2.中国半导体硅(多晶、单晶)材料发展60年
中国半导体的发展历史
中国半导体的发展历史中国半导体发展可以大致分成四个阶段：萌芽期（1956 - 1965），稳步发展期（1966 - 1978），缓滞-复苏期（1978 - 2000）以及大发展时期（2000 –至今）。
萌芽期阶段（1956 - 1965）：1956年中央提出了“向科学进军”的口号，周总理亲自制定了1956 –1967年这12年的科学技术发展远景规划，把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。
在此背景下，中科院半导体于1957年11月成功拉制成第一根锗单晶，并与1958年成功研制第一只锗晶体管。
锗晶体管半导体晶体管的成功研制，促成了我国晶体管计算机和晶体管收音机的诞生，在国内产生了很大的影响，那时候的收音机被叫做半导体的原因就在这里。
1958年，中国第一个半导体器件生产厂诞生，代号“109”，它就是后来中科院微电子研究所的前身。
同样是1958年，天津109厂的科研人员借助研制锗单晶的经验，自行研制了硅单晶并进行了设备调试，经过反复试验，并在7月，成功拉制成我国第一根硅单晶，成为当时继美苏之后第三个拉制出单晶硅的国家。
在此基础上，研究人员提高材料质量和改进技术工艺，并于1959年实现了硅单晶的实用化。
单晶硅随着研究的深入，我国逐步在外延工艺，光刻技术等领域取得了进展，并于1963年制造出国产硅平面型晶体管。
这些技术的成功，打下了我国硅集成电路研究的基础。
稳步发展期（1966 - 1978）到了1966年，10年风波开始。
我国工农业发展陷入大规模停滞，但我国半导体工业建设并未停下脚步。
1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，形成当时中国集成电路产业中的南北两强格局。
1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，现中电24所），是中国唯一的模拟集成电路研究所。
同年，上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。
中国 半导体发展史
中国半导体的发展史可以大致划分为以下几个阶段：
20世纪50年代：中国开始自主培养半导体科技人才，创办了第一个五校联合半导体专业，并在1957年拉出了锗单晶，研制出锗晶体管。
20世纪60年代：中国研制出硅外延工艺、硅基晶体管和TTL电路产品，这标志着中国已经能够制作小规模集成电路。
20世纪70年代：中国开始建设集成电路工厂，并研制成功1000万次大型电子计算机。
20世纪80年代中期：中国制定了“531战略”，即“普及5微米技术，研发3微米技术，攻关1微米技术”，诞生了无锡华晶等半导体企业。
1990年9月：电子工业部决定启动“908工程”，目标是建成一条6英寸、0.8~1.2微米的芯片生产线。
但由于国外已沿着摩尔定律的路径实现了好几代的进步，所以华晶项目一投产即落后，产量也仅有800片，亏损相当严重。
1995年：提出以100亿元实施“909工程”，建设一条8英寸晶圆、0.5微米制程工艺的集成电路生产线，但面临国外的技术封锁。
1997年7月：华虹集团与NEC合资组建了上海华虹NEC电子有限公司，负责承担“909工程”的项目建设。
以上是中国半导体的发展史的一些重要事件和阶段。
总的来说，中国半导体产业经历了从自主培养科技人才、研制晶体管到建设集成电路工厂、启动芯片生产线等阶段，不断推动着中国半导体产业的发展。
中国半导体发展历史
中国半导体发展历史半导体是现代电子技术的基础，而中国的半导体产业也经历了一段波澜壮阔的发展历程。
从20世纪50年代开始，中国就开始了半导体的研究和生产，经过多年的努力，中国的半导体产业已经成为世界上最重要的产业之一。
早期的半导体研究和生产主要集中在中国的科研机构和国有企业中。
20世纪50年代，中国科学院物理研究所开始了半导体的研究工作，1956年，中国第一颗晶体管诞生。
此后，中国的半导体产业逐渐发展起来，1960年代初期，中国开始了半导体的批量生产，生产的产品主要是二极管和晶体管。
然而，由于历史原因和技术水平的限制，中国的半导体产业在20世纪70年代和80年代处于低谷期。
直到20世纪90年代初期，中国的半导体产业才开始逐渐复苏。
1991年，中国成立了第一家半导体企业——中芯国际，这标志着中国半导体产业进入了一个新的发展阶段。
在1990年代后期和21世纪初期，中国的半导体产业经历了快速发展的阶段。
