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全球前五大半导体硅晶圆厂商盘点
全球前五大半导体硅晶圆厂商盘点就半导体产业而言，芯片是最为人熟知和关注的领域，而对于行业起着支持作用的材料和设备领域却相当低调，但低调不等于不重要，如半导体制造的基础――硅晶圆，在行业中的地位就不容忽视。
根据研究数据，硅片市场基本上由日本和韩国制造商垄断。
五大供应商的全球市场份额已达到92%，其中新越半导体市场占27%，sumco市场占26%，全球晶圆市场占17%，silitronic市场占13%，LG市场占9%。
1、信越（shin-etsu）鑫悦集团于1967年创立“鑫悦半导体”，为生产高品质半导体硅做出了巨大贡献。
鑫悦半导体硅业务一直走在大口径、高直线度的前列。
成功研制出最尖端的300毫米硅片，实现了SOI硅片的商业化。
2、胜高（sumco）世界第二大半导体硅片供应商Sumco最近宣布投资约3.97亿美元增加其ivanly工厂，这是近十年来首次大规模增产。
预计上半年2022个硅晶片的月产能将增加110000件。
3、环球晶圆通用晶圆是中美硅的子公司，于2022通过一家名为东芝陶瓷的公司收购。
covalentmaterials（现为coorstek）的半导体晶圆业务，扩大了业务范围。
后通过收购全球第四大半导体硅晶圆制造与供货商sunedisonsemiconductor一跃成为第三大硅晶圆供货商。
4、粉砂岩全球第四大硅晶圆厂商siltronic总部位于德国慕尼黑，资料显示公司在德国拥有150/200/300mm的产线，在美国有一座200mm的晶圆厂，在新加波则拥有200和300mm的产线。
5、 lgsiltronlgsiltron是lg旗下制造半导体芯片基础材料――半导体硅晶片――的专门企业。
sk 集团于今年1月份收购了lgsiltron51%的股份，并于今年5月份表示将收购公司剩余49%的股份，以此打入半导体材料和零件领域，实现各项业务的垂直整合。
在中国积极发展半导体产业和大力投资12英寸晶圆厂、智能手机和云服务器的推动下，硅片市场需求大幅增长。
工业硅国际贸易政策变动与市场反应
工业硅国际贸易政策变动与市场反应工业硅是一种广泛应用于半导体、太阳能电池板、化工和建筑材料等领域的重要原材料。
然而，由于工业硅的产量有限，世界各地的供需关系一直非常紧张。
在国际贸易中，工业硅也受到不少政策的影响，其市场反应也备受关注。
本文将探讨工业硅国际贸易政策的变动以及市场的反应。
一、贸易政策变动1. 出口限制工业硅的主要生产国之一是中国。
中国工业硅出口量一直占据全球市场的很大比例。
然而，出于保护国内产业和资源考虑，中国政府实施了一系列出口限制政策。
这些政策包括减少出口配额、提高出口关税等。
这种变动使得全球工业硅供应减少，价格上涨。
2. 进口限制一些国家采取了限制工业硅进口的政策。
例如，美国对中国工业硅采取了反倾销措施，征收高额关税。
这导致了中国工业硅的进口减少，同时也使全球贸易环境变得更加紧张，市场波动加剧。
3. 贸易协定改变一些贸易协定的改变也对工业硅市场产生了影响。
例如，欧盟在与中国签订自由贸易协定后，工业硅的进出口关税大幅降低，给欧洲的工业硅市场带来了机会，同时也加剧了市场竞争。
二、市场反应1. 价格波动由于工业硅国际贸易政策的变动，市场供需关系出现扭曲，价格波动较大。
政策的限制导致工业硅市场供应减少，价格上涨。
这使得各行业的成本增加，进而影响到整个产业链的竞争力。
2. 技术创新市场反应也促使各国开展工业硅替代品的研发与应用。
一些国家加大了对新型半导体材料的研究投入，以降低对工业硅的依赖程度。
这也推动了技术创新，促进了相关行业的发展。
3. 地区市场格局变化工业硅国际贸易政策的变动也导致了地区市场格局的变化。
由于中国工业硅出口受限，一些新兴产业国家开始崛起。
例如，南美洲的巴西和智利，以及非洲的南非等地，开始成为全球工业硅供应的重要来源。
4. 行业合作市场的变动促使各行业之间展开更紧密的合作，以共同应对工业硅供应不稳定的问题。
例如，半导体行业与太阳能产业可以共同研发新材料，降低对工业硅的依赖。
半导体材料国内外标准研究进展
学术研讨半导体材料国内外标准研究进展■ 孙朝宁 贺光辉 赵振博 陈程成*（工业和信息化部电子第五研究所）摘 要：半导体材料已经成为国家的一种战略物资，我国是材料大国却大而不强。
本文主要对当前国内外半导体材料标准组织及标准制修订情况进行分析，发现我国半导体材料标准发展的短板与不足，并对未来的标准化工作提出建议。
