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无机材料科学基础学习试题及解答完整版

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第一章晶体几何根底1-1 解释概念:等同点:晶体结构中,在同一取向上几何环境和物质环境皆相同的点。

空间点阵:概括地表示晶体结构中等同点排列规律的几何图形。

结点:空间点阵中的点称为结点。

晶体:内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。

对称:物体相同局部作有规律的重复。

对称型:晶体结构中所有点对称要素〔对称面、对称中心、对称轴和旋转反伸轴〕的集合为对称型,也称点群。

晶类:将对称型相同的晶体归为一类,称为晶类。

晶体定向:为了用数字表示晶体中点、线、面的相对位置,在晶体中引入一个坐标系统的过程。

空间群:是指一个晶体结构中所有对称要素的集合。

布拉菲格子:是指法国学者 A. 布拉菲根据晶体结构的最高点群和平移群对称及空间格子的平行六面体原那么,将所有晶体结构的空间点阵划分成 14 种类型的空间格子。

晶胞:能够反响晶体结构特征的最小单位。

晶胞参数:表示晶胞的形状和大小的 6 个参数〔 a、b、 c、α 、β、γ〕.1-2 晶体结构的两个根本特征是什么?哪种几何图形可表示晶体的根本特征?解答:⑴晶体结构的根本特征:① 晶体是内部质点在三维空间作周期性重复排列的固体。

② 晶体的内部质点呈对称分布,即晶体具有对称性。

⑵ 14 种布拉菲格子的平行六面体单位格子可以表示晶体的根本特征。

1-3 晶体中有哪些对称要素,用国际符号表示。

解答:对称面— m,对称中心— 1,n 次对称轴— n,n 次旋转反伸轴— n螺旋轴— ns ,滑移面— a、b、c、d1-5 一个四方晶系的晶面,其上的截距分别为3a、4a、6c,求该晶面的晶面指数。

解答:在 X、Y、 Z 轴上的截距系数: 3、4、6。

截距系数的倒数比为: 1/3:1/4:1/6=4:3:2晶面指数为:〔432〕补充:晶体的根本性质是什么?与其内部结构有什么关系?解答:① 自限性:晶体的多面体形态是其格子构造在外形上的反映。

②均一性和异向性:均一性是由于内部质点周期性重复排列,晶体中的任何一局部在结构上是相同的。

无机材料科学基础复习重点

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第二章、晶体结构缺陷1缺陷的概念2、热缺陷(弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷)热缺陷是一种本征缺陷、高于0K就存在,热缺陷浓度的计算影响热缺陷浓度的因数:温度和热缺陷形成能(晶体结构)弗伦克尔缺陷肖特基缺陷3、杂质缺陷、固溶体4、非化学计量化合物结构缺陷(半导体)种类、形成条件、缺陷的计算等5、连续置换型固溶体的形成条件6、影响形成间隙型固溶体的因素7、组分缺陷(补偿缺陷):不等价离子取代形成条件、特点(浓度取决于掺杂量和固溶度)缺陷浓度的计算、与热缺陷的比较幻灯片68、缺陷反应方程和固溶式9、固溶体的研究与计算写出缺陷反应方程T固溶式、算出晶胞的体积和重量T理论密度(间隙型、置换型)T和实测密度比较10、位错概念刃位错:滑移方向与位错线垂直,伯格斯矢量b与位错线垂直螺位错:滑移方向与位错线平行,伯格斯矢量b与位错线平行混合位错:滑移方向与位错线既不平行,又不垂直。

幻灯片7第三章、非晶态固体1熔体的结构:不同聚合程度的各种聚合物的混合物硅酸盐熔体的粘度与组成的关系2、非晶态物质的特点3、玻璃的通性4、Tg、Tf ,相对应的粘度和特点5、网络形成体、网络改变(变性)体、网络中间体玻璃形成的结晶化学观点:键强,键能6、玻璃形成的动力学条件(相变),3T图7、玻璃的结构学说(二种玻璃结构学说的共同之处和不同之处)8、玻璃的结构参数Z可根据玻璃类型定,先计算R,再计算X、Y 注意网络中间体在其中的作用。

