关于三极管的应用课件
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三极管工作原理(详解)ppt课件
VBQ
VB EQ Re
VCEQ VCC ICQ Rc IEQ Re VCC ICQ ( Rc Re )
IBQ
ICQ β
32
4.5.1 共集电极放大电路
Av 1 。 Ri Rb //[rbe ( 1
rbe β
共集电极电路特点：
◆ 电压增益小于1但接近于1，vo与vi同相 ◆ 输入电阻大，对电压信号源衰减小 ◆ 输出电阻小，带负载能力强
极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路：
只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中， 输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲 级。 共基极放大电路：
只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输 出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗 的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。
IE ＝ IB ＋IC
6
三极管的三种放大电路
当晶体管被用作放大器使用时，其中两个电极用作信号 (待放大信号) 的输入端子；两个电极作为信号 (放大后的 信号) 的输出端子。 那么，晶体管三个电极中，必须有一 个电极既是信号的输入端子，又同时是信号的输出端子， 这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。
1
目录
1 三极管的结构
2 三极管的作用
3
三极管的三种放大电路
4 三极管的开关状态
2
三极管的结构简介
三极管的类型：
• 按频率分：高频管、低频管； • 按功率分：小、中、大功率管； • 按半导体材料分：硅、锗管； • 按结构分：NPN和PNP管；
3
三极管的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
优秀实用的三极管精品PPT课件
好。
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
THANK YOU
2020/12/13
可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
• 2.三极管实现电流分配的原理
•
上述实验结论可以用载流子在
三极管内部的运动规律来解释。图1.29
为三极管内部载流子的传输与电流分配
示意图。
图1.29 三极管内部载流子的传输与电流分配示意图
•
（1）发射区向基区发射自由电
子，形成发射极电流IE。
•
（2）自由电子在基区与空穴复
合，形成基极电流IB。
极最大电流、最大反向电压等，这些参
数可以通过查半导体手册来得到。三极
管的参数是正确选定三极管的重要依据，
下面介绍三极管的几个主要参数。
• （1）共发射极电流放大系数β和β
•
它是指从基极输入信号，从集
电极输出信号，此种接法（共发射极）
下的电流放大系数。
–（2）极间反向电流
• ① 集电极基极间的反向饱和电流ICBO • ② 集电极发射极间的穿透电流ICEO
（d）三极管的集电极和发射极
近似短接，三极管类似于一个开关导通。
•
三极管作为开关使用时，通常
工作在截止和饱和导通状态；作为放大
元件使用时，一般要工作在放大状态。
SUCCESS
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可编辑
26
• 2.三极管的主要参数
•
三极管的参数有很多，如电流
放大系数、反向电流、耗散功率、集电
这是三极管实现电流放大的内部条件。
•
三极管可以是由半导体硅材
料制成，称为硅三极管；也可以由锗
材料制成，称为锗三极管。
•
三极管从应用的角度讲，种
类很多。根据工作频率分为高频管、
低频管和开关管；根据工作功率分为
大功率管、中功率管和小功率管。常
三极管课件
Nhomakorabea04
三极管在模拟电路中应用 举例
共射极放大电路
原理
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数大，输出电压与输 入电压反相。
应用
音频放大、振荡器、调制器等。
共基极放大电路
原理
输入信号加在发射极与基极之间，输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数小，但频带宽，适用于高频放大。
