芯片封装介绍
芯片封装原理及分类
芯片封装原理及分类1.芯片封装原理芯片封装是指将微电子器件（包括集成电路、晶体管等）连接到封装基座上的工艺过程。
其原理是将芯片导线通过焊接或焊球连接到封装基座上的金属脚，然后采用封装材料将芯片进行封装。
这样可以保护芯片免受外界环境的影响，并且提供了芯片与外部世界之间的连接接口。
2.芯片封装分类（1）DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早的一种芯片封装方式，其特点是通过两排金属脚与外部电路连接。
这种封装方式成本低、可焊接，但体积大，适用于较低密度的集成电路。
（2）SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是DIP封装的改进版，其特点是脚距更近，体积更小，适用于较高密度的集成电路。
SOP封装有多种形式，如SOIC（Small Outline Integrated Circuit）、TSOP（Thin Small Outline Package）等。
（3）QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装是一种表面贴装封装方式，其特点是四个侧面都带有金属端子，适用于较高密度、中等规模的集成电路。
QFP封装有多种形式，如TQFP（Thin Quad Flat Package）、LQFP（Low-profile Quad Flat Package）等。
（4）BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种表面贴装封装方式，在封装基座上布置了一定数量的焊球来实现与外部电路的连接。
BGA封装的特点是密封性好、性能稳定，并且适用于超高密度的集成电路。
BGA封装有多种形式，如CABGA （Ceramic Ball Grid Array）、TBGA（Thin Ball Grid Array）等。
（5）CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种紧凑型封装方式，其特点是尺寸和芯片相似，在封装基座上布置了少量焊球或焊盘。
CSP封装的优势在于占据空间小、重量轻、功耗低，并且适用于高密度的集成电路。
芯片封装大全集锦
芯片封装大全集锦芯片封装是将芯片器件连接到封装材料上，以保护芯片免受外界环境影响，提供电气连接和机械支撑，并为芯片的使用和应用提供便利性。
在电子产品中，不同的芯片封装有不同的形式和尺寸，每种封装都有其独特的特点和适用范围。
下面是一些常见的芯片封装类型：1. DIP（Dual Inline Package）DIP是芯片封装中最经典的形式之一，它采用两行引脚，并通过直插式连接到电路板上。
DIP封装适用于大多数通过针脚连接的芯片，如逻辑门、操作放大器等。
2. QFP（Quad Flat Package）QFP是一种方形封装，拥有四个侧面的引脚。
它比DIP封装更小，更适合于集成电路密集的应用，如微处理器、数字信号处理器等。
3. BGA（Ball Grid Array）BGA封装是一种引脚连接在芯片的底部，并通过焊球连接到电路板上的封装。
它通常用于高性能芯片，如图形处理器、处理器等。
BGA封装具有较高的密度和可靠性，但更难于维修和更昂贵。
4. LGA（Land Grid Array）LGA封装与BGA封装类似，但焊球是连接在电路板上，而不是芯片的底部。
LGA封装适用于需要更高密度连接和更好热散热的设备，如服务器、工作站等。
5. CSP（Chip Scale Package）CSP封装是一种具有与芯片尺寸相近的封装，芯片上的引脚直接暴露在封装的底部。
CSP封装适用于需要尺寸紧凑和高密度连接的应用，如智能手机、平板电脑等。
6. COB（Chip on Board）COB封装是将芯片直接倒装直接粘贴到电路板上，并用金线连接。
COB封装具有尺寸紧凑和高密度连接的优点，适用于小型电子产品，如手表、MP3播放器等。
7. SOP（Small Outline Package）SOP封装是一种小型、轻便的封装，引脚分布在两个侧面，适用于IC芯片等应用。
8. QFN（Quad Flat No Leads）QFN封装类似于QFP封装，但没有引脚，而是通过金属垫连接到电路板上。
芯片封装介绍范文
芯片封装介绍范文芯片封装是一种将芯片器件封装在外部包装中的技术过程。
它起到保护芯片免受外界环境影响的作用，同时也为芯片与外部世界进行连接提供了可能。
芯片封装可分为多种形式，如塑封、球栅阵列封装（BGA）、无引线封装（QFN）等。
早期的芯片封装主要采用塑封封装。
塑封封装通过将芯片与塑料基片进行固定连接，然后使用塑料材料进行封装。
塑封封装方式简单、成本较低，适用于低功耗芯片，如逻辑芯片和存储器芯片。
然而，随着集成度的不断提高和功耗的增加，塑封封装的局限性也逐渐暴露出来，如散热不佳、引脚容易受损等。
为解决塑封封装的问题，球栅阵列封装（BGA）应运而生。
BGA封装采用无引线设计，通过在底部安装一个由球形焊球组成的阵列，与印刷电路板焊接在一起。
相较于塑封封装，BGA封装具有更好的热性能和导热性能，能够更好地满足高密度与高功率芯片的需求。
此外，BGA封装的焊点可靠性也较高，能够适应复杂环境和振动应力。
因此，BGA封装逐渐成为高性能芯片封装的主流技术。
除了BGA封装之外，无引线封装（QFN）也是一种常见的芯片封装形式。
与BGA封装类似，QFN封装也采用无引线设计，通过焊接芯片与印刷电路板的底部金属接触面相连接。
与BGA封装相比，QFN封装在尺寸上更加紧凑，适用于小型化和轻量化的应用，如移动设备和无线通信模块。
此外，QFN封装还具有低成本、良好的导热性能和可靠性等优势。
除了上述封装形式，另外还有多种芯片封装技术，如多芯片模块（MCM）、3D封装等。
多芯片模块将多个芯片集成在一个封装中，以实现更高的功能集成和性能。
