第5章 存储器(讲义)
S3C2410中文手册第5章_存储器控制器
S3C2410A 中文数据手册（第五章）
杭州立宇泰电子有限公司编著（Version 1.0）
SDRAM的BANK地址引脚连接
表 5-2. SDRAM Bank 地址结构
Bank大小 2MB 4MB 8MB 16MB
32MB 64MB 128MBห้องสมุดไป่ตู้
总线宽度 x8 x16 x8 x16 x32 x16 x32 x8 x8 x16 x16 x32 x32 x8 x8 x16 x16 x32 x32 x8 x16 x16 x16 x32 x32 x16 x32 x8 x16 x32 x16 x32 x8 x32
0x307f_ffff
0x30ff_ffff
0x3000_0000 0x31ff_ffff
0x3000_0000 0x3000_0000
0x33ff_ffff
0x37ff_ffff
Bank 7
起始 0x3020_0000 0x3040_0000 0x3080_0000
地址
0x3100_0000
终址 地址
OM0 (操作模式0) 0 1 0 1
导入ROM 数据宽度 Nand Flash Mode
16-bit 32-bit Test Mode
存储器(SROM/SDRAM)地址引脚的连接
MEMORY ADDR. PIN
A0 A1
S3C2410A ADDR. @ 8-bit DATA BUS A0 A1
•••
x32
(8M x 16 x 4banks) x 2 ea
5.2.1nWAIT 引脚的作用
如果对每个bank使能WAIT功能，当对某个bank区进行访问时，nOE的低电平有效时间 就会在nWAIT引脚的控制下延长。从tacc-1时刻开始检测nWAIT的状态。在采样到nWAIT为 高电平后的下一个时钟，nOE将恢复高电平。nWAIT对nWE信号的作用与对nOE信号相同。
微机原理 第5章5.2.4串操作类指令
第5章
2、REPZ重复前缀指令
REPZ
；每执行一次串指令，CX减1 每执行一次串指令，CX减 并判断ZF是否为0 ZF是否为 ；并判断ZF是否为0， 只要CX CX＝ ZF＝ 重复执行结束 ；只要CX＝0或ZF＝0，重复执行结束
【例5.42】比较S1、S2两个数据串是否相同，不同则 】 比较 、 两个数据串是否相同， 两个数据串是否相同 例5.42：比较字符串 ： 跳到NOMATCH执行。 执行。 跳到 执行 S1 DB 0,1,1,0,0 S2 DB 0,1,1,1,0 …… CLD LEA SI,S1 ;源串偏移地址赋值给 源串偏移地址赋值给SI 源串偏移地址赋值给 LEA DI,ES:S2 ;目的串偏移地址赋值给 目的串偏移地址赋值给SI 目的串偏移地址赋值给 MOV CX,5 ;源串和目的串的数据个数 源串和目的串的数据个数 AGAIN: CMPSB ;源串与目的串相减，标志位 源串与目的串相减， 源串与目的串相减 JNE NOMATCH ;有任一不同，跳到NOMATCH 有任一不同，跳到 有任一不同 DEC CX ;数据串没比较完，继续比较 数据串没比较完， JNZ AGAIN 数据串没比较完 NOMATCH:
第5章
四、串比较CMPS
将主存中的源操作数减去目的操作数， 将主存中的源操作数减去目的操作数，以便设 置标志（影响AF,ZF,PF,SF,OF,CF） ， 进而比 置标志 （ 影响 ） 较两操作数之间的关系 CMPSB ；字节串比较：DS:[SI]－ES:[DI] 字节串比较：DS:[SI]－ SI←SI± DI←DI± ；SI←SI±1，DI←DI±1 CMPSW ；字串比较：DS:[SI]－ES:[DI] 字串比较：DS:[SI]－ SI←SI± DI←DI± ；SI←SI±2，DI←DI±2
第5章 存储系统
控制 输入 电路
读 /写 选 片
地址反相器
A5 A6 A7 A8 A9
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第5章 存储系统 1．存储体 一个基本存储电路表示一位二进制位 存储电路有规则的组合，就是存储体，即存储阵列 2．外围电路 包括地址译码器、I/O电路、片选控制、输出驱 动电路 3．地址译码方式 （1）单译码方式 只有行方向的译码器 （2）双译码方式 行译码（X译码）和列译码（Y译码）
可擦除可编程ROM—EPROM ：用特殊手段擦除， 然后可重新多次写入
电可擦除可编程ROM—E2PROM ：用电方式进行 在线擦除
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第5章 存储系统
5.4.1 掩膜型ROM（Read Only Memory）
其基本存储电路可由二极管、晶体管、MOS管构成
X选线 X选线 X选线
基本存储电路如图示（6管） X 选 择 线 T1、T2：双稳态触发器 T3、T4：负载管 T T5、T6：控制门 T7、T8：控制管 T1截止 →A为1 →T2导通 → ↑ B为0 ← ← T2截止为另一种稳态