9、硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的区别10、硼的反常现象幻灯片8第四章、表面与界面1表面能和表面张力,表面的特征2、润湿的概念、定义、计算;槽角、二面角的计算改善润湿的方法:去除表面吸附膜(提高固体表面能)、改变表面粗糙度、降低固液界面能3、表面粗糙度对润湿的影响4、吸附膜对润湿的影响5、弯曲表面的效应(开尔文公式的应用)6、界面的分类与特点7、多晶体组织8、粘土荷电的原因,阳离子交换序9、粘土与水的作用,电动电位及对泥浆性能的影响流动性,稳定性,悬浮性,触变性,可塑性10、瘠性料的悬浮与塑化泥浆发生触变的原因,改善方法幻灯片9第五章、相平衡1、相律以及相图中的一些基本概念相、独立组分、自由度等2、水型物质相图的特点(固液界线的斜率为负)3、单元系统相图中可逆与不可逆多晶转变的特点4、S iO2相图中的多晶转变(重建型转变、位移型转变)5、一致熔化合物和不一致熔化合物的特点6、形成连续固溶体的二元相图的特点(没有二元无变量点)7、相图应用幻灯片108、界线、连线的概念,以及他们的关系9、等含量规则、等比例规则、背向规则、杠杆规则、连线规则、切线规则、重心规则。

无机材料科学基础

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第二章晶体结构与晶体结构中的缺陷2-1 氯化铯(CsCl)属萤石结构,如果Cs+离子半径为0.170nm,Cl-离子半径为0.181nm,计算球状离子所占据的空间分数(堆积系数)。

假设Cs+和Cl-离子沿立方对角线接触。

2-2 (a)MgO具有NaCl结构。

根据O2-半径为0.140nm和Mg2+半径为0.072nm,计算球状离子所占据的空间分数(堆积系数)。

(b)计算MgO的密度。

2-3 氧化锂(Li2O)的晶胞结构构成:O2-离子呈面心立方堆积,Li+离子占据所有四面体空隙。

计算:(a)晶胞常数;(b)Li2O的密度;(c)O2-离子密堆积的结构格子,其空隙所能容纳的最大正离子半径是多大?(d)有0.01mol%SrO溶于Li2O中的固溶体的密度。

(注:Li+离子半径:0.74? ,O2-离子半径:1.40?)2-4 ThO2 具有CaF2结构。

Th4+离子半径为0.100 nm。

O2-离子半径为0.140 nm。

(a)实际结构中的Th4+正离子配位数与预计配位数是否一致?(b)结构遵循鲍林规则否?2-5 石墨、云母和高岭石具有相似的结构。

说明他们的结构区别及由此引起的性质上的差异。

2-6(a)在氧离子立方密堆中,画出适合于阳离子位置的间隙类型和位置,八面体间隙位置数与氧离子数之比为多少?四面体间隙位置数与氧离子数之比为多少?(b)用键强度和鲍林规则来解释,对于获得稳定的结构各需要何种价离子,其中:1)所有八面体间隙位置均填满,2)所有四面体间隙位置均填满,3)填满一半八面体间隙位置,4)填满一半四面体间隙位置并对每一种举出一个结构类型名称和正负离子配位数。

2-7 很简明地说明下列名词的含义:类质同晶现象,同质多象现象,多型现象,反结构(如反萤石结构),倒反结构(如反尖晶石结构)。

2-8 Si 和Al的原子量非常接近(分别为28.09和26.98),但SiO2及Al2O3的密度相差很大(分别为2.65及3.96)。

无机材料科学基础考研复习

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第一章、晶体结构基础1、晶体的基本概念晶体的本质:质点在三维空间成周期性重复排列的固体,或者是具有格子构造的固体。

晶体的基本性质:结晶均一性、各向异性、自限性、对称性、最小内能性。

对称性:同一晶体中,晶体形态相同的几个部分(或物理性质相同的几个部分)有规律地重复出现。

空间格子的要素:结点—空间格子中的等同点。

行列—结点沿直线方向排列成为行列。

结点间距—相邻两结点之间的距离;同一行列或平行行列的结点间距相等。

面网—由结点在平面上分布构成,任意两个相交行列便可以构成一个面网。

平行六面体:结点在三维空间的分布构成空间格子,是空间格子的最小体积单位。

2、晶体结构的对称性决定宏观晶体外形的对称性。

3、对称型(点群):一个晶体中全部宏观对称要素的集合。

宏观晶体中只存在32种对称型4、对应七大晶系可能存在的空间格子形式:14种布拉维格子三斜:简单;单斜:简单、底心;正交:简单、底心、体心、面心;三方:简单R四方:简单、体心;六方:简单;立方:简单、体心、面心;P(简单点阵)I(体心点阵)C(底心点阵)F(面心点阵)底心点阵:A(100)B(010)C(001)面心立方晶系中对应的密排面分别为(111);体心立方(110);六方晶系(0001)低指数晶面间距较大,间距越大则该晶面原子排列越紧密。

