日本半导体硅材料三十年的发展
日本半导体转型成功了？其发展历程给了中国四个警示!
日本半导体转型成功了？其发展历程给了中国四个警示！全球半导体产业1950s 起源于美国，于1970s-1980s完成了第一次由美国到日本的产业转移。
在产业转移期间日本由政府牵头，企业和研究机构共同协力取得了巨大的技术成果，在成本和技术的优势下，日本企业借机迅速成长扩张，到1990 年日本已占据全球存储芯片超过50%的市场份额，在全球十大半导体企业中占据了六个席位。
1990s 以后，伴随着第二及第三次的半导体产业转移，日本技术及成本优势丧失，市场份额迅速跌落。
正在全力建设的中国半导体可以从日本的崛起获得什么启示呢？值得一提的是虽然日本半导体产业份额已经跌落，但是日本在半导体材料领域延续了半导体昔日的辉煌。
2015 年日本半导体材料市场份额额达52%，自身消费15%，在14 种半导体重要材料方面均占有50%及以上的份额，是全球最大的半导体材料输出国。
日本半导体行业发展历史半导体产业是电子信息产业的基础，代表着当今世界最先进的主流技术发展。
半导体产业于上世纪五十年代起源于美国，之后共经历了三次大规模产业转移。
第一次是在1970s 末期，从美国转移到了日本，第一次转移后日本成为世界半导体的中心；第二次是上世纪八十年代末期至九十年代初，产业从日本转移到了韩国、中国台湾和新加坡等地，形成了世界范围内美国、韩国、台湾等国家和地区多头并立的局面。
第三次是二十一世纪以来，我国由于具备劳动力成本等多方面的优势，正在承接第三次大规模的半导体产业转移。
半导体产业的两次转移日本半导体企业的发展依次经历了崛起（1970s）、鼎盛（1980s）、衰落（1990s）、转型（2000s）四个阶段。
日本半导体产业发展历程1、崛起：1970s，VLSI 研发联合体带动技术创新上世纪70 世纪初，日本半导体产业整体落后美国十年以上。
70 世纪中期，日本本土半导体企业受到两件事的严重冲击。
一件事是日本1975、1976 年在美国压力下被迫开放其国内计算机和半导体市场；另一件事是IBM 公司开发的被称为未来系统（Future System，F/S）的新的高性能计算机中，采用了远超日本技术水平的一兆的动态随机存储器。
国内外硅半导体材料产业现状及发展
国内外硅半导体材料产业现状及发展随着信息时代的到来，电子产品的广泛应用，面对着日益增长的市场需求，国内外半导体材料产业在技术上和市场上都面临着很大的挑战。
本文将对国内外硅半导体材料产业现状及发展进行梳理和分析。
一、国内硅半导体材料产业现状1.行业现状我国硅半导体材料产业始于上世纪80年代，经过近30年的发展，形成了以中国科学院半导体研究所、上海微电子设备厂、武汉新芯科技等为代表的半导体材料生产企业集群。
我国半导体材料产业规模不断扩大，但水平仍存在较大差距。
2.行业问题首先，产业集中度低，行业分散，企业规模和生产能力较小，市场份额占比不高。
其次，技术水平相对落后，许多国产材料仍然需要在商用和生产过程中依赖进口材料；此外，行业标准不完善，缺乏技术和质量标准的约束。
二、国际硅半导体材料产业现状1.行业现状美国、日本、德国等发达国家半导体材料生产企业自1980年代以来已处于全球领先地位。
美国的Dow Corning、DuPont、Hemlock Semiconductor等企业，日本的新日铁住金、旭化成、信越化学等企业，德国的Wacker Chemie、H.C. Starck 等企业，以其领先的技术和品质，已占据了全球大部分的市场份额。
2.行业趋势随着新一代电子产品的研发和应用推广，尤其是5G时代的到来，硅半导体材料的需求将逐步增加，市场规模也将不断扩大。
同时，技术上的进步也将推动产品的升级和优化，降低产品成本和提高品质是行业目前的发展趋势。
三、产业发展方向1.强化研发能力我国半导体材料产业要实现由“跟随者”向“领跑者”过渡，就要加大技术研发投入，加速技术突破和创新，逐步解决行业存在的技术和质量问题，力争掌握核心技术，缩小与国外巨头的差距。
2.加强整合和合作为了进一步提升竞争力，国内硅半导体材料产业需要加强产业整合，改善产品研发设计、生产流程等关键环节，提高产品品质和降低成本。
同时，加强国际合作交流，引进先进的技术和管理经验，提高产品的市场竞争力和综合实力。
amd公司历史
2001年：AMD发布首款工作站处理器Athlon MP；HyperTransport总线技术获Agilent、苹果、博通、思科、IBM、NVIDIA、Sun、德州仪器等半导体企业采纳。
