光学薄膜技术第三章--薄膜制造技术
光学薄膜制备技术
光学薄膜制备技术简介光学薄膜是一种通过沉积多层材料制成的薄膜，在光学器件和光学元件中广泛应用。
光学薄膜的制备过程需要控制多种参数和技术，涉及多种物理和化学现象。
近年来，已经得到了很大的发展，使得现在可以制备几个纳米厚度、具有高度均匀性和光学特性的光学薄膜。
目前，主要包括磁控溅射、电子束蒸发、化学气相沉积和离子束沉积等技术。
磁控溅射磁控溅射技术是一种制备光学薄膜的重要方法。
该技术是通过将一种(或多种)源材料放于真空环境下，在靶材表面进行溅射过程。
原子或离子经过激发溅射，蒸发和再沉积形成目标薄膜。
这种方法的制备过程控制简单、设备体积小、温度低、制备效率高。
同时，该技术具有材料选用多样性，并且具有可重复性强，制备出来的薄膜具有致密性好、均匀性优、易于加工和修饰等优点。
但是，磁控溅射技术也存在一定的局限性，如成本较高，不能在大范围内均匀沉积薄膜。
电子束蒸发电子束蒸发技术是目前使用最广的一种。
该技术是在真空环境下，通过电子束轰击靶材表面，使得材料蒸发和再沉积形成目标薄膜。
该技术可以通过调节电子束能量及功率，可以获得不同的沉积速度和降温速度，能够得到不同质量的薄膜。
与此同时，该技术还具有能够沉积多种材料（涉及Magnetron）和表面平整度高等优点，使其得到广泛的应用。
化学气相沉积化学气相沉积是一种在固态表面上沉积薄膜的技术。
该技术是在高纯度惰性气体(如氩气)气氛中使用化学反应沉积薄膜。
该技术沉积薄膜质量轻，均匀度好，并且所需要的设备比磁控溅射和电子束蒸发都更为简单，但是这类技术需要较高的处理温度，并且只能沉积较小的薄膜。
离子束沉积法离子束沉积是薄膜制备领域中最高端的方法之一，是通过控制离子束垂直轰击靶材表面，使得材料蒸发施加各种物理或化学分析技术，形成目标薄膜。
这种技术能够制备高品质、高压缩力度的薄膜，并且同时非常适合制备相对薄且复杂的薄膜，可直接获得高性能装置。
总结已经经历了几个阶段和技术的发展，几十年来的发展和改进使得制备的光学薄膜质量和性能达到了极高的水平，最终使得光学薄膜应用范围极广，涉及到麻烦的光学部件、天文学、红外线侦查等领域。
光学薄膜技术第三章--薄膜制造技术
光学薄膜技术第三章——薄膜制造技术—-—-———-—--—--———————-—-——--——-—作者：—--—-————-——--—-————-———————-———日期：第三章薄膜制造技术光学薄膜可以采用物理汽相沉积(PVD)和化学液相沉积(CLD）两种工艺来获得.CLD工艺简单，制造成本低，但膜层厚度不能精确控制，膜层强度差，较难获得多层膜,废水废气对环境造成污染，已很少使用.PVD需要使用真空镀膜机,制造成本高，但膜层厚度能够精确控制，膜层强度好，目前已广泛使用。
PVD分为热蒸发、溅射、离子镀、及离子辅助镀等。
制作薄膜所必需的有关真空设备的基础知识用物理方法制作薄膜，概括起来就是给制作薄膜的物质加上热能或动量，使它分解为原子、分子或少数几个原子、分子的集合体(从广义来说，就是使其蒸发），并使它们在其他位置重新结合或凝聚.在这个过程中，如果大气与蒸发中的物质同时存在,那就会产生如下一些问题：①蒸发物质的直线前进受妨碍而形成雾状微粒，难以制得均匀平整的薄膜；②空气分子进入薄膜而形成杂质；③空气中的活性分子与薄膜形成化合物；④蒸发用的加热器及蒸发物质等与空气分子发生反应形成化合物，从而不能进行正常的蒸发等等.因此,必须把空气分子从制作薄膜的设备中排除出去，这个过程称为抽气。
空气压力低于一个大气压的状态称为真空，而把产生真空的装置叫做真空泵，抽成真空的容器叫做真空室，把包括真空泵和真空室在内的设备叫做真空设备.制作薄膜最重要的装备是真空设备．真空设备大致可分为两类：高真空设备和超高真空设备.二者真空度不同,这两种真空设备的抽气系统基本上是相同的，但所用的真空泵和真空阀不同，而且用于真空室和抽气系统的材料也不同,下图是典型的高真空设备的原理图，制作薄膜所用的高真空设备大多都属于这一类.下图是超高真空设备的原理图,在原理上,它与高真空设备没有什么不同，但是，为了稍稍改善抽气时空气的流动性，超高真空设备不太使用管子，多数将超高真空用的真空泵直接与真空室连接，一般还要装上辅助真空泵(如钛吸气泵）来辅助超高真空泵。