品牌与质量
选择知名品牌和质量可靠的三极管，可以 降低因器件质量问题导致的电路故障风险。
THANKS
感谢观看
3
极间反向电压测量
包括集电极-基极反向击穿电压BVCBO、集电极发射极反向击穿电压BVCEO、发射极-基极反向 击穿电压BVEBO的测量。
封装类型及识别方法
封装类型
常见的三极管封装类型有TO-92、TO-126、TO-220等，不同 封装类型的三极管在引脚排列、尺寸等方面存在差异。
识别方法
通过观察封装上的标记和引脚排列，可以识别出三极管的类型、 引脚定义等信息。例如，TO-92封装的三极管通常有一个突出 的引脚，即为发射极；而TO-220封装的三极管则通过引脚排列 和散热片的位置来识别。
工作原理简介
截止状态 当基极电流IB=0时，三极管处于截止状态，此时集电极电 流IC≈0，相当于开关断开。
放大状态 当基极电流IB介于截止电流和饱和电流之间时，三极管处 于放大状态。此时，集电极电流IC随基极电流IB的增大而 增大，且满足一定的电流放大倍数。
饱和状态 当基极电流IB增大到一定程度时，三极管进入饱和状态。 此时，集电极电流IC达到最大值，且不再随基极电流IB的 增大而明显增大。相当于开关闭合。
三极管在模拟电路中应用 举例
共射极放大电路
原理
输入信号加在基极与发射极之间， 输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数大，输出电压与输 入电压反相。
应用
音频放大、振荡器、调制器等。
共基极放大电路
原理
输入信号加在发射极与基极之间，输出信号从集电极取出。
特点
电压放大倍数小，但频带宽，适用于高频放大。
品牌与质量
选择知名品牌和质量可靠的三极管，可以 降低因器件质量问题导致的电路故障风险。
THANKS
感谢观看
3
极间反向电压测量
包括集电极-基极反向击穿电压BVCBO、集电极发射极反向击穿电压BVCEO、发射极-基极反向 击穿电压BVEBO的测量。
封装类型及识别方法
封装类型
常见的三极管封装类型有TO-92、TO-126、TO-220等，不同 封装类型的三极管在引脚排列、尺寸等方面存在差异。
识别方法
通过观察封装上的标记和引脚排列，可以识别出三极管的类型、 引脚定义等信息。例如，TO-92封装的三极管通常有一个突出 的引脚，即为发射极；而TO-220封装的三极管则通过引脚排列 和散热片的位置来识别。
工作原理简介
截止状态 当基极电流IB=0时，三极管处于截止状态，此时集电极电 流IC≈0，相当于开关断开。
放大状态 当基极电流IB介于截止电流和饱和电流之间时，三极管处 于放大状态。此时，集电极电流IC随基极电流IB的增大而 增大，且满足一定的电流放大倍数。
饱和状态 当基极电流IB增大到一定程度时，三极管进入饱和状态。 此时，集电极电流IC达到最大值，且不再随基极电流IB的 增大而明显增大。相当于开关闭合。
《三极管教学》课件
五种典型的三极管电路
放大电路
了解放大电路设计和三极管在信 号增强中的应用。
开关电路
探索三极管在开关应用中的工作 原理和电路设计。
电源电路
了解使用三极管的电源电路设计 和稳定性特点。
正弦振荡电路
探索使用三极管产生方波信号的 电路设计原理和应用。
输入与输出特性曲线
简单电路图示例
通过简单的电路图示例，展示三极管在电子电 路中的应用。
分类
按用途分类
了解三极管根据不同用途的分类，如放大电路、开 关电路、电源电路和振荡电路。
按管子类型分类
探索三极管根据不同类型（如NPN和PNP）的分类。
参数
放大系数 最大耐压 最大电流容限 常用参数的典型值
了解三极管的放大倍数和其对电路的影响。 探索三极管能够承受的最大电压。 了解三极管能够承受的最大电流。 介绍一些常用参数的典型数值，并解释其意义。
输出特性曲线
了解三极管输出特性曲线的形状和特点。
输入特性曲线
探索三极管输入特性曲线的影响和设计要点。
直流负载线
了解直流负载线对三极管的偏置点和工作状态的影 响。
交流负载线
探索交流负载线对三极管放大功能的影响。
三极管技术指标测试
测试基本流程和步骤
了解三极管技术指标测试的基本流程和常用步骤。
测试工具和设备
探索使用的测试工具和设备，以及其功能和作用。
三极管的参数选用
选择框图
介绍选择框图的使用方法，帮助选择合适的三极管。
实例讲解
通过实例演示，详细说明如何根据应用需求选择合 适的三极管。
典型三极管应用案例
放大器电路
探索三极管在放大器电路中的应用，如音频放 大。
三极管ppt课件完整版
常见故障现象及诊断方法
诊断方法
测量三极管的耐压值是否降低，观察电路是否有过载现象，若确认 损坏则更换三极管。
故障现象3
三极管漏电流过大。
诊断方法
测量三极管的漏电流是否超过规定值，若过大则检查电路是否存在漏 电现象，并更换三极管。