2002年：AMD收购Alchemy Semiconductor，获得其低功耗嵌入式处理技术；Athlon XP处理器首次支持Cool'n'Quiet节能技术；Hector Ruiz取代创始人Jerry Sanders成为CEO。
在创办初期，AMD的主要业务是为其它公司重新设计产品，提高它们的速度和效率，并以"第二供应商"的方式向市场提供这些产品。AMD当时的口号是"更卓越的参数表现"。为了加强产品的销售优势，该公司提供了业内前所未有的品质保证--所有产品均按照严格的MIL-STD-883标准进行生产及测试，有关保证适用于所有客户，并且不会加收任何费用。
1985年：AMD进入财富五百强；ATI设计了自己的第一款图形控制器和第一款图形卡产品。
1986年：Intel取消了与AMD之间的授权协议，并拒绝透露i386处理器的技术细节，双方展开了长达八年的法律大战。
1987年：AMD收购Monolithic Memories，开战可编程逻辑业务。
1970年：AMD发布第一款自主产品“Am2501”逻辑计数器。
1972年：AMD公开上市。
1975年：AMD进入RAM芯片产业，通过对Intel 8080微处理器的逆向工程设计了一款位片处理器。
1979年：AMD进入纽约证交所，并在德州奥斯汀成立新的生产工厂。
1982年：AMD获得Intel授权，成为其8086、8088芯片的第二供应商，客户是IBM；根据Intel的设计和微代码制造了80286处理器的克隆体“Am286”。
半导体材料的发展历史
半导体材料的发展历史1833年，英国法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。
这是半导体现象的首次发现。
不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。
在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。
同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。
半导体的这四个效应，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。
而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。
前言自从有人类以来，已经过了上百万年的岁月。
社会的进步可以用当时人类使用的器物来代表，从远古的石器时代、到铜器，再进步到铁器时代。
现今，以硅为原料的电子元件产值，则超过了以钢为原料的产值，人类的历史因而正式进入了一个新的时代，也就是硅的时代。
硅所代表的正是半导体元件，包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内，举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车，这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。
硅是地壳中最常见的元素，许多石头的主要成分都是二氧化硅，然而，经过数百道制程做出的积体电路，其价值可达上万美金；把石头变成硅晶片的过程是一项点石成金的成就，也是近代科学的奇迹！在日本，有人把半导体比喻为工业社会的稻米，是近代社会一日不可或缺的。
在国防上，惟有扎实的电子工业基础，才有强大的国防能力，1991年的波斯湾战争中，美国已经把新一代电子武器发挥得淋漓尽致。
日本半导体硅生产及销售情况
３ ０ ０ ０ ０ 平方英尺的铸造厂剪彩 ，这是它在新罕布什尔州富兰克林的子公司的工厂扩张 ， 该 工厂 生产 它 品牌 下 的很 多产 品 。 这 家无 铅铸 造 厂反 映 了公 司投入 到 了遵 守减 少 饮用 水 中铅 含 量法令的要求，这项法令在 ２ ０ １ ４年 １ 月付诸实施 ，它在人用水运输 的每个管道 ，固定、装 配 件者 提 出 了新 的限带 ０ 。
额减少一半，仅为 ６ １ ３ ６亿 日元。２ ０ １ ０年度恢复至 ７ ８ ２ ９ 亿 日元 ，２ ０ １ １ 年度开始又再次减
少。