中国政府出台了一系列扶持政策，吸引了大量的国内外投资。
同时，中国的半导体企业也开始了技术创新和自主研发，逐渐实现了从跟随者到领先者的转变。
2000年，中国的半导体产业产值达到了100亿美元，成为世界上第三大半导体生产国。
近年来，中国的半导体产业发展更加迅猛。
中国政府提出了“中国制造2025”和“半导体产业发展规划”，明确了发展半导体产业的战略目标和重点领域。
中国的半导体企业也在不断加强技术创新和自主研发，逐渐实现了从低端到高端的跨越。
2019年，中国的半导体产业产值已经达到了800亿美元，成为世界上最大的半导体市场之一。
总的来说，中国的半导体产业经历了一个从小到大、从弱到强的发展历程。
中国的半导体企业已经成为世界上最重要的企业之一，中国的半导体产业也已经成为世界上最重要的产业之一。
未来，中国的半导体产业将继续发展壮大，为中国的经济发展和科技进步做出更大的贡献。
单晶硅和多晶硅发展现状和趋势
二 单晶硅和多晶硅的现状
• 1 单晶硅的现状 • 单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。 在地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产 提供了取之不尽的源泉。近年来，各种晶体材料， 特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相 关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支 柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的 先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利 用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。
• 单晶硅为灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。 沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝 酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时 易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显 变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温 熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料 作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料， 但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用 于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、 电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体 在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 • 多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差 异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性 质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电 学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著， 甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极 小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别 须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
