真茂佳MOS管选型表 - 副本
常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNPDISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNPDISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNPDISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPDISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNPDISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多，以下是一些常见的型号和参数封装资料：1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管，栅极电压为20V，漏极电流为110A，最大功耗为200W，电阻为8mΩ。
2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为55V，漏极电流为74A，最大功耗为200W，电阻为0.02Ω。
3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为33A，最大功耗为150W，电阻为0.077Ω。
4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为9.2A，最大功耗为75W，电阻为0.27Ω。
5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为40V，漏极电流为195A，最大功耗为200W，电阻为1.4mΩ。
6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为28A，最大功耗为150W，电阻为0.05Ω。
这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数，即栅极电压（Vgs），漏极电流（Id），以及最大功耗（Pd）或电阻（Rds(on)）。
栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压，超过这个电压可能会损坏器件。
漏极电流指的是从漏极流出的最大电流，超过这个电流可能会损坏器件。
最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。
此外，还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管，例如电流增益（hfe）和恢复时间（tr、tf）。
电流增益是指当栅极电压变化时，漏极电流的变化率。
恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。
这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。
每种封装都有其自身的特点和适用范围，需要根据具体的应用来选择合适的封装。
MOS管型号对照表
封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)直插N型IRF370321030 2.3直插N型IRL3803140306直插N型IRF140513155 5.3直插N型IRF3205110558贴片TO-252N型FDD668884305直插N型BUZ111S80558直插N型5N0575509.5直插N型IRF280475402直插N型60N06606014铁壳非直插N型IRF1504010055直插N型50N03L282521贴片N型SI43362230 4.2贴片N型IRF78312130 3.6贴片N型IRF783220304直插N型BTS12019100100贴片N型IRF78221830贴片N型IRF78361730 5.7贴片N型IRF81131730 5.6贴片N型SI440417308贴片N型FDS668816306贴片N型IRF7805Z1630 6.8贴片N型IRF783116304贴片N型IRF747714308.5贴片N型IRF872114308.5贴片N型IRF78051330贴片N型IRF7805Q133011贴片N型IRF7413123018贴片N型TPC800312306贴片N型IRF7477113020贴片N型IRF7811113012直插N型BTS11010100200贴片N型IRF7466103015贴片N型SI4410103014贴片N型SI4420103010贴片N型A27009307.3贴片N型IRF78078.330贴片N型SI48127.33028贴片N型SI9410 6.93050贴片N型IRF731363029直插N型6N60 5.5600750贴片P型SI440517307.5贴片P型STM4439A143018贴片P型FDS667913309贴片P型SI441113308贴片P型SI446312.32016贴片P型SI44071230贴片P型IRF7424113013.5贴片P型IRF7416103020贴片P型IRF7416Q103020贴片P型SI442593019贴片P型IRF74248.83022贴片P型SI443583020贴片P型SI4435DY83020贴片P型A271673011.3贴片P型IRF7406 5.83045贴片P型SI9435 5.33050贴片P型IRF7205 4.63070贴片N型TPC800330126。
MOS管选型
MOS管选型最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌替换参数的对应问题，很多时候我们只关注了电流电压满足要求，性能上的比较我们很少做比较，特从网上摘录此文，供大家参考：与系统相关的重要参数：在MO S管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：1．负载电流IL。
它直接决定于MOSF ET的输出能力；2．输入—输出电压。
它受M OSFET负载占空比能力限制；3．开关频率FS。
这个参数影响M OSFET开关瞬间的耗散功率；4． MOSF ET最大允许工作温度。
这要满足系统指定的可靠性目标。
MOSFE T设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFE T在参数方面的选择如下：1 RDSO N的值。
最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。
但是，较低电阻的MOS FET其成本将高于较高电阻器件。
2散热。
如果空间足够大，可以起到外部散热效果，就可以以较低成本获得与较低RDSON一样的效果。
也可以使用表面贴装的MOSF ET达到同样效果，详见下文第15行。
3 MOS FET组合。
如果板上空间允许，有时候，可以用两个较高RDSO N的器件并联，以获得相同的工作温度，并且成本较低。
计算MOSF ET的功率损耗及其壳温：在MOSFE T工作状态下，有三部分功率损耗：1． MOS FET在完全打开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=I Load2 × RD SON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。
2． MOSF ET在打开上升时功率损耗：PTRON= （IL oad × VDS× Tr×FS）/ 2其中：。
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCR ETEM OS FE T 2N7000 60V,0.115ATO-92 DISC RETEMOS F ET 2N700260V,0.2A S OT-23 DISC RETEMOS F ET IR F510A 100V,5.6A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A100V,14A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F540A 100V,28ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF610A 200V,3.3A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF620A 200V,5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF630A 200V,9A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF634A 250V,8.1A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F640A 200V,18ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF644A 250V,14A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF650A 200V,28A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A400V,3.3ATO-220 DIS CRETEMOSFET I RF730A 400V,5.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF750A400V,15A T O-220 DISC RETEMOS F ET IR F820A 500V,2.