硅片 企业 的设 备投 资和 研发 费 用合计 投 资额 从 ２ ０ ０ ９年度 开始 下 降至 １ ０ ０ ０亿 日元 以 下 ，２ ０ １ ２年度 仅 为 ６ ７ ７ 亿 日元 ，同 比减 少 ２ ４ ％ 。硅片业 为 导入 具有 尖 端技 术 的设备 ，必须 进 行 巨额投 资 。２ ０ ０ ３ ～ ２ ０ ０ ８年 ，该方 面 的投 资额 占销售 额 的 ２ ０ ％ 以上 ，但从 ２ ０ ０ ９年 以后下 降至 １ ０ ％ 左右 ，这 恐 怕对将 来 的技 术革 新及 供应 能 力会产 生影 响 。 半导体 用 多 晶硅 方 面 ，全球 供应 能力 超过 １ ０万 ｔ ，处于 供过 于 求 的状态 。价 格 可能
还 会 继续调 整 。
（ 杨 晓婵
摘译 ）
２ ０ １ ５年 中 国太 阳 电池 安装 容量将 达 ３ ５ Ｇ Ｗ
中国和美 国、欧 盟之 间在 光伏 领域 的贸 易争端 愈演 愈烈 。 继美国 ２ ０ １ ２年 １ ０月对 中国 太 阳 电池 制 品征 收反倾 销 税后 ， 欧盟委 员会 也 决定 于 ２ ０ １ ３年 ６月 起对 中 国太 阳 电池 制 品 征收 ｌ １ ． ８ ％ 的反 倾销 税 。对 此 中 国决定 ，从 ２ ０ １ ３年 ７月 ２ ４日开 始 对美 国、韩 国的太 阳 电 池级 多 晶硅征 收 ２ ． ４ ％ ￣ ５ ７ ％ 的反 倾销税 。 光伏 产业 从上游 的多 晶硅 到硅 片 、 电池 片 、 电池 组件 均 出现 供应 过剩 。从 ２ ０ １ １年 下 半年 开始 价格 快速 下跌 ，严 峻状 况一 直持 续 。大部 分太 阳 电池厂 家 盈利 状况 恶化 ，不 断 出 现 企 业破 产 、重组 的情 况 。太 阳 电池 厂 家为提 高 盈利 ，不 仅销 售 电池 制 品，还 参 与光 伏发
半导体发展历程范文
半导体发展历程范文半导体发展历程是电子行业中的一部分，其改变了我们的日常生活。
半导体是一种能够在特定条件下传导电流的物质，其材料种类包括硅、锗、砷化镓等。
在过去的几十年中，半导体行业经历了许多重要的里程碑事件，以下是半导体发展历程的主要事件和里程碑。
1.1904年，他德·杜贝利尼发现了杜贝利尼效应，也就是电流在硅中的传导。
这是半导体研究的开端。
2.1947年，贝尔实验室的约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿成功地制造出第一个固态晶体三极管。
这一发现被认为是现代电子学的开端，也被称为半导体的诞生。
3.1958年，杰克·基尔比发明了第一个集成电路，将多个晶体管和电器元件集成在一个芯片上。
这一发明引发了集成电路的研究和发展浪潮。
4.1960年代，发明了可控硅，也被称为晶闸管。
晶闸管是一种可以控制电流流动的半导体材料，其广泛应用于电力电子设备，如调光器和变频器。
5. 1971年，因特尔公司推出了第一个商用微处理器Intel 4004、这一创新引领了计算机技术的发展，并为个人电脑的出现奠定了基础。
6.1987年，被称为“半导体皇帝”的摩尔定律由英特尔公司创始人戈登·摩尔提出。
根据该定律，集成电路的复杂度每隔18-24个月会翻一番。
7.1997年，世界首台量子点激光器被成功研制出来。
量子点激光器是由半导体材料构成的激光器，其小尺寸和高效率使其成为直接通信和激光显示技术的基础。
8.2000年代，半导体行业进入了多核时代。
多核处理器的出现使计算机能够同时执行多个任务，提高了计算机的性能和效率。
9.2024年代，半导体行业开始关注能源效率和环境保护。
可再生能源技术和节能技术在半导体制造中得到广泛应用。
10.目前，半导体行业正在努力开发新的材料和技术，以应对数据处理和存储需求的不断增长。
新的研究领域包括碳纳米管、石墨烯等。
总的来说，半导体的发展历程充满了创新和突破。
这一技术的进步改变了我们的日常生活，并推动了电子行业的快速发展。
日本九州半导体产业集群的发展与借鉴
《日本九州半导体产业集群的发展与借鉴》摘要：经过半个世纪的发展，九州已经成为世界著名的半导体产业集聚地，在全球半导体产业链上游保持着强大的技术实力和领先优势，当前，我国经济正步入高质量发展阶段，借鉴日本九州半导体产业集群的发展模式，我国应因地制宜制订区域中长期产业集群发展规划，分阶段分时序推进，九州岛位于日本的西南端，是日本的第三大岛，包括福冈、大分、宫崎、佐贺、长崎、熊本以及鹿儿岛等7个县，人口1301万（占全日本10.2%），面积4.2万平方公里（占全日本11.2%），与我国台湾地区相当方晓霞摘要：经过半个世纪的发展，九州已经成为世界著名的半导体产业集聚地，在全球半导体产业链上游保持着强大的技术实力和领先优势。
