实验三 双端口实验内容
试验三三点法测量二端口微波网络的散射参数
实验三 三点法测量二端口微波网络的散射参数一、 实验目的和意义双口网络参数的测量是在单口网络的基础上进行的，同时双口网络测量又是多口网络测量的基础，具有承上启下的作用。
实验要求掌握用三点法测量微波网络的散射参数的方法，为进一步学习微波网络测量打好基础。
二、实验原理和方法微波网络与参量的求法可以用计算法亦可用实验法，但计算法仅限于解决简单网络，对于复杂的网络，其S 参数的确定要用实验法。
所谓三点法是指必须的测量为3次，由3次测得的数据便可求得双口网络的全部参数。
这是因为互易双口网络只有三个参数是独立的。
对于一个互易的双口网络，其S 参数如图一所示。
在输入端 a 1是入射波，b 1是反射波。
在输出端，b 2是入射波，a 2 是反射波。
图一 双口网络的Ｓ参数对于线性网络，可用线性代数方程表示b 1 = S 11 a 1 + S 12 a 2 (1)b 2 = S 21 a 1 + S 22 a 2 (2)式中S 参数的物理意义分别为21111b S a =端匹配：2端匹配，1端的反射系数 22211b S a =端匹配：2端匹配，1端至2端的传输系数 11122b S a =端匹配：1端匹配，2端至1端的传输系数 12222b S a =端匹配：1端匹配，2端的反射系数设 1Γ为1端的反射系数，2Γ为2端的反射系数。
由（1）、（2）式及11,1b a Γ=222a b Γ= 对于互易网络 S 12 = S 21 由此得到22111121222S S S ΓΓ=+-Γ （3）在（3）式中有三个未知数S 11、S 22 和S 12。
如果能分别测出网络输出端短路、开路和匹配时，网络输入端的反射系数Γ1S 、Γ10和1L Γ可由（3）式求得三个未知数。
2端开路时 21Γ=+1端的反射系数 2121011122S S S Γ=+- （4）2端短路时 21Γ=-1端的反射系数 212111122S S S S Γ=-+ （5）2端匹配时 20Γ=1端的反射系数 111L S Γ= （6） 由（4）、（5）、（6）式得2111022110L S S S Γ-Γ-Γ=Γ-Γ （7）由（5）式得()()21222111S S L S =+Γ-Γ （8）如果网络是对称的，则S 11=S 22，只要进行两次测量，例如一次短路，一次开路。
计算机组成原理双端口存储器实验报告
计算机组成原理实验报告实验名称双端口存储器实验专业软件工程学院计算机与软件学院姓名徐振兴班级（2）学号20111344069 指导老师任勇军实验日期2013.5.24 得分一、实验类别原理性+分析性二、实验目的⑵了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法；⑵了解半导体存储器怎样存储和读取数据；⑶了解双端口存储器怎样并行读写；⑷熟悉TEC-8模型计算机中存储器部分的数据通路。
三、实验设备⑴TEC-8 实验系统1台⑵双踪示波器1台⑵直流万用表1块⑷逻辑测试笔（在TEC-8 实验台上） 1 支四、实验电路双端口RAM 电路由1 片IDT7132 及少许附加电路组成，存放程序和数据。
IDT7132 有2 个端口，一个称为左端口，一个称为右端口。
2 个端口各有独立的存储器地址线、数据线和3 个读、写控制信号： CE#、R/W#和OE#，可以同时对器件内部的同一存储体同时进行读、写。
IDT7132 容量为2048 字节，TEC-8 实验系统只使用64 字节。
在TEC-8 实验系统中，左端口配置成读、写端口，用于程序的初始装入操作，从存储器中取数到数据总线DBUS，将数据总线DBUS 上的数写入存储器。
当信号MEMW 为1 时，在T2 为1 时，将数据总线DBUS 上的数D7～D0 写入AR7～AR0 指定的存储单元；当MBUS 信号为1 时，AR7～AR0 指定的存储单元的数送数据总线DBUS。
右端口设置成只读方式，从PC7～PC0 指定的存储单元读出指令INS7～INS0，送往指令寄存器IR。
程序计数器PC 由2 片GAL22V10（U53 和U54）组成。
向双端口RAM 的右端口提供存储器地址。
当复位信号CLR#为0 时，程序计数器复位，PC7～PC0 为00H。
