能量恢复型CVSL电路的设计及其应用

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晶闸管控制电抗器(TCR)型SVC

晶闸管控制电抗器(TCR)型SVC

负荷运行 数据最全
拥有世界上最先进的测试仪,对国内外超过300个现场进行 过测试,所有测试数据均由专门部门整理存档,目前已经 形成行业内最大的无功补偿相关数据的数据库,对各类冲 击负荷均有足够的数据进行查阅参考
研发资金 雄厚
作为国内同行业中唯一一家上市公司,我们拥有足够的资 金投入到研发当中,可以始终保持产品技术的领导地位
最早一套于1997年应用于鞍山第一轧钢厂H型钢,目前 运行13年 在各种自然环境下均有运行业绩
总的装机容量已超过ABB和西门子成为世界第一 在线运行率100%,业界无人可比
100余位资深工程师全天候命,保证在接到故障通知后 24小时到达现场
调试周期 最短
我们有国内唯一的 全载试验中心 ,所有设备在出厂前均经过 严格的厂内调试及老化试验,确保出厂设备100%无故障,因此缩 短设备在现场调试时间,在上海宝钢有3天既调试成功的骄人业绩
QR
t QR+QC t t
Qc
t
t QL QN=QR+QC+QL
t
晶闸管控制电抗器(TCR)原理 晶闸管控制电抗器(TCR)原理 (TCR)
TCR单相接线图 TCR单相接线图
TCR系统接线图 TCR系统接线图
晶闸管控制电抗器(TCR)工作原理
通过控制晶闸管的触发角α, 改变晶闸管的导通角δ
得到不同的电流(图中红色波形) 蓝色波形为其基波分量
SVC补偿原理图 SVC补偿原理图
SVC控制原理 SVC控制原理
TCR提供的无功功率 提供的无功功率; FC提供的无功功率 提供的无功功率; QR —由TCR提供的无功功率; QC—由FC提供的无功功率; 负荷需要的无功功率; QL—负荷需要的无功功率; 由母线提供的无功功率; QN—由母线提供的无功功率; 当无功为正是表示感性无功,为负时表示容性无功。 当无功为正是表示感性无功,为负时表示容性无功。

SVG无功补偿培训课件(18页)

SVG无功补偿培训课件(18页)

经常检查所有电力电缆、控制电缆有无损伤 , 电力电缆冷压端子是否松动 ,高压绝缘热缩管 是否松动。 建议RSVG 投入运行第一个月内,将变压器所 有进出线电缆、功率单元进出线电缆紧固一遍 , 以后每半年紧固一遍 ,并用吸尘器清楚柜内 灰尘。
SVG 定期保养
荣信事故解决案例
后台保护常见故障处理
4 . 当由于“检修 ”或者“故障 ”而造成高压断路器分开后 , 切记到 SVG 控制柜将“高压分 ”旋钮打到右侧分位。
5 . 切记 , 不管是停电检修或者故障跳闸 ,都要确认 35KV 开关柜分断 10 分钟以上 ,才允许开 SVG 本体的柜门查看。
荣信日常维护
经常检查室内温度 ,通风情况 ,注意室内温度 不应超过40 度。 保持室内清洁卫生。 经常检查RSVG 是否有异常响声,振动及异味
SVG 工业控制机操作界面
SVG 无功补偿培训结束
无功补偿即SVG&FC
无功补偿装置的作用。
提高线路输电稳定性。 维持受电端电压 ,加强系统电压稳定性

补偿系统无功功率 ,提高功率因素。 谐波动态补偿 , 改善电能质量。 抑制电压波动和闪变。 抑制三相不平衡。
电网中无功的增大对系统的影响 ?
无功功率的增加 ,会导致电流增大和视 在功率增加 ,从而使发电机 、变压器及 其他电器设备容量和导线容量增加 。 同 时 , 电力用户的启动及控制设备 、测量 仪表的尺寸和规格也要加大。 无功功率的增加 ,使总电流增大 , 因而 使设备及线路的损耗增加。 使线路及变压器的电压降增大 动 ,使供电质量严重降低。
谐波问题产生的危害!
使电网中的设备产生附加谐波损耗 ,从而降低发电 、输电及用电 设备的使用效率。 产生额外的热效应 ,从而引起用电设备(电机 、变压器 、 电容器 ) 发热 ,使绝缘老化 , 降低设备的使用寿命 ,甚至被破坏。 引起一些保护设备误动作 ,如继电保护 ,熔断器等。 导致电器测量仪表计量不准确。 通过电磁感应和传导耦合等方式对邻近电子设备和通信系统产生 干扰 , 降低信号的传输质量 ,破坏信号的正常传递 ,甚至损坏通 信设备。 大大增加了系统谐振的可能 。谐波容易使电网与补偿电容之间发 生并联或串联谐振 ,使谐波电流放大几倍甚至数十倍 ,造成过电 流 , 引起电容器 、与之相连的电抗器和电阻器的损坏。

LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的通用建模方法和运行特性分析

LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的通用建模方法和运行特性分析

LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的通用建模方法和运行特性分析一、本文概述随着可再生能源的快速发展和电网互联需求的增加,高压直流输电(HVDC)技术,特别是基于线换相换流器(LCC)和电压源换流器(VSC)的HVDC系统,已成为远距离大功率电力传输和电网互联的重要选择。

这两种输电系统在结构和控制策略上存在显著差异,给电网建模和运行特性分析带来了挑战。

本文旨在提出一种通用的建模方法,用于分析LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的运行特性,以期为电网规划、设计和运行提供理论支持。

本文首先介绍了LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的基本原理和关键技术,包括换流器的拓扑结构、控制策略以及相应的数学模型。

在此基础上,提出了一种通用的建模方法,该方法结合了两种输电系统的共同特点和差异,通过调整模型参数和控制策略,可实现对LCCHVDC 和VSCHVDC输电系统的统一建模。

本文利用所建立的通用模型,对LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的运行特性进行了详细分析。

这包括稳态运行特性、动态响应特性以及故障穿越能力等方面。

通过对比分析,揭示了两种输电系统在运行特性上的共性和差异,为电网规划和运行提供了有益参考。

本文总结了LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的通用建模方法和运行特性分析结果,并指出了未来研究的方向。

通过本文的研究,可以为电力系统工程师和研究人员提供一个全面、系统的视角,以深入了解和分析LCCHVDC和VSCHVDC输电系统的运行特性,推动高压直流输电技术的发展和应用。

二、和输电系统概述输电系统是电力系统中至关重要的组成部分,它负责将电力从发电站高效、安全地传输到各个用电区域。

在现代电力系统中,随着电力需求的不断增长和可再生能源的广泛接入,传统的输电技术面临着越来越多的挑战。

为了满足这些挑战,LCCHVDC(低损耗串联补偿高压直流输电)和VSCHVDC(电压源型高压直流输电)技术应运而生,它们在提高输电效率、增强系统稳定性和优化电网结构方面发挥着重要作用。

循环伏安剥离法CVS的应用

循环伏安剥离法CVS的应用

循环伏安剥离法 CVS 的应用随着镶嵌制程在大量IC制造中逐渐获得重视,更可靠的铜电镀槽分析技术也变得越来越重要。

循环式伏安剥离法(Cyclic VoltammetricStripping,CVS)已经被证明是一种正确且精准的有机添加剂控制技术;最新一代的系统将会是更可靠、更简单、更快速、且其价格更能被接受的产品。

在铜电镀制程中,其关键技术在于如何在晶圆表面上沉积出均匀铜薄膜,使其具有特定的薄膜机械特性,并在沟槽与引洞内产生超填充(super-filling) 特性。

这些重要的制程特性通常都是利用多成份有机与无机电镀溶液来达成;所以我们需要更精确、更敏感、更容易使用与更具成本优势的线上监控量测技术。

一般铜电镀槽都含有高稳定的硫酸铜与硫酸电解质溶液。

在这些电解质溶液中的铜浓度为14~60克/升,而其硫酸浓度则为1~240克/升;相对地,其他加入到电镀槽内的化学成份比例则为极少量。

这些添加剂的成份为有机材料与氯离子,其主要功用在于改变电镀铜的均匀度、硬度、延展性、与张力应力等特性,所以精确控制添加剂对于维持电镀物的特定性质是非常重要的。

添加到铜电镀槽内的有机成份可区分为下列3种。

(1)包含pendantsulfur原子的加速剂成份,该加速剂会在其吸附处产生局部加速沉积;(2)由聚乙二醇(polyethyleneglycols,PEGs)等聚合物所组成的抑制剂成份,该抑制剂可以在整个晶圆表面形成电流抑制薄膜,特别是当氯离子存在时(氯离子会加强抑制效应);(3)为二次抑制剂的轧平剂(leveler),此作用只会在质量转换机制最显著的突出表面发生。