当前，我国经济正步入高质量发展阶段，借鉴日本九州半导体产业集群的发展模式，我国应因地制宜制订区域中长期产业集群发展规划，分阶段分时序推进。
对于已经形成产业集聚的地区，要着力营造政府、高校和企业三方协同创新、合作发展的氛围，促进创新链、价值链、产业链协调发展;对于尚处于雏形阶段的地区，应充分利用区域优势资源，促进相关企业和支持性机构紧密互动，从而推动创新。
关键词：九州硅岛半导体产业集群日本九州岛上云集了200多家半导体设备制造及零部件制造企业，拥有世界级尖端技术的索尼、东芝、日立、三菱、富士通等IDM公司都在此设有生产基地，日本近三分之一的半导体产品出自九州岛。
研究九州半导体集群的形成和推进过程对于我国提高产业国际竞争力，促进产业转型升级具有重要借鉴意义。
一、九州硅岛的形成及在全球产业链的地位九州岛位于日本的西南端，是日本的第三大岛，包括福冈、大分、宫崎、佐贺、长崎、熊本以及鹿儿岛等7个县，人口1301万（占全日本10.2%），面积4.2万平方公里（占全日本11.2%），与我国台湾地区相当。
2018年九州地区国内生产总值4235.92亿美元，占全日本的8.56%，出口額约为9万亿日元，占全日本的11%以上。
AMD发展历史
为了寻找新的竞争手段，AMD提出了"影响范围"的概念。对于改革AMD而言，这些范围指的是兼容IBM计算机的微处理器、网络和通信芯片、可编程逻辑设备和高性能内存。此外，该公司的持久生命力还来自于它在亚微米处理技术开发方面取得的成功。这种技术将可以满足该公司在下一个世纪的生产需求。
1986年9月--Tony Holbrook被任命为公司总裁。
1987--AMD与Sony公司共同设立了一家CMOS技术公司。
1987年4月--AMD向Intel公司提起法律诉讼。
1987年4月--AMD和 Monolithic Memories公司达成并购协议。
1988年10月--SDC开始动工。
Байду номын сангаас
AMD以公司有史以来最佳的年度销售业绩迎来了它的第十五周年。在AMD庆祝完周年纪念之后的几个月里，员工们收到了创纪录的利润分红支票，并与来自洛杉矶的Chicago乐队和来自得克萨斯州的Joe King Carrasco 、Crowns等乐队一同欢庆圣诞节。
但是在1986年，变革大潮开始席卷整个行业。日本半导体厂商逐渐在内存市场中占据了主导地位，而这个市场一直是AMD业务的主要支柱。同时，一场严重的经济衰退冲击了整个计算机市场，限制了人们对于各种芯片的需求。AMD和半导体行业的其他公司都致力于在日益艰难的市场环境中寻找新的竞争手段。
1985--AMD首次进入财富500强。
1985--位于奥斯丁的Fabs 14 和15投入使用。
1985--AMD启动自由芯片计划。
1986--AMD推出29300系列32位芯片。
1986--AMD推出业界第一款1M比特的EPROM。
日本东丽道康宁开发出兼顾耐热性及加工性的新型硅类封装材料
簟 黪 一
据 有 关 媒 体报 道 ， 日本 广 岛大 学 的研 究 人 员 日前 开 发 出 纳米 级超 小 型 天 线 ， 它 能 够 收 发 某个 特 定波 段 的 电磁 波 。 这 种 天 线 宽７ ～１ ５ 米 、长５ ０ 米 ， ５ ２纳 ０纳 相 当 于 把普 通 电视 天 线 缩 小 到 百万 分 之 一 。 构 成 天 线 的５ “ 权 ”是 用 金 制 作 的 ， 固 根 枝 定在 透 明 的氧 化 硅 板 中 。 这 种 纳 米 级 天 线 与普 通 天 线 的工 作 原 理 相 同 。 目前 制 成 的天 线 能 够 收 发 波 长 ４ ０ ０ 至 ８ ０ 米 的 电磁 波 。如 果 改 变 天 线 “ 权 ” ０纳 枝 的 长 度 和 配 置 ， 还 可 以 收 发 不 同 波 段 的 信 号。 科 学 家 希 望 这 项 发 明 能够 有 助 于 开 发 新 代数据存取设备 。
科 搜 循 恳
Ｓ ｉ秘 ｅ ｎ 丁 ｃ ｔ ｊｇ ＿ Ｏ ａｉ秘 ｃｌ Ｃ ｄ ｅ ｈｔ ０ Ｙ｛ ｆｒ ｔ ｅ ａ ０ 辆 ｏ
东丽道康 宁开 发
热性及 船 性 的
硅捌
一
装 材 料
黄用 纳米 技术 研发 出 质 轻 柔 软 的 导 电榀 ｊ ｌ Ｉ