常见故障现象及诊断方法
故障现象4
三极管热稳定性差。
诊断方法
检查三极管的散热条件是否良好，测量其热稳定性参数是否在规定范围内，若异常则改善散热条件或 更换适合的三极管型号。
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
共基放大电路的特点是输入回路与输出回路共用一个电极，即基极。输入信号加在三极管的发射极和基极之间， 输出信号从集电极取出。由于共基放大电路的输入阻抗低，输出阻抗高，因此具有电压放大倍数大、频带宽等优 点。
共集放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源 。
真加剧。而截止频率则限制了三极管能够放大的信号频率范围。
03
三极管基本放大电路分析
共射放大电路组成及工作原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直流电源。
工作原理
利用三极管的电流放大作用，将输入信号放大并输出。输入信号加在三极管的基 极和发射极之间，输出信号从集电极取出，经过耦合电容与负载相连。
共基放大电路组成及工作原理
偏置电路类型及其作用
固定偏置电路
01
提供稳定的基极电流，使三极管工作在放大区。
分压式偏置电路
02
通过电阻分压为基极提供合适的偏置电压，使三极管具有稳定
的静态工作点。
集电极-基极偏置电路
03
利用集电极电阻的压降为基极提供偏置电压，适用于某些特殊
《三极管工作原理》课件
功率放大
在音频放大器或射频放大器中，三极管能够将较小的音频或射频信 号放大成足够推动扬声器或无线发射的功率。
运算放大器
三极管构成的运算放大器在模拟电路中广泛应用，用于信号运算、 处理和转换。
开关电路中的应用
01
02
03
逻辑门电路
三极管可以组成逻辑门电 路，如与门、或门、非门 等，用于实现基本的逻辑 运算和控制。
开关电源
在开关电源中，三极管起 到开关作用，控制电源的 通断，实现电源的高效转 换。
继电器
三极管可以作为电子继电 器使用，代替传统的机械 继电器，实现小型化、快 速响应和长寿命。
其他应用领域
振荡器
三极管可以组成各种振荡 器，如RC振荡器、LC振荡 器等，用于产生特定频率 的信号。
传感器
利用三极管的电流放大作 用，可以制作各种传感器 ，如光电传感器、磁敏传 感器等。
三极管分类
总结词
三极管有多种分类方式，按材料可分为硅管和锗管，按结构可分为NPN和PNP 型。
详细描述
根据制作材料，三极管可以分为硅管和锗管两类。根据内部电荷类型，三极管 可以分为NPN型和PNP型两类。不同类型的三极管具有不同的工作特性和用途 。
三极管结构
总结词
三极管由三个半导体区域构成，形成PN结，通过电流控制实现放大和开关功能。
传输过程中，载流子会受到半导体材料中杂质和 晶格结构的影响，产生散射和碰撞等行为。
电流分配关系
01
在三极管中，基极、集电极和发射极之间的电流分配关系是由三极管的材料和 结构决定的。
02
在理想情况下，基极电流、集电极电流和发射极电流之间存在一定的比例关系 ，这种比例关系称为电流放大倍数（β值）。
在音频放大器或射频放大器中，三极管能够将较小的音频或射频信 号放大成足够推动扬声器或无线发射的功率。
运算放大器
三极管构成的运算放大器在模拟电路中广泛应用，用于信号运算、 处理和转换。
开关电路中的应用
01
02
03
逻辑门电路
三极管可以组成逻辑门电 路，如与门、或门、非门 等，用于实现基本的逻辑 运算和控制。
开关电源
在开关电源中，三极管起 到开关作用，控制电源的 通断，实现电源的高效转 换。
继电器
三极管可以作为电子继电 器使用，代替传统的机械 继电器，实现小型化、快 速响应和长寿命。
其他应用领域
振荡器
三极管可以组成各种振荡 器，如RC振荡器、LC振荡 器等，用于产生特定频率 的信号。
传感器
利用三极管的电流放大作 用，可以制作各种传感器 ，如光电传感器、磁敏传 感器等。
三极管分类
总结词
三极管有多种分类方式，按材料可分为硅管和锗管，按结构可分为NPN和PNP 型。
详细描述
根据制作材料，三极管可以分为硅管和锗管两类。根据内部电荷类型，三极管 可以分为NPN型和PNP型两类。不同类型的三极管具有不同的工作特性和用途 。
三极管结构
总结词
三极管由三个半导体区域构成，形成PN结，通过电流控制实现放大和开关功能。
传输过程中，载流子会受到半导体材料中杂质和 晶格结构的影响，产生散射和碰撞等行为。
电流分配关系
01
在三极管中，基极、集电极和发射极之间的电流分配关系是由三极管的材料和 结构决定的。
02
在理想情况下，基极电流、集电极电流和发射极电流之间存在一定的比例关系 ，这种比例关系称为电流放大倍数（β值）。