由于各个有机成份在电镀制程中的消耗速率都不同,因此我们需要对个别成份进行监控。

例如,加速剂的消耗速率会比其他有机成份要快许多;此外,有机添加剂与无机成份彼此间也会在电镀制程中进行反应,因而分解或改变其初始有机成份。

这些副产物将会影响整个沉积制程,有时候还会比初始有机成份造成更大的影响。

SVC及mSVC技术在唐山电网中的应用

SVC及mSVC技术在唐山电网中的应用
2 0 1 3年 6月 第 2 期
河 北 工 程 技 术 高 等 专 科 学 校 学 报 J OURNAL OF H EB EI E NGI NE ER I NG AND TE C HN I C AL C OL L E G E
J u n . 2 O l 3
NO . 2
随着工业 技术 的不 断发展 和 自动化水 平 的不断提 高 , 大 功率 电弧炉 、 大功率 电机 以及大 功率可控 硅等半
导 体器件 构成 的非线 性 负荷 的广泛采 用 , 使 电网 电能 质量 下降 , 出现 电压波 动 、 电压 闪变 、 功 率 因数低 、 电网
线损 增大 、 负荷端 电压过低 等现 象 , 同时产生 大量 的高 次 电力 谐波 , 影响通 信 、 广播及 电网继 电保护 的正确 动
且 技术 较为成 熟 。 TC R相 控 电抗 器用 于平 衡 系统 中 由于 负载 的 波动 所产 生 的感性 无 功功 率 , 是 F C+T C R型 S VC装 置
的一 部分 , 由晶 闸管组成 的阀 串与 电抗 器 串联 , 采 用三 角形 连接 。本 系统 T C R相 控 电抗器 提供 系统 所需 要 的感性 无功 功率 、 稳 定 负载 冲击所 产生 的 电压 波 动 。
图 1 S VC 原理 构 成 图
及 电气 化铁 道用 于牵 引 电力 产生严 重 的负序 分量 时起 到有 效 的滤除作 用 , 同时 S V C具 有响应 快 的特点 , 它
能快速 向节点 提供容 性无功 , 使稳态 方式下 节点 的无功 功率平 衡状态 维持在 较高 电压水平 , 以提高 电压储 备 能力 、 输 电线 路 的输 送 能力 ; 故 障时能使 节点 , 尤其 是关键 节 点获得 强有 力 的电压 支撑 , 防止 电压 稳定 破坏 。

微电网及智能配电网的能量管理与故障恢复

微电网及智能配电网的能量管理与故障恢复

智能微电网能量管理系统的应用价值主要体现在以下几个方面:
1、提高能源利用效率:通过对能源资源的智能管理和优化控制,避免能源 浪费,提高能源利用效率。
2、降低能源成本:智能微电网能量管理系统可以实现能源的优化调度和分 配,降低能源采购成本,提高能源供应的稳定性。
3、增强系统安全性:通过实时监测能源设备的运行状态,及时发现潜在的 安全隐患,避免安全事故的发生。
总之,智能微电网能量管理系统在某高校校园中的应用取得了良好的效果和 优势,为校园内的能源管理带来了诸多便利和效益。
谢谢观看
智能配电网通过自动化和智能化的技术手段,提高配电网的供电可靠性。例 如,采用快速故障恢复技术、无功补偿技术等,减少停电时间和停电范围。
3、节能减排
智能配电网通过优化调度和需求侧管理,降低线损和排放,实现节能减排的 目标。它可以通过智能电表、需求侧响应、分布式能源接入等方式实现。
三、微电网及智能配电网的故障 恢复技术
2、系统可靠性提高:通过多元化的能源供应和智能管理,确保了校园能源 系统的稳定运行,提高了系统的可靠性。
3、节能减排:通过智能微电网能量管理系统的监测和控制,实现了对可再 生能源的有效利用,降低了碳排放,有利于环保。
4、智能化管理:管理人员可以通过智能微电网能量管理系统对校园内的能 源资源进行实时监控、调度和分析,提高了管理效率。
6.先进的通信与信息技术支持
先进的通信与信息技术支持是指利用物联网、大数据、云计算等技术手段实 现信息交互与数据处理。这些技术的使用可以为故障恢复提供重要的支持和保障。 例如,可以利用大数据分析预测设备的故障点,及时安排人员进行修复;利用物 联网技术实现远程控制和实时监控;利用云计算等技术手段实现快速的数据处理 和分析。这些技术可以大大提高故障恢复的速度和效率。