• 多晶硅产业发展预测 • 高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的 基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材 料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原 材料。 • 随着信息技术和太阳能产业的飞速发展，全 球对多晶硅的需求增长迅猛，市场供不应求。世 界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体 级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需 20250 8500 求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求 量为15600吨，供不应求。近年来，全球太阳能 电池产量快速增加，直接拉动了多晶硅需求的迅 猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。 受此影响，作为太阳能电池主要原料的多晶硅价 格快速上涨。
全球晶硅光伏发展历史
全球晶硅光伏发展历史
全球晶硅光伏的发展历史可以追溯到1839年，当时法国科学家贝克雷尔发现了光生伏特效应，即光照能够使得半导体材料的不同部位之间产生电位差。
1954年，美国科学家恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳电池，标志着光伏发电技术的诞生。
在接下来的几十年中，晶硅光伏技术得到了广泛的研究和应用。
1968年至1969年底，中国半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务，并成功完成了NP结硅太阳电池的研制和生产任务。
进入21世纪，随着国际光伏市场的爆发，晶硅光伏产业链得到了快速发展。
多晶硅产品作为光伏产业链内技术和资金壁垒最高的环节之一，其生产工艺技术在行业发轫早期被海外产业巨头封锁。
然而，随着中国硅材料产业的发展，中国成功拉制出硅单晶，并在2005年实现了全国多晶硅产量仅有60吨的突破。
为了扭转受制于人的局面，国内一些企业开始着手多晶硅核心工艺开发。
随着多晶硅产品的供需出现缺口，其价格大幅上涨，这促使更多企业加入到多晶硅的研发和生产中。
总之，晶硅光伏技术是全球能源领域的重要发展方向之一，其发展历程经历了多个阶段，并推动了全球能源结构的转变和升级。
单晶硅片发展史
单晶硅片发展史1. 起源和发展初期单晶硅片是指由纯硅材料制成的晶体片，具有高纯度、均匀性好和电学性能优越等特点，广泛应用于电子器件中。
其历史可以追溯到20世纪60年代初期。
当时，电子行业正迅速发展，对于新型材料及其制备方法的研究需求逐渐增加。
纯度较高的硅材料被发现在半导体领域有巨大潜力，因为硅具有较好的导电和绝缘特性。
为了实现可控的硅片制备，科研人员开始对硅材料进行纯化、晶体生长以及切割处理等工艺的研究。
2. Czochralski法20世纪60年代中叶，波兰科学家托德罗斯·科赫拉尔斯基（Jan Czochralski）发明了一种新的硅片制备方法，这就是著名的Czochralski法（CZ法）。
CZ法是通过将一根种子晶体浸入炉中的熔融硅中，然后慢慢上拉出来，使熔融硅凝固形成硅单晶。
这种方法有效解决了硅片制备过程中晶体纯化和生长问题，大大提高了硅片的制备效率和品质。
随着CZ法的出现，单晶硅片的生产量得以大幅度增加，使得半导体产业出现了快速发展的良好基础。
3. 其他发展尽管CZ法成为了主流的硅片制备方法，但随着电子行业的不断发展，人们对更高纯度和更完美晶体结构的单晶硅片需求日益增加，科研人员纷纷探索新的制备方法。
在20世纪80年代后期，由于化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）技术的突破，形成了向多晶硅制备方法迁移的新趋势。
CVD技术通过气相反应将硅腊沉积在制备衬底上，然后以适当的工艺条件在高温下熔化使其形成单晶结构。
此外，还有其他一些方法如分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）等被应用于制备高质量的单晶硅片。
4. 现代应用和进展如今，单晶硅片已经成为电子行业和太阳能光伏领域中最重要的材料之一。
在电子行业中，单晶硅片广泛用于制造半导体器件，如晶体管、光电池、LED 等。
其高纯度和均匀性使得电子器件的性能得以有效提升。