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRF830A 500V,4.5A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF840A500V,8A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9520-100V,-6ATO-220 DIS CRETEDISCR ETEM OS FE T IRF9610-200V,-1.8A TO-220 D ISCRE TEMO S FET IRF9620 -200V,-3.5A TO-220 DI SCRET EMOS FETIRFP150A 100V,43A TO-3PD ISCRE TEMO S FET IRFP250A200V,32A T O-3PDISCR ETEM OS FE T IRF P450A 500V,14ATO-3P DISC RETEMOS F ET IR FR024A 60V,15AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR120A 100V,8.4A D-P AK DI SCRET EMOS FETIRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF R220A 200V,4.6A D-PA K DIS CRETEMOSFET I RFR224A 250V,3.8A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFR310A400V,1.7AD-PAK DISC RETEMOS F ET IR FR9020 -50V,-9.9A D-PAK D ISCRE TEMO S FET IRFS540A100V,17A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS634A 250V,5.8A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS644A250V,7.9ATO-220F DI SCRET EMOS FETIRFS730A 400V,3.9A T O-220F DIS CRETEMOSFET I RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISC RETEMOS F ET IR FS830A 500V,3.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRF S840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRFS9Z34-60V,-12ATO-220F DI SCRET EDISCR ETEM OS FE T IRF SZ34A 60V,20A T O-220FDIS CRETEMOSFET I RFU110A 100V,4.7A I-PAKD ISCRE TEMO S FET IRFU120A100V,8.4AI-PAKDISC RETEMOS F ET IR FU220A 200V,4.6A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF U410A 500V ,1.2A I-P AKDI SCRET EMOS FETIRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRF Z20A50V,15A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z24A60V,17A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF Z30 50V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ34A 60V,30A TO-220D ISCRE TEMO S FET IRFZ40 50V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRFZ44A 60V,50A TO-220DI SCRET EMOS FETIRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F D ISCRE TEMO S FET IRLS Z14A60V,8A,Log ic TO-220F DISC RETEMOS F ET IR LZ24A 60V,17A,L ogicTO-220DIS CRETEMOSFET I RLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DI SCRET EMOS FETSFP36N03 30V,36A TO-220D ISCRE TEMO S FET SFP65N0660V,65A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9540-100V,-17A TO-220DI SCRET EMOS FETSFP9634 -250V,-5A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP9644-250V,-8.6A TO-220D ISCRE TEDISC RETEMOS F ET SF R9214 -250V,-1.53A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SFR9224-250V,-2.5A D-P AK DI SCRET EMOS FETSFR9310 -400V,-1.5AD-PAK DISC RETEMOS F ET SF S9630 -200V,-4.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF S9634 -250V,-3.4A TO-220F DISC RETEMOS F ET SF U9220 -200V,-3.1A I-PAKD ISCRE TEMO S FET SSD2002 25V N/P Dua l 8SO P DIS CRETEMOSFET S SD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISC RETEMOS F ET SS D2101 30VN-chSingl e 8SO P DIS CRETEMOSFET S SH10N80A 800V,10A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH10N90A 900V,10ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H5N90A 900V,5ATO-3P DISC RETEMOS F ET SS H60N10 100V,60A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH6N80A 800V,6A TO-3PDIS CRETEMOSFET S SH70N10A 100V,70A TO-3P D ISCRE TEMO S FET SSH7N90A900V,7A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSH9N80A800V,9A TO-3PD ISCRE TEMO S FET SSP10N60A 600V,9A T O-220 DISC RETEMOS F ET SS P1N60A 600V,1ATO-220DIS CRETEMOSFET S SP2N90A 900V,2A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP35N03 30V,35A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP3N90A900V,3A TO-220DISCR ETEDISC RETEMOS F ET SS P4N60AS 600V,4A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP4N90AS900V,4.5ATO-220 DIS CRETEMOSFET S SP5N90A 900V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP6N60A600V,6A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP70N10A 100V,55A TO-220DI SCRET EMOS FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FET SSP7N80A800V,7A TO-220DISCR ETEM OS FE T SSP80N06A 60V,80ATO-220DIS CRETEMOSFET S SR1N60A 600V,0.9A D-PAKD ISCRE TEMO S FET SSR2N60A600V,1.8AD-PAK DISC RETEMOS F ET SS R3055A 60V,8A D-PAKDISCR ETEM OS FE T SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F D ISCRE TEMO S FET SSS3N80A800V,2A TO-220F DISC RETEMOS F ET SS S3N90A 900V,2ATO-220FDI SCRET EMOS FETSSS4N60AS600V,2.3ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS4N90AS900V,2.8ATO-220F DI SCRET EMOS FETSSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS6N60600V, 3.2A TO-220(F/P) 。