2024年三极管(课件)-(多应用版)
三极管(课件)-(多应用版)三极管（课件）一、引言三极管，全称半导体三极管，是一种具有放大和开关功能的半导体器件。
它由三个掺杂不同类型的半导体材料（N型半导体、P型半导体）组成，是电子技术中最重要的基本元器件之一。
三极管广泛应用于放大、开关、稳压、信号调制等领域，对现代电子产业的发展具有重要意义。
二、三极管的结构与原理1.结构三极管主要由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
发射区和集电区分别由N型半导体和P型半导体组成，基区位于发射区和集电区之间，通常较薄。
根据半导体材料的组合方式，三极管可分为NPN型和PNP型两种。
2.原理三极管的工作原理基于半导体PN结的电压控制特性。
当在基极-发射极间施加正向偏置电压时，发射区的电子会注入到基区，并与基区的空穴复合，形成基区电流。
基区电流的大小决定了集电极电流的大小，从而实现放大作用。
当在基极-发射极间施加反向偏置电压时，三极管截止，集电极电流几乎为零，实现开关功能。
三、三极管的主要参数1.放大倍数β（HFE）放大倍数β是三极管输出电流与输入电流之比，是衡量三极管放大能力的重要参数。
β值越大，三极管的放大能力越强。
在实际应用中，β值通常在20~150之间。
2.集电极最大允许电流ICmax集电极最大允许电流是指三极管正常工作时，集电极所承受的最大电流值。
超过此电流值，三极管可能会损坏。
3.集电极最大允许耗散功率Pcmax集电极最大允许耗散功率是指三极管正常工作时，集电极所承受的最大功率。
超过此功率值，三极管可能会损坏。
4.极间反向耐压VCEO极间反向耐压是指三极管在截止状态下，集电极与发射极间的最大反向电压。
超过此电压值，三极管可能会损坏。
5.极间反向耐压VCBO极间反向耐压是指三极管在截止状态下，集电极与基极间的最大反向电压。
超过此电压值，三极管可能会损坏。
6.极间正向压降VBE极间正向压降是指三极管在导通状态下，基极与发射极间的电压降。
通常硅材料的VBE值为0.6~0.7V，锗材料的VBE值为0.2~0.3V。
三极管ppt课件
生变化。
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
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第2章 半导体三极管及其应用
第2章 半导体三极管及其应用
例1：在某放大电路中， 测量三极管各管脚电流如 图所示，判别各管脚名称 ，NPN型还是PNP型，求 的大小？
解：放大状态 IE=IB+IC 所以：① 脚是基极 ② 脚是集电极 ③ 脚是发射极 且为PNP管。
=（6.1-0.1）/0.1=60
导通电压 UBE(on)
硅管： (0.6 0.8) V 锗管： (0.2 0.3) V
uCE0 uC E1V
uBE
取 0.7 V 取 0.2 V
二、输出特性
iC f(uCE)iB常数
IC(mA ) 此区域满4 足IC=IB 称为线性3 区（放大 区）。 2
1
36
第2章 半导体三极管及其应用
当UCE大于一 定的数值时， 1II0CC0只 =A与IB。IB有关， 80A 60A 40A
第2章 半导体三极管及其应用
三、温度对特性曲线的影响
1. 温度升高，输入特性曲线向左移。
i B T2 > T1
温度每升高 1C，UBE (2 2.5) mV。
O
u BE
2. 温度升高，输出特性曲线向上移。
iC T2 > T1
温度每升高 1C， (0.5 1)%。
输出特性曲线间距增大。
O
iiiBBB===
第2章 半导体三极管及其应用
二、电流放大原理
1. 三极管放大的条件
内部 条件
发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低
集电结面积大
外部 条件
发射结正偏 集电结反偏
2. 满足放大条件的三种电路
C
E
C
B
ui
B uo
ui
uo E
共基极
共发射极
E
B
ui
uo C
共集电极
3. 电流放大作用
IE = IC + IB IC IB IC IB
I,UB=B80E0<,ICA死=I区CEO 电压60，A称为 截止40区A。
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
第2章 半导体三极管及其应用
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即 iC iB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即： i C i B
