如何选用合适的三极管
常见三极管型号选型参考
常见三极管型号选型参考简介，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是⼀种控制电流的半导体器件。
其作⽤是把微弱信号放⼤成幅度值较⼤的电信号，也⽤作⽆触点开关。
三极管是半导体基本元器件之⼀，具有电流放⼤作⽤，是电⼦电路的核⼼元件。
三极管是在⼀块半导体基⽚上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列⽅式有PNP和NPN两种。
常见三极管的型号9011: 除是⾳频低噪⾳管外.还是长尾可变放⼤倍数的第⼀中放专⽤管. 长尾--即使电流⼀直延伸到接近0. 仍不会截⽌.可变放⼤倍数--电流变⼩.放⼤倍数不断变⼩.好象⼏乎是⽇常常⽤管中唯⼀⼀只第⼀中放专⽤管9012: PNP9013: NPN, Ic = 500mA, 中功率, 低频, 能推动普通⾳频输出的中功率放⼤9014: NPN, Ic = 100mA, MHz, ⼩功率, 低频, 低噪放⼤9015: PNP9018: NPN, Ic = 50mA, fT = ~ 620 ~ 1100 MHz, ⼩功率, ⾼频, ⼩电流低噪⾳8050: NPN, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管, ⼩功率放⼤电路中配对管, ⼩电⼦产品, ⾼频电路和电话中常见8550: PNP, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管2N3904: NPN,2N3906: PNP, Ic = 200mA, ⼩功率管, 速度⽐较快, 延时特别少, 最⼤通过的电流是在200mA, It is a 200 mA, 40 V, 625 mW transistor with a transition frequency of 300 MHz,[4] with a minimal beta, or current gain, of 100 at a collector current of 10 mA. It is used in a variety of analog amplification and switching applications. The 2N3904 is used very frequently in hobby electronics projects, including home-made ham radios, code-practice oscillators and as an interfacing device for microcontrollers.2N2222: NPN, Ic = 500mA, 可与2N2907/2N2907A PNP管做互补对称管使⽤, common NPN bipolar junction transistor (BJT) used for general purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low to medium current, low power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds. It was originally made in the TO-18 metal can as shown in the picture2N2907: PNP,2N5551: NPN, Ic = 600mA, VCEO=160V, ⾼反压三极管, 主要⽤途是1)做⾼压开关管, 2)做中功率功放, 3)做视频放⼤器2N5401: PNPBC184: NPN, VCEO=30V, Ic = 500mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC550: NPN, VCEO=45V, Ic = 100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC560: PNP, VCEO=-45V, Ic = -100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤MMBTA63, LMBTA63, SMBTA63: PNP, Darlington, Ic = -500mA, VCEO=-30V, hFE=5k~10kMPSA64, MMBTA64, LMBTA64, SMBTA64: PNP, Darlington, VCEO=-30V, Ic = -100mA, hFE=10k~20k,MPSA14, KSP14: NPN, Darlington, Ic在0.1~100mA之间hFE为1万⾄4万, 80mA处达到最⼤.hFE随温度上升明显升⾼, 低噪⾳微⼩信号放⼤KSP13: NPN, Darlington, Ic = 500mA, VCEO=30V, hFE=5k~10kMPSA18: NPN, ICBO=<15nA, 低噪⾳微⼩信号放⼤MPSA92: PNP, VCEO=-300V, Ic = -30mA, ⾼压⼩信号, 功放MPSA42: NPN, VCEO=300V, Ic = 30mA, ⾼压⼩信号, 功放与MPSA92组成对管FMMT734: PNP, Darlington, Ic = -800mA, VCEO=-100V, hFE=20k~60k, ⾼负压⾼电流⼤放⼤倍数达林顿管, 室温下Ic在1~100mA间能保持7.5万的hFE. hFE随温度上升明显升⾼FMMT634: NPN, DarlingtonMPSA系列⼩信号三极管主要参数选⽤三极管需要了解三极管的主要参数,三极管的四个极限参数：Icm, BVCEO, Pcm及fT是最基本的，另外，还要了解三极管的特征频率、噪⾳和输出功率。
三极管型号及参数选用大全
NPN与PNP三极管的区别电子知识2008-08-29 16:06 阅读25 评论0字号：大中小小NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN 是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC > VB > VEPNP 是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC < VB < VE总之VB 一般都是在中间，VC 和VE 在两边，这跟通常的BJT 符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。