当信号LPC 为1 时，在T3 的上升沿，将数据总线DBUS 上的数D7～D0 写入PC。
当信号PCINC 为1 时，在T3 的上升沿，完成PC 加1。
双端口存储器实验报告
双端口存储器实验报告实验目的：1.了解双端口存储器的结构和工作原理。
2.掌握Verilog HDL语言的基本应用。
3.掌握ModelSim软件的使用方法。
实验内容：双端口存储器是指具有两个读写口的存储器，它可以通过一个端口写入数据，同时通过另一个端口读出数据，常用于数字信号处理、图像处理等领域。
本实验将通过Verilog HDL语言编写程序，使用ModelSim软件进行仿真验证，实现一个简单的双端口存储器。
具体实验内容如下：2.编写Verilog HDL程序实现简单的双端口存储器。
在程序中，定义数据存储器、读写使能信号、读写数据等变量，并利用always语句实现对数据的读写操作。
3.使用ModelSim软件进行仿真验证。
在ModelSim中创建项目，导入设计文件和仿真波形文件，进行波形仿真，验证程序的正确性。
实验步骤：双端口存储器是指具有两个读写口的存储器，其中一个读写口用于读写存储器内部的数据，另一个用于与外部系统交换数据。
在双端口存储器的结构中，存储器数据的读写可以同时进行，而无需互斥。
在读数据端口和写数据端口的操作中，存在两个读写控制信号，一个是读写使能信号，用于控制读写操作是否有效；另一个是写使能信号，用于控制数据写入操作的触发。
2.编写Verilog HDL程序实现简单的双端口存储器。
module dual_port_memory (input clk,input [3:0] addr1,input [3:0] addr2,input [7:0] data_in,input rd_en1,input rd_en2,input wr_en,output [7:0] data_out1,output [7:0] data_out2);reg [7:0] mem[0:15]; // 定义存储器数组// 读写操作always @(posedge clk) beginif (wr_en) // 写操作mem[addr1] <= data_in;else if (rd_en1) // 读操作1data_out1 <= mem[addr1];else if (rd_en2) // 读操作2data_out2 <= mem[addr2];endendmodule在程序中定义了一个16位的存储器数组mem。
实验三流水灯实验（io口和定时器实验）
实验三流水灯实验（I/O口和定时器实验）一、实验目的1．学会单片机I/O口的使用方法和定时器的使用方法；2．掌握延时子程序的编程方法、内部中断服务子程序的编程方法；3．学会使用I/O口控制LED灯的应用程序设计。
二、实验内容1．控制单片机P1口输出，使LED1~LED8右循环轮流点亮（即右流水），间隔时间为100毫秒。
2．控制单片机P1口输出，使LED1~LED8左循环轮流点亮（即左流水），间隔时间为100毫秒。
3．使用K1开关控制上面LED灯的两种循环状态交替进行；4. 用定时器使P1口输出周期为100ms的方波，使LED闪烁。
5．使用定时器定时，使LED灯的两种循环状态自动交替，每一种状态持续1.6秒钟（选作）。
三、实验方法和步骤1．硬件电路设计使用实验仪上的E1、E5和E7模块电路，把E1区的JP1（单片机的P1口）和E5区的8针接口L1~L8（LED的驱动芯片74HC245的输入端）连接起来，P1口就可以控制LED 灯了。
当P1口上输出低电平“0”时，LED灯亮，反之，LED灯灭。
E7区的K1开关可以接单片机P3.0口，用P3.0口读取K1开关的控制信号，根据K1开关的状态（置“1”还是置“0”），来决定LED进行左流水还是右流水。
综上，画出实验电路原理图。
2．程序设计实验1和实验2程序流程图如图3-1实验3程序流程图如图3-2所示。
图3-1 实验1,2程序流程图图3-2 实验3程序流程图实验4程序流程图如图3-3，3-4所示。
实验5程序流程图如图3-5，3-6所示。