高指数则相反5、整数定律:晶面在各晶轴上的截距系数之比为简单整数比。

6、宏观晶体中独立的宏观对称要素有八种:12346im4空间点阵:表示晶体结构中各类等同点排列规律的几何图形。

或是表示晶体内部结构中质点重复规律的几何图形。

空间点阵有,结点、行列、面网、平行六面体空间点阵中的阵点,称为结点。

7、晶胞:能充分反映整个晶体结构特征最小结构单位。

晶胞参数:表征晶胞形状和大小的一组参数(a0、b0、c0,α、β、γ)与单位平行六面体相对应的部分晶体结构就称为晶胞。

因此,单位平行六面体的大小与形状与晶胞完全一样,点阵常数值也就是晶胞常数值。

无机材料科学基础辅导4

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第七章固体中的扩散【例7-1】什么叫扩散?在离子晶体中有几种可能的扩散机构?氧化物晶体中哪种扩散是主要的,为什么?【解】固体中的粒子(原子、离子或分子)由浓度高处迁移至浓度低处的现象称为扩散。

离子晶体中有五种可能的扩散机构:易位扩散、环形扩散、间隙扩散、准间隙扩散、空位扩散。

氧化物晶体中空位扩散是最主要的扩散,原因:空位扩散所需活化能最小。

【例7-2】试说明扩散系数的定义、物理意义及量纲。

【解】扩散系数:表征物质扩散本领大小的一个重要参量,是物质的一个多性指标。

物理意义:单位浓度梯度、单位时间内通过单位面积所扩散的物质的量。

量纲:L2T-1(cm2/秒)【例7-3】试分析具有肖特基缺陷的晶体中阴离子的扩散系数小于阳离子的扩散系数的原因。

【解】在晶体中,阴离子半径较大,还常作密堆积,形成结构骨架。

阳离子的半径较小,填充于空隙中。

则阳离子的肖氏缺陷(空位)的(形成能及)迁移能小于阴离子空位的(形成能及)迁移能。

由式中::缺陷形成能:缺陷迁移能因为Q增大所以D减小()Q阳<Q阴则D阳离子>D阴离子【例7-4】扩散系数与哪些因素有关?为什么?为什么可以认为浓度梯度大小基本上不影响D值,但浓度梯度大则扩散得快又如何解释?【解】影响扩散系数D的因素:(1)T增大,D增大;Q增大,D减小;(2)扩散物质的性质:扩散粒子性质与扩散介质性质间差异越大,D值越大。

扩散粒子半径越小,D值越大。

(3)扩散介质的结构:结构越致密,D越小。

(4)位错、晶界、表面:处于位错、晶界、表面处的质点,D较大。

D表面(10-7cm2/s)>D晶界(10-10 cm2/s)>D内部(10-14 cm2/s)(5)杂质(第三组元):第三组元与扩散介质形成化合物——对扩散离子产生附加键力,则D减小。

第三组元不与扩散介质形成化合物——使扩散介质晶格产生畸变,则D增大。

(6)粘度:r减小D增大式中:T—温度r—扩散粒子半径η—扩散介质系数η增大D减小即;扩散介质粘度越大,D越小。

无机材料科学基础复习知识点总结

无机材料科学基础复习知识点总结

无机材料科学与基础1.名词解释二八面体:在层状硅酸盐矿物中,若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体结构。

三八面体:在层状硅酸盐矿物中,若全部的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体结构。

稳态扩散:扩散质点浓度不随时间变化。

不稳态扩散:扩散质点浓度随时间变化,扩散通量与位置有关。

互扩散:有浓度差的空间扩散。

自扩散:没有浓度差的扩散。

顺扩散:由高浓度区向低浓度区的扩散叫顺扩散,又称下坡扩散。

逆扩散:由低浓度区向高浓度区的扩散叫逆扩散,又称上坡扩散。

本征扩散:不含有不含有任何杂质的物质中由于热起伏引起的扩散。

非本征扩散:非热能引起,如由杂质引起的扩散。

刃型位错:滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。

螺型位错:位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错热缺陷:在没有外来原子时,当晶体的热力学温度高于0K时,由于晶格内原子热振动,使一部分能量较大的原子离开正常的平衡位置,造成缺陷,这种由于原子热振动而产生的缺陷称为热缺陷。

