明，到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件，1962年生产出晶体管―晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路。
上个世纪70年代，由于单极型集成电路(MOS电路)在高度集成和功耗方面的优点，微电子技术进入了MOS 电路时代。
从1958年TI研制出第一个集成电路触发器算起，到2003年Intel推出的奔腾4处理器(包含5500万个晶体管)和512MbDRAM(包含超过5亿个晶体管)，集成电路年平均增长率达到45%。
目前，微电子技术正在快速发展，其发展表现在三点：一是缩小芯片中器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度;二是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模;三是开拓有针对性的设计应用。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
【课题名称】集成电路以后的发展【摘要】集成电路设计涵盖了微电子、制造工艺技术、集成电路设计技术的众多内容，目前国内外对集成电路设计人才需求旺盛。
集成电路的应用则覆盖了计算机、通信、消费电子等电子系统的集成与开发，随着电子信息产业的发展，使国内对高层次系统设计人才的需求也在不断增加。
【关键词】集成电路学生姓名：王小康学号：110901226专业：纺织工程指导老师：赵甘露2013年11月河北省石家庄市河北科技大学【目录】一、国际集成电路设计发展现状和趋势（1）国际集成电路设计发展现状（2）国际集成电路设计发展趋势二、集成电路CDM测试（1）简介（2）小尺寸集成电路CDM测试（3）测试小器件时面临的问题（4）使用夹具固持小器件（5）支持模版（6）小结三、自制COMS集成电路测试仪（1）测试仪电路构成及原理（2）测试举例将各型号的集成电路制作成卡片（3）小结四、CMOS集成电路使用时的技术要求（1）CMOS集成电路输入端的要求（2）防静电要求（3）接口与驱动要求一、国际集成电路设计发展现状和趋势信息技术是国民经济的核心技术，其服务于国民经济各个领域，微电子技术是信息技术的关键。
整机系统中集成电路采用多少是其系统先进性的表征。
1）国际集成电路设计发展现状在集成电路设计中，硅技术是主流技术，硅集成电路产品是主流产品，占集成电路设计的90%以上。
正因为硅集成电路设计的重要性，各国都很重视，竞争激烈。
产业链的上游被美国、日本和欧洲等国家和地区占据，设计、生产和装备等核心技术由其掌握。
世界集成电路大生产目前已经进入纳米时代，全球多条90纳米/12英寸生产线用于规模化生产，基于70与65纳米之间水平线宽的生产技术已经基本成形，Intel公司的CPU芯片已经采用45纳米的生产工艺。
在世界最高水平的单片集成电路芯片上，所容纳的元器件数量已经达到80多亿个。
2005年，世界集成电路市场规模为2357亿美元，预计到2010年其总规模将达到4247亿美元。
2008年，世界集成电路设计继续稳步增长，产业周期性波动显现减小状况，企业间的并购或合并愈演愈烈，竞争门槛拉大，技术升级步伐加快，新产品和新应用纷纷涌现。
就整体市场来看，近年来增长的主要动力来源于PC、手机和数字播放器等产品的高速成长，市场需求向多样性发展。
DRAM市场销售额增速最快。
以集成电路为核心的电子信息产业目前超过了以汽车、石油和钢铁为代表的传统的工业成为第1大产业，成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。
全球的集成电路销售额1999年为1250亿美元，以集成电路为核心的电子信息产业的世界贸易总额约占世界GNP的3%，现代经济发展数据表明，每l~2元集成电路产值，带动10元左右电子工业产值的形成，进而带动100元GDP的增长。