关键词：半导体材料，标准，综述，建议DOI编码：10.3969/j.issn.1002-5944.2021.15.017Research Progress on Semiconductor Material StandardsSUN Zhao-ning HE Guang-hui ZHAO Zhen-bo CHEN Cheng-cheng*（China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute）Abstract: Semiconductor materials have become a kind of national strategic materials. In this paper, the development of the domestic and foreign organizations and the research progress in standards for semiconductor materials are summarized. The disadvantages of China in the field of semiconductor material standardization are analyzed and some suggestions for the standardization work in the future are offered.Keywords: semiconductor material, standard, overview, suggestion半导体材料广泛应用于信息网络、人工智能、物联网、新型显示等众多战略性高新技术产业。
半导体10大研究成果
半导体10大研究成果
1.量子比特实现量子超越：在量子计算领域，实现了一些具有超越经典计算能力的重要里程碑，如量子比特的相干控制和纠缠。
2.新型半导体材料的研究：发现和研究了一些新型半导体材料，包括拓扑绝缘体、二维材料（如石墨烯）等，这些材料具有独特的电学和光学性质。
3.自组装技术的发展：自组装技术在芯片制造中取得了重要进展，能够有效地提高集成电路的制造密度，提高性能。
4.超导量子位的进展：在量子计算领域，实现了一些超导量子位的重要突破，包括提高了量子位的运行时间和减小了错误率。
5.神经元芯片的研究：半导体技术在神经科学领域的应用，研究了仿生学方向的芯片，模拟了神经元网络的行为。
6.自适应光学元件：在激光器和光通信领域，研究了一些自适应光学元件，以提高光通信系统的稳定性和性能。
7.极紫外光刻技术（EUV）：EUV技术在半导体芯片制造中取得了显著进展，实现了更小尺寸的制造工艺，提高了芯片集成度。
8.量子点显示技术：在显示技术中，量子点显示技术取得了进展，提高了显示屏的颜色饱和度和能效。
9.能量高效的电源管理技术：针对便携设备和物联网设备，研究了一些能量高效的电源管理技术，以延长电池寿命和提高设备的能效。
10.半导体传感器的创新：开发了一些新型半导体传感器，应用于医疗、环境监测和工业生产等领域，提高了传感器的灵敏度和稳定性。
这仅仅是一小部分半导体领域的研究成果，该领域的研究一直在不断推进。
要了解最新的研究成果，建议查阅相关领域的学术期刊和会议论文。
超宽禁带半导体氧化镓材料的产业进展及未来展望
超宽禁带半导体氧化镓材料的产业进展及未来展望1 前言从2020年开始，日本经济产业省（METI）大力支持“氧化镓（Ga2O3）”半导体材料发展，计划2025年前为私营企业和大学提供共约1亿美元财政资金，意图占领下一代功率半导体产业发展的制高点。
以Novel Crystal Technology和Flosfia为代表的初创企业，正在联合田村制作所、三菱电机、日本电装和富士电机等科技巨头，以及东京农工大学、京都大学和日本国家信息与通信研究院等科研机构，推动Ga2O3单晶及衬底材料以及下游功率器件的产业化，日本政产学研投各界已开始全面布局超宽禁带半导体——氧化镓材料。
与此同时，全球半导体产业中具有全面领先优势的美国，正在从前沿军事技术布局的角度大力发展Ga2O3材料及功率器件。
美国空军研究实验室、美国海军实验室和美国宇航局，积极寻求与美国高校和全球企业合作，开发耐更高电压、尺寸更小、更耐辐照的Ga2O3功率器件。