图3-5 实验5主程序流程图图3-6 定时器中断服务子程序流程图图3-4 定时器中断服务子程序流程图图3-3 实验4主程序流程图编程要点：（1）Pl，P3口为准双向口，每一位都可独立地定义为输入或输出，在作输入线使用前，必须向锁存器相应位写入“1”，该位才能作为输入。
例如：MOV P1,A; P1口做输出MOV P1,#0FFHMOV A，P1;P1口做输入SETB P3.0MOV C,P3.1;从P3.1口读入数据（2）每个端口对应着一个寄存器，例：P1→90H(P1寄存器地址)；P3→B0H(P3寄存器地址)；寄存器的每一位对应着一个引脚，例：B0H.0→P3.0（3）对寄存器写入“0”、“1”，对应的外部引脚则输出“低电平”、“高电平”。
实验4：双端口存储器实验 ----独立方式
河北环境工程学院
《计算机组成原理》实验报告
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一、实验目的
1、了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法；
2、了解半导体存储器怎样存储和读取数据；
3、了解双端口存储器怎样并行读写；
4、熟悉LK-TEC-9模型计算机存储器部分的数据通路；
二、预习内容
1.掌握双端口存储器的使用方法
2. 掌握TEC-8模型计算机存储器的部分的数据通路
三、实验环境及主要器件
1．TEC-8实验系统 1台
2. 逻辑测试笔 1支
3. 双踪示波器 1台
4. 逻辑测试笔 1支
四、实验内容
1、从存储器地址10H开始，通过左端口连续向双端口RAM中写入3个数：85H，60H，38H。
在写的过程中，在右端口检测写的数据是否正确。
2、从存储器地址10H开始，连续从双端口RAM的左端口和右端口同时读出存储器的内容。
五、实验步骤
六、实验结果分析与讨论。
双端口存储器原理实验报告
双端口存储器原理实验报告一、实验内容、方法和步骤1.接线IAR_BUS 接 GND，ALU_BUS 接 GND，RS_BUS 接GND，禁止中断地址寄存器、运算器、多端口寄存器堆 RF 向数据总线 DBUS 送数据。
AR1_INC 接GND，M3 接 VCC，使地址寄存器 AR1 和 AR2 从数据总线 DBUS 取得地址数据。
信号IAR_BUSALU_BUSRS_BUSAR1_INC M3开关GND GND GND GND VC C信号LDIRSW_BUSLDAR2LDAR1 CER LRW CEL开关K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0 2.置 DP = 1，DB = 0，DZ = 0，使实验台处于单拍状态。
工作模式开关=“脱机”合上电源。
按复位按钮 CLR#，使实验系统处于初始状态。
置 DP = 1，DB = 0，DZ = 0，使实验台处于单拍状态。
工作模式开关=“脱机”合上电源。
按复位按钮 CLR#，使实验系统处于初始状态。
（1）写地址寄存器 AR1=00信号SW7~0 LDIRSW_BUSLDAR2LDAR1 CER LRW CEL开关K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0状 态 / 00H 0 1 0 1 0 0 0 值 按一次 QD ，将 00H 写入 AR1。
（2）向存储器 00H 地址写数 00H 信 SW7~0 LDIR SW_B US LDAR 2 LDAR 1 CER LRW CEL 号 开关 K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0 状 态 / 00H 0 1 0 0 0 0 1 值 按一次 QD ，将 00H 写入存储器 00H 地址。
（3）写地址寄存器 AR1=10 信号 SW7~0 LDIR SW_B US LDAR 2 LDAR 1 CER LRW CEL 开关 K6 K5 K4 K3 K2 K1 K0 状 态 / 10H 0 1 0 1 0 0 0 值按一次 QD ，将 10H 写入 AR1。
计算机组成原理实验报告
实验1 通用寄存器实验一、实验目的1.熟悉通用寄存器的数据通路。
2.了解通用寄存器的构成和运用.二、实验要求掌握通用寄存器R3~R0的读写操作.三、实验原理实验中所用的通用寄存器数据通路如下图所示。