杂质缺陷:由于杂质进入晶体而产生的缺陷。

点缺陷:在三维方向上尺寸都很小(远小于晶体或晶粒的线度)的缺陷。

线缺陷:是指晶体内部结构中沿着某条线(行列)方向上的周围局部范围内所产生的晶格缺陷。

它的表现形式主要是位错。

弗兰克尔缺陷:在晶格内原子振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置后,进入晶格点的间隙位置,变成间隙原子,而在原来的位置上形成一个空位,这样的缺陷称为弗兰克尔缺陷。

肖特基缺陷:如果正常格点上的原子,热起伏过程中获得能量离开平衡位置,跳跃到晶体的表面,在原正常格点上留下空位,这种缺陷称为肖特基缺陷。

类质同晶:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其他离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。

同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。

一致熔融化合物:是一种稳定的化合物,它与正常的纯物质一样具有固定的熔点,熔化时所产生的液相与化合物组成一致,故称一致熔融化合物。

无机材料科学基础考研复习综述

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第一章、晶体结构基础1、晶体的基本概念晶体的本质:质点在三维空间成周期性重复排列的固体,或者是具有格子构造的固体。

晶体的基本性质:结晶均一性、各向异性、自限性、对称性、最小内能性。

对称性:同一晶体中,晶体形态相同的几个部分(或物理性质相同的几个部分)有规律地重复出现。

空间格子的要素:结点—空间格子中的等同点。

行列—结点沿直线方向排列成为行列。

结点间距—相邻两结点之间的距离;同一行列或平行行列的结点间距相等。

面网—由结点在平面上分布构成,任意两个相交行列便可以构成一个面网。

平行六面体:结点在三维空间的分布构成空间格子,是空间格子的最小体积单位。

2、晶体结构的对称性决定宏观晶体外形的对称性。

3、对称型(点群):一个晶体中全部宏观对称要素的集合。

宏观晶体中只存在32种对称型4、对应七大晶系可能存在的空间格子形式:14种布拉维格子三斜:简单;单斜:简单、底心;正交:简单、底心、体心、面心;三方:简单R四方:简单、体心;六方:简单;立方:简单、体心、面心;P(简单点阵) I(体心点阵) C(底心点阵) F(面心点阵)底心点阵:A(100) B (010) C(001) 面心立方晶系中对应的密排面分别为(111);体心立方(110);六方晶系(0001)低指数晶面间距较大,间距越大则该晶面原子排列越紧密。

高指数则相反5、整数定律:晶面在各晶轴上的截距系数之比为简单整数比。

6、宏观晶体中独立的宏观对称要素有八种:1 2 3 4 6 i m 4空间点阵:表示晶体结构中各类等同点排列规律的几何图形。

或是表示晶体内部结构中质点重复规律的几何图形。

空间点阵有,结点、行列、面网、平行六面体空间点阵中的阵点,称为结点。

7、晶胞:能充分反映整个晶体结构特征最小结构单位。

晶胞参数:表征晶胞形状和大小的一组参数(a0、b0、c0,α、β、γ)与单位平行六面体相对应的部分晶体结构就称为晶胞。

因此,单位平行六面体的大小与形状与晶胞完全一样,点阵常数值也就是晶胞常数值。

无机材料科学基础 (4)