而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位流向高电位的情况。
如今流行的电路图画法，通常习惯“男上女下”，哦不对，“阳上阴下”，也就是“正电源在上负电源在下”。
那NPN电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板（直接或间接）。
PNP电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间接）。
这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。
一般的电路中，有了NPN的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到PNP 的版本。
无论何时，只要满足上面的6个“极性”关系（4个电流方向和2个电压不等式），BJT电路就可能正常工作。
当然，要保证正常工作，还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件，即所谓“工作点”条件。
对于NPN电路：对于共射组态，可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点，通过控制VB来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC（从电位更高的地方流进C极，你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗）。
对于共基组态，可以理解为把VB当作固定参考点，通过控制VE来控制VBE（VBE=VB-VE），从而控制IB，并进一步控制IC。
电子镇流器元件选用技巧(电感、磁环、滤波电解、三极管、电阻)
0.11mm&TImes;6 股 60W80W:￠0.11mm&TImes;10 股 80W110W:￠0.2mm&TImes;10 股 也可以考虑导入阴极电流的 4.5 倍为平 方 1mm=1A 2、磁环 磁环又叫脉冲变压器,我以 2.5K 为主:7W 以下的灯用￠8*5*3mm、 3:13:3.720W 的灯用￠10*6*3mm、3:7:3.2030W 的灯用￠10*6*5mm 3:5:3 ， 3080W 的灯用￠10*6*5mm、3:3:3.80110W 的灯用￠12*7*5mm、2:2:2 3、 滤波电解 7W 以下的灯用 1.5~1.8uF,711 瓦的灯用 1.8~2.7uF,1115 瓦的灯用 3.3uF,1520 瓦的灯用 6.8uF,2030 瓦的灯用 10uF ,3045 瓦的灯用 15uF,4560 瓦 的灯用 22uF,6080 瓦的灯用 33 UF 80100 瓦的灯用 47uF,100110 瓦的灯用 68uF
耐压在 400V~450V,电解在镇流器中,寿命相对较短,定要注意选择容量,漏
电流,高温度寿命.
4、三极管
10W 以下:1300120W 以下:13002,30 以下:13003,55W 以下:13005,85W 以下
13007,110W 以下:13009
考虑到它的放大倍数,开关时间,做好配对,三极管 13001 0.82~0.92 13002
电子镇流器元件选用技巧（电感、磁环、滤波电解、
三极管、电阻）
1. 电感 1.1 磁芯 EE10:10W 以下 EE13:13W 以下 EE16:18W 以下 EE19:24W 以下 EE19 加厚,EE20:30W 以下 EE25,EI25:45W 以下 EE25 加厚 EI28: 80 W 以下 EI33:110 W 以下 大于 55W 建议用 2 个电感 功率可做 3W~~~~125W 1.2 间隙,EE10 EE13 开 0.6 其它可以都开在 1.0 ，注意一点,间隙最大不可 以超过中间长度的 1/3,一般小功率 10W~20 W 0.4 30w~40w 0.6 60w~80w 0.8 100w~110w 1.0 1.3 线径 7W￠:0.11 713W: ￠0.13, 1320W:￠0.2, 2030W:￠0.25, 3060W:￠
三极管的判断方法
三极管的判断方法一，三极管类型1. 先判定基极b(一般中间的就是)：先假定一个管脚是b，把红表笔接这个b，用黑表笔分别接触另两个管脚，测得或者都是高阻值时，说明假定正确。
2.因为红表笔实际是表电源的负极，所以当测得都是低阻值时，b是N型材料，两端是P型材料，就是PNP型。
3.所以当测得都是高阻值时，b是P型材料，两端是N型材料，就是NPN型。
4.我们一般可以容易找到基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO 的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c 极，红表笔接假设的e极，万用表打到*1K档测量两极间的电阻Rce；之后将假设的c ,e极对调再测一次。
虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。
4.直流放大倍数的hFE的测量：先转动开关至晶体管调节Adj位置上，将红黑测试笔短接，调节欧姆调零电位器，使指针对准300hFE刻度线上，然后转动开关到hFE位置，将要测的晶体管脚分别插入晶体管测试座的ebc管座内，指针偏转所示数值约为晶体管的直流放大倍数ß值。
N型插入N型插座，P型插入P型插座。
5.（2）发射极e和集电极c的判断利用万用表测量β（HFE）值的档位，判断发射极e和集电极c。
将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中，把其于管脚分别插入c、e孔观察数据，再将c、e孔中的管脚对调再看数据，数值大的说明管脚插对了。
模拟电路-三极管
转移特性
转移特性描述的是基极电流与集电极 电流之间的关系。在一定基极电流下， 集电极电流随着基极电流的增大而增 大，表现出一定的线性关系。
放大系数：描述三极管放大能力的一 个参数，表示集电极电流变化量与基 极电流变化量之比。
频率特性
频率响应