而在太阳能光伏领域，单晶硅片通过切割成薄片并组合成太阳能电池板，能够将太阳能直接转化为电能。
专题报告-半导体器件的发展历程及其展望
半导体器件的发展历程及其展望摘要：1947年12月23日第一块晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。
在晶体管技术日新月异的60年里，有太多的技术发明与突破，也有太多为之作出重要贡献的人，更有半导体产业分分合合、聚聚散散的恩怨情仇，当然其中还记载了众多半导体公司的浮浮沉沉。
半导体器件发明之后，人类的历史正式进入了一个新的时代，也就是硅的时代。
硅所代表的正是半导体元件，包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内，举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车，这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。
纵观半导体器件的发展历程,半导体器件对人类社会发展所产生了深刻影响。
探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势。
最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发展带来的机遇与挑战。
关键词：半导体晶体管微电子技术积体电路半导体产业一、半导体概述半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，例如：锗、硅、砷化镓等。
半导体材料具有三大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性。
具体解释如下：①掺杂性在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质，其导电能力将会成百万倍地增加，如半导体二极管、三极管等。
②热敏性在一些情况下温度变化20倍，电阻率变化可达百万倍以上。
利用这一特性可制成自动控制用的热敏元件，如热敏电阻等。
③光敏性在光的照射下，电路中产生电流或电流变化。
半导体光电效应分为两类，一种光照改变电阻值，称为内光电效应，一种光照下产生一定的电动势，称为阻挡层光电效应。
利用半导体材料的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，如光电池、光电管和光敏电阻等。
另外，半导体还具有负电阻率温度特性（半导体材料在受热后电阻率随温度升高而迅速减小，这与金属材料相反），压阻效应（半导体在受到压力后除发生相应的形变外，能带结构发生相应变化，从而电阻发生变化），磁敏感特性（半导体在磁场中会产生霍尔效应、磁阻效应等，热电效应(是指把热能转变为电能的过程，其中最重要的是温差电现象），导电特性（半导体的导电，同时具有两种载流子，即电子和空穴）等其他特性。
单晶硅片发展史
单晶硅片发展史摘要：I.引言- 介绍单晶硅片的背景和重要性II.单晶硅片的定义和特点- 解释单晶硅片的定义- 描述单晶硅片的特点III.单晶硅片的发展史- 介绍单晶硅片的发展史- 阐述单晶硅片在不同阶段的发展情况IV.单晶硅片在中国的应用和发展- 介绍单晶硅片在中国的应用情况- 分析中国单晶硅片行业的发展状况V.单晶硅片的发展趋势和挑战- 预测单晶硅片的发展趋势- 讨论单晶硅片面临的挑战和解决方案VI.结论- 总结单晶硅片的发展史和现状- 提出对未来单晶硅片发展的期望正文：单晶硅片发展史单晶硅片是一种重要的半导体材料，被广泛应用于电子、光电子和光伏等领域。
作为一种高纯度、高导电性、高平整度的材料，单晶硅片在现代科技和工业中扮演着举足轻重的角色。
本文将介绍单晶硅片的定义、特点，以及其发展史、在中国的应用和发展情况，并探讨单晶硅片的发展趋势和挑战。
单晶硅片是由单晶硅制成的，具有高纯度、高导电性、高平整度等特点。
它是一种重要的半导体材料，被广泛应用于电子、光电子和光伏等领域。
单晶硅片的发展历程可以追溯到20 世纪50 年代。
当时，由于半导体技术的快速发展，单晶硅片成为了研究和应用的热点。
随着技术的不断进步，单晶硅片在各个领域中的应用也日益广泛。
在中国，单晶硅片行业的发展始于20 世纪70 年代。
经过几十年的发展，中国单晶硅片行业已经取得了显著的成绩。
目前，中国已经成为全球最大的单晶硅片生产国和消费国。
在中国，单晶硅片被广泛应用于光伏、电子和光电子等领域。