由四片8位字长的74LS574组成R1 R0（CX）、R3 R2（DX）通用寄存器组。
图中X2 X1 X0定义输出选通使能，SI、XP控制位为源选通控制。
RWR为寄存器数据写入使能，DI、OP为目的寄存器写选通。
DRCK信号为寄存器组打入脉冲，上升沿有效.准双向I/O输入输出端口用于置数操作,经2片74LS245三态门与数据总线相连。
图2—3-3 通用寄存器数据通路四、实验内容1.实验连线连线信号孔接入孔作用有效电平2.寄存器的读写操作①目的通路当RWR=0时，由DI、OP编码产生目的寄存器地址，详见下表.通用寄存器“手动／搭接”目的编码②通用寄存器的写入通过“I/O输入输出单元”向R0、R1寄存器分别置数11h、22h，操作步骤如下：通过“I/O输入输出单元”向R2、R3寄存器分别置数33h、44h，操作步骤如下：③源通路当X2~X0=001时，由SI、XP编码产生源寄存器，详见下表.通用寄存器“手动／搭接”源编码④ 通用寄存器的读出关闭写使能，令K18（RWR ）=1，按下流程分别读R0、R1、R2、R3。
五、实验心得通过这个实验让我清晰的了解了通用寄存器的构成以及通用寄存器是如何运用的，并且熟悉了通用寄存器的数据通路，而且还深刻的掌握了通用寄存器R3~R0的读写操作。
实验2 运算器实验一、实验目的掌握八位运算器的数据传输格式,验证运算功能发生器及进位控制的组合功能.二、实验要求完成算术、逻辑、移位运算实验，熟悉ALU 运算控制位的运用.三、实验原理实验中所用的运算器数据通路如图2-3—1所示。
ALU 运算器由CPLD 描述。
运算器的输出FUN 经过74LS245三态门与数据总线相连,运算源寄存器A 和暂存器B 的数据输入端分别由2个74LS574锁存器锁存，锁存器的输入端与数据总线相连，准双向I/O 输入输出端口用来给出参与运算的数据，经2片74LS245三态门与数据总线相连。
实验三P3.3口输入.P1口输出
实验三 P3.3 口输入 .P1 口输出
一、实验目的
1、学习MCS-51指令系统的使用。 2、学习汇编语言程序的设计和调试方法 3、掌握P3口、P1口简单使用。 4、学习延时程序的编写和使用。
二、实验内容
1、阅读分析并掌握实验原理图。 2、编写并调试程序，下载程序到开发装置。 3、P3口做输入口，外接一脉冲，每输入一个脉冲，P1口
个机器周期时间长度12/6.0MHZ为2微秒，所以该段指令 执行时间为：（248*2+4 ）*200+4=100ms。
四、程序框图
五、实验电路
六、实验步骤
1、P3.3用插针连至K1，P1.0—P1.7用插针连至L1—L8。 2、编辑程序并将程序下载到实验装置，然后连续运行程
序。 3、开关K1每拨动一次，L1—L8发光二极管按16进制方式
加一点亮。
按十六进制加一。 4、P1口做输出口，编写程序，使P1口接的8 个发光二极
管L1—L8按16进制加一方式点亮发光二极管。
三、实验说明
• 1.P3口是准双向口，它作为输出口时与一般的双向口使 用方法相同，由准双向口结构可知：当P3口作为输入口 时，必须先对它置高电平，使内部MOS管截止，因内部上 拉电阻是20KΩ—40KΩ，故不会对外部输入产生影响。 若不先确的。
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台上 OER 已固定接地，RRW 固定接高电平。 当 CER=1 且 LDIR=1 时,右端口读出的指令在 T4 的上升沿打入 IR 寄存器。 3、存储器地址 存储器的地址由地址寄存器 AR1、AR2 提供，而 AR1 和 AR2 的内容根据数码开关 SW0—SW7 设置产生，并