mos选型参数
mos选型参数
当设计和开发一个mos电路时，我们需要考虑很多因素，其中一个非常重要的因素是mos选型参数。
这些参数决定了mos管的性能、可靠性和成本。
以下是一些常见的mos选型参数：
1. 阈值电压(Vth)：这是mos管的最小门电压，当门电压高于该值时，管子才会导通。
通常情况下，Vth越小，mos管的导通能力越强。
2. 漏电流(Idss)：这是mos管在最小门电压下的漏电流，通常情况下，漏电流越小，mos管的性能越好。
3. 负载电容(Ciss)：这是mos管的输入电容，也就是由于门电极和晶体管结构而形成的电容。
通常情况下，Ciss越小，mos管的开关速度越快。
4. 开关速度：这是mos管从导通到截止的时间。
通常情况下，开关速度越快，mos管的性能越好。
5. 最大耗散功率(Pd)：这是mos管能承受的最大功率，超过该值将导致mos管损坏。
6. 工作温度范围：这是mos管能够正常工作的温度范围，超出该范围将导致mos管性能下降或损坏。
综合考虑以上因素，我们可以选择一个合适的mos管，以满足设计要求。
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常见MOSFET和二极管选型
常见MOSFET和二极管选型常用MOS管选型参考IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS 场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NmOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NmOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NmOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NmOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NmOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NmOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NmOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NmOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NmOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NmOS场效应2N7000 K30A K334C快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-154 ERC30-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.1 DO-156 EG01E-EG01C 0.5A 200-1000V 2 0.1 DO-417 EG1E-EG1C 1A 200-1000V 1.8 0.1 DO-418 RG10Z-RG10C 1.2A 200-1000V 2 0.1 DO-159 RG2Z-RG2C 1.5A 200-1000V 1.8 0.1 DO-1510 RG4Z-RG4C 3A 200-1000V 2 0.1 D0-201AD超快恢复塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)超快恢复塑封二极管1 长虹SF10-长虹SF50 1-5A 50-1000V 0.95-1.7 352 长虹SF80-长虹SF160 8-16A 50-600V 0.95-1.4 35 TO-2203 EGP10-EGP50 1-5A 50-200V 1.1 354 ERC38~04-ERC38~10 1A 400-1000V 1.7 50 DO-415 RL2-RL2C 2A 400-1000V 1.7 50 DO-156 RL3-RL3C 3A 400-1000V 1.7 50 DO-201AD7 1H1-1H8 1A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 R-18 HER10-HER60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-759 HER80-HER160 8-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 TO-22010 UF10-UF60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-7511 EL1Z-EL1 1.5A 200-350V 1.3 50 DO-15(2)MUR超快恢复整流二极管1 MUR120-MUR1120 1A 200-1200V 0.95-1.5 35-50 DO-412 MUR420-MUR4120 4A 200-1200V 0.95-1.6 35-75 DO-201AD3 MUR820-MUR8120 8A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC4 MUR1020-MUR10120 10A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC5 MUR1520-MUR15120 15A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC6 MUR2020-MUR20120 20A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AB7 MUR3020-MUR30120 30A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD8 MUR6020-MUR60120 60A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD (3)RHRP、RHRG超快恢复二极管1 RHRP820-RHRP8120 8A 200-1200V 2.1-3.2 35-70 TO-220AC2 RHRP1520-RHRP15120 15A 200-1200V 2.1-3.2 40-75 TO-220AC3 RHRP3020-RHRP30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-220AC4 RHRG3020-RHRG30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AC5 RHRG5020-RHRG50120 50A 200-1200V 2.1-3.2 50-100 TO-247AC6 RHRG6020-RHRG60120 60A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AD (4)BYV29~79、BYT28~79超快恢复二极管1 BYW29-100~200 8A 100-200V 1.1 25 TO-220AC2 BYV29-300~500 9A 300-500V 1.25 60 TO-220AC3 BYQ28-100~200 10A 100-200V 1.1 20 TO-220AB4 BYT28-300~500 10A 300-500V 1.4 60 TO-220AB5 BYV79-100~200 14A 100-200V 1.3 30 TO-220AC6 BYT79-300~500 14A 300-500V 1.4 60 TO-220AC7 BYV32-100~200 20A 100-200V 1.1 25 TO-220AB8 BYV34-300~500 20A 300-500V 1.1 60 TO-220AB9 BYV42-100~200 30A 100-200V 1.1 28 TO-220AB10 BYV44-300~500 30A 300-500V 1.25 60 TO-220AB肖特基整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V(1)肖特基塑封整流二极管1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-412 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-14 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.855 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-416 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-157 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD9 ERA81-002~009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-4110 ERB81-002~009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-1511 ERC81-002~009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-4113 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-1514 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-1515 