第3章 薄膜制备技术ppt课件
飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于 蒸发原子的平均自由程及蒸发源到基片之间的距离，常称源-基 距。
（3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，
即是蒸发粒子到达基片后凝结、成核、长大、成膜。
由于基板温度远低于蒸发源温度，因此，淀积物分子在基板表
面将直接发生从气相到固相的相转变。
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在电子束加热装置中，被加热的物质被放置于水冷的坩埚中， 电子束只轰击到其中很少的一部分物质，而其余的大部分物质 在坩埚的冷却作用下一直处于很低的温度，即后者实际上变成 了被蒸发物质的坩埚。
2）能克服电阻加热方法受到加热功率或加热温度的限制。 3）电子束蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，这使得人们可
在实际应用中，多使用波长位于紫外波段的脉冲 激光器作为蒸发的光源，如波长为248nm、脉 冲宽度为20ns的KrF准分子激光等。
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7
物理气相沉积（PVD）薄膜的优缺点
主要优点： ①由于在真空中进行，能保证薄膜高纯、清洁和干燥； ②能与半导体集成电路工艺兼容。 主要缺点： ①低的沉积速率； ②对多组元化合物，由于各组元蒸发速率不同，其薄膜难以
钽（Ta） 2996
1957
2407
钼（Mo） 2617
1592
1957
铌（Nb） 2468
1762
2127
铂（Pt） 1772 精品ppt 1292
1612
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（2）选用蒸发源应考虑的因素/对蒸发源材料的要求
1）熔点高，热稳定性好；
2）蒸发源在工作温度有足够低的蒸气压；防止或减 少在高温下蒸发原材料会随蒸发材料而成为杂质进 入蒸镀膜层中。
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5
溅射法是近几年发展相当快的一种镀膜方法。包括直 流溅射(DC sputtering)（一般只能用于靶材为良导体 的溅射）、射频溅射(rf sputtering)、磁控溅射 (magnetron sputtering)、反应溅射(reactive sputtering)和离子束溅射(ion beam sputtering)； 根据使用目的，不同溅射方法内又可以有一些具体的 差异。例如，在各种溅射方法中可以结合不同的施加 偏压的方法。另外，还可以将上述各种方法结合起来 构成某种新的方法，比如，将射频技术与反应溅射相 结合，就构成了射频反应溅射的方法。
光学薄膜技术复习提纲讲解
光学薄膜技术复习提纲、典型膜系减反射膜（增透膜）1、减反射膜的主要功能是什么？是减少或消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光，从而增加这些元件的透光量,减少或消除系统的杂散光。
★ 2、单层减反射膜的最低反射率公式并计算厂 宀 >2llo —111 /11；#-1R= ------------<山+爲沁+/★ 3、掌握常见的多层膜系表达，例如 G| H L | A 代表什么？ G| 2 H L | A ? ★ 4、什么是规整膜系？非规整膜系？把全部由入0/4整数倍厚度组成的膜系称为规整膜系，反之为非规整膜系。