经三态门 SW_BUS 发送到数据总线时被 AR1 或 AR2 接收, 三态门的控制信号 SW_BUS 是低电平有效。数据总线 DBUS 有 5 个数据来源：运算器 ALU，寄存器堆 RF，控制台开关 SW0—SW7，双端口存储器 IDT7132 和中断地址 寄存器 IAR。在任何时刻，都不允许 2 个或者 2 个以上的数据源同时向数据总线 DBUS 输送数据,只允许 1 个(或 者没有)数据源向数据总线 DBUS 输送数据。在本实验中，为了保证数据的正确设置和观察，请令 RS_BUS = 0,ALU_BUS = 0,IAR_BUS = 0。AR1 的控制信号是 LDAR1 和 AR1_INC。当 LDAR1 = 1 时，AR1 从 DBUS 接收地址； 当 AR1_INC =1 时,使 AR1 中的存储器地址增加１；在 T4 的上升沿,产生新的地址；LDAR1 和 AR1_INC 两者不 可同时为１。AR2 的控制信号是 LDAR2 和 M3。当 M3 =1 时，AR2 从数据总线 DBUS 接收数据；当 M3=0 时，AR2 以 PC 总线 PC0—PC7 作为数据来源。当 LDAR2=1 时，在 T2 的下降沿，将新的 PC 值打入 AR2。 三、实验设备
按一次 QD，将 00H 写入存储器 00H 地址。
（3）写地址寄存器 AR1=10
信号
SW7~0 LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
开关
K6
K5
K4
K3
K2
状态/值
按一次 QD，将 10H 写入 AR1。
（4）向存储器 10H 地址写数 10H
信号 SW7~0 LDIR
SW_BUS LDAR2
1. TEC-9 计算机组成原理实验系统 1 台 2. 逻辑测试笔一支( 在 TEC-9 实验台上) 3. 双踪示波器一台（公用） 4. 万用表一只（公用） 四、实验任务 1、按表所示，将有关控制信号和和二进制开关对应接好，仔细复查一遍，然后接通电源。 2、将数码开关 SW0—SW7（SW0 是最低位）设置为 00H，将此数据作为地址置入 AR1；然后重新设置二进 制开关控制，将数码开关 SW0—SW7 上的数 00H 写入 RAM 第０号单元。依此方法，在存储器 10H 单元写入数据 10H，20H 单元写入 20H，30H 单元写入 30H，40H 单元写入 40H，共存入５个数据。 使用双端口存储器的左端口，依次读出存储器第 00H、10H、20H、30H、40H 单元中的内容，观察上述各 单元中的内容是否与该单元的地址号相同。请记录数据。注意：总线上禁止两个以上部件同时向总线输出数 据。当存储器进行读出操作时，必须关闭 SW_BUS 三态门！而当向 AR1 送入地址时，双端口存储器不能被选中。 3、通过双端口存储器右端口（指令端口），依次把存储器第 00H、10H、20H、30H、40H 单元中的内容置 入指令寄存器 IR，观察结果是否与（2）相同，并记录数据。 4、双端口存储器的并行读写和访问冲突测试。 置 CEL=1 且 CER=１，使存储器左、右端口同时被选中。当 AR1 和 AR2 的地址不相同时，没有访问冲突； 如果左、右端口地址相同，则发生冲突。要检测冲突，可以观察指示灯 BUSYL 和 BUSYR（分别是两个端口的 “忙”信号输出）。BUSYL/R 亮时不一定发生冲突，但发生冲突时，BUSY 一定亮。当某一个端口（无论是左端 口还是右端口）的 BUSYL/R 亮时，对该端口的写操作被 IDT7132 忽略掉。 5、实验所需信号：
存储器 IDT7132 有 6 个控制引脚：CEL、LRW、OEL、CER、RRW、OER。CEL、LRW、OEL 控制左端口读、写 操作，CER、RRW、OER 控制右端口读、写操作。
（1）左端口操作 CEL 为左端口选择引脚，高有效。当 CEL =0 时，禁止左端口读、写操作；当 CEL =1 时，允许左端口读、 写操作。当 LRW 为高时，左端口进行读操作；当 LRW 为低时，左端口进行写操作。当 OEL 为低时，将左端口 读出的数据放到数据总线 DBUS 上；当 OEL 为高时，禁止左端口读出的数据放到数据总线 DBUS 上。OEL 为 LRW 反向产生。因此本实验台 OEL 信号不需单独控制。实验台上已连接 T3 到时序发生器的 T3 输出。
LDAR1
CER
开关
K6
K5
K4
K3
K2
状态/值
按一次 QD，将 10H 写入存储器 10H 地址。
（5）写地址寄存器 AR1=20
信号
SW7~0 LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
开关
K6
K5
Байду номын сангаас
K4
K3
K2
状态/值
按一次 QD，将 10H 写入 AR1。
