2三极管及放大电路测试题
半导体三极管及其放大电路练习及答案
半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。
则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
晶体三极管及放大电路练习题
晶体三极管及放大电路练习题一、填空题1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。
当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0;当三极管工作在______区时，UCE≈0。
2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。
3、晶体三极管有两个PN结，即________和________，在放大电路中________必须正偏，________反偏.4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________,β值随温度升高而________。
5、硅三极管发射结的死区电压约为________V，锗三极管发射结的死区电压约为________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________V，锗三极管发射结的导通电压约为________V。
6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________.7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。
8当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
9、（2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为, , 三种.10、(2-1,低）三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
11、(2—1，中）三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
12、（2—1，低)为了使放大电路输出波形不失真，除需设置外,还需输入信号。
13、（2—1，中）为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真,应调R B,使其，则I B，这样可克服失真。
14、（2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第三章双极型三极管基本放大电路
第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
2．晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
《c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
3．在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。
a. 共射b. 共集c. 共基d. 不确定4．对于题3-1图所示放大电路中，当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时，有可能是因为______，测得U CE ≈0时，有可能是因为________。
题3-1图ccR L开路 b. R C 开路 c. R B 短路 d. R B 过小5．对于题3-1图所示放大电路中，当V CC =12V ，R C =2k Ω，集电极电流I C 计算值为1mA 。
用直流电压表测时U CE =8V ，这说明______。
a.电路工作正常b. 三极管工作不正常c. 电容C i 短路d. 电容C o短路 &6.对于题3-1图所示放大电路中，若其他电路参数不变，仅当R B 增大时，U CEQ 将______；若仅当R C 减小时，U CEQ 将______；若仅当R L 增大时，U CEQ 将______；若仅更换一个β较小的三极管时，U CEQ 将______； a.增大 b. 减小 c. 不变 d. 不确定7.对于题3-1图所示放大电路中，输入电压u i 为余弦信号，若输入耦合电容C i 短路，则该电路______。
a.正常放大b. 出现饱和失真c. 出现截止失真d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真；若产生截止失真，则输出电压_______失真。
二极管和三极管试题及答案
题目编号:13879 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中半导体的导电能力（）。
A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C======================================================================题目编号:13880 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中当温度升高时，半导体的导电能力将（）。
A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。
A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
A. 带负电B.带正电C.不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。
A.变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
三极管放大电路试题
三极管放大电路试题1. 下列说法正确的是( )放大器的输入电阻越小越好(正确答案)放大器的输入电阻越大越好放大器的输出电阻和输人电阻相等放大器的输出电阻越大越好2. 有些放大电路在发射极电阻旁并上个电容Ce,则Ce的作用是（）A.稳定静态工作点B.交流旁路，减少信号在Re上的损失(正确答案)C.改善输出波形D.减小信号失真3.在固定偏置放大电路中，若静态工作点比较高，则输入信号较大时，电路将首先出现（）失真。