★ 5、单层减反射膜只能对某个波长和它附近的较窄波段内的光波起增透作用。
为了在较宽的光谱范围达到更有效的增透效果，常采用双层、三层甚至更多层数的减反射膜。
★ 6 V 形膜、W 形膜的膜系结构以及它们的特征曲线。
P16-17㈡高反射膜★ 1、镀制金属反射膜常用的材料有铝（AI ）、银（Ag ）、金（Au ）、铬等。
★ 2、金属反射膜四点特性。
P29① 高反射波段非常宽阔，可以覆盖几乎全部光谱范围，当然，就每一种具体的金属而言，它都有自己最佳的反射波段。
V --G I HL|A/M |=!!膜/ fix一上 —\><WG | 2HL | A 0400 450500 550600650 700VUavelsnqth (rm )432<L>yuf5o2lpu家②各种金属膜层与基底的附着能力有较大差距。
如Al、Cr、Ni （镍）与玻璃附着牢固；而Au、Ag与玻璃附着能力很差。
③金属膜层的化学稳定性较差，易被环境气体腐蚀。
④膜层软，易划伤。
㈢分光膜1什么是分光膜？中性分束镜能够在一定波段内把一束光按比例分成光谱成分相同的两束光，也即它在一定的波长区域内，如可见区内，对各波长具有相同的透射率和反射率之比值一一透反比。
因而反射光和透射光不带有颜色，呈色中性。
★2、归纳金属、介质分束镜的优缺点：金属分束镜p32优点：中性好，光谱范围宽，偏振效应小，制作简单缺点：吸收大，分光效率低。
热氧化和薄膜制备技术
3.2 热生长二氧化硅薄膜
7.缓冲层/ 热氧化层
当氮化硅直接沉积在硅衬底上时，界面存在极大 应力和界面态密度，多采用Si3N4/SiO2/Si 结 构。场氧化时，SiO2会有软化现象，可消除氮 化硅与衬底之间的应力。通常采用热氧化生成 ，厚度很薄。
3.2 热生长二氧化硅薄膜
二氧化硅的制备 硅表面形成SiO2的方法很多：热氧化、热分解淀
和离子注入的掩模，防止掺杂杂质损失而覆盖在掺杂 膜上的覆盖膜或钝化膜； 外延薄膜— 器件工作区； 多晶硅薄膜— MOS 器件中的栅级材料，多层金属化的 导电材料以及浅结器件的接触材料； 金属膜和金属硅化物薄膜— 形成低电阻内连、欧姆接触 及用来调整金属与半导体之间的势垒。
3.1 概述
二、用于制备薄膜的材料种类繁多，例如：
湿氧氧化相当于干氧氧化和水汽氧化的综合， 其速率也介于两者之间。具体的氧化速率取决 于氧气的流量、水汽的含量。氧气流量越大， 水温越高，则水汽含量越大，氧化膜的生长速 率和质量越接近于水汽氧化的情况。反之，就 越接近于干氧氧化。
3.2 热生长二氧化硅薄膜
一般湿氧氧化是由携带气体通过水浴后，含有水 汽的氧气进入石英管对硅片进行氧化，而水汽 的多少由水浴的温度控制，同时水浴的质量也 将影响氧化层质量的好坏。
1800?C
SiO+3C ＝ 2CO SiC 空气较少
3.2 热生长二氧化硅薄膜
掩蔽性质：B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的 扩散系数。DSi > DSiO2 SiO2 膜要有足够的厚度。杂质在一定 的扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。
绝缘性质：SiO2能带宽度约9 eV。 热击穿、电击穿、混合击穿：
SiO2 +4HF SiF4 2H2O SiF4 +2HF H2SiF6
薄膜制造技术
成膜过程
凝结是指沉积刚开始时的状况，是指吸附原子在基片表面上形成原子对及其以后 的逐渐成膜过程。根据成核理论和电子显微镜实验观察，薄膜形成的顺序如下： ①膜层材料的气相原子（或分子）在基片表面的吸附，即单体吸附； ②被吸附的原子形成大小不同的各种小原子团； ③小原子团形成临界核； ④临界核俘获其周围的单体，逐渐长大； ⑤在临界核长大的同时，非捕获区的单体逐渐形成临界核； ⑥由临界核形成的稳定核长大到互相接触时，彼此结合后形成小岛，由于结合 而成的新岛所占面积下于结合前的两岛，所以在基片上暴露出新的表面积； ⑦在新暴露的基片表面积上吸附单体，发生二次成核； ⑧小岛长大结合为大岛，大岛相互结合成更大的岛，在新暴露的表面积上发生 “二次”或“三次”成核； ⑨岛与岛相互结合，形成带有沟道和孔洞的薄膜； ⑩在沟道和空洞处发生“二次”或“三次”成核，逐渐形成连续的薄膜。 所谓“二次”或“三次”成核是指从单体吸附开始，直到稳定核长大而相互结构 的过程。下图是一组形象的成膜过程