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结论:三种纯键型在一定条件下都 不能形成玻璃。
什么键型才能形成玻璃?
离子共价混合键 金属共价混合键
重要因素:共价因素和强的极化作用
离子共价混合键:这种混合键既具有离子键易 改变键角、易形成无对称变形的趋势,有利于造成
玻璃的远程无序,又有共价键的方向性和饱和性, 不易改变键长和键角的倾向,造成玻璃的近程有序,
二、键型
离子键物质:离子键作用范围大,无方向性且有 较高的配位数,组成晶格的几率较高,在凝固点 由库仑力迅速组成晶格,所以很难形成玻璃。
金属键物质:由于金属键无方向性和饱和性,原 子相遇组成晶格的几率最大(CN=12),很难形成 玻璃。
纯粹共价键物质:在分子内部以共价键相联系, 而分子之间是无方向性的范德华力,在冷却过程 中形成分子晶格的几率比较大,很难形成玻璃。
第四讲 玻璃的形成:动力学条件
一、Tamman观点
析晶过程:成核( Iv) 晶体生长(u)
影响因素:过冷度T = TM-T
1、成核速率
Iv = P×D 其中:P ——临界核胚的生长速率
D ——相邻原子的跃迁速率
一方面:T↑ 质点动能↓ 质点 间引力↑ 容易聚集,对 成核有利。
一方面:T↑ 黏度↑ 质点运动 困难,难以扩散到晶核表 面,不利于晶核长大。
Tg/Tm
0.74 0.67 0.72 ~0.5 0.75 0.67 0.58 0.3 0.3 0.65
dT/dt(℃/s) 10-6 10-2 10-6
103
10-5
10-6
10-1
108
107 10-3
① 熔点时的黏度高,易形成玻璃,析
结 论
晶 阻 力 较 大 , TM 时 的 黏 度 是 形 成 玻璃的主要标志。
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第三章练习题一、填空题1.玻璃具有下列通性:、态转化时物理、化学性能随温度变化的连续性。

2.在硅酸盐熔体中,当以低聚物为主时,体系的粘度3.物质在熔点时的粘度越越容易形成玻璃,大于,等于,小于)时容易形成玻璃。

4.熔体是物质在液相温度以上存在的一种高能量状态,在冷却的过程中可以出现和分相三种不同的相变过程。

5.当SiO2含量比较高时,碱金属氧化物降低熔体粘度的能力是Li2Na22O。

6. 2Na2O·CaO·Al2O3·2SiO2的玻璃中,结构参数Y为 3 。

7. 从三T曲线可以求出为避免析出10-6分数的晶体所需的临界冷却速率,该速率越小,越容易形成玻璃。

8.NaCl和SiO2两种物质中SiO2 容易形成玻璃,因其具有极性共价键结构。

9.在Na2O-SiO2熔体中,当Na2O/Al2O3<1时,加入Al2O3使熔体粘度降低。

10. 硅酸盐熔体中聚合物种类,数量与熔体组成(O/Si)有关,O/Si比值增大,则熔体中的高聚体[SiO4]数量减少。

11. 硅酸盐熔体中同时存在许多聚合程度不等的负离子团,其种类、大小和复杂程度随熔体的组成和温度而变。

当温度不变时,熔体中碱性氧化物含量增加,O/Si比值增大,这时熔体中高聚体数量减少。

二、问答题1.试述熔体粘度对玻璃形成的影响?在硅酸盐熔体中,分析加入—价碱金属氧化物、二价金属氧化物或B2O3后熔体粘度的变化?为什么?答:1) 熔体粘度对玻璃形成具有决定性作用。

熔体在熔点时具有很大粘度,并且粘度随温度降低而剧烈地升高时,容易形成玻璃。

2) 在硅酸盐熔体中,加入R2O,随着O/Si比增加,提供游离氧,桥氧数减小,硅氧网络断裂,使熔体粘度显著减小。

加入RO,提供游离氧,使硅氧网络断裂,熔体粘度降低,但是由于R的场强较大,有一定的集聚作用,降低的幅度较小。

加入B2O3,加入量少时,B2O3处于三度空间连接的[BO4]四面体中,使结构网络聚集紧密,粘度上升。

随着B2O3含量增加,B开始处于[BO3]三角形中使结构网络疏松,粘度下降。

3+2+1当我排队等着站上小便池的时候有人已经在大便池先尿了■■■■■■■■■■■■张为政整理■■■■■■■■■■■■勿删■■■■■■■■■■■■2.试阐述网络形成体和网络变性体。

