电力电子课后作业讲解
电力电子课后习题作业讲解(DOC)
第二章 电力电子器件4. 图1-1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
002π2π2ππππ4π4π25π4a)b)c)图1-430图1-1 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πmI (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22mI π2143+≈0.6741I m c) I d3=π21⎰20)(πωt d I m =41I m I 3 =⎰202)(21πωπt d I m =21I m 5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算结果知a) I m1≈4767.0I≈329.35A ，I d1≈0.2717 I m1≈89.48A b) I m2≈6741.0I≈232.90A,I d2≈0.5434 I m2≈126.56A c) I m3=2 I = 314A, I d3=41I m3=78.5A6. GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成两个晶体管V 1、V 2,分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶闸管的分析可得，1α+2α=1是器件临界导通的条件。
电力电子技术第二版张兴课后习题问题详解
一、简答题2.1 晶闸管串入如图所示的电路，试分析开关闭合和关断时电压表的读数。
题2.1图在晶闸管有触发脉冲的情况下，S开关闭合，电压表读数接近输入直流电压；当S开关断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管有出发脉冲，但是流过晶闸管电流低于擎住电流，晶闸管关断，电压表读数近似为0（管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值）。
2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何不同。
电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率；通常工作在开关状态；需要专门的驱动电路来控制；需要缓冲和保护电路。
2.3 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。
电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断；电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通，通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。
2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时，会出现电压过冲，请解释原因。
导致电压过冲的原因有两个：阻性机制和感性机制。
阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。
电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降，管压降随之降低，因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降，最后稳定在U F。
感性机制是指电流随时间上升在器件内部电感上产生压降，d i/d t 越大，峰值电压U FP 越高。
2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。
若流过 PN 结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂 N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过 PN 结的电流较大时，注入并积累在低掺杂 N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。
2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。
从减小反向过冲电压的角度出发，应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管？肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短，通流能力比普通二极管小。
电力电子技术题解实例与习题
第一章绪论1.1题解实例一、填空题：1、电力电子技术是一门交叉学科，其内容涉及、和三大学科。
答：电气工程、电子科学与技术、控制理论2、电力电子技术是依靠电力电子器件组成各种电力变换电路，实现电能的高效率转换与控制的一门学科，它包括、和三个组成局部。
答：电力电子器件、电力电子电路、控制技术3、电力电子电路的根本任务是实现电能变换和控制。
电能变换的根本形式有：变换、变换、变换、变换四种。
答：AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC4、硅晶闸管派生器件双向晶闸管常用于交流和电路中。
答：调压、调功5、光控晶闸管是通过光信号控制晶闸管导通的器件，它具有很强的、良好的和较高的瞬时承受能力，因而被应用于高压直流输电、静止无功功率补偿等领域。
答：光信号、抗干扰能力、高压绝缘性能、过电压6、第二代电力电子器件以具有自关断能力的全控型器件、和为代表。
答：GTR、MOSFET、IGBT7、IGBT器件是一种复合器件。
它兼有和的开关速度快、平安工作区宽、驱动功率小、耐高压、载流能力大等优点。
答：功率MOSFET、双极型器件8、直流电动机变速传动控制是利用或获得可变的直流电源，对直流电动机电枢或励磁绕组供电，实现直流电动机的变速传动控制。
答：整流器、斩波器9、交流电动机变速传动控制那么是利用或对交流电动机供电，通过改变的供电电源的频率和电压等来到达交流电动机的变速传动。
答：逆变器、交－交直接变频器10、太阳能电池板获得的原始直流电压是与太阳光强度等因素有关的，它需要通过一个变换器来稳定直流电压，再通过变换器变为所要求的交流电供负载使用或将电能馈入市电。
答：DC－DC、DC－AC二、问答题：1、什么是电力电子技术？它有几个组成局部？答：电力电子技术是依靠电力电子器件组成各种电力变换电路，实现电能的高效率转换与控制的一门学科，它包括电力电子器件、电力电子电路〔变流电路〕和控制技术三个组成局部。
2、电能变换电路有哪几种形式？各自的功能是什么？答：电能变换电路有四种形式：AC/DC变换电路、DC/AC变换电路、DC/DC 变换电路、AC/AC变换电路。
电力电子课后习题答案 5
第五章 直流—直流交流电路1．简述图5-1a 所示的降压斩波电路工作原理.答:降压斩波器的原理是:在一个控制周期中，让V 导通一段时间t on ,由电源E 向L 、R 、M 供电，在此期间,u o ＝E 。
然后使V 关断一段时间t off ，此时电感L 通过二极管VD 向R 和M 供电，u o ＝0.一个周期内的平均电压U o ＝E t t t ⨯+offon on。
输出电压小于电源电压，起到降压的作用。
2．在图5-1a 所示的降压斩波电路中,已知E =200V ，R =10Ω，L 值极大，E M =30V ,T =50μs ,t on =20μs ,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值I o 。