第11页
Vc c
1T
5
3
T4 B T2
0
T6
─ ─
T1
A
→
D0 T7
D0 T8 I /O
I /O
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第5章 存储系统 （1）单译码方式
A0 A1 · · An 地 址 译 码 · · · · · · · ··· · · ·
···
写 读选通 写选通
I/O 控 制
读 写
I/O 控 制
读
第16页
2012年6月11日星期一
【微机原理】5.1-存储器分类
§ 5.1 存储器分类 § 5.2 随机存取存储器RAM § 5.3 只读存储器ROM § 5.4 存储器与CPU的连接 § 5.5 高速缓冲存储器*
*供选用
第5章 存储器 §5.1 存储器分类
按地位 和
作用分
存储器的分类
其它分类方法：
按存储介质分类 半导体存储器、磁表面存储器、光表面存储器等
▪各类小型存储介质，如
CF卡(紧凑式闪存) SM卡(固态软盘卡)
SD卡(安全数码卡) MMC卡(多媒体卡)
MS卡(记忆棒)
XD卡(尖端数字图像卡) 等
性能好、功耗低、体积小、重量轻。
U盘 SD卡
CF卡
XD卡 256GB固态盘
记忆棒 MMC卡
6）新的非易失性存储器技术
正在涌现的非易失性存储器技术，包括： ▪ 铁电介质存储器（FeRAM） ▪ 磁介质存储器（MRAM） ▪ 奥弗辛斯基效应一致性存储器（OUM） ▪ 聚合物存储器（PFRAM） ▪ 导电桥RAM（CBRAM） ▪ 纳米RAM（NRAM）等
位于主机内部，简称内存或主存，存放系统软件和正执行的 程序和使用的数据，CPU可直接访问内存。
为与CPU速度匹配，内存采用速度较快的半导体存储器。 按照数据保存方法和读写过程，半导体存储器可分成RAM和
ROM两大类。
1. RAM 随机存取存储器
Random Access Memory
可随机写入和读出，访问速度快，但断电后内容会全部丢失，即 具有易失性。
2）DRAM（Dynamic RAM，动态RAM）
➢用MOS开关管控制电容的充放电来存储信息，电路简单，但 存取速度慢，电容上存储的信息会丢失，需要刷新。
➢容量大，价格便宜，PC机上的内存都采用DRAM，而且做成 内存条，便于扩充内存容量。
《计算机专业英语》谢希仁第二版-第5章讲义PPT课件
Computer English
Chapter 5 Operating System
.
1
Key points: Function and structure of
entrust v.委托
criteria n.标准
constraint n.约束, 强制, 局促 partition vt.分区
apriori 预先,事前
perceive v.感知, 感到, 认识到
suboptimal adj.未达最佳标准的
preemption n.抢占
sequential adj. 顺序的,串行的 concurrent adj.并发的, 并行的
在资源分区方式中，操作系统预先决定把哪些资源分配给某个 用户计算使用，这种方法也称为静态分配，因为分配是在程序 执行前进行的。静态资源分配易于实现，但由于它不是从程序 的实际需要出发，而是根据程序预先提出的需求来做决定，所 以容易导致系统利用率下降。
.
10
5.1.1 Resource allocation and related functions
.
12
5.1.1 Resource allocation and related functions
In the partitioned resource allocation approach, the OS decides on the resources to be allocated to a program based on the number of resources and the number of programs in the system. For example, an OS may decide that a program can be allocated 1 MB of memory, 2000 disk blocks and a monitor. Such a collection of resources is referred to as a partition. In effect, a set of partitions can be predefined in the system. The resource table can have an entry for each resource partition. When a new program is to be started, an available partition is allocated to it.