3D封装则是将多个芯片堆叠在一起，通过垂直连接实现信号传输和功耗管理。
这些封装形式在高端应用领域得到广泛应用，如服务器、网络设备和高性能计算机等。
总之，芯片封装是将芯片器件封装在外部包装中的技术过程，它为芯片提供了物理保护和外部连接的功能。
在不同类型的封装中，塑封封装适用于低功耗芯片，BGA和QFN封装适用于高性能芯片，而MCM和3D封装则适用于高度集成和功能复杂的芯片。
先进芯片封装知识介绍
先进芯片封装知识介绍芯片封装是将半导体芯片封装成具有特定功能和形状的封装组件的过程。
芯片封装在实际应用中起着至关重要的作用，它不仅保护芯片免受外部环境的干扰和损害，同时也为芯片提供了良好的导热特性和机械强度。
本文将介绍先进芯片封装的知识，包括封装技术、封装材料和封装工艺等方面。
一、芯片封装技术芯片封装技术主要包括无引线封装（Wafer-Level Package，简称WLP）、翻装封装（Flip-Chip Package，简称FCP）和探针封装（Probe Card Package，简称PCP）等。
1.无引线封装（WLP）：无引线封装是在芯片表面直接封装焊盘，实现对芯片进行封装和连接。
它可以使芯片的封装密度更高，并且具有优秀的热传导和电性能。
无引线封装技术广泛应用于移动设备和无线通信领域。
2.翻装封装（FCP）：翻装封装是将芯片颠倒翻转后通过导电焊球连接到基板上的封装技术。
它可以提供更好的电路性能和更高的封装密度，适用于高性能芯片的封装。
3.探针封装（PCP）：探针封装是通过探针头将芯片连接到测试设备进行测试和封装的技术。
它可以快速进行芯片测试和封装，适用于小批量和多品种的芯片生产。
二、芯片封装材料芯片封装材料是指用于封装过程中的材料，包括基板、封装胶料和焊盘等。
1.基板：基板是芯片封装的重要组成部分，主要用于支撑和连接芯片和其他封装组件。
常用的基板材料包括陶瓷基板、有机基板和金属基板等。
2.封装胶料：封装胶料用于固定和保护芯片，防止芯片受损。
常见的封装胶料包括环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等。
3.焊盘：焊盘是连接芯片和基板的关键部分，用于传递信号和电力。
常见的焊盘材料包括无铅焊料、焊接球和金属焊点等。
三、芯片封装工艺芯片封装工艺是指在封装过程中实施的一系列工艺步骤，主要包括胶黏、焊接和封装等。
1.胶黏：胶黏是将芯片和其他封装组件固定在基板上的工艺步骤。
它通常使用封装胶料将芯片和基板粘接在一起，并通过加热或压力处理来保证粘结的强度。
芯片封装形式介绍
-39-芯片封装形式介绍●实用资料库芯片封装形式介绍1、通孔封装(1)D IP (双列直插式封装)此封装为常用封装形式,通常为有SH -D IP (收缩双列直插式封装)、S K -D IP (膜状双列直插式)、SL -D IP (细长双列直插式),引脚数都为偶数,常见为16、24、40脚等。
(2)D IP (单列直插式封装)此封装引脚排成一列,引脚数可为任意。
(3)ZIP (Z 字形直插式封装)双列,两列引脚错开。
(4)P GA (针栅阵列或柱形封装)芯片为四方形,引脚尺寸较小。
2.表面安装尺寸(1)小型封装(SO ,Small Outline )小外形封装(SO 或SO IC )通常有SO P 和SOJ 两种形式,前者引脚呈翼型,后者引脚为“J ”型,引脚间距通常为1.27mm 。
各类存储器大多用此类封装。
(2)四边扁平封装(Q FP ,Quad Flat Pack 2a g e )四边扁平封装(Q FP )有陶瓷封装(CQ FP )、塑料封装(PQ FP )和金属封装(MQ FP )三种形式,PQ FP出现取代了同样规格的有引线塑料芯片载体(PL CC ,Plastic LeadedChi p Carri 2er )。
与PL CC 不同的是,PQ FP 引脚通常呈翼形。
Q FP 普遍用于ASIC 、逻辑电路,广泛应用于300条引脚以内的封装,而其成本也较低。
(3)带载封装(TCP ,Ta p e Carrier Packa g e )与Q FP 相比,TCP 的引线间距可以做得很窄,而且外形可以做得更薄,因此,TCP 是比Q FP 更薄的高密度封装,可以用于高I/O 口数的ASIC 和微处理器。
(4)球栅阵列封装(B GA ,Ball Grid Arra y )与P GA 相比,B GA 是用焊料球来代替引脚。
由于多层布线衬底的不同,可有不同类型的B GA ,如陶瓷球栅阵列封装(CBA G ),带状球栅阵列封装(TB GA )、塑料球栅阵列封装(PB GA )和金属球栅阵列封装(MB GA )等。
常见芯片封装的类型介绍
常见芯片封装的类型介绍芯片封装是指将芯片与外部环境隔离，保护芯片并为其提供连接电路的过程。
它把芯片放在一个封装材料中，通常是塑料或陶瓷，并通过引脚或接口与其他电子元件或系统连接。
根据封装形式的不同，常见的芯片封装类型可以分为以下几类。
1. DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早也是最常见的芯片封装类型之一、DIP芯片封装的引脚排列成双排直线，并通过插座与电路板连接。
DIP封装适用于许多低功耗和小尺寸的集成电路，如运算放大器、逻辑门、存储器等。
2. QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装在DIP的基础上进行了改进和创新，使得芯片引脚的数量更多，且致密度更高。
QFP封装的引脚排列成四个直角，并且可以铺贴在电路板的表面上。
QFP封装常用于高密度的集成电路，如微处理器、存储器和信号处理器等。
3. BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种先进的封装技术，尤其适用于高密度、高速度和高功率的集成电路。