A.交越失真B.双重失真C.截止失真D饱和失真(正确答案)4. 分压式偏置电路与固定式偏置电路相比较，能够（）A.确保电路工作在放大区B.提高电压放大倍数C.提高输入电阻D.稳定静态工作点(正确答案)5. 在分压式偏置电路中若将下偏置电阻阻值减小，电路中的静态工作点（）A.ICQ增大B.VCEQ增大(正确答案)C.VCEQ减小D.VCEQ、ICQ不变6. 多级放大器的上、下限截止频率变化情况是（）A.上限频率变大B.下限频率变大(正确答案)C.下限频率变小D.上限频率不变7. 多级放大器中具有阻抗变换功能的耦合方式是（）A.阻容耦合B.变压器耦合(正确答案)C.直接耦合D.光电耦合8. 已知Ai=1000,则Gi=（）A.30dBB.90dBC.40dBD.60 dB(正确答案)9. 放大器的输出电路Ro越小，则（）A.带负载能力越强(正确答案)B.带负载能力越弱C.放大倍数越低D.通频带越宽10. 在晶体管放大电路中，若电路的静态工作点太低，将会产生（）A.饱和失真B.截止失真(正确答案)C.交越失真D.不产生失真11. 放大电路在未输人交流信号时，电路所处于工作状态是（）A.静态(正确答案)B.动态C.放大状态D.截止状态12. 放大器的通频带指的是（）A.上限频率以下的频率范围B.下限频率以上的频率范围C.下限频率以下的频率范围D.上下限频率之间的频率范围(正确答案)一个多级放大器由两个相同的放大器组成，已知每级的通频带为15KHZ,放大器总通频带为（）A.15KHZB.30KHZC.大于15KHZD.小于15KHZ(正确答案)14. 放大器的功率增益定义式为（）A.AP=Po/PIB.GP=20LgAPC.GP=20Lg(Po/PI)D.GP=10LgAP(正确答案)15. 在分压式偏置放大电路中，当三极管的β值增大时，电路中的静态工作点（）A.IBQ增大B.IBQ减小(正确答案)C.VBEQ增大D.IEQ减小16.两级放大器的放大倍数AV1=30,AV2=50,输人信号有效值Vi=1mV,输出端信号有效值应为（）A.80mVB.1.5V(正确答案)C.0.15VD.150V17.某三极管的极限参数为VBR=25V,ICM=13mA,PCM=130mW,在以下工作条件哪个是允许的？（）A.Ic=12mA,VCE=10V(正确答案)B.Ic=20mA,VCE=10VC.Ic=120mA,VCE=3VD.Ic=40mA.VCE=50V18. 画交流通路时（）A.把电容视为开路，电源视为短路B.把电源和电容都视为开路C.把电容视为短路，电源视为开路D.把电源和电容都视为短路(正确答案)19. 放大器设置合适的静态工作点，以保证晶体管放大信号时，始终工作在（）A.饱和区B.截止区C.放大区(正确答案)D.击穿区20. 在基本放大电路中，描述放静态工作点的参数正确的是（）A.Ib,Ic,VceB.IB,IC,VCE(正确答案)C.iB,iC,VCED.ib,ic.,vce21. 在放大电路中，交直流电压电流用（）表示。
晶体三极管及放大电路练习题
11、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V一定时，晶体三极管及放大电路练习题CE与之间的关系。
填空题一、12、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,区。
当三1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______还需输入信号。
13、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的；______区时，关系式IC=IC=0______区时，βIB才成立；当三极管工作在极管工作在基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R，使B0。
______当三极管工作在区时，UCE≈其，则I ，这样可克服失真。
B14、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
极电位最______、2NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是，______15、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的低。
较大变化。
必须正________________PN3、晶体三极管有两个结，即________和，在放大电路中16、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。
17、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极偏，________反偏。
为输出端。
随温度升4、晶体三极管反向饱和电流，穿透电流ICEO________ICBO随温度升高而18、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V=1V,V=1.7V,V=1.2V。
可判定该三极管CEB是工作于区的型的三极管。
高而________。
，β值随温度升高而________19、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，，锗三极管发射结的死区电压约为________V5、硅三极管发射结的死区电压约为试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）；，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________Vb．管型是（NPN，PNP）；。
三极管放大电路题集
三极管放大电路，反相器题集1，放大电路如图所示，已知三极管的BE V =0.7V ，β=50,be r =1K Ω （1）计算静态工作点Q （2）计算源电压放大倍数sov v 、 输入电阻、输出电阻。
2，在图所示的放大电路中，已知V V CC 12=，V V BE 6.0=，Ω=k R B 201，Ω=k R B 102，Ω=501E R ，Ω=k R E 32，Ω==k R R L C 4，40=β，试求：（1）估算电路的静态工作点（2）电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 （3）若不计1E R ，再求电压放大倍数、输入电阻3，在图所示电路中，12CC =U V ，20B1=R k Ω，10B2=R k Ω，2C =R k Ω，200E1=R Ω，8.1E2=R k Ω，200s =R Ω，3L =R k Ω，晶体管的6.0BE =V V ，50=β，信号源电压10s =V mV 。
试求：（1）静态值I B 、I C 、V CE 。
（2）输入电阻r i 和输出电阻r o 。
（3）求输出电压V o 的值。
4，题图所示电路中,已知V CC =6 V ，V EE =6 V ，R C =２ k Ω，R E =１ k Ω，v s + v o － CCU BEQ =0.7 V ，β=50，静态时V C =0。
（1）（6分）求I BQ 、I CQ 和U CEQ ；（2）（2分）求R ； （3）（2分）画出交流通路。
5，电路和各元件的参数如题所示，β=50，U BE 忽略不计。
（1）画出直流通路，求静态工作点I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（4分） （2）画出交流通路，求输入电阻r i 、输出电阻r o ；（4分） （3）求电压放大倍数A V ；（1分） （4）若u i =20sin(100 t +20°) mV ，试写出u o 的表达式。
（1分）6，如图所示电路，已知三极管V 1的V BE =0.6V ，V CES =0.4V ，β=50，试求（1）电路能否正常工作及Vo 的值；（8分）（2）在输入为8V 时要使三极管饱和，R 1应如何选取？7，如题83图所示电路中，三极管的U BE =0.7V ，U CES =0.3V ，二极管为理想二极管。