不仅日、美正在布局，德国莱布尼茨晶体生長研究所、法国圣戈班以及中国电子科技集团等全球企业/科研机构也加入了Ga2O3材料及器件研发的浪潮中，这种半导体材料可谓是吸引了世界的广泛关注。
为何氧化镓半导体能够吸引全球各界的目光？其在未来半导体产业中将会有什么样的前景？本文简述了半导体材料的发展历程、氧化镓半导体的特点及优势，以及氧化镓的制备技术、研发与产业化进展，最后对氧化镓半导体产业发展的未来进行了展望。
2 半导体材料发展历程自20世纪50年代开始，半导体行业得到了高速的发展，半导体材料也发展到了第3代。
第1代半导体材料是以硅（Si）和锗（Ge）为代表，其中Si具有很好的机械加工性能和热性能，在自然界中储量丰富、价格低廉，目前可以制备高纯度大尺寸的单晶，因此极大推动了微电子行业的发展，其在半导体产业中具有不可替代的地位。
随着半导体科技的发展，对器件性能、尺寸和能耗的要求越来越高，硅材料也渐渐暴露了其缺点，尤其是在高频、高功率器件和光电子方面的应用局限性。
国内外第四代金刚石半导体材料发展现状
国内外第四代金刚石半导体材料发展现状「国内外第四代金刚石半导体材料发展现状」引言：金刚石是全球范围内最硬的材料之一，具有出色的热导性能和高能隙等特点，被广泛应用于高温、高压、高速等极端环境下的电子器件。
近年来，随着电子科技的不断进步，人们对于能耗低、速度快、稳定性高的半导体材料的需求不断提高，逐渐向第四代金刚石半导体材料转型。
本文将深入探讨国内外第四代金刚石半导体材料的发展现状，并分析其应用前景。
一、第四代金刚石半导体材料的定义和特点第四代金刚石半导体材料是指在金刚石基底上，通过改变纯度和掺杂方式，实现半导体材料的高效能性能提升。
相比于传统的硅基材料，第四代金刚石半导体材料具有以下特点：1. 高热导性：金刚石是全球热导率最高的材料，其热导率约为1400-2200 W/m·K，能够有效提高材料散热能力，降低电子器件的温度，增加设备的可靠性和寿命。
2. 高电导性：金刚石具有较高的电导率，可在高频率下实现更低的能耗和更高的功率输出，广泛应用于高功率、高频率电子器件领域。
3. 高能隙：金刚石的能隙大约为5.5 eV，较硅材料的能隙(约为1.1 eV)大幅增加，使其能够在高压、高温和辐射等极端环境下保持电子器件的稳定性。
4. 低电子缺陷密度：金刚石的晶体结构稳定，具有较低的晶格缺陷密度，可以减小电子器件中的载流子散射和损耗，提高电子器件的工作效率和性能。
二、国内第四代金刚石半导体材料的研究进展国内学者在第四代金刚石半导体材料的研究上取得了一系列重要进展。
首先，研究人员改善了金刚石的纯度和生长技术，实现了大尺寸、高纯度金刚石基底的制备。
其次，通过金刚石的不同掺杂方式，如硼(N型)和氮(P 型)掺杂，实现了金刚石材料的电导性控制。
目前，国内研究者已经成功制备出一系列掺杂金刚石膜材料，并对其电子器件性能进行了研究和评估。
此外，国内研究机构还致力于改善金刚石半导体材料的表面品质和平坦度，以提高器件性能和可靠性。
国内外碳化硅的研究和发展
国内外碳化硅的研究和发展碳化硅（Silicon Carbide, SiC）是一种具有广泛应用前景的先进材料，在电子、光电、能源和化工等多个领域都显示出了出色的性能和潜力。
研究和发展碳化硅材料，不仅有助于推动材料科学的进步，还能为未来高科技产业的发展提供核心支持。
在国内外，在碳化硅研究和发展方面已经取得了很多重要进展。
首先，碳化硅材料在电子技术领域具有广泛应用前景。
它具有高电子迁移率、高电场饱和漂移速度等优异电子性能，可用于制备高频、高功率的半导体器件。
碳化硅晶体管是近年来研究热点之一，它可以替代传统的硅晶体管，具有更好的热传导性能和更高的工作温度。
此外，碳化硅还可以用于制备高压功率器件和射频功率放大器等电子元器件，其应用前景广阔。
其次，碳化硅材料在光电领域也有重要应用。
由于碳化硅的宽能隙特性，它具有较高的光电转换效率和较低的漏电流密度，因此可以用于制备高效率的太阳能电池。
碳化硅纳米线光电探测器也因其高响应速度和低噪声而备受关注。
此外，碳化硅材料还可以用于制备高功率激光器、高亮度LED照明等。
同时，碳化硅材料在能源领域也有广泛应用。
由于碳化硅的高热导率和化学稳定性，它可以用于制备高温热交换器和燃烧室等高温设备。
此外，碳化硅陶瓷膜层还可以提高燃料电池和锂离子电池的性能，具有很高的应用潜力。
此外，在化工领域，碳化硅材料的耐腐蚀性、耐磨性和高硬度等特点使其成为热处理工业中的重要材料。
碳化硅涂层可以提高金属零件的耐磨性和耐蚀性，延长设备的使用寿命。
此外，碳化硅耐高温和耐腐蚀的特性也使其成为化学反应器和耐用陶瓷等化工设备的理想材料。