（6）向存储器 20H 地址写数 20H
信号 SW7~0 LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
LRW
CEL
开关
K6
K5
K4
K3
K2
K1
K0
状态/值
按一次 QD，将 40H 写入存储器 40H 地址。
3、实验结果
（1）分别读出 00H、10H、20H、30H、40H 地址中的数据。
1）写地址寄存器 AR1=00
信号
SW7~0 LDIR
信号
SW7~0 LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
LRW
CEL
开关
K6
K5
K4
K3
K2
K1
K0
状态/值
按一次 QD，将 00H 写入地址 AR2
40
2）读出存储器 00H 地址中的数据。
信号 IRBUS LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
LRW
CEL
开关
K6
K5
K4
K3
1）、CEL: 为 1 时，允许对存储器左端口进行读写操作。 2）、LRW: 为 0 时，进行写操作；为 1 时，时行读操作。 3）、OEL: 为 0 时，将左端口读出的数据送到数据总线 DBUS 上。本系统 OEL 为 LRW 反向。读时送到
数据总线有效。 4）、CER: 为 1 时，右端口允许进行读写操作 5）、RRW: 为 0 时，右端口进行写操作，为 1 时，右端口进行读操作。本实验系统固定接 VCC，只能
3）写地址寄存器 AR1=10
信号
SW7~0 LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
LRW
CEL
开关
K6
K5
K4
K3
K2
K1
K0
状态/值
按一次 QD，将 10H 写入 AR1。
4）读出存储器 10H 地址中的数据。
信号 DBUS LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
LRW
CEL
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
LRW
CEL
开关
K6
K5
K4
K3
K2
K1
K0
状态/值
按一次 QD，将 00H 写入 AR1。
2）读出存储器 00H 地址中的数据。
信号 DBUS LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
LRW
CEL
开关
K6
K5
K4
K3
K2
K1
K0
状态/值
按一次 QD，将读出存储器 00H 地址中数据到数据总线,数据总线指示灯显示 00H。
LRW K1
LRW K1
LRW K1
LRW K1
LRW K1
LRW K1
LRW K1
LRW K1
CEL K0
CEL K0
CEL K0
CEL K0
CEL K0
CEL K0
CEL K0
CEL K0
39
（8）向存储器 30H 地址写数 30H
信号 SW7~0 LDIR
SW_BUS LDAR2
LDAR1
CER
K2
K1
K0
状态/值
按一次 QD，将读出存储器 00 地址中的数据，并写入到指令寄存器 IR，指令总线指示灯显示 00H。
……依照上面步骤，先写入地址寄存器。再读出存储器中的数据。可分别读出存储器 10、20H、30H、40H 地址
中的数据并写入到 IR 寄存器。IR 总线指示灯分别显示 10H、20H、30H、40H。
a、 当 CEL=1 且 LRW=1 时，左端口进行读操作，同时将读出的数据放到数据总线 DBUS 上。 b、 当 CEL=1 且 LRW=0 时，在 T3 的上升沿开始进行写操作，将数据总线上的数据写入存储器。 2、右端口操作 CER、RRW、OER 控制右端口读、写操作的方式与 CEL、LRW、OER 控制左端口读、写操作的方式类似，不 过右端口读出的数据放到指令总线上而不是数据总线上。实验台上已连接 T3 到时序发生器的 T3 输出。实验
38
信号 IAR_BUS ALU_BUS RS_BUS AR1_INC M3
开关 GND
GND
GND
GND
VCC
信号 LDIR
SW_BUS