发达的国家国民经济总产值增长部分的65%目前与集成电路相关。
预计在今后的10年内世界集成电路销售额将以年均15%的速度增长，于2010年将达到6000~8000亿美元。
作为当今世界经济竞争的焦点，拥有自主版权的集成电路日益成为经济发展的关键、社会进步的基础、国际竞争的筹码和国家安全的保障。
2）国际集成电路设计发展趋势集成电路最重要生产过程包括：开发EDA（电子设计自动化）工具，应用EDA进行集成电路设计，根据设计结果在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），对加工完毕的芯片进行测试，为芯片进行封装，最后经过应用开发将其装备到整机系统上与最终的消费者见面。
1、SOC将成为集成电路设计的主流SOC(SystemOnaChip)的概念最早源于20世纪90年代，SOC是在集成电路向集成系统转变的过程中产生的。
集成电路设计是以市场应用为导向而发展的，而在将来市场应用的推动下SOC已经呈现出集成电路设计主流的趋势，因为其具有低能耗、小尺寸、系统功能丰富、高性能和低成本等特点。
在高端或低端的产品中，SOC的应用正日益广泛。
2007年，SOC产品的销售额达到347亿美元，平均年增长率超过20%。
SOC是至今仍在发展的产品种类和设计形式。
SOC发展重点主要包括：总线结构及互连技术，直接影响芯片总体性能的发挥；软、硬件的协同设计技术，主要解决硬件开发和软件开发同步进行问题；IP可复用技术，如何对其进行测试和验证；低功耗设计技术，主要研究多电压技术、功耗管理技术，以及软件低功耗应用技术等；可测性设计方法学，研究EJTAG设计技术和批量生产测试问题；超深亚微米实现技术，研究时序收敛、信号完整性和天线效应等。
SOC将推动着其它类型系统技术发展。
最初发展SOC设计技术是为实现定制产品的大规模生产，SOC技术发展动力与ASIC产品类似，可说是由ASIC最直接演化而来的。
SOC 首要目标始终是降低设计成本和实现高系统集成度。
SOC设计目标是对现有模块或“核”的重复应用，进而实现重复利用效率的最大化。
SOC也表现为各种种类产品的融合，其实现了很多其它系统模块的整合，例如，ASIC、MPU和Memory等，进而实现系统功能和系统集成度的大幅度提升。
由于自身的优异特点，SOC技术越来越受到市场的青睐。
而集成电路工艺技术发展又极大地推动着SOC技术的进一步发展，使得SOC技术与其它（例如，MPU和DRAM等）技术一起发展，将成为集成电路设计的主流。
2006年，最引人注目的SOC产品，就是英特尔公司继奔腾Ⅳ之后新一代微处理器Coreduo和CoreⅡduo芯片。
2、IP复用技术将更完善对SOC的界定必须包括3个方面。
首先SOC应该由可设计复用的IP核组成，IP核是具有复杂系统功能的独立VLSI模块。
其次IP核应该广泛采用深亚微米以下工艺技术。
再次在SOC中可整合多个MPU、DSP、MCU或其复合的IP核。
由此可见，在功能、工艺和应用技术上，SOC的应用起点相当高，而IP核的可重复性设计是SOC技术实现应用的关键。
由于系统复杂性越来越高，以及对更短上市时间的追求，设计的复杂性也相应成指数性增加，提高设计生产率已经成为集成电路设计业主要目标。
其中IP复用设计正在成为越来越多厂商的选择。
IP复用设计是SOC实现的主要基础。
把已经优化的子系统甚至系统级模块纳入到新系统设计中，实现集成电路设计能力的飞跃。
基于平台的SOC设计技术和硅知识产权(SIP)的重用技术是SOC产品开发的核心技术，是将来世界集成电路技术制高点。
IP 复用设计是加快设计进程和降低成本的有效方法。
IP复用设计目前已经在集成电路设计中被广泛应用，而且也形成了专门生产可复用IP核的产业和生产商。
可复用IP核根据实现性不同可分为以HDL语言形式提交的软核、经过完全布局布线的网表形式提供且不能由系统设计者修改的硬核和结合了软核硬核两种形式的固核3种。