解：由于L 值极大，故负载电流连续，于是输出电压平均值为U o =E T t on =5020020⨯=80（V)输出电流平均值为I o =R E U M o -=103080-=5（A)3．在图5-1a 所示的降压斩波电路中，E =100V ， L =1mH,R =0。
5Ω，E M =10V ，采用脉宽调制控制方式,T =20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值I o ，计算输出电流的最大和最小值瞬时值并判断负载电流是否连续。
当t on =3μs 时，重新进行上述计算。
解：由题目已知条件可得：m =E E M =10010=0。
1τ=RL =5.0001.0=0.002 当t on =5μs 时，有ρ=τT =0。
01αρ=τont =0。
0025由于11--ραρe e =1101.00025.0--e e =0.249>m 所以输出电流连续。
此时输出平均电压为U o =E T t on =205100⨯=25（V) 输出平均电流为I o =R E U M o -=5.01025-=30（A) 输出电流的最大和最小值瞬时值分别为I max =R E m e e ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-----ραρ11=5.01001.01101.00025.0⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛-----e e =30.19（A ）I min =R E m e e ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛---11ραρ=5.01001.01101.00025.0⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛---e e =29。
电力电子技术课后习题全部答案
a) Im1 A, Id1 0.2717Im1 89.48A
b) Im2 Id2
c)Im3=2I=314Id3=
2-6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?
答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 和 ，由普通晶阐管的分析可得， 是器件临界导通的条件。 两个等效晶体管过饱和而导通； 不能维持饱和导通而关断。
整流二极管在一周内承受的电压波形如下：
3-5．单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，反电势E=60V，当=30时，要求：作出ud、id和i2的波形；
1求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次侧电流有效值I2；
2考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：①ud、id和i2的波形如下图：
故晶闸管的额定电压为：UN＝(2~3)×141.4＝283~424（V）
晶闸管的额定电流为：IN＝(1.5~2)×6.36∕1.57＝6~8（A）
晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
3-6.晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管），电路如图2-11所示，U2=100V，电阻电感负载，R=2Ω，L值很大，当=60时求流过器件电流的有效值，并作出ud、id、iVT、iD的波形。
GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO在设计时 较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断；2)GTO导通时 的更接近于l，普通晶闸管 ，而GTO则为 ，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
电力电子技术第五版课后习题及答案
电力电子技术第五版课后习题及答案第二章电力电子器件2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Imπ4π4π25π4a)b)c)图1-43图2-27晶闸管导电波形解：a)I d1=π21ππωω4)(sin t td I m=π2m I(122+)≈0.2717I m I1=ππωωπ42)()sin(21t d t I m=2m Iπ2143+≈0.4767I m b)I d2=π1ππωω4)(sin t td I m=πm I(122+)≈0.5434I m I 2=ππωωπ42)()sin(1t d t I m=22m Iπ2143+≈0.6741I m c)I d3=π2120)(πωt d I m=4 1I m I3=202)(21πωπt d I m=21I m2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I =157A，由上题计算结果知a)I m1≈4767.0I≈329.35，I d1≈0.2717I m1≈89.482/16b)I m2≈6741.0I≈232.90,I d2≈0.5434I m2≈126.56c)I m3=2I=314,I d3=41I m3=78.52-6GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益a1和a2，由普通晶阐管的分析可得,a1+a2=1是器件临界导通的条件。
电力电子课后习题详解
1-9 图 1-49 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大 值均为 Im，试计算各波形的电流平均值 Id、电流有效值 I。
0
2 0
5
2 0
2
4
4
晶1闸-43管导电波形
答案：
a)
Ud＝－290.3（V） Id＝109.7（A）
γ＝8.90 P=31.85(W)
第 4 章 直流—直流（DC-DC）变换
4-2 在图 4-1（a）所示的降压斩波电路中，已知 E=200V，R=10Ω，L 值极大， Em=30V，T=50μs，ton=20μs，计算输出电压的平均值 Uo、输出电流平均值 Io。 答案：
Uo=80(V) Io=5(A)
4-4 在图 4-4（a）所示的升压斩波电路中，已知 E=50V，R=20Ω，L 值和 C 值极 大，T=40μs，ton=25μs，计算输出电压的平均值 Uo、输出电流平均值 Io。 答案：
Uo=133.3(V) Io=6.667(A)
4-6 分析图 4-10（a）所示的电流可逆斩波电路，并结合图 4-10（b）所示的波 形，绘制各阶段电流流通的路径并标明电流方向。
Id1 0.2717Im
I1 0.4767Im
b)
Id2 0.5434Im
I2 0.6741Im
c)
Id3=
1 4
Im
I3=
1 2
Im
1-10 一个 100A 的晶闸管，分别流过图 1-49（a）~（c）所示的波形的电流，若
不考虑安全裕量，各波形所允许的电流平均值是多少？相应的电流最大值 Im 是 多少？ 答案：
电力电子技术第五版课后习题及答案
电力电子技术第五版课后习题及答案第二章电力电子器件2-1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。