计算机操作系统教程(张尧学(第三版)第五章
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关于动态地址重定位可以如下图所示的过程说明：
制 作 者 ： 郭 平 、 王 在 模 、 何 静 媛
用户程序的虚地址空间 0 100 1KB 0 内存 基地址寄存器 操作系统 22628 22KB 22528
XXXXX
20KB 22KB 22KB+100 XXXXXX
制 作 者 ： 郭 平 、 王 在 模 、 何 静 媛
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动态地址重定位
制 作 者 ： 郭 平 、 王 在 模 、 何 静 媛
动态地址重定位是在程序执行过程中，在CPU访问 内存之前，将要访问的程序或数据地址转换成内存地 址。动态地址重定位依靠硬件地址变换机构完成。
硬件地址转换机构一般由一个“基地址寄存器” 和一个“虚地址寄存器”组成，用户程序不做任何修 改地装入分配给它的存储区域。当调度到用户程序运 行时，则转换成实际的物理地址。
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分区的分配与释放
制 作 者 ： 郭 平 、 王 在 模 、 何 静 媛
分区的分配： 若采用的是一个队列的管理方案，则当一个分区被释放时， 需要在队列中选出一个作业运行，可以有以下几种方案： （1）选出第一个可容纳的作业。该方案虽然实现简单，选择 率高，但是可能会因为一个小作业进入而浪费掉该分区的大部分 存储空间，存储利用率不高。 （2）在队列中找出该分区能容纳的最大的作业。由于每个分 配出的分区产生出的内部碎片小，因此，此方案存储空间的利用 率高；缺点是对小作业不公平。
22kb10022kb300023kbd图51地址变换示意图郭平王在模何静媛其中程序a中的一条入口地址为3000的一条指令为call100其中程序a中的一条入口地址为3000的一条指令为call100在装入内存之后由于程序的起始地址不再为0故程序中的指令需要做相应的转换
电气控制与plc应用技术课件教学配套课件黄永红第五章
S7-200 CPU输入、输出的操作
I/O映像区实际上就是外部输入输出设备状态的映像区，PLC 通过I/O映像区的各个位与外部物理设备建立联系。I/O映像区 每个位都可以映像输入、输出模块上的对应端子状态。
3. 辅助继电器(M)
• 辅助继电器（M）的地址格式为： • 位地址：M［字节地址］.［位地址］，如M0.2、
］，如LB33、LW44、LD55。 • CPU226模块局部存储器的有效地址范围为：L（
0.0～63.7）；LB（0～63）；LW（0～62）；LD （0～60）。
6. 顺序控制继电器（S）
• 顺序控制继电器（S）用于顺序控制或步进控制。 • 顺序控制继电器（S）使用时可以按位、字节、字
、双字访问，其地址格式为： • 位地址：S［字节地址］.［位地址］，如S3.1、
5.1 S7-200 PLC的编程语言
1.梯形图(LAD) 2. 功能块图(FBD) 3. 语句表(STL)
1.梯形图(LAD)
▲ 梯形图（LAD）与电 气控制电路图相呼应。 ▲沿用了继电器、触点、 串并联等术语 ▲简化了图形符号 ▲增加了特殊功能的指令 ▲信号流向清楚、简单、 直观、易懂。
I0.0 Q0.1
=I
Q3.1
LD
I3.1
AN
I3.2
=I
Q3.1
语句表可以编写梯形图和功能块图无法 编写的程序。
5.2 S7-200 PLC的数据类型与存储区域
5.2.1 位、字节、字、双字和常数
常数的几种表示形式：
进制 二进制 十进制 十六进制 ASCII 浮点数
书写格式
举例
2#二进制数值
2#0101011100010
5119.7）；VB（0～5119）；VW（0～5118）；VD（0～ 5116）。
计算机系统结构多媒体教程课件_第五章 多处理机系统2
2013-8-31 4
一、问题由来
• 当每个处理机都有自己专用的cache时， 系统效率提高，但产生cache不一致问题。
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5
1、共享可写数据引起的不一致
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2、进程迁移引起数据不一致
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2、进程迁移引起数据不一致
• P1、p2都有共享数据X拷贝，p2修改了X，并 采用写通过策略，同时修改内存中的X。当该 进程迁移到P1上，这时P1中仍然是X。
目录表法： （非总线结构）
主存设置目录表〈数据块地址，指示器、标志 位〉，某PE写Cache时，通知指示器中的PE处理。
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5.3.4 多处理机系统的特点
1.结构灵活性 • 相比并行处理机的专用性，多处理机系 统是要把能并行处理的任务、数组，以 及标量都进行并行处理，有较强的通用 性。因此多处理机系统要能适应更多样 化的算法，具有更灵活的结构，以实现 各种复杂的机间互联模式。
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ห้องสมุดไป่ตู้
多处理机系统的特点(cont.)