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD(2)MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD7 MBR6020PT-6060PT 60A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD8 PBYR735-745 7A 20-45V 0.56-0.66 TO-220AC9 PBYR1020-1060 10A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC10 PBYR1635-1660 16A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC11 PBYR2020CT-2045CT 20A 20-45V 0.56-0.65 TO-220AB12 PBYR3035PT-3060PT 30A 20-60V 0.56-0.77 TO-247AD 玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP4 BYV27-50~200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP5 BYV28-50~200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G36 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G310 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V 1.5 0.03 G311 BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.1 0.15 G312 BYW32-BYW38 2A 200-1000V 1.1 0.2 DO-204AP13 BYW52-BYW56 2A 200-1000V 1.1 4 DO-204AP14 BYW72-BYW76 3A 200-600V 1.1 0.2 G315 BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.5 0.2 G316 BY228 3A 1500V 1.5 20 G3(2)GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管17 GP10-GP30 1-3A 50-1000V 1.118 RGP01-10~RGP01-20 0.1A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4119 RGP05-10~RGP05-20 0.5A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4120 RGP10-RGP60 1-6A 50-2000V 1.3 0.15-0.5PD、TR、PR系列【高压】塑封二极管1 PD0112-PD0160 0.1A 1200-6000V 1.2-5 DO-412 PD0312-PD0360 0.3A 1200-6000V 1.2-5 DO-153 PD0512-PD0560 0.5A 1200-6000V 1.2-5 DO-154 PD112-PD130 1A 1200-3000V 1.2-4 DO-155 PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4 DO-156 PD212-PD220 2A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD7 PD312-PD320 3A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD8 PD612-PD620 6A 1200-2000V 1.2-2.5 R-69 TR0112-TR0160 0.1A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-4110 TR0312-TR0360 0.3A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1511 TR0512-TR0560 0.5A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1512 TR112-TR130 1A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1513 TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1514 TR212-TR220 2A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 DO-201AD15 TR312-TR320 3A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.7 DO-201AD16 TR612-TR620 6A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 R-617 PR01-PR1 0.1-1A 1200-3000V 1.5-4 0.1-0.5 DO-1518 RC2 0.3A 2000V 3 0.5 DO-4119 RU4D-RP3F 1.5A-2A 1300-1500V 1.5 0.3 DO-201AD稳压二极管序号型号名称PZM VZW V1 BZX55 稳0.5W 2.4V-47V2 1N5985B~1N6031B 0.5W 2.4V-200V3 1N4728~1N4764 压1W 3.3V-100V4 1N5911B~1N5956B 1.5W 2.7V-200V5 2CW37-2.4~36 二0.5W 2.4V-36V6 2CW51-2CW68 0.25W 3V-28.5V7 2CW101-2CW121 极1W 3V-37.5V8 2DW50-2DW64 1W 41V-190V9 2DW80-2DW190 管3W 41V-190V10 2DW110-2DW151 10W 4.3V-470V11 2DW170-2DW202 50W 4.3V-200V12 2DW230-2DW236 【温度wd】补偿0.2W 5.8V-6.6V 稳压二极管高速开关二极管序号型号IC VRM Trr 封装mA V ns1 1N4148 150 100V 4 DO-352 1N4149-1N4154 150 35-100V 2--4 DO-353 1N4446-1N4454 150 40-100V 1--4 DO-354 1N914 75 100V 4 DO-355 BAV17-BAV21 250 25-250V 50 DO-356 BAW75-BAW76 300 35-75V 4 DO-357 2CK70-2CK79 10-280 20-60V 3--10 DO-358 2CK80-2CK85 10-300 20-60V 5--10 DO-359 1S1553-1S1555 100 70-35V 3 DO-3510 1S2471-1S2473 130-110 90-40V 3 DO-35塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-12 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-413 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-154 2A01-2A07 2A 50-1000V 1 DO-155 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-67 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-68 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 19 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1 DO-4110 2CP21-2C康佳 P29 0.3A 100-1000V 1 DO-4111 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1 DO-4112 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1 DO-4113 BYW27 1A 200-1300V 1 DO-4114 DR202-DR210 2A 200-1000V 1 DO-1515 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-517 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1 R-121 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1 DO-1522 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1 DO-1523 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1 DO-1524 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15。
MOS管参数表
MOS管参数表Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数。