随着中国政府对新能源产业的支持，单晶硅片在中国的应用和发展前景十分广阔。
然而，单晶硅片的发展也面临着一些挑战。
首先，单晶硅片的生产过程需要大量的能源和资源。
其次，随着市场需求的不断增长，单晶硅片的生产成本也在不断上升。
此外，单晶硅片行业也面临着技术研发和创新方面的挑战。
为了应对这些挑战，单晶硅片行业需要加大技术研发力度，提高生产效率，降低生产成本，并寻求新的应用领域。
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ｌ互口ＩＮＳＩＧＨＴ
中国半导体硅（多晶◆．单晶）材料发展６０年
一文／朱黎辉
中国电子材料行业协会半导体材料分会秘书长
能源、信息、材料是人类社会的三大支柱。
半导体硅（多晶、单晶）材料则是电子信息产业（尤其是集成电路产业）和新能源、绿色能源硅光伏产业的主体功能材料，硅材料的使用量至今仍然占全球半导体材料的９５％以上，是第一大电子功能材料，且早已是一种战略性的物资和产业。
半个世纪以来，美、日、德等国的ｌＯ大公司一直垄断着半导体硅材料的技术、市场及售价，对我国进行封锁，严重地制约着我国现代化的进程。
硅占地壳的１／４，是地球上丰度最高的元素之一。
我国已发现了高品位的硅矿（水晶、Ｓｉｏ：）ｌ删乙ｔ以上，一万年也用不完。
国际半导体硅材料的研发几乎
与新中国的诞生同步，２０世纪５０年代
初开始了高纯多晶硅生产技术的研
发，此后，逐步成熟的是“改良西门子
法（三氯氢硅氢还原法，约占全球多晶
硅总产量的８０％）”与“新硅烷法（硅烷
热分解法，约占全球多晶硅总产量的
２０％）”。
为了降低成本、适应硅太阳能
电池的需要，国内外正在探索其它高
纯硅生产的低成本工艺。
１９４７年，俄国人切克劳尔斯基发
明了拉制金属单晶的直拉ＣＺ法工艺。
１９５１年，美国人蒂尔和利特把ＣＺ法
移植到硅单晶生长工艺上来，拉出了
①ｌｏｏｍｍ的单晶。
１９５２年，美国人普
凡采用高频感应加热发明了硅单晶
生长的无坩埚悬浮区域熔炼ＦＺ法。
此后，ＣＺ法和ＦＺ法的工艺与设备不
断发展，使之成为现代硅单晶生产的
主要技术。
硅单晶加工的后道硅片切、
磨，抛、清洗等工艺也在不断向大尺
寸、高精度迈进：微米技术、亚微米技术、
深亚微米技术、甚至纳米级加工技术的进
步；硅外延片、ＳＯＩ片、ＳＧＯＩ片、ＭＥＭＳ、
ＮＥＭＳ等材料与工艺不断涌现，满足了
微电子技术、微纳电子技术及半导体纳
米电ｌ子技术等发展的要求。
万方数据
万方数据
ｌ互妇ＩＮＳＩＧＨＴ
耗、综合电耗及硅粉、液氯、氢气等物料单耗水平上均已基本达到或已接近国际先进水平，已能做到闭路循环，不污染环境。
应特别指出的是：２０００年国务院办公厅发布的关于“集成电路和软件产业若干政策”１８号文中关于硅单晶生产可以享受的增值税从１７％降至６％（以后又降至３％）的政策，在当时我国硅材料行业由极度困难转而高速发展的过程中，所起的巨大作用真是雪中送炭。
７．在国务院各部委相关政策、有限科技攻关资金（约５０００万元）及产业化资金（约２．５亿元）的引导下，全国各地民营资本（包括少量港资与台资）对半导体硅材料产业的投入巨大。
目前，我国有近４０家多晶硅企业在启动，其中１０００ｔ／ａ级至１００００ｔ／ａ级多晶硅厂约１５家（相当于投资近６００亿元），集成电路用硅单晶抛光片厂近１０家，太阳能电池用硅片厂近１００家，拥有拉制６英寸以上硅单晶的直拉硅单晶炉６０００多台（相当于投资６０亿元以上），定向结晶铸硅炉１０００多台（相当于投资６亿美元）和进口硅多线切方、切片机近６０００台（相当于投资４０亿美元）。
我国已是世界上硅单晶炉、定向结晶铸硅炉和多线切方、切片机最多的国家。
我国的高纯多晶硅年产量从２００４年的６０ｔ（正品约４０ｔ）增至２００８年的４５００ｔ，短短４年间增加了近１００倍；而且，２００９年我国多晶硅的产量将会超过ｌ万ｔ，２０１０年将会超过３万ｔ，我国到２０１０年将会建成年产６万ｔ的多晶硅产能。
我国的单晶硅年产量从１９９４年的４０ｔ增至２００７年的单晶硅和铸硅（片）总产量约１００００ｔ，２００８年的单晶硅和铸硅（片）总产量约２００００ｔ（１５年间增长了５００倍），支撑着我国晶硅太
阳能电池的总产量连续两年达到世
界第一（２００７年全球太阳能电池的总
产量为４０００．５ＭＷ，我国的总产量是
１０８８．６ＭＷｌ２００８年全球太阳能电池
总产量为６０００ＭＷ，我国的总产量是
２５７０ＭＷ），超过了日本、美国、德国
等发达国家。
我国多晶硅产业的高速
发展促使国际、国内的太阳能电池级
多晶硅售价在８个月内从每千克售价