第2章 半导体三极管及其应用
关于三极管的应用
第2章 半导体三极管及其应用
教学目标 了解 晶体管的结构 理解晶体管特性及主要参数 掌握晶体管的管脚识别方法
晶体管外形
第2章 半导体三极管及其应用
EC
EBC E
C
B
B
C BE
第2章 半导体三极管及其应用
2.1.1 晶体管结构与电流放大(Semiconductor Transistor) 一、结构、类型
— 交流电流放大系数
00 0uCE
第2章 半导体三极管及其应用
2.1.3 晶体管的主要参数
一、电流放大系数
4 iC / mA 50 µA
1. 共发射极电流放大系数
3
40 µA
— 直流电流放大系数
Q 30 µA
II23C B .40N N 5 110II0C B 63A AIIC C8B B 2 O OIIC B
2 1
20A IB=0 9 12 UCE(V)
第2章 半导体三极管及其应用
4
IC(mA
) 此区域中UC1E00UBAE,
集电结正偏，
3
IB>IC，UCE800.3VA 称为饱和区。
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
第2章 半导体三极管及其应用
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
于哪个区？
IB B C
RC
UCE
RB UBE E
USC
USB
当USB =-2V时：
IB=0 ， IC=0 Q位于截止区
IC最大饱和电流： ICmaxURSCC1622mA
第2章 半导体三极管及其应用
例3： =50， USC =12V，
IC
RB =70k， RC =6k
当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
IB B C
RC
UCE
RB UBE E
USC
USB =2V时：
USB
IIB C U ISBB R B U 5B 0 E0 .0 2 7 9 1 0.0 7 m 0 0 A .0.9 1 9m 5m A A
IC< ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。
第2章 半导体三极管及其应用 IC
例3： =50， USC =12V，
RB =70k， RC =6k 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位
于哪个区？
IB B C
RC
UCE
RB UBE E
USC
USB
USB =5V时:
IBU SR B B U BE 5 70.7 00.06 m1A
Байду номын сангаас
Ic Icmax 2mA
Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 倍的关系。
临界饱和时： uCE = uBE
饱和时： uCE <uBE
UCE(sat)=
0.3 V (硅管) 0.1 V (锗管)
(3) 截止区：发射结反偏或零偏， iB 0,iC 0
第2章 半导体三极管及其应用
例3： =50， USC =12V，
IC
RB =70k， RC =6k
当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位
第2章 半导体三极管及其应用
例2：用万用表测得处在放大状态的晶体三极 管三个电极的对地电位是U1=3V，U2=12V， U3=3.7V试据此判断晶体三极管的管脚、材料 与类型。
根据发射结在放大时是正向压降， U1、U3两极电 压差为0.7 V，可判断此为硅管; 12V电压的管脚为集 电极;
集电极电位VC是最大值，故为NPN型; 由NPN管放大时要求VC〉VB〉VE知，第1脚是发射 极，第3脚是基极
collector
集电极 C
— 集电区 C
N 集电结
P
基极 B P — 基区 B N
base
N
发射结 — 发射区
P
发射极 E emitter
E
C
C
B
NPN 型 E
B
PNP 型 E
分类： 按材料分：
硅管、锗管 按结构分：
NPN、 PNP 按使用频率分：
低频管、高频管 按功率分： 小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 1 W 大功率管 > 1 W
第2章 半导体三极管及其应用
2.1.2 晶体管的伏安特性曲线
iC
一、输入特性
iB B C +
iBf(uBE)uCE常数 uCE 0 与二极管特性相似
+RVBBB输回u入路+B E E
uC输回E 出路 IE
RC
+ VCC
iB
RB
iB
RB +
+
uBE
VBB
+
VBB
O
uCE 0 特性右移
uCE1V 特性基本重合