玻璃网络形成体:其单键强度>335KJ/MOL。

这类氧化物能单独形成玻璃。

网络变性体:其单键强度<250KJ/MOL。

这类氧化物不能形成玻璃,但能改变网络结构,从而使玻璃性质改变。

网络中间体:其单键强度介于250~335KJ/MOL。

这类氧化物的作用介于玻璃形成体和网络改变体两者之间。

3. 无规则网络学说的要点。

学说要点:玻璃的结构与相应的晶体结构相似,同样形成连续的三维空间网络结构。

这种网络是离子多面体构筑起来的。

晶体结构网是由多面体无数次有规律重复而构成,而玻璃中结构多面体重复没有规律性。

4. 晶子假说要点学说要点:硅酸盐玻璃是由无数“晶子”组成,“晶子”的化学性质取决于玻璃的化学组成。

所谓“晶子”不同于一般微晶,而是带有晶格变形的有序区域,在“晶子”中心质点排列较有规律,愈远离中心则变形程度愈大。

“晶子”分散在无定形介质中,并从“晶子”部分到无定形部分的过渡是逐步完成的,两者之间无明显界限。

5. 试从结构上比较硅酸盐晶体与硅酸盐玻璃的区别。

(1)在晶体中,硅氧骨架按一定的对称规律排列;在玻璃中是无序的;(2)在晶体中,骨架外的金属阳离子占据点阵中的固定位置;在玻璃中,他们均匀地分布在骨架的空腔内,并起着平衡氧电荷的作用;(3)在晶体中,只有当骨架外阳离子半径相近时,才能发生同晶置换;在玻璃中,不论半径如何,只要遵循电价规则,骨架外的阳离子均能发生互相置换;(4)在晶体中,氧化物有固定的化学计量;在玻璃中氧化物可以非化学计量的任意比例混合。

三、计算题1.有两种不同配比的玻璃,其组成如下:试用玻璃结构参数说明两种玻璃高温下粘度的大小?答:对于1:Na2O/Al2O3<1,所以Al2O3为网络变性体Z=4 R1=(10.57+3×12.86+2×76.57)/76.57=2.64∴Y1=2.72 对于2:Na2O/Al2O3>1,所以Al2O3为网络形成体Z=4 R2=(20.3+3×6.17+2×73.49)/(2×6.17+73.49)=2.17∴ Y2= 3.66 ∵Y1﹤Y2 ∴序号1的玻璃组成的粘度比序号2的玻璃小。

2. 熔体粘度在727℃时是108dp·s,在1156℃时是104dp·s,在什么温度下它是107dp·s(用logη=A+B/T解之)?求该熔体的粘性流动活化能?第四章一、填空题1、在固-液两相接触时,为了使液相对固相润湿,在固-气(γSV)、液-气(γLV)界面张力不变时,必须使液-固(γLS)界面张力2、在粘土颗粒周围吸附着定向水分子层和水化阳离子,这部分水称为牢固结合水。

3、按晶界两边排列原子的连贯性,可将晶界分为共格晶界、半共格晶界和非共格晶界4、粘土带负电荷的原因主要由同晶置换、高岭石中破键和吸附在粘土表面的腐殖质离解而产生。

5、同价阳离子饱和的粘土其ζ电位随离子半径增大而6、当润湿角小于90度时,固体表面越粗糙,固液表面润湿性越好。

7、润湿的类型有附着润湿、铺展润湿和浸渍润湿三类,其中铺展润湿是润湿的最好境界。

8、粘土表面吸附的阳离子的电价越高,其ζ电位越9、凸面的蒸汽压平面。

10、在离子晶体表面,表面双电层越厚,表面能越。

二、名词解释1、维尔威学说松弛过程:处于表面层的负离子外侧是不饱和的,电子云将拉向内侧的正离子一方而发生极化变形,表面质点通过电子云极化变形来降低表面能的这一过程称为松弛。

松弛在瞬间完成,其结果改变了表面层的键性。

重排过程:从晶格点阵的稳定性考虑,作用力较大、极化率小的正离子处于稳定的晶格位置。

为降低表面能,各离子周围作用能应尽量趋于对称,因而正离子在内部质点作用下向晶体靠拢,而易极化的负离子受诱导极化偶极子排斥而被推向外侧,从而形成表面双电子层。

随着重排过程的进行,表面层中离子键性逐渐过渡为共价键性,固体表面好像被一层负离子所屏蔽并导致表面层在组成上成为非化学计量。

2、泥浆的触变性泥浆静止时内部的网状结构会稠化成胶状物质,当再进行搅拌或振荡时,又会恢复其原有的流动性的性质3、泥浆的可塑性当粘土与适当比例的水混合均匀制成泥团,该泥团受到高于某一个数值剪应力作用后,可以塑造成任何形状,当去除应力泥团能保持其形状,这种性质称为可塑性。

4、ζ电位双电层中吸附层和扩散层之间的电位差。

5、晶界凡结构相同而取向不同的晶体相互接触,其接触面称为晶界三、简答题1、固体是如何降低系统的表面能的,为什么相同组成的固体的表面能总是高于液体的表面能?固体表面通过表面质点的极化、变形、重排降低固体的表面能;液体分子可自由移动通过形成球形表面来降低表面能;固体质点不能自由移动只能通过表面质点的极化、变形、重排降低表面能因此表面能总是高于同组成的液体的表面能。