BGA芯片封装将芯片引脚替换为在芯片底部的焊球，通过这些焊球与电路板上的焊盘相连接。
BGA封装具有良好的散热性能和良好的电气特性，因此广泛应用于微处理器、图形芯片和FPGA等。
4. CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种尺寸与芯片尺寸相近或稍大，并适合高密度集成电路的封装形式。
CSP封装通常比BGA封装更小，可以实现极高的引脚密度，从而提高系统的可靠性和性能。
CSP封装常用于移动设备、智能卡、传感器等领域。
5. SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是一种小型、表面安装的封装形式，非常适用于密度较低的电子元件。
SOP封装通常有两个版本：SOP和SSOP。
SOP封装引脚间距较大，而SSOP封装的引脚间距更小，更适合于有限的PCB空间和高密度的应用场景。
SOP封装广泛用于晶体管、逻辑门和模拟转换器等。
芯片封装介绍
一、什么叫封装封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装时主要考虑的因素：1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP 公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP （薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装二、具体的封装形式1、 SOP/SOIC封装SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。
芯片封装种类汇总
芯片封装种类汇总芯片封装是将芯片电路和相关元器件封装在一起，保护芯片电路，提供连接和传导功能的一项技术。
随着芯片集成度的不断提高，芯片封装形式也在不断演化。
下面将介绍一些常见的芯片封装种类。
1. DIP封装（Dual In-line Package）：DIP封装是最早的一种芯片封装形式之一，它拥有一排的插针，可直接插入插槽或插座中。
DIP封装广泛应用于电子设备中，如存储器、逻辑芯片等。
2. QFP封装（Quad Flat Package）：QFP封装是一种表面贴装封装形式，它拥有四个侧面平行的引脚排列，可通过焊接连接到电路板上。
QFP封装具有体积小、引脚密度高、适用于多脚芯片等特点，广泛应用于微控制器、DSP等领域。
3. BGA封装（Ball Grid Array）：BGA封装是一种球阵列封装形式，其引脚以球形排列在芯片底部，并通过焊球连接到电路板上，提供更高的引脚密度和更好的散热性能。
BGA封装广泛应用于大规模集成芯片、处理器等高性能芯片。
4. CSP封装（Chip Scale Package）：CSP封装是一种芯片尺寸接近芯片实际尺寸的封装形式。
CSP封装通常不需要额外的支撑结构，更加紧凑，体积更小。
CSP封装广泛应用于移动设备、智能卡等领域。
5. PLCC封装（Plastic Leaded Chip Carrier）：PLCC封装是一种带引脚的封装形式，引脚排列在四个侧面上，并通过焊接连接到电路板上。
PLCC封装广泛应用于存储器、通信芯片等领域。
6. LGA封装（Land Grid Array）：LGA封装是一种引脚排列在芯片底部的封装形式，通过焊接连接到电路板上。
LGA封装可以实现高密度布线，具有较好的电热性能和高频特性。
LGA封装广泛应用于处理器、显示芯片等高性能领域。
7. PGA封装（Pin Grid Array）：PGA封装是一种引脚排列在芯片底部的封装形式，引脚通过插孔连接到电路板上。
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1、BGA(ball grid array)球形触点陈列,表面贴装型封装之一。
在印刷基板得背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板得正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200,就是多引脚LSI 用得一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如,引脚中心距为1、5mm 得360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0、5mm 得304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA 不用担心QFP 那样得引脚变形问题。
该封装就是美国Motorola 公司开发得,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初,BGA 得引脚(凸点)中心距为1、5mm,引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚得BGA。
BGA 得问题就是回流焊后得外观检查。
现在尚不清楚就是否有效得外观检查方法。
有得认为, 由于焊接得中心距较大,连接可以瞧作就是稳定得,只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封得封装称为OMPAC,而把灌封方法密封得封装称为GPAC(见OMPAC 与GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫得四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一,在封装本体得四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器与ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0、635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 得别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装得记号。