低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im π4π4π25π4a)b)c)图1-43图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c) I d3=π21⎰20)(πωt d I m =41 I m I 3 =⎰202)(21πωπt d I m =21 I m 2-5 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少?解：额定电流I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值I =157A ，由上题计算结果知a) I m1≈4767.0I ≈329.35，I d1≈0.2717 I m1≈89.482 / 16 b) I m2≈6741.0I ≈232.90,I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314,I d3=41I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益a1和a2，由普通晶阐管的分析可得,a1+a2=1是器件临界导通的条件。
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填空题电力电子技术包括电力电子器件、电力电子电路和控制技术 3个部分。
现代电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件三类。
电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三种。
晶闸管的外形大致有塑封形、平板型和螺栓形三种。
晶闸管额定电流与有效值电流的关系 IT=1.57IT(AV)。
双向晶闸管的门极控制方式有两种：移向触发和过零触发。
2.判断题（×）1）普通晶闸管内部有两个PN结。
（×）2）普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。
（√）3）型号为KP50-7的半导体器件，是一额定电流为50A的普通晶闸管。
（×）4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（×）5）只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。
（×）6）晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管就会导通。
（×）7）加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。
3.选择题1）在型号KP100-10G中，数字10表示（ C ）。
A、额定电压为10VB、额定电流为10AC、额定电压为1000VD、额定电流为100A2)晶闸管内部有（ C ）PN结。
A、1个B、2个C、3个D、4个3）晶闸管的3个引出电极分别是（ B ）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极4）普通晶闸管的额定通态电流是用（ A ）表示。
A、流过晶闸管的平均电流B、直流输出平均电流C、整流输出电流有效值D、交流有效值5）当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ B ）A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定6）处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作（ C ）处理才能使其开通。
A、并联一电容B、串联一电感C、加正向触发电压D、加反向触发电压7）在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ）A、阳极电流B、门极电流C、阳极电流与门极电流之差D、阳极电流与门极电流之和填空题典型的全控型器件主要有门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管和绝缘栅双型晶体管四种。
某半导体器件的型号为KP50-7，其中KP表示该器件的名称为反向阻断晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压700V。
GTO的门极控制增益β的表示方法：β=IATO|1-IGM|。
电力MOSFET的基本特性有转移特性、开关特性和输出特性三种。
2.选择题1）功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ B ）。
A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截至2）电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（ A ）控制器件。
A、电压B、电流C、电阻D、功率3）在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（ D ）状态。
A、放大B、截止C、饱和D、开关4）电力晶体管在使用时，要防止（ A ）。
A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（ D ）条件下工作。
A、直流B、低频C、中频D、高频6）电力场效应晶体管（电力MOSFET）（ B ）现象。
A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿7）用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时,若其正、反向电阻都很小，说明两极之间（ B ）。
A、开路B、短路C、接线错误D、测量方法错误8）具有自关断能力的电力半导体器件称为（ A ）。
A、全控型器件B、半控器件C、不控型器件D、触发型器件9）IGBT的3个引出电极分别是（ D ）.A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极栅极C、栅极、源极漏极D、发射极、栅极、集电极1填空题1）驱动电路的基本任务是就是将信息按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，并使其导通或关断的2）电力电子器件的驱动电路分为电流驱动型和电压驱动型。
3）在驱动电路中采用的隔离环节一般是光隔离和磁隔离。
4）磁隔离的器件通常是脉冲变压器，当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用高频调制和解调的方法。
2.选择题1）对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（ A ）。
A、导通B、寿命C、关断D、饱和2）驱动电路是电力电子器件主电路与（ C ）电路之间的接口。
A、缓冲电路B、保护电路C、控制电路D、滤波电路3）功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（ C ）。
A、变流驱动B、变压驱动C、比例驱动D、补偿驱动填空题电力电子器件的保护分为过压保护和过流保护两类。
过电压主要表现为开关的开闭引起的冲击电压和雷击或其它的外来冲击电压两种类型。
电力电子器件的缓冲电路有耗能型和馈能式两类。