因为有不同的厂商参与可复用IP核的生产，为了不同可复用IP核之间良好对接和加快可复用IP知识产权交易发展，而需要标准。
业界成立了多个国际组织推动可复用IP核标准的建立，例如，VSIA协会、OPENMORE计划等。
3、设计线宽将逐渐降低主流集成电路设计目前已经达到0.18~0.13µm，高端设计已经进入90nm，芯片集成度达到108~109nm数量级。
根据2003年ITRS(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductor)公布的预测结果，将实现特征尺寸2007年的65nm、2010年的45nm、2013年的32nm、2016年的22nm量产。
产品制造的实现以设计为基础，相应的设计方法同期将达到相应的水平。
4、设计可行性与可靠性将得到提高随着集成电路设计在规模、速度和功能方面的提高，EDA业界努力寻找新设计方法。
将来5～10年，伴随着软件和硬件协同设计技术、可测性设计技术、纳米级电路设计技术、嵌入式IP核设计技术和特殊电路工艺兼容技术等出现在EDA工具中，EDA工具将得到更广泛应用。
EDA工具为集成电路的短周期快速投产提供了保障，使全自动化设计成为可能，同时设计的可行性和可靠性也能得到提高。
5、可编程逻辑器件将发挥更广泛作用可编程逻辑器件(PLD)，尤其是现场可编程门阵列(FPGA)，是近几年来集成电路发展最快的产品。
PLD将在今后的5～10年中发挥更广泛作用。
同时PLD的应用，以及集成电路设计流程将更简化，设计周期将缩短，同时设计成本和制造成本将进一步降低。
6、设计与整机系统结合将更紧密将来5～10年，集成电路设计将围绕应用展开，64位甚至128位CPU，以及相关产品群开发、3C多功能融合的移动终端芯片组开发、网络通信产品开发、数字信息产品开发和平面显示器配套集成电路开发等将成为集成电路设计面向的主体。
集成电路的集成度和产品性能每18个月有一倍的增加。
随着信息产品市场需求的增长，尤其通过通信、计算机与互联网、电子商务、数字视听等电子产品的需求增长，世界集成电路市场在其带动下高速增长。
二、集成电路CDM测试1）简介集成电路(IC)的静电放电(ESD)强固性可藉多种测试来区分。
最普遍的测试类型是人体模型(HBM)和充电器件模型(CDM)。
这两种ESD测试类型旨在揭示包含基本ESD控制的制造环境下，电路在ESD应力下的存续情况如何。
HBM是应用最久的ESD测试，但工厂ESD 控制专家普遍认为，在现代高度自动化的组装运营中，CDM是更重要的ESD测试。
CDM应力的大小会随着器件的尺寸而变化。
有关CDM的“传统智慧”更认为不需要测试尺寸极小的集成电路，因为峰值电流快2）小尺寸集成电路CDM测试IC CDM Test for Small Devices Robert Ashton 安森美半导体，Marty Johnson 国家仪器，Scott Ward 德州仪器速变小直至消失。
我们在此前的文章中曾指出，极小器件的峰值电流并不像通常认为的那样快速变小直至消失。
高速示波器测量显示，即使脉冲宽度变得很窄，极小器件的峰值电流仍令人吃惊地保持高电平。
过去，由于这些大峰值电流被忽略，因为使用了场致CDM测试标准所提倡的1 GHz示波器，而场致CDM测试是最普及的CDM 测试形式。
3）测试小器件时面临的问题观测到极小集成电路超出预料的峰值电流，对负责测试极小器件(尺寸仅为较小的个位数毫米等级)的ESD测试工程师而言可不是什么好消息。
图1显示了置于场致CDM测试装置上的8球栅(ball)芯片级封装。
必须接触每个被测引脚的探针(的尺寸)占到整个集成电路尺寸的不小比例。
显而易见，移动被测器件并不需要太多的探针接触;只是要求反复调整器件的位置。
在场致CDM测试期间，按惯例要使用真空来固持(hold)被测器件(DUT)的位置。
真空通常不能非常安全地固持极小的器件。
此外，真空孔(的截面积)占到被测器件尺寸的不小比例，可能会影响器件应力。