综上所述，国内外在碳化硅研究和发展方面取得了显著进展。
碳化硅作为一种先进材料，在电子、光电、能源和化工等领域都具有广阔的应用前景。
未来，随着技术的不断进步和应用领域的拓展，碳化硅材料的研究和开发将持续深入，为各行业带来更多的创新机遇和经济效益。
2024年半导体硅片、外延片市场发展现状
2024年半导体硅片、外延片市场发展现状1. 前言半导体硅片和外延片是电子信息技术产业中的核心材料。
它们在集成电路、光电子器件等领域发挥着重要作用。
本文将从市场规模、应用领域、技术发展等角度，对半导体硅片和外延片的市场发展现状进行分析。
2. 市场规模半导体硅片和外延片市场的规模不断扩大。
随着物联网、人工智能、5G等技术的飞速发展，对高性能、高集成度的芯片需求不断增加，直接促进了半导体硅片和外延片的市场需求。
据市场研究机构预测，半导体硅片和外延片市场规模将在未来几年持续增长。
3. 应用领域半导体硅片和外延片的应用领域广泛。
首先是集成电路领域，半导体硅片作为芯片的基础材料，广泛应用于计算机、手机、消费电子等产品。
其次是光电子器件领域，外延片作为制备激光器、光电二极管等器件的材料，被广泛应用于通信、显示器、照明等领域。
4. 技术发展半导体硅片和外延片的技术不断创新。
目前，多晶硅和单晶硅是主要的硅片制备技术。
而外延片技术则经历了从传统的HPHT外延技术到现在的MOCVD外延技术的转变。
这些技术的不断发展，使半导体硅片和外延片能够提供更高的品质和更好的性能，满足市场对高性能芯片的需求。
5. 主要市场竞争者半导体硅片和外延片市场具有较高的竞争度。
目前，全球主要的市场竞争者包括三星、台积电、英特尔等知名半导体制造企业。
这些企业凭借自身的技术实力和生产规模，在市场上占据较大份额，并不断推动着半导体硅片和外延片市场的发展。
6. 发展趋势未来，半导体硅片和外延片市场将继续保持高速发展的势头。
一方面，随着新一代通信技术5G的商用化，对高频高速芯片的需求将进一步增加，推动半导体硅片和外延片市场的增长。
另一方面，人工智能、物联网等新兴技术的兴起，将带来对半导体硅片和外延片更高要求的应用场景，促进市场的进一步扩大。
7. 结论半导体硅片和外延片市场发展迅猛，市场规模不断扩大。
随着技术的不断创新和应用领域的拓展，市场前景广阔。
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国外半导体硅材料工业的最新进展
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铡消费量的价值分别为48.8,51.59和55.82亿美元.
世界单晶硅产量的约roY,由Et本生产.Et本1993年生产单晶硅2394t,比上一年增产
12;其销售额1993年为2540亿Et元左右,比上一年增加约11.Et本生产单晶硅的七大
公司为信越半导体,住友Sitix,小松电子金属,三菱材料,东芝陶瓷,日本胡尔斯和Et 铁电子
公司,1993年销售额分别为824,478,430,356,248,109和95亿Et元,与上一年相比,增长
率分别为17,10,6%,5,20,16和2.
尽管单晶硅材料公司1993年的销售额比1992年有所增长,但生产厂家仍普遍觉得经
营困难,原因是;(1)要求材料纯度提高}(2)要求不断改进质量}(3)要求寻找全球用户;(4)
要求着重研究开发下一代产品}(5)主要设备投资成倍增加;(6)材料总收入增长缓慢;(7)利
润微薄,不能支撵各项费用}(8)大型化学,金属公司对半导体材料渐渐失去兴趣.上述困难
导致一些厂家退出半导体材料经营领域.
1993年半导体硅材料锖售率增长最快的厂家为Et本东芝陶瓷公司.该公司业绩急剧增
长的原因之一是确立丁一项氢退火处理的批量生产技术,对加工后的镜面硅片进行热处理
时送入氢气,使硅片表面层的氧降低,达到晶体无缺陷.东芝陶瓷公司开发研究了8年才完
善了该技术.采用此种硅片制作的器件成品率提高,使Et立,富士通,IBM,英特尔等公司愿
意扩大采用的比率.Et本小橙电子金属公司和住友Sitix公司都相继引进该项技术.氢遇火
处理的硅片因质量高而价格比镜面硅片提高一倍,产品利润高.此外,住友Sitix公司还设立
了经营改善委员会,采用500人工作置表格化的方法,要求三年内每人提高生产率30,降
低成本10.从而该公司在1993年硅材料销售领比1992年增长1oH的基础上,预计1994
年销售额增长率可达19%.