CASIX 23
成膜过程
CASIX
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薄膜的结构
薄膜的形成过程决定了薄膜结构及其缺陷是属于薄膜本性的 问题，关系到薄膜使用性能的提高、薄膜镀制方法的改进和 创新。薄膜的结构包括组织结构、晶体结构和表面结构三部 分。 1）.组织结构 ①无定型结构，它是在原子的迁移率低到原子凝结在本身的 入射点或入射点附近的情况下产生的。这种结构也称为玻璃 态，吸附原子或分子没有迁移能。高熔点金属、高熔点非金 属化合物薄膜和碳、硅、锗的某些化合物薄膜等。 ②多晶结构 它由无规则取向的微晶组成。其晶粒大小约为 10-100nm。属于这种结构的有低熔点金属。 还有纤维结构、单晶结构等
光学薄膜制备技术与应用探究
光学薄膜制备技术与应用探究随着科技的发展，光学在现代工业、生物医学、通信、信息处理等领域的应用越来越广泛，而光学薄膜作为光学器件生产制造的重要材料，对于提高器件的性能和降低成本十分关键。
本文将重点探究光学薄膜制备技术和应用。
一、光学薄膜制备技术1.溅射法溅射法是目前最为成熟的光学薄膜制备方法之一。
它利用离子束或电子束轰击靶材，靶材表面的原子或分子被抛出，形成高能离子和原子束，然后被沉积在基底表面成为薄膜。
溅射法具有较高的原子利用率和较均匀的沉积厚度分布，广泛应用于制备多种光学薄膜，如金属膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。
2.化学气相沉积法化学气相沉积法是一种利用化学反应在气相中生成沉积物的方法。
它可以在特定条件下使气相中的化学物质分子分解，并在基底表面形成薄膜。
化学气相沉积法具有高沉积速率和广泛的沉积物种类，可制备不同性质、不同组成的光学薄膜。
3.离子束共沉积法离子束共沉积法是在离子束轰击靶材的同时，向靶材表面注入气体分子，通过化学反应在基底表面生成薄膜。
离子束共沉积法可以制备纯度高、致密度大的光学薄膜。
4.离子束抛光法离子束抛光法是通过利用离子束对物体表面进行抛光，去除表面缺陷，提高基底表面的光学质量，然后在抛光后的基底表面沉积光学薄膜。
离子束抛光法可制备高质量、高精度的光学器件。
二、光学薄膜应用案例光学薄膜在现代工业、生物医学、通信、信息处理等领域得到广泛应用，以下列举几个典型的应用案例。
1.光学薄膜在激光器中的应用激光器是一种利用光的放大效应产生一束高亮度、高密集度、高能量的光源，广泛用于医学、工业、军事等领域。
光学薄膜在激光器中起着关键作用，它可以用来增强激光器的输出功率、提高工作效率、保护光学元件表面。
2.光学薄膜在光电子器件中的应用光电子器件是一种能够将光信号转换为电信号或者将电信号转换为光信号的器件，广泛应用于通信、计算机、医疗等领域。
光学薄膜是光电子器件中的关键元件之一，如激光器、电视机中的观看窗口、摄像机中的多层反射镜片等。
第三章 薄膜光学基础理论1
S
D ds d
S
B ds 0
B ds L E dl t S D j ds L H dl t S
波动方程的解
麦克斯韦方程的微分形式：
(1) (2) (3) (4)
对4式两端对时间求导数，则
N 2 H =i E (13) 2 c
(15)
H z H y ( H ) x = y z 2 N 2 N = i s0 y H z i s0 z H y
2 N = i (S0 H ) x
2 N (S0 H ) y