2.程序并行性 • 在多处理机中，并行性存在于指令外部， 即表现在多任务之间。为充分发挥系统 通用性的优点，便要利用多种途径：算 法、程序语言、编译、操作系统以至指 令、硬件等，尽量挖掘各种潜在的并行 性。
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1
第5章 存储器
存储器概述
5.1半导体存储芯片与CPU 的连接
5.28088系统的存储器接口5.48086系统的存储器接口
5.58086/8088的存储器组织
5.3
4
5.1 存储器概述
半导体存储器的分类5.1.1典型的半导体存储器芯片
5.1.3半导体存储器芯片的结构 5.1.255.1.1 半导体存储器的分类
随机存取存储器1只读存储器
2
71.随机存取存储器RAM
存储器中的信息既可以读又可以写。
RAM 中的信息在掉电后立即消失，是一种易失性存储器（volatile memory ）。
分为：
⏹静态RAM(SRAM)⏹动态RAM(DRAM)
12
5.1.2 半导体存储器芯片的结构
175.1.3 典型的半导体存储器芯片
SRAM 芯片HM61161DRAM 芯片Intel 21642EPROM 芯片Intel 2732A
3
18
1.静态RAM(SRAM)芯片HM6116
高速静态CMOS 随机存取存储器。
有11条地址线A 0~A 11、8条数据线I/O 1~I/O 8，可构成2KB 的内存。
有3条控制线：
⏹片选信号CE ：用来选择芯片；⏹写允许信号WE ：控制读/写操作；⏹输出允许信号OE ：用来把数据输出到数据线。
个单元，20
3.只读存储器(EPROM)芯片Intel 2732A
存储容量为4K ×8b ，有12条地址线A 11~ A 0，8条数据线O 7~O 0。
CE 为芯片允许信号，用来选择芯片；OE/V PP 为输出允许信号及编程电源输入线。
当CE 为低电平时，若OE/V PP 也为低电平，对存储器进行读操作；若OE/V PP 加上21V 编程电压时，对存储器重新编程。
21
5.2 半导体存储芯片与CPU 的连接
这是本章的重点内容
SRAM 、EPROM 与CPU 的连接
译码方法同样适合I/O 端口
数据线的连接★地址线的连接★片选端的连接
★读写控制线的连接
★存储芯片与CPU 连接时应考虑的问题
★23位扩展
等效为
64K ×8位
A 15~A 0
D 7~D 0
R/W
CS 图5.10 由64K×1位芯片位扩展组成64K×8位存储器(P.127)
芯片的片选信号并联，可接CPU 控制总线中的存储器选择信号（IO/M ），也可接地址线高位或地址译码器输出端（后述）。
25片内译码
000H 001H 002H …3FDH 3FEH 3FFH
全0
全1
00...0000...0100...10...11...0111...1011 (11)
范围（16进制）
A 9～A
36
地址范围
12
××××××××××
A 19～ A 1504000H ～05FFFH 02000H ～03FFFH
全0～全1全0～全1
1 00 1
一个可用地址A 12～A 0A 14 A 13
切记： A 14 A 13＝00的情况不能出现00000H ～01FFFH 的地址不可使用
切记： A 14 A 13＝00的情况不能出现00000H ～01FFFH 的地址不可使用
38
5.存储芯片与CPU 连接时应考虑的问题
存储芯片与CPU 总线的连接，还有两个很重要的问题：
CPU 的总线负载能力
⏹CPU 能否带动总线上包括存储器在内的连接器件
存储芯片与CPU 总线时序的配合
⏹CPU 能否与存储器的存取速度相配合
39
5.3 8086/8088的存储器组织
8086存储器组织18088存储器组织
2
40
1.8086存储器组织
图2.22 8086的存储器组织（P.44）
41
偶区和奇区的解释42
表2.7 奇偶区的选择
8086系统的存储器为什么要分为奇区和偶区两部分？
43信息的存放
偶字节
奇字节
偶字
奇字
MOV AL, [2000H]
MOV AL, [2001H]MOV AX, [2000H]
MOV AX, [2001H]
图5.6 由8088CPU 组成的8位存储器系统
47图5.14 8088系统字位扩展的接线图48
表5.5 图5.14存储器芯片的地址范围
495.5 8086系统的存储器接口
54
图5.13 16位系统全译码法字扩展接线图
55表5.4 图5.13存储器芯片的地址范围
59思考题
某PC 机内存的地址译码器如图所示，试回答以下问题：（1）每片RAM 的最大容量为多少单元？为什么？（2）写出RAM 0、RAM 1的地址范围（假设每片RAM 的容量为8KB ）。