动态电压恢复器原理

动态电压恢复器原理

动态电压恢复器原理动态电压恢复器是一种用于恢复电压波形的电子设备。

其工作原理是通过对输入电压进行采样和处理,然后生成一个与输入电压相同或接近的恢复电压波形。

动态电压恢复器广泛应用于电力系统、电子设备和通信系统等领域,以提高电能质量和保护设备。

动态电压恢复器的主要原理是通过控制开关器件的导通和断开,调整输出电压以使其与输入电压相匹配。

其基本组成包括采样电路、控制电路和输出电路。

采样电路用于对输入电压进行采样,获取输入电压的波形信息。

通常采用的方法是使用电压变压器或电流互感器将输入电压转换为与之成比例的电流信号,然后经过滤波和放大等处理得到采样电压信号。

控制电路根据采样电路得到的采样电压信号,通过与参考电压进行比较,产生控制信号。

控制信号经过逻辑运算和时序控制等处理后,控制开关器件的导通和断开,以调整输出电压的大小和形状,实现电压波形的恢复。

输出电路根据控制信号的变化,调整输出电压的波形,使其与输入电压相匹配。

输出电路通常由开关器件和滤波电路组成。

开关器件根据控制信号的变化,控制电流的导通和断开,实现对输出电压的调节。

滤波电路用于去除开关器件产生的脉冲,平滑输出电压的波形。

动态电压恢复器的工作过程可以简单描述为,首先通过采样电路获取输入电压的波形信息,并将其转换为对应的电流信号。

然后,控制电路根据采样电压信号与参考电压的比较结果,产生控制信号,控制开关器件的导通和断开。

最后,输出电路根据控制信号的变化,调整输出电压的波形,使其与输入电压相匹配。

动态电压恢复器的应用主要包括电力系统、电子设备和通信系统等。

在电力系统中,动态电压恢复器可以用于调节电力负荷的电压波形,防止因电压波形失真而引发的负荷故障。

在电子设备中,动态电压恢复器可以用于提供稳定的电压供应,保护电子设备免受电压波动的影响。

在通信系统中,动态电压恢复器可以用于提供稳定的电源,保证通信设备的正常运行。

动态电压恢复器是一种通过对输入电压进行采样和处理,生成与输入电压相匹配的恢复电压波形的电子设备。

北京工业大学集成电路期末复习资料2

北京工业大学集成电路期末复习资料2

第一章:填空:1.等比例缩小理论包括恒定电场(CE)等比例缩小定律、恒定电压(CV)等比例缩小定律、准恒定电场(QCE)等比例缩小定律。

名词解释:1.摩尔定律:Intel公司创始人之一Moore预测集成电路的集成度大约是每18个月翻一番,称为摩尔定律。

2.CMOS集成电路要把NMOS和PMOS两种器件做在一个芯片里。

3.CMOS集成电路是利用NMOS 和PMOS的互补性来改善电路性能的,因此叫做CMOS集成电路。

在P型衬底上用N阱工艺制作CMOS集成电路。

第二章:填空:集成电路加工的三个基本操作为:1形成某种材料的薄膜,2在各种材料的薄膜上形成需要的图形,3通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。

名词解释:闩锁效应:在n阱CMOS中PMOS管的源、漏区通过n阱到衬底形成了寄生的纵向PNP晶体管,而NMOS的源、漏区与P型衬底和n阱形成寄生的横向NPN晶体管。

PNP晶体管的集电极和NPN晶体管的基极通过衬底连接,同时NPN晶体管的集电极通过阱和PNP晶体管的基极相连,从而构成交叉耦合形成的正反馈回路,一旦其中有一个晶体管导通,电流将在两支晶体管之间循环放大,使电流不断加大,最终导致电源和地之间形成极大的电流,并使电源和地之间锁定在一个很低的电压,这就是闩锁效应CMOS版图设计规则:为了保证制作的集成电路合格并保证一定的成品率,不仅要严格控制各种工艺参数,而且要有设计正确合理的版图,在设计版图时必须严格遵守的某些限制称为版图设计规则。

浅沟槽隔离工艺:浅沟槽隔离是采用现代刻蚀技术实现很大的纵横比沟槽,然后采用CVD 方法淀积SiO2从而形成用于隔离的沟槽。

所示为MOS晶体管结构图,请写出图中字母A至F所对应部位的中文名称,并以NMOS 为例简述MOS晶体管的工作原理。

(5分)图 11. 请画出电路图并解释N 阱CMOS 结构中的闩锁效应。

(6分)由于N 阱CMO S 结构中的横向寄生NPN 晶体管和纵向寄生PNP 晶体管形成正反馈电路结构,在特定的外部条件下,将发生N 阱CMOS 电路电源和地线之间的低电阻状态,即发生闩锁效应。

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