2、什么叫弛豫表面?NaCl单晶表面具有什么样的结构特点?表面上的原子产生相对于正常位置的上、下位移,称为表面弛豫。

NaCl 单晶中处于表面层的负离子只受到上下和内侧正离子的作用,而外侧是不饱和的。

电子云将被拉向内侧的正离子一方而变形,使该负离子诱导成偶极子。

这样就降低了晶体表面的负电场。

接着,表面层离子开始重排以使之在能量上趋于稳定。

为此,表面的负离子被推向外侧,正离子被拉向内侧从而形成了表面双电层。

3、表面力的存在使固体表面处于高能量状态,然而,能量愈高系统愈不稳定,那么固体是通过何种方式降低其过剩的表面能以达到热力学稳定状态的。

一是通过表面质点的极化、变形、重排来降低表面能,二是通过吸附来降低表面能。

4、何谓表面张力和表面能?在固态和液态这两者有何差别?表面张力:垂直作用在单位长度线段上的表面紧缩力或将物体表面增大一个单位所需作的功;σ=力/总长度(N/m)表面能:恒温、恒压、恒组成情况下,可逆地增加物系表面积须对物质所做的非体积功称为表面能;J/ m2=N/m液体:不能承受剪应力,外力所做的功表现为表面积的扩展,因为表面张力与表面能数量是相同的;固体:能承受剪切应力,外力的作用表现为表面积的增加和部分的塑性形变,表面张力与表面能不等。

四、计算题1、在石英玻璃熔体下20cm处形成半径为5×10-8m的气泡,熔体密度ρ=2200kg/m3,表面张力γ=0.29N/m,大气压力维1.01×105Pa,求形成此气泡所需最低内压力是多少?解:P1(熔体柱静压力)=hρg=0.2×2200×9.81=4316.4kg/m·s2=4316.4N/m2=4316.4Pa附加压力△P=2γ/r=2×0.29/5×10-8=1.16×107Pa,故形成此气泡所需压力至少为P=P1+△P+P大气=4.16+1.16×107+1.01×105=117.04×105第七章练习题一、填空题1. 固体质点扩散的推动力是化学位梯度。

2. 由点缺陷(肖特基和弗兰克尔缺陷)引起的扩散为本征扩散,空位来源于掺杂而引起的扩散为非本征扩散。

3. 今有原料Mg(OH)2、MgO、γ-Al2O3、α-Al2O3用于合成镁铝尖晶石,从提高反应速率的角度出发,选4. 在氧化气氛下,FeO形成非化学计量化合物,1/65. 本征扩散的扩散系数质子迁移能组成。

6. 固体中扩散的主特点为各向异性,速度小,高温固体质点之间的作用力较强,开始扩散温度较高,但远低于熔点。

固体是凝聚体,质点以一定方式堆积,质点迁移必须越过势垒,因而扩散速率较低,迁移的自由程约为晶格常数大小。

由于晶体的对称性和周期性限制了质点迁移的方向,因而晶体中质点扩散有各向异性。

7.8.固相反应合成钴铝尖晶石,从提高反应速度的角度分析,氧化铝原料采取轻烧氧化铝更好,这是由于晶形转变能够提高活性。

9. 固相反应一般包括扩散反应和化学反应两部分组成。

10、到目前为止已为人们所认识的晶体中原子或离子的迁移机构主要可分为空位机构和间隙机构两种。

11、在扩散系数的热力学关系中,称为扩散系数的热力学因子。

在非理想混合体系中,当其小于0时,扩散结果使溶质发生偏聚或分相。

二、名词解释1、本征扩散和非本征扩散①本征点缺陷引起的扩散叫本征扩散。

②掺杂点缺陷引起的扩散为非本征扩散2、稳定扩散与不稳定扩散稳定扩散:扩散物质在扩散层内各处的浓度不随时间而变化,即dc/dt=0不稳定扩散:扩散物质在扩散层内各处的浓度随时间而变化,即dc/dt≠0 ⎛∂γi⎫1+⎪⎝∂lnNi⎭Di=RTBi(1+∂lnγi∂lnNi),其扩散活化能由空位形成能和3、非化学计量缺陷由于气氛等外界条件的影响,一些化合物的正、负离子组成偏离正常的化学计量而产生的缺陷,称为非化学计量缺陷。

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