N 2 将(13)式 H =i E 代入(16)式， 2 c
i t 2 nx
说明在导电介质（ 0，因而k 0）是一个衰减波， 消光系数k 是介质吸收电磁波能量的度量。 时，振幅衰减到原来的1 e 2 k 【介质内产生的电流将波的能量转换为热能】 当x =
光学导纳
对 E E0 e
2 kx
e
i t 2 nx
S EH
E E0e
H H 0e
i t x
= E eit x E eit
0 0
i t
:电振动的初相；实数部分 E E0 cos(t ) : 磁振动的初相；实数部分 H H 0 cos(t )
坡印廷矢量：
瞬时值忽大忽小 一个周期的平均值是定值 定义坡印廷矢量的平均值为光强度I
1 T I E0 H 0 cos(t ) cos(t ) d t T 0 1 = E0 H 0 cos( ) 2 ( EH * )的实数部分为 Re( EH * )= Re E0 eit H 0 e it E0 H 0 cos( ) I 1 Re( EH * ) 2
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第三章薄膜制造技术光学薄膜可以采用物理汽相沉积（PVD)和化学液相沉积（CLD)两种工艺来获得。
CLD工艺简单，制造成本低，但膜层厚度不能精确控制，膜层强度差，较难获得多层膜，废水废气对环境造成污染，已很少使用。
PVD需要使用真空镀膜机，制造成本高，但膜层厚度能够精确控制，膜层强度好，目前已广泛使用。
PVD分为热蒸发、溅射、离子镀、及离子辅助镀等。
制作薄膜所必需的有关真空设备的基础知识用物理方法制作薄膜，概括起来就是给制作薄膜的物质加上热能或动量，使它分解为原子、分子或少数几个原子、分子的集合体（从广义来说，就是使其蒸发），并使它们在其他位置重新结合或凝聚。
在这个过程中，如果大气与蒸发中的物质同时存在，那就会产生如下一些问题：①蒸发物质的直线前进受妨碍而形成雾状微粒，难以制得均匀平整的薄膜；②空气分子进入薄膜而形成杂质；③空气中的活性分子与薄膜形成化合物；④蒸发用的加热器及蒸发物质等与空气分子发生反应形成化合物，从而不能进行正常的蒸发等等。
因此，必须把空气分子从制作薄膜的设备中排除出去，这个过程称为抽气。
空气压力低于一个大气压的状态称为真空，而把产生真空的装置叫做真空泵，抽成真空的容器叫做真空室，把包括真空泵和真空室在内的设备叫做真空设备。
制作薄膜最重要的装备是真空设备．真空设备大致可分为两类：高真空设备和超高真空设备。
二者真空度不同，这两种真空设备的抽气系统基本上是相同的，但所用的真空泵和真空阀不同，而且用于真空室和抽气系统的材料也不同，下图是典型的高真空设备的原理图，制作薄膜所用的高真空设备大多都属于这一类。
下图是超高真空设备的原理图，在原理上，它与高真空设备没有什么不同，但是，为了稍稍改善抽气时空气的流动性，超高真空设备不太使用管子，多数将超高真空用的真空泵直接与真空室连接，一般还要装上辅助真空泵（如钛吸气泵）来辅助超高真空泵。
3.1 高真空镀膜机1.真空系统现代的光学薄膜制备都是在真空下获得的。
普通所说的真空镀膜，基本都是在高真空中进行的。
先进行(1)然后进行(2)。
因为所有的（超）高真空泵只有在真空室的压力降低到一定程度时才能进行工作，而且在高真空泵（如油扩散泵）中，要把空气之类的分子排出，就必须使排气口的气体压力降低到一定程度。
小型镀膜机的真空系统低真空机械泵+高真空油扩散泵+低温冷阱低真空机械泵先将真空室抽到＜5pa的低真空，为后续抽真空提供前提条件；机械泵与油扩散泵组成串联机组，可将真空室抽到10-3 pa的高真空。
大型镀膜机高真空油扩散泵+低真空机械泵+罗茨泵+低温冷阱罗茨泵作为提高抽气速度、压缩抽真空时间、提高生产效率的辅助真空泵。
无油真空系统高真空低温冷凝泵+低真空机械泵低温冷凝泵的最大优点是无油，有效避免了油扩散泵的油污染问题。
膜层更牢固。
2、热蒸发系统电阻热蒸发电极两对、电子束蒸发源一个或两个。