例如,CDIP 表示得就是陶瓷DIP。
就是在实际中经常使用得记号。
5、Cerdip用玻璃密封得陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。
带有玻璃窗口得Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 得微机电路等。
引脚中心距2、54mm,引脚数从8 到42。
在日本,此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封得意思)。
6、Cerquad表面贴装型封装之一,即用下密封得陶瓷QFP,用于封装DSP 等得逻辑LSI 电路。
带有窗口得Cerquad 用于封装EPROM 电路。
散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1、5～2W 得功率。
但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。
引脚中心距有1、27mm、0、8mm、0、65mm、0、5mm、0、4mm 等多种规格。
引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)带引脚得陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装得四个侧面引出,呈丁字形。
带有窗口得用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 得微机电路等。
此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)板上芯片封装,就是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板得电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板得电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 就是最简单得裸芯片贴装技术,但它得封装密度远不如TAB 与倒片焊技术。
9、DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。
就是SOP 得别称(见SOP)。
以前曾有此称法,现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)得别称(见DIP)、11、DIL(dual in-line)DIP 得别称(见DIP)。
欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)双列直插式封装。
插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料与陶瓷两种。
DIP 就是最普及得插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。
引脚中心距2、54mm,引脚数从6 到64。
封装宽度通常为15、2mm。
有得把宽度为7、52mm 与10、16mm 得封装分别称为skinny DIP 与slim DIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分, 只简单地统称为DIP。
另外,用低熔点玻璃密封得陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。
SOP 得别称(见SOP)。
部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrier package)双侧引脚带载封装。
TCP(带载封装)之一。
引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。
由于利用得就是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。
常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。
另外,0、5mm 厚得存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。
在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP 得命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)扁平封装。
表面贴装型封装之一。
QFP 或SOP(见QFP 与SOP)得别称。
部分半导体厂家采用此名称。
17、flip-chip倒焊芯片。
裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片得电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上得电极区进行压焊连接。
封装得占有面积基本上与芯片尺寸相同。
就是所有封装技术中体积最小、最薄得一种。
但如果基板得热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接得可靠性。