３０００元以上迅速降到５００元左右，回
归了理性。
而且可以肯定：我国硅太
阳能电池总产量跃居世界第一的态势
仍将继续保持下去，这种大好局面是
与我国硅材料的高速发展分不开的，
两者相辅相成、共同发展。
８．为了应对国际金融危机的冲击
和挑战，促进我国多晶硅产业理性，持
续、健康发展，避免国内各企业间的恶
性压价竞争，在国家科技部高新司和
工业与信息化部电子信息司的直接指
导下，２００９年２月，由中国电子材料行
业协会组织国内年产ｌ０００ｔ
级以上６家多晶硅企业进行
了彼此零距离的参观与技
术交流，并于２００９年７月在
徐州组建了由我国主要多
晶硅大型企业组成的“多
晶硅科技创新产业联盟”，
“联盟”的建立将会有力地
促进我国多晶硅产业做大
做强，提高国际竞争实力。
９．我国半导体硅材
料在“改革开放”的大局势
下，近年来虽有着超速的
迅猛发展，但仍然是一个
新兴产业：某些地方多晶
硅产能的盲目扩张必须得
到理性控制，必须把多晶
硅的质量提高，循环、闭环
控制、综合利用，节能降耗，进一步保
护环境、优化工艺、降低成本等目标继
续予以重点关注，加强对集成电路级
多晶硅和电力电子级区熔用高档多晶
硅的研发，加速超大规模集成电路用
８英寸、１２英寸高质量硅单晶抛光片、
外延片、ＳＯＩ片、ＳＧＯＩ片的研发，缩短
与国际跨国公司的差距，赶上国际先
进水平。
并且在国际经济危机不断蔓
延的形势下，我国应尽快制定“上网电
价法”等政策法规，尽速拉动内需，尽
速推动硅光伏产业在国内的应用与推
广，让新能源硅太阳能电池尽速进入
千家万户。
二、我国各典型半导体硅材料企
业范倒——硅材料∞年成果
１．我国具有自主知识产权，并
承担多晶硅生产线４大技术攻关
（１００００ｔ／ａ级多晶硅的“合成精馏”、
“大型节能型还原炉”、“还原尾气干法
回收”和“四氯化硅低温加压氢化”）的
图１洛阳中硅高科技有限公司
图２四川新光硅业科技有限公司
万方数据
“洛阳中硅高科技有限公司”，见图ｌ。
２．我国的第一条多晶硅引进生产线并承担１０００ｔ／ａ级多晶硅生产线“还原尾气干法回收”和“四氯化硅高温氢化”科技攻关的“四川新光硅业科技有限公司”，见图２。
３．具有四氯化硅全氢化并闭环控制全套引进的多晶硅生产线（３３００ｔ／ａ）的“重庆万州大全新能源有限公司”，见图３。
嘲３重庆万州大全新能源有限公司
阉４江西赛维ＬＤｌ（太阳能高科技有限公司图５江阴海润光伏科技股份有限公司
图６洛阳单晶硅有限责任公司
图７北京有研硅材料股份有限公司
４．正在不断扩产建设中的国内最大，也将是网际上最大的太阳能电池用（多晶硅、单晶硅、铸硅、切片）硅片企业的“江西赛维ＬＤＫ太阳能高科技有限公司”，见图４。
５．国内生产链（硅单晶生长、定向结晶铸硅一切片一硅太阳能电池片一组件一发电装置）最长企业之一的‘‘江阴海润光伏科技股份有限公司”，见图５。
６．国内引进的第一条硅单晶生产线并多次与外资合作的“洛阳单晶硅有限责任公司”，见图６。
７．我国承担集成电路用８英寸、１２英寸硅单晶抛光
片科技攻关的“北京有研硅材料股份有限公司”，见图７。
万方数据
圈８宁波赢立电子股份有限公司图９天津环欧半导体材料技术有限公司图１０西安理工晶体科技有限公司
圈１１北京京运通真空设备厂
图１２倍怠产业电子第十一设计研究院有限公司
８．我国承担集成电路用８英寸、１２英寸硅外延片科技攻关的“宁波立立电子股份有限公司”，见图８。
９．我国最大且居世界第三位的区熔硅单晶生产企业“天津环欧半导体材料技术有限公司”见图９。
１０．我国第一家也是承担国家科技攻关的硅单晶等晶体生长设备制造企业“西安理工晶体科技有限公司”，见图ｌＯ。
１１．国内最大的硅晶体（直拉单晶炉、区熔单晶炉、定向结晶铸硅炉、还原炉）生长设备制造企业“北京京运通真空设备厂”见图１ｌ。
１２．国内最大的综合性（从多晶硅一单晶硅（片）一硅太阳能电池—４５ｎｍ的１２英寸集成电路）生产链全程设计单位“信
息产业电子第十一设计研究院有限公司”，见图１２。
＿·曩万方数据
中国半导体硅(多晶、单晶)材料发展60年
作者：朱黎辉
作者单位：中国电子材料行业协会半导体材料分会
刊名：
新材料产业
英文刊名：ADVANCED MATERIALS INDUSTRY
年，卷(期)：2009(12)
1.刘松林陕西半导体硅产业发展思考[期刊论文]-新西部（下半月）2010(9)
2.马春.Ma Chun世界半导体硅材料发展现状[期刊论文]-上海有色金属2005,26(3)本文链接：/Periodical_xclcy200912007.aspx。