描述三极管在不同频率信号下的响应能力。三极管的频率响 应受其内部结构影响，存在一个截止频率和最大可用频率。
继电器的吸合和断开，实现电气设备的自动控制。
振荡器
总结词
三极管作为振荡器中的核心元件，能够产生 高频振荡信号，常用于无线通信、电子测量 等领域。
详细描述
三极管作为振荡器中的核心元件，其工作原 理是利用三极管的放大和正反馈作用，形成 一个自激振荡回路，从而产生高频振荡信号 。在无线通信中，三极管可以产生高频载波 信号，用于调制和解调无线电波。在电子测 量领域，三极管可以产生高频脉冲信号，用
于测量电子元件的响应特性和频率特性。
04
三极管的特性
输入与输出特性
输入特性
描述三极管输入端电压与电流的关系。随着输入电压的增加，基极电流逐渐增大 ，表现出非线性特性。
输出特性
描述三极管输出端电压与电流的关系。根据三极管类型（NPN或PNP），输出特性 曲线分为三个区域，分别是截止区、放大区和饱和区。
详细描述
随着温度的升高，三极管的放大倍数可能会减小，导致其性能不稳定。为了解决这一问题，可以采取散热措施， 如安装散热片或风扇，以降低三极管的温度。此外，选用具有高热稳定性的三极管型号也是解决方案之一。
噪声问题
总结词
噪声问题是指三极管在工作过程中产生 的噪声干扰，可能影响信号的传输质量 。
VS
详细描述
根据电路需求选择合适的三极管型号，如 直流参数、交流参数、功率参数等。
2 三极管及放大电路基础
特性曲线如图所示。
基极不加偏置电阻时工作波形
2.2.2 静态工作点和放大原理
二、共射放大电路的工作原理 在放大电路中，输入信
号u i 经过 C1耦合加至三极管 b、e极后，各极电压、电流 大小均在直流量的基础上， 叠加了一个随 u i 变化而变化 的交流量，这时电路处于交 流状态或动态工作状态，简 称为 三极管的结构与符号
二、三极管的结构与符号
按两个PN结组合方式不同，三极管可分为PNP型、NPN型两类。如果边 三极管有三个电极，分别从三极管 内部引出，三极管的核心是两个互相联 是N区，中间夹着P区，就称为NPN型三极管；反之，则称为PNP型三管。如 系的PN结，它是根据不同的掺杂工艺在 图所示。
CE
C
IC iC I B
iB
U CE 常量
U CE 常量
2.1.4 三极管的使用常识
一、三极管器件手册查阅
2.常用三极管主要参数查阅 2）极间反向电流 I CEO 和 I CBO （1）集-基反向饱和电流 I CBO 电流。 （2）集-射反向饱和电流 I CEO 的穿透电流。
I CEO 是基极开路时集电极和发射极之间 I CBO 是发射极开路时集电极的反向饱和
Ap是指放大电路输出电压有效值和输入电压有效
Ap
2.2.4 放大电路的分析方法
一、主要性能指标
2. 输入电阻 Ri 输入电阻 R 是从放大电路输入端
i
看进去的等效电阻，如图所示。对信 号源来说，就是负载。放大电路从信 号源索取电流的大小反映了放大电路 对信号源的影响程度，R 定义为输入
i
电压有效值和输入电流有效值之比，
一、三极管器件手册查阅
1.三极管型号命名
三极管的主要参数和选用
三极管的主要参数和选用余姚市职成教中心学校陈雅萍在使用三极管前，应从有关器件手册或网上查找到三极管的型号、主要用途、主要参数和器件的外形尺寸与引脚排列等，这些资料是正确使用三极管的重要依据。
“3” 表示三极管PNP 型锗材料NPN 型锗材料PNP 型硅材料NPN 型硅材料X——低频小功率管G——高频小功率管D——低频大功率管A——高频大功率管示例：3AG54A 表示锗材料PNP 型高频小功率管。
——国产三极管三极管的型号美国和日本的常以“2N”或“2S”开头。
如2N1307、2SD880等。
N ——表示是美国电子工业协会注册产品S ——表示是日本电子工业协会注册产品示例：2SD880表示硅材料NPN 型低频中功率管。
查阅手册韩国生产的通常是90系列的。
如9013、9011等。
——国外型号三极管三极管的型号三极管的主要参数h FE ：直流电流放大系数。
I CM ：集电极最大允许电流。
P CM ：集电极最大允许耗散功率。
也称β。
是三极管的电流放大倍数。
三极管的集电极工作电流不能超过此值。
是三极管的最大允许平均功率。
超过此值，三极管会过热而损坏三极管的选用1.三极管的使用频率明确高频还是低频。
一般要求三极管的频率>3倍电路工作频率2.三极管工作的安全性三极管的主要参数和选用1.三极管的型号如3AG54A、2SD880、9013等2.三极管的主要参数I CM、P CM、h FE使用频率、工作的安全性。
三极管的原理
三极管的原理、应用、检测一、三极管半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。
其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
二、晶体三极管的类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三、三极管的材料三极管的材料有锗材料和硅材料。
它们之间最大的差异就是起始电压不一样。
锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。
在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。
但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。
四、三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律。
对于小功率金属封装三极管，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为ebc。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
五、晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
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当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?当你在修理中需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?本文可以替你当一个参谋。