由于十人计算机的世界需求增加,要求增产16兆位的DRAM,因此扩大了对8英寸硅
片的需求.1994年8月世界8英寸硅片的月消费置为59~63万枚,其中美国23~25万枚,
日本15～17万枚,韩国和台湾13万枚,欧洲8万枚.1994年9月世界8英寸硅片的月生产
能力为69万枚,各厂家计划在1995年提高到月产100万枚,即增产{d.
为了制备大直径的硅片,设备厂家在开发相应的装置.倒如,El本向岛造船机械公司于
1994年1月宣布研审j成高性能的单晶硅直拉装置FSZ-80型和FSZ一150型.FSZ-80型的多
晶硅装料置为80ks.单晶硅产品直径8英寸,每台价格8000万El元.FSZ一150型装料
150kS,单晶直径8～l2英寸.FSZ型装置的特点为:CCD(电荷耦台器件)照相机监视晶体
生长,计算机显示,全自动化.
为了提高硅片的清洗洁净度,有的单位研审j了一种化学试剂现场发生器,是将超纯去离
子水与合适的高纯气体和化学晶(如NF[3,F[F和H.O:)精确配比地通入一种小型的生产线
现场合成箱,而后输出即时用于清洗硅片,这样可使清洗硅片的化学试剂所含杂质降至千亿
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分之几.比如这样发生的NH.OH试剂对36种常见元素的ICP-MS分析结果为0.01～
0.101ppb.用此种现场发生器制备的盐酸中杂质A1,Ca和Fe的含量为0.1,3.O和2.0
ppb,而商售瓶装超纯盐酸试剂中杂质AI,ca和Fe的含量则为1.3,8.1和15ppb.并且此种
现场发生器制备的化学试剂其成本比商售的瓶装超纯试剂还要便宜.
据专家预测,未来5～7年闯,世界半导体材料市场需求的增长速度将超过产量的增长
速度.全世界将有4d个8英寸硅片厂投产,使硅片产能增加21,但届时世界硅片的市场
需求将增加71,因而将出现供不应求.因为硅片直径越大,制成的器件成本就越低(比如
硅片直径加倍,器件成本就减至四分之一),所以美国,日本和西欧的代表已召开高峰会议,
原则同意在8英寸硅片后就研制12英寸硅片,为此兰方各筹备研制中心提出研橱
备1995年3月在西酞再次召开会议,交流拟订最后研制方案.日本于1994年下半年成立了
与硅工业有关的5团体连络会,初步拟订1998年普追推广12英寸硅片,2000年推出16
1英寸硅片,以分别满足256兆位和1000兆位DRAM半导体硅器件的需要.
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/己日本太阳电池制造技术的开发
"/嚆伟Tr.
按晴天太阳照射到地面的能量约为Ikw/m计算,1h照射到地球上的能量相当手全人
类在1年中消费的总能量.利用太阳能的太阳能发电系统是在发电过程中完全不排出污染
物的清洁能源系统.因此,从能源安全的观点出发阳能发电系统也是解决地球环境污染
问题的极其重要的能源系统.
太阳电池的开发现状
三菱电机公司1993年积极开发太阳电池制造技术,10cmX10cm薄膜多晶硅太阳电弛
的转换效率已达到14.2,材料费已降低到了其它结晶系硅太阳电池的I/lO.
富士电机公司1980年开始从事非晶硅(a—Si)太阳电池制造技术的开发,1992年开发了
在40cmXl20cm大面积玻璃基片上形成转换效率l0的非晶硅太阳电池制造技术.l993
年又开始开发使用塑料薄膜基片的柔性太阳电池.
夏普公司1992年开发了5cmX5cm单晶硅太阳电池,转换效率已达到22}10cmX 10cm多晶硅太阳电池,转换效率已达到17.1%.此外,还在积极开发非晶硅太阳电
晶台金叠层型太阳电池.'
另外,1992年100cm铸造电池的转换效率已达到17.2,225c.m铸造电池的转换效率已达到16.4,100cm非晶电池的转换效率已达到12,1200cm非晶电池的转换效率
已达到10.5.
太阳电池的开发目标
1993年日本橱定了阳光计划,月光计划和地球环境技术开发为一体的新阳光计划,其
中,关于太阳能发电确定了至1996年度的近期,至2000年度的中期,至20XX年度的远期开
发目标如下:
1.1996年度的开发目标
薄型多晶太陌电池的技术开发目标有:(1)低成本基片制造技术开发,即太阳电池用硅。