因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同得基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。
通常指引脚中心距小于0、65mm 得QFP(见QFP)。
部分导导体厂家采用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)美国Motorola 公司对BGA 得别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环得四侧引脚扁平封装。
塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。
在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。
这种封装在美国Motorola 公司已批量生产。
引脚中心距0、5mm,引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)表示带散热器得标记。
例如,HSOP 表示带散热器得SOP。
22、pin grid array(surface mount type)表面贴装型PGA。
通常PGA 为插装型封装,引脚长约3、4mm。
表面贴装型PGA 在封装得底面有陈列状得引脚,其长度从1、5mm 到2、0mm。
贴装采用与印刷基板碰焊得方法,因而也称为碰焊PGA。
因为引脚中心距只有1、27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250～528),就是大规模逻辑LSI 用得封装。
封装得基材有多层陶瓷基板与玻璃环氧树脂印刷基数。
以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC 与带窗口得陶瓷QFJ 得别称(见CLCC 与QFJ)。
部分半导体厂家采用得名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。
指陶瓷基板得四个侧面只有电极接触而无引脚得表面贴装型封装。
就是高速与高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)触点陈列封装。
即在底面制作有阵列状态坦电极触点得封装。
装配时插入插座即可。
现已实用得有227 触点(1、27mm 中心距)与447 触点(2、54mm 中心距)得陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI 电路。
LGA 与QFP 相比,能够以比较小得封装容纳更多得输入输出引脚。
另外,由于引线得阻抗小,对于高速LSI 就是很适用得。
但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。
预计今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。
LSI 封装技术之一,引线框架得前端处于芯片上方得一种结构,芯片得中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。
与原来把引线框架布置在芯片侧面附近得结构相比,在相同大小得封装中容纳得芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low pro flat package)薄型QFP。
指封装本体厚度为1、4mm 得QFP,就是日本电子机械工业会根据制定得新QFP 外形规格所用得名称。
28、L－QUAD陶瓷QFP 之一。
封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7～8 倍,具有较好得散热性。
封装得框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。
就是为逻辑LSI 开发得一种封装, 在自然空冷条件下可容许W3得功率。
现已开发出了208 引脚(0、5mm 中心距)与160 引脚(0、65mm 中心距)得LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)多芯片组件。
将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上得一种封装。
根据基板材料可分为MCM－L,MCM－C 与MCM－D 三大类。
MCM－L 就是使用通常得玻璃环氧树脂多层印刷基板得组件。
布线密度不怎么高,成本较低。
MCM－C 就是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板得组件,与使用多层陶瓷基板得厚膜混合IC 类似。
两者无明显差别。
布线密度高于MCM－L。
MCM－D 就是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板得组件。
布线密谋在三种组件中就是最高得,但成本也高。
30、MFP(mini flat package)小形扁平封装。
塑料SOP 或SSOP 得别称(见SOP 与SSOP)。
部分半导体厂家采用得名称。
31、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行得一种分类。
指引脚中心距为0、65mm、本体厚度为3、8mm～2、0mm 得标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)美国Olin 公司开发得一种QFP 封装。
基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。
在自然空冷条件下可容许2、5W～2、8W 得功率。