耗能式缓冲电路有关断缓冲电路、导通缓冲电路和复合缓冲电路三种。
在晶体管的并联使用中要采取的均流措施是串联电阻法和串联电感法两种。
为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是一个较大的负电流。
抑制过电压的方法之一是用阻容元件吸收可能产生过电压的能量，并使电阻将其消耗。
判断题（√）1）在电力电子器件电极上设置缓冲电路的目的是为了提高电路的可靠性。
（×）2）晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）3）为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。
（×）4）雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
（×）5）硒堆发生过电压击穿后就不能在使用了。
（×）6）为防止过电流，只需在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。
（√）7）快速熔断器必须与其他过流保护措施同时使用。
选择题1）晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（ C ）。
A、分流B、降压C、过压保护D、过流保护2）压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（ C ）。
A、分流B、降压C、过压保护D、过流保护3）变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（ B ）损坏晶闸管。
A、关断过电压B、交流侧操作过电压C、不变4）晶闸管变流装置的功率因数比较（ B ）。
A、高B、低C、好5）晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，交流器输出电流是（ B ）的。
A、连续B、断续C、不变6）可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( D )。
A、功率晶体管（GTR） B 、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管1.填空题单结晶体管又称为双极二极管，利用它伏安特性的负阻特性和电容充放电，可做成张弛振荡器。
单结晶体管的内部一共有1个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是发射极、第一基极和第二基极。
单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时就会导通，低于谷点电压时就截止。
判断题（×）1）在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。
（×）2）单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。
（√）３）单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
（√）４）单结晶体管组成的触发电路不能很好的满足电感性或反电动势负载的要求。
填空题晶体管触发电路的同步电压一般有锯齿波同步电压和正弦波电压。
正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。
判断题（√）１）采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性差。
（×）２）正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。
（√）３）晶闸管触发电路与主电路的同步，主要通过同步变压器的不同接线方式来实现的。
选择题锯齿波为同步信号的触发电路中，若控制电压保持不变，同步信号的周期也不变，则改变同步电压的（ D ），即能实现移相。
Ａ、幅值Ｂ、后沿Ｃ、斜率Ｄ、前沿用集成触发电路KC04触发三相全控桥，若KC04的引脚1接至V13的门极，则引脚15接至（ D ）。
Ａ、Ｖ12 Ｂ、Ｖ15 Ｃ、Ｖ14 Ｄ、Ｖ16为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过（ B ）。
Ａ、安全区Ｂ、不触发区Ｃ、可靠触发区Ｄ、可触发区三相桥式全控整流电路的同步相控触发电路，有两种控制方式是（ B ）。
Ａ、垂直控制和横向控制Ｂ、180。
控制和120。
控制Ｃ、时间比控制和瞬时值控制Ｄ、单极性控制和双极性控制填空题单项半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时，控制角的移相范围为0 ~π。
按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
当晶闸管可控整流的负载为大电感时负载时，负载两端的直流电压平均值会很小，解决的办法就是在负载的两端并联接一个续流二极管。
把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为控制角。
判断题（×）１）单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。
（√）２）对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星形可控整流装置。
（×）３）增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。
（×）４）在可控整流电路中电阻性负载对输出电流波形几乎一样。
选择题晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（ B ）．Ａ、不变Ｂ、增大Ｃ、减小单相半波可控整流电路输出最大直流电压的平均值等于整流前交流电压的（ C ）倍。
Ａ、１Ｂ、０.５Ｃ、０.４５Ｄ、０.９单相桥式可控整流电路输出最大直流电压的平均值等于整流前交流电压的（ D ）倍。
Ａ、１Ｂ、0.5 Ｃ、０.45 Ｄ、０．９为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（ B ）。
Ａ、晶闸管Ｂ、续流二极管Ｃ、熔丝填空题单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ的变化范围是π-α。
工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不续流、呈脉冲状、电流的平均值小。
要求管子的额定电流值要大些。
在反电动势负载时，只有整流电压的瞬间值大于负载的电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
触发脉冲可采取宽脉冲触发与双脉冲触发两种方法，目前采用较多的是双窄脉冲触发方法。
判断题（×）１）在可控整流电路中电阻性负载与电感性负载的输出电流波形几乎一样。
（√）2）在电感性负载中续流二极管的作用是为电感释能提供通路。
（×）3）在单相半控桥式整流电路中引起失控现象的原因是整流输出端没有带续流二极管。
（√）4）在半控桥整流电路中，大电感负载不加续流二极管，电路出故障时可能会出现失控现象。
选择题单相桥式可控整流电路输出最大直流电压的平均值等于整流前交流电压的（ D )倍。
A、1B、0.5C、0.5D、0.9为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（ B ）。