据 海 外 媒 体 报 道 ，美 国康 奈 尔 大 学 学 家 借 助 纳 米 技 术 ，开 发 出能 在 普 通 襦 维 表 面 覆 盖 上 永 久 性 导 电纳 米 粒 子 的力 从 而 获 得 了导 电棉 线 。它 能 够 像 金 属 导 电 ， 同时 又 保 持 着 普 通 棉 线 重 量 轻 和 舒 适 的特 性 。 科 学 家 表 示 ，他 们 开 发 的新 技 术 让棉 线 导 电 ，奇特 的 是 还 让 棉 线 保 持 了 身柔 软 、质 轻 和 舒 适 的 特 性 。而 且 ，运 技 术 获 得 的 导 电棉 线 还 可 以用 于 深 加 ＝ ］ ＝ 编 织 、缝 纫 和 针 织 。 据 悉 ， 导 电棉 线 操 作 性 极 好 ，只 需 地 在 线 上 打 结 就 能 构 成 完 整 的 电路 。估 材 料 ，还 设 计 出含 有 导 电棉 线 的 太 阳 能 服 装 ， 它 能 为 通 过 安 置 在 腰 部 的Ｕ Ｂ Ｓ 接 电 器 为 小 型 电子 装 置 如 智 能 手 机 和Ｍ ： Ｐ 器充 电。 据 介 绍 ， 导 电 棉 线 在 太 阳 能 供 电 中 ，不 仅 能代 替 传 统 的 导线 起 到 导 电作 而 且 还 成 为 服 装 的组 成 部 分 。 科 学 家 认 为 ，在 不 久 的 未 来 ，导 申 的应 用 范 围将 会 越 来 越 广 泛 ，例 如 ，合 电 棉 线 的Ｔ 衫 有 望 帮 助 监 视 人 们 的 心 恤 呼 吸 ，分 析 人 们 流 汗 的状 况 ，甚 至 在 夏 天 帮 助 人 们 降温 ；含 有 导 电棉 线 的杖 监 测 人 们 的脑 电 图 ；带 有 导 电棉 线 的昶 阳 能 供 电 的衣 服 也 可 为ｉ ｏ 或 者Ｍ ４ Ｐｄ Ｐ 播 充 电。 （ 斌 龙
GaN基半导体材料发展历史和现状
GaN基半导体材料发展历史和现状20世纪90年代中期，日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力突破了制造蓝光LED的关键技术。
GaN基蓝色LED的出现，大大扩展了LED的应用领域，从此掀开了第三代半导体材料GaN基半导体照明的革命。
GaN材料具有许多Si基半导体材料所不具备的优异性能，具有禁带宽度大、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性高等优点,比较适合用于雷达、导弹、通信、潜艇、航空航天及石油、化工、钻探、核电站等领域的电子设备,对于抗辐射、耐高温、高频、微波、大功率器件,尤其是利用其大的禁带宽度制作的蓝色、绿色、紫外发光器件和光探测器件,具有极大地发展空间和广阔的应用市场GaN半导体材料。
衬底材料的选择[1]结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小；[2]界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强；[3]化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；[4]热学性能好，包括导热性好和热失配度小；[5]导电性好，能制成上下结构；[6]光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小；[7]机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等；[8]价格低廉；[9]大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。
GaN器件目前存在的问题GaN材料折射率（2.5），高于蓝宝石衬底（1.7）以及外部封装树脂（1.5） Snell定律è临界角23度有源区产生的光子在GaN 上下界面发生多次全反射，严重降低器件的光提取效率。
大量不能出射的光转化为热能，提高节温，加剧晶格振动，影响内部量子效率，降低寿命。
提高外量子效率的方法在p 型GaN材料或铟锡氧化物（ITO）层表面制作二维结构来提高器件的光提取效率；在蓝宝石衬底的底面制作类似透镜阵列的结构来提高底面的光提取效率； 在蓝宝石衬底制作二维结构，然后生长GaN材料制作成器件。
patterned sapphire substrates研究表明，第三种方法同时具有提高内量子效率和提取效率的效果。