电阻热蒸发电极用于蒸发低熔点材料；电子束蒸发源用于蒸发高熔点材料。
3、膜层厚度控制系统①石英晶体膜厚仪——基于石英晶体振荡频率随膜层厚度的增加而衰减的原理进行测厚，测的是膜层的几何厚度。
②光电膜厚仪——以被镀零件的光透射或反射信号随膜层厚度的变化值作为测量厚度的依据，测的是膜层的光学厚度。
灵敏度较低。
3.2 真空与物理汽相沉积用物理方法制作薄膜，概括起来就是给薄膜材料加上热能或动量，使它们蒸发，并在其他位置重新结合或凝聚。
PVD设备被称做真空镀膜机。
这些设备的共同突出的特点就是需要高真空。
3.2.1 PVD 与真空1、热蒸发工艺过程光学薄膜的淀积中用得最多的是热蒸发法。
它的基本原理是把被蒸发材料加热到蒸发温度，使之挥发淀积到放置在工件架上的零件表面，形成所需要的膜层。
见右图 1一般运用的加热方式主要有电流加热、高频加热和电子束加热。
2、大气PVD存在的问题常压时，气体分子密度太高，进入膜层成为杂质。
蒸发膜料大多因碰撞而无法直线到达被镀件。
3、真空PVD的优点气体分子的平均自由行程大于蒸发源到被镀件之间的距离。
被镀膜层材料在高真空条件下容易蒸发，容易获得高纯膜，膜层坚硬，成膜速度快。
3.2.2 真空与压强所谓“真空”，是指在给定的空间内，压强低于101325帕斯卡(也即一个标准大气压强约101KPa)的气体状态，并非一无所有。
处于真空状态下的气体稀簿程度，通常用“真空度”来表示。
“真空度”顾名思义就是真空的程度。
是真空泵等抽真空设备的一个主要参数。
真空度的计量采用与压强相同的方法和单位。
高真空度——低压强；低真空度——高压强压强单位：Pa（帕斯卡Pascall），简称“帕”1(atm)标准大气压=760mmHg=101325Pa真空在薄膜制备中的作用主要有二个方面：一是减少蒸发材料的分子与残余气体分子的碰撞，这样才能将分子在蒸发过程中所得到的动能，全部转换成与基板的结合能，以得到牢固的光学薄膜。
二是抑制蒸发材料的分子与真空室中残余气体之间的反应。
3.2.3 PVD所需真空度基本确定原则：气体分子的平均自由程大于蒸发源到被镀件之间的距离d。
即膜料蒸汽的每一个分子都无碰撞地喷镀到零件表面。
经计算，当d=1m时，真空度p=7×10-3Pa，但此时的碰撞概率为63%。
规定：碰撞概率＜10%；计算：真空度p≈7×10-4 Pa大多数镀膜机的d=0.5m，所以光学镀膜机的真空度指标设定为p＜ 1.3×10-3 Pa这时才能有效地减少碰撞现象的产生。
3.3 真空的获得与检验真空泵是获得真空的关键设备，现代光学薄膜技术中获得真空的设备主要有以下几种：机械泵——罗茨泵——油扩散泵——分子泵——冷凝泵等。
3.3.1 真空泵1、真空与真空泵抽真空——抽出容器内的气体，获得真空状态的过程或动作。
真空泵——用于抽出容器内气体的机器。
2、常见真空泵类型⑴分类气体传输泵——能使气体不断吸入和排出而达到抽气的目的。
如油封旋片式机械泵、罗茨泵。
气体捕集泵——利用泵体、工作物质对气体分子的吸附和凝结作用抽出容器内的气体。
如低温泵、吸附泵。
⑵各种真空泵的工作范围实际上能够直接用于抽大气并向大气中排气的真空泵只有机械泵。
而单独使用机械泵只能获得低真空。
因此，镀膜机的真空机组最少需要两个真空泵形成接力式真空机组，才能获得所需要的高真空度。
3、旋片式机械泵机械泵是采用旋片式的转子和定子组成，随着转子的旋转，不断地进行吸气、压缩和排气的循环过程，使连到机械泵的真空室获得真空。
油的作用：它有润滑和密封的作用，排气阀及其下部的泵体空腔用密封油密封，机械泵的密封油即机械泵油，它是一种矿物油。
4、油扩散泵典型的高真空泵在圆柱状的筒内安装着三级喷嘴，圆筒下部的油用装在下面的电炉加热蒸发，使气压达到1托左右，然后从三个喷嘴向出气口的方向喷射。
从进气口扩散来的空气分子被卷进喷射的油蒸气中而向着出气口方向加速前进。
被与排气口连接的机械泵抽走。