一、三极管的类型及材料
初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。
常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。
由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。
三极管的材料有锗材料和硅材料。
它们之间最大的差异就是起始电压不一样。
锗管PN 结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。
在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。
但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。
二、三极管的主要参数
选用三极管需要了解三极管的主要参数。
若手中有一本晶体管特性手册最好。
三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：ICM、BVCEO、PCM及fT 即可满足95%以上的使用需要。
1. ICM是集电极最大允许电流。
三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。
为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。
所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。
2. BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。
如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。
三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。
3. PCM是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。
若耗散功率过大，三极管将烧坏。
在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作，将会损坏三极管。
需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。
使用中一定要注意这一点。
4. 特征频率fT。
随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。
三、一般小功率三极管的选用
小功率三极管在电子电路中的应用最多。
主要用作小信号的放大、控制或振荡器。
选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。
如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右；电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右；UHF频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。
工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。
所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。
由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。
小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。
当三极管的负载是感性负载时，如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重，感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2～8倍(如节能灯中的升压三极管)。
一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V，所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。
一般小功率三极管的ICM在30～50mA之间，对于小信号电路一般可以不予考虑。
但对
于驱动继电器及推动大功率音箱的管子要认真计算一下。
当然首先要了解继电器的吸合电流是多少毫安，以此来确定三极管的ICM。
当我们估算了电路中三极管的工作电流(即集电极电流)，又知道了三极管集电极到发射极之间的电压后，就可根据P=U×I来计算三极管的集电极最大允许耗散功率PCM。
国产及国外生产的小功率三极管的型号极多，它们的参数有一部分是相同的，有一部分是不同的。
只要你根据以上分析的使用条件，本着“大能代小”的原则(即BVCEO高的三极管可以代替BVCEO低的三极管；ICM大的三极管可以代替ICM小的三极管等），就可对三极管应用自如了。
四、大功率三极管的选用
对于大功率三极管，只要不是高频发射电路，我们都不必考虑三极管的特征频率fT。
对于三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这个极限参数的考虑与小功率三极管是一样的。
对于集电极最大允许电流ICM的选择主要也是根据三极管所带的负载情况而计算的。
三极管的集电极最大允许耗散功率PCM是大功率三极管重点考虑的问题，需要注意的是大功率三极管必须有良好的散热器。
即使是一只四五十瓦的大功率三极管，在没有散热器时，也只能经受两三瓦的功率耗散。
大功率三极管的选择还应留有充分的余量。
另外在选择大功率三极管时还要考虑它的安装条件，以决定选择塑封管还是金属封装的管子。
如果你拿到一只三极管又无法查到它的参数，可以根据它的外形来推测一下它的参数。
目前小功率三极管最多见的是TO-92封装的塑封管，也有部分是金属壳封装。
它们的PCM一般在100～500mW之间，最大的不超过1W。
它们的ICM一般在50～500mA之间，最大的不超过1.5A。
而其它参数是不好判断的。
在修理电子设备中还会遇到形形色色的半导体元器件，它们的替换还需查阅有关手册。