虽然油蒸气流的大部分冲向出气口，但还是有一部分冲向进气口，因此，在扩散泵的进气口一般要安装水冷挡板或者液态氮捕集器，使油蒸气冷凝，以减少油蒸气向真空室中扩散。
用于喷射的油，在高温时一接触大量的空气就容易变质。
即使在常温下，如果长时间接触一个气压的空气，也会因吸收空气中的水分等而使泵的性能下降。
因此，在油扩散泵不工作时，一定要关闭进气口和出气口的阀门，以尽量使内部保持良好的真空状态。
5、罗茨泵提高由机械泵和油扩散泵组成的真空机组的抽气速度。
①在较宽的压强范围内有较快的抽速；②启动快，能立即工作；③对被抽气体中含有的灰尘和水蒸气不敏感④转子不必润滑，泵腔内无油；⑤振动小，转子动平衡条件好，没有排气阀；⑥驱动功率小，机械摩擦损失小⑦结构紧凑。
罗茨泵在泵腔内，有二个“8”字形的转子相互垂直地安装在一对平行轴上，由传动比为1的一对齿轮带动作彼此反向的同步旋转运动。
由于转子的不断旋转，被抽气体从进气口吸入到转子与泵壳之间的空间v 内，再经排气口排出。
在转子之间，转子与泵壳内壁之间，保持有一定的间隙，可以实现高转速运行。
在一根轴上安有3～5级的罗茨型转子, 它为三级罗茨泵的构造, 各级转子由中间壁来隔离, 形成各级的泵腔,上一级的排气口连到下一级的进气口,各级串联应用,各级转子的直径和形状是相同的, 而各级转子的宽度有时是不同的。
3.3.2 低温冷凝泵低温冷凝泵是一种利用低温冷凝和低温吸附原理抽气的真空泵抽气原理:在低温泵内设有由液氦或制冷机冷却到极低温度的冷板。
它使气体凝结，从而达到抽气作用。
低温抽气的主要作用是低温冷凝、低温吸附和低温捕集。
①低温冷凝：气体分子冷凝在冷板表面上或冷凝在已冷凝的气体层上；抽氢时，冷板温度比抽空气时更低。
低温冷凝抽气冷凝层厚度可达10毫米左右。
②低温吸附：气体分子以一个单分子层厚被吸附到涂在冷板上的吸附剂表面上。
吸附的平衡压力比相同温度下的蒸气压力低得多。
③低温捕集：在抽气温度下不能冷凝的气体分子，被不断增长的可冷凝气体层埋葬和吸附。
由于泵的冷表面可以直接放入需抽真空的空间，甚至是真空空间的一个组成部分，所以它不需用管道连接，冷凝板的面积可做得很大，具有很大的抽气速率，是一般的扩散泵难以达到的。
低温冷凝泵的特点：①真正的无油真空泵：低温冷凝，保持真空，无污染；②抽速大：特别对H2O、H2等气体抽速很大；③运行费用低：只需电和冷却水，不需液氮等低温液体④适应性强：无运动部件，不受外界干扰；⑤可以安装在任何方位；⑥运动部件少且低速运行，寿命长；⑦达到10-7 Pa的极限真空度，部分可达到10-9 Pa的极限真空度。
3.3.3 PVD使用的高真空系统3.3.4 真空度的检测真空度以残余气体的压力表示。
真空度是用真空计进行测量的，但是，被测量的真空度不同，必须采用不同的真空计。
在一般的真空设备中，通常附有2-3个真空计。
1、热电偶真空计原理：通过热电偶中热丝的温度与压强的关系确定真空度。
热丝3的温度随着规管内真空度的提高而升高。
测量范围：0.13～13pa优点：①测量的压强是被测容器的真实压强；②能连续测量，并能远距离读数；③结构简单，容易制造；④即使突然遇到气压急剧升高，也不会烧毁。
缺点：①标准曲线因气体种类而异；②读数滞后；③受外界影响大；④老化现象严重，必须经常校准。
2、热阴极电离真空计（高真空测量）热阴极电离真空计，在一般的真空设备中可以说是几乎不可缺少的真空计，从10-1Pa到l0-5Pa的真空，它都能比较精确地测量。
★工作原理——电子在电场中飞行时从电场获得能量，若与气体分子碰撞，将使气体分子以一定几率发生电离，产生正离子和次级电子。
其电离几率与电子能量有关。
电子在飞行路途中产生的正离子数，正比于气体密度n,在一定温度下正比于气体的压力p。
可根据离子电流的大小指示真空度。
测量范围：0.1～1×10-5Pa关于这种真空计应该注意的是：由于真空计工作时灯丝处于加热状态，所以，如果它在加热状态下使用于差的真空状态或者误入空气